RDA8810 nand flash && sdram config

NAND FLASH && SDRAM CONFIG

Version 1.0

Change History

Version Date Author Description V1.0 2013-10-31 YanshengZhang New Version.

Version 1.0 (1)

Change History (2)

1Nand flash config (4)

1.1RDA chip 支持的Nand flash 类型 (4)

1.2Nand flash HW config (4)

1.3Nand flash SW config (5)

1.4如何新增加一个flash支持 (6)

2DDR sdram config (7)

2.1Sdram config (7)

2.2如何新增一颗sdram的支持 (8)

3常见问题 (8)

1Nand flash config

1.1R DA chip 支持的Nand flash 类型

RDA chip 支持以下nand flash：ONFI（Open Nand Flash Interface）nand （包括MLC SLC 类型）、spi nand、eMMC以及T-card。

具体支持哪些厂家芯片，请参考RDA发布的验证list。

1.2Nand flash HW config

RDA chip ROM中，对以上几种接口类型的flash都做了兼容，但具体是哪种flash，ROM

Note：

（1）0：低电平1：高电平x：no care

（2）上电之前请确认flash 电压正确。

具体电路图请参考RDA发布的模板电路图。

1.3Nand flash SW config

硬件管脚配置正确后，软件上需要做以下配置：

Flash clock 配置

ONFI Flash clock 配置：(其中XXX表示项目配置模板，YYY表示具体项目TARGET)

1、device\rda\XXX\YYY\include\ tgt_ap_clock_config.h

ONFI flash是挂在APB2总线上的，这个文件中，对APB2从PLL_BUS上进行分频：

#define _TGT_AP_PLL_BUS_FREQ (800) //PLL BUS 800MHz

#define _TGT_AP_CLK_APB2 (0x001A) // 4分频

APB2上时钟是200MHz。

2、device\rda\XXX\YYY\include\ tgt_ap_board_config.h

ONFI flash controller 对APB2时钟进行2次分频：

/* NAND clock in Hz */

#define _TGT_AP_NAND_CLOCK (20000000)

目前，nand flash driver中对时钟2次分频进行了自适应处理,user只需要对_TGT_AP_NAND_CLOCK 进行设置即可，软件自动进行计算，设置到controller 寄存器中（有兴趣可以参考文件rda_nand.c）。

SPI Flash clock配置：(其中XXX表示项目配置模板，YYY表示具体项目TARGET)

1、device\rda\XXX\YYY\include\ tgt_ap_clock_config.h

SPI flash 有自己的单独时钟分频CLK_SFLSH，这个文件中，对CLK_SFLSH从PLL_BUS上进行分频：

#define _TGT_AP_PLL_BUS_FREQ (800) //PLL BUS 800MHz

#define _TGT_AP_CLK_SFLSH (0x001D)//2.5分频

CLK_SFLSH上时钟是320MHz。

另外：spi controller中read flash的delay timing计算也是基于CLK_SFLSH时钟的，例如，320MHz时，read delay应该是4，就代表是4个CLK_SFLSH cycle；这个值目前是自适应计算的，当_TGT_AP_CLK_SFLSH改变时，driver中会根据CLK_SFLSH进行更新（有兴趣可以参考文件rda_spi_nand.c）。

2、device\rda\XXX\YYY\include\ tgt_ap_board_config.h

spi controller对CLK_SFLSH进行2次分频：

/* SPI NAND clock in Hz: 64000000/80000000/108000000*/

#define _TGT_AP_SPI_NAND_CLOCK (108000000)

目前，spi nand flash driver中对时钟2次分频进行了自适应处理,user只需要对_TGT_AP_SPI_NAND_CLOCK 进行设置即可，软件自动进行计算，设置到controller寄存器中（有兴趣可以参考文件rda_spi_nand.c）。

Flash 分区设置(其中XXX表示项目配置模板，YYY表示具体项目TARGET) device\rda\XXX\YYY\include\tgt_ap_flash_parts.h

