TTL 电平和CMOS 电平总结

TTL 电平和CMOS 电平总结
TTL 电平和CMOS 电平总结

TTL电平和CMOS电平总结

TTL电平:

输出高电平 〉2.4V 输出低电平〈0.4V

在室温下,一般输出高电平是3.5V 输出低电平是0.2V。

最小输入高电平和低电平

输入高电平 〉=2.0V 输入低电平 《=0.8V

它的噪声容限是0.4V.

CMOS电平:

1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

电平转换电路:因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v《==》cmos 3。3v),所以互相连接时需要电平的转换:就

是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈哈

OC门,即集电极开路门电路,它必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和

大电流负载,所以 又叫做驱动门电路。

TTL和COMS电路比较:

1、TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。

2、TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。

COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。

3、COMS电路的锁定效应:

COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生

锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。

防御措施:

(1)、在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。

(2)、芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。

(3)、在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。

(4)、当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。

4、COMS电路的使用注意事项

(1)、COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。

(2)、输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。

(3)、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。

(4)、当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。

(5)、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。

5、TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):

1、悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。

2、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载

特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入

端就一直呈现高电平。这个一定要注意。

COMS门电路就不用考虑这些了。

6、TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD 门,它的输出就叫做开漏输出。

OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。

开漏输出:OC门的输出就是开漏输出;OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。

OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。

7、什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?

TTL集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级 关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。

一般图腾式输出,高电平400UA,低电平8MA

TTL电平(L电平:小于等于0.8V ;H电平:大于等于2V)

COMS电平(L电平:小于等于0.3Vcc ;H电平:大于等于0.7Vcc)

CMOS 器件不用的输入端必须连到高电平或低电平, 这是因为 CMOS 是高输入阻抗器件, 理想状态是没有输入电流的. 如果不用的输入引脚悬空, 很容易感应到干扰信号, 影响芯片的逻辑运行, 甚至静电积累永久性的击穿这个输入端, 造成芯片失效.

另外, 只有 4000 系列的 CMOS 器件可以工作在 15伏电源下, 74HC, 74HCT 等都只能工作在 5伏电源下, 现在已经有工作在 3伏和 2.5伏电源下的 CMOS 逻辑电路芯片了.

CMOS电平和TTL电平: CMOS电平电压范围在3~15V,比如4000系列当5V 供电时,输出在4.6以上为高电平,输出在0.05V以下为低电平。输入在3.5V 以上为高电平,输入在1.5V以下为低电平。而对于TTL芯片,供电范围在0~5V,常见都是5V,如74系列5V供电,输出在2.7V以上为高电平,输出在0.5V 以下为低电平,输入在2V以上为高电平,在0.8V以下为低电平。因此,CMOS 电路与TTL电路就有一个电平转换的问题,使两者电平域值能匹配。

有关逻辑电平的一些概念:

要了解逻辑电平的内容,首先要知道以下几个概念的含义:

1:输入高电平(Vih):保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平,当输入电平高于Vih时,则认为输入电平为高电平。 2:输入低电平(Vil):保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平,当输入电平低于Vil 时,则认为输入电平为低电平。

3:输出高电平(Voh):保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值,逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。

4:输出低电平(Vol):保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值,逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。

5:阀值电平(Vt):数字电路芯片都存在一个阈值电平,就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值,对于CMOS电路的阈值电平,基本上是二分之一的电源电压值,但要保证稳定的输出,则必须要求输入高电平> Vih,输入低电平

对于一般的逻辑电平,以上参数的关系如下:

Voh > Vih > Vt > Vil > Vol。

6:Ioh:逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流)。

7:Iol:逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流)。

8:Iih:逻辑门输入为高电平时的电流(为灌电流)。

9:Iil:逻辑门输入为低电平时的电流(为拉电流)。

门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端,这种形式的门称为开路门。开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路(OC)、漏极开路(OD)、发射极开路(OE),使用时应审查是否接上拉电阻(OC、OD门)或下拉电阻(OE门),以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路(OC)门,其上拉电阻阻值RL应满足下面条件:

(1): RL < (VCC-Voh)/(n*Ioh+m*Iih)

(2):RL > (VCC-Vol)/(Iol+m*Iil)

其中n:线与的开路门数;m:被驱动的输入端数。

常用的逻辑电平

·逻辑电平:有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL;RS232、RS422、LVDS 等。

·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类:5V系列(5V TTL

和5V CMOS)、3.3V系列,2.5V系列和1.8V系列。

·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。

·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平,常用的为LVTTL电平。

·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。

·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。

·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准,RS-422/485是差分输入输出,RS-232是单端输入输出。

CMOS TTL电平标准

TTL电平和CMOS电平总结 1,TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换 4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。 5,TTL和COMS电路比较: 1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。 3)COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。 2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 3)在VDD和外电源之间加限流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS 电路的电源。 6,COMS电路的使用注意事项 1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。 2)输入端接低内阻的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。 3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。 4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。 7,TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理): 1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。 8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出

TTL电平与COMS电平常识性概念

电路常识性概念(TTL与CMOS)--非常好 一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≈VCC,Uol≈GND 2.输入高电平Uoh和输入低电平Uol Uih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC(VCC为电源电压,GND为地) 从上面可以看出: 在同样5V电源电压情况下,COMS电路可以直接驱动TTL,因为CMOS的输出高电平大于2.0V, 输出低电平小于0.8V;而TTL电路则不能直接驱动CMOS电路,TTL的输出高电平为大于2.4V,如果落在2.4V~3.5V之间,则CMOS电路就不能检测到高电平,低电平小于0.4V满足要求,所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。如果出现不同电压电源的情况,也可以通过上面的方法进行判断。 如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5V CMOS电路的情况,如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74HC换成74HCT(74系列的输入输出在下面有介绍)的芯片,因为3.3V CMOS 可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O 口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。 三.74系列简介