这个文件中，对系统进行了文件分区,例如：

#ifndef __TGT_AP_FLASH_PARTS_H__

#define __TGT_AP_FLASH_PARTS_H__

#define MTDPARTS_DEF \

"2M@0(bootloader)," \

"2M(factorydata)," \

"4M(modem)," \

"8M(boot)," \

"8M(recovery)," \

"8M(customer)," \

"128M(system)," \

"4M(kpanic)," \

"8M(cache)," \

"-(userdata)"

#endif

其中，system的size 与使用的文件系统类型紧密相关。如果使用yaffs2文件系统，system size就会比较大，如果是squash，system size就会比较小。

1.4如何新增加一个flash支持

当要使用一颗系统还未支持的flash时，除需要确认1.2和1.3所需要的信息外，还需要

将flash的device ID加入支持列表nand_flash_dev nand_flash_ids[]（nand_ids.c），否则系统将不识别这颗flash。

struct nand_flash_dev {

char *name;

int id;

unsigned long pagesize;

unsigned long chipsize;

unsigned long erasesize;

unsigned long options;

};

例如：

/* 4 Gigabit spi nand*/

{"NAND 512MiB 1,8V 4-bit", 0xe4, 2048, 512, 0x20000, LP_OPTIONS}, 其中，0xe4是device ID，2048是pagesize，512是chipsize，0x20000是erase block size，LP_OPTIONS是flash option，如果是16bit，需要换为LP_OPTIONS16。

2DDR sdram config

RDA chip 支持LPDDR、LPDDR2和DDR3 sdram。

2.1Sdram config

device\rda\XXX\YYY\include\tgt_ap_clock_config.h (其中XXX表示项目配置模板，YYY表示具体项目TARGET)

#define _TGT_AP_PLL_MEM_FREQ (260) //设置SDRAM 运行时钟。260MHz

支持50/100/156/200/260/312/351/400 MHz。

/*

* DDR settings

*/

/* DDR clock rate (data rate double this number) */

#define _TGT_AP_DDR_TYPE 3 //DDR type，1：LPDDR 2：LPDDR2 3：DDR3 #define _TGT_AP_DDR_ODT (2)

#define _TGT_AP_DDR_RON (0)

#define _TGT_AP_DDR_CHIP_BITS (0)

/* DDR bus width, valid value are 8, 16 or 32 */

#define _TGT_AP_DDR_WIDTH (16) //DDR DATA BITS

#define _TGT_AP_DDR_BANK_BITS (3)

#define _TGT_AP_DDR_ROW_BITS (4)

#define _TGT_AP_DDR_COL_BITS (2)

/* DDR timing */

#include "ddr_timing/micron_16x1_260m_metal7.h"

micron_16x1_260m_metal7.h 是DDR timing，在ddr_timing 文件夹中。

2.2如何新增一颗sdram的支持

当要使用一颗系统还未支持的sdram时，除需要确认2.1所需要的信息外，还需要校准一组要运行的timing 参数，形成一个文件，加入到ddr_timing文件夹中。

具体步骤如下：

1、在目标板上运行ddr timing 校准程序，具体使用方法参考DDR校准工具使用文档。

2、把校准出来的参数形成头文件，加入到ddr_timing文件夹中。

3、修改tgt_ap_clock_config.h中

/* DDR timing */

#include "ddr_timing/micron_16x1_260m_metal7.h"

为生成的文件名。

4、编译bootloader即可。必要时重新编译boot_spl。

3常见问题

1、flash 读不到ID？

检查硬件，

（1）电压是否正确

（2）flash HWconfig 是否正确

（3）焊接问题

软件方面检查clock配置是否正确。

此现象一般是硬件原因。

2、flash 不识别？

检查nand device ID 是否在flash配置表中。

3、下载img时报exceed partition size？

检查编译出来的img 是否超出了mtd partition 中的相应分区大小。

4、kernal 解压时报 uncompress error？

Sdram timing 不准，使用timing校准工具校准一组新参数试试。

5、Kernel 解压完后系统起不来？

Sdram timing 不准，使用timing校准工具校准一组新参数试试。