TTL与CMOS与RS232电平区别

什么是TTL电平、CMOS电平、RS232电平? 它们有什么区别呢?一般说来,CMOS电平比TTL电平有着更高的噪声容限。(一)、TTL电平标准 输出 L: <0.8V ; H:>2.4V。 输入 L: <1.2V ; H:>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。于是TTL电平的输入低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/2=0.4V,高电平的噪声容限为(5-2.4)/2=1.3V。 (二)、CMOS电平标准 输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc。 输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc. 由于CMOS电源采用12V,则输入低于3.6V为低电平,噪声容限为1.8V,高于3.5V为高电平,噪声容限高为1.8V。比TTL有更高的噪声容限。 (三)、RS232标准 逻辑1的电平为-3~-15V,逻辑0的电平为+3~+15V,注意电平的定义反相了一次。 TTL与CMOS电平使用起来有什么区别 1.电平的上限和下限定义不一样,CMOS具有更大的抗噪区域。同是5伏供电的话,ttl一般是1.7V和3.5V的样子,CMOS一般是 2.2V,2.9V的样子,不准确,仅供参考。 2.电流驱动能力不一样,ttl一般提供25毫安的驱动能力,而CMOS一般在10毫安左右。 3.需要的电流输入大小也不一样,一般ttl需要2.5毫安左右,CMOS几乎不需要电流输入。 4.很多器件都是兼容TTL和CMOS的,datasheet会有说明。如果不考虑速度和性能,一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能引起电路工作不正常,因为有些TTL电路需要下一级的输入阻抗作为负载才能正常工作。 1.TTL电路和CMOS电路的逻辑电平 VOH:逻辑电平1的输出电压

什么是TTL电平

什么是TTL电平,什么是CMOS电平,他们的区别 (一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为 0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。 用TTL电平他们就可以兼容 (二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。 (三)TTL电平标准 输出 L: <0.8V ; H:>2.4V。 输入 L: <1.2V ; H:>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。 CMOS电平: 输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc。 输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc. 一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下,同电压的是可以的,不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值,看是否能够匹配(VOL要小于VIL,VOH 要大于VIH,是指一个连接当中的)。有些在一般应用中没有问题,但是参数上就是有点不够匹配,在某些情况下可能就不够稳定,或者不同批次的器件就不能运行。 例如:74LS的器件的输出,接入74HC的器件。在一般情况下都能好好运行,但是,在参数上却是不匹配的,有些情况下就不能运行 ttl与coms电平使用起来有什么区别

什么是TTL电平脉冲信号

什么是TTL电平脉冲信号? TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑"1",0V等价于逻辑"0",这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部 分之间通信的标准技术。 TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的,首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低,另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者,计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的,而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下,是采用并行数据传输方式,而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。 因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题,这些问题对可靠性均有影响;另外对于并行数据传输,电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。 ***************************************************************************************** TTL电平是什么? TTL电平就是高为5V,低接近于0V的脉冲信号 TTL是早期使用的门电路的技术结构,指的是采用双极形晶体管组成的开关管的构成门电路 双极形晶体管,就是采用锗、硅等常规电流控制三极管原理——不同于现在常用的场效应原理. TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写(Transister-Transister-Logic ),是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点。从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。 第一代TTL包括SN54/74系列,(其中54系列工作温度为-55℃~+125℃,74系列工作温度为 0℃~+75℃) ,低功耗系列简称lttl,高速系列简称HTTL。 第二代TTL包括肖特基箝位系列(STTL)和低功耗肖特基系列(LSTTL)。 第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL(ALSTTL)。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小,STTL和ASTTL速度很快,因此获得了广泛的应用 ****************************************************************************************************************** 什么是TTL电平,什么是CMOS电平,他们的区别? TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为 0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严

各种电平_TTL电平、CMOS电平、RS232通信电平的概念及区别

TTL电平、CMOS电平、RS232电平 电平的概念: 什么是电压、电流、电功率?无线电爱好者都十分清楚。而谈及“电平”能说清楚的人却不多。尽管人们经常遇到,书刊中亦多次谈起电路中的高电平、低电平、电平增益、电平衰减,就连电工必备的万用表上都有专测电平的方法和刻线,而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字样也常常可见。尽管如此,因“电平”本身概念抽象,更无恰当的比喻,故人们总是理解不清、记忆不深。 人们在初学“电”的时候,往往把抽象的电学概念用水的具体现象进行比喻。如水流比电流、水压似电压、水阻喻电阻。解释“电平”不妨如法炮制。我们说的“水平”,词典中解释与水平面平行、或在某方面达到一定高度,引申指事物在同等条件下的比较结论。如人们常说到张某工作很有水平、李某办事水平很差。这样的话都知其含义所在。即指“张某”与“李某”相比而言。故借“水平”来比喻“电平”能使人便于理解。 什么是“电平”?“电平”就是指电路中两点或几点在相同阻抗下电量的相对比值。这里的电量自然指“电功率”、“电压”、“电流”并将倍数化为对数,用“分贝”表示,记作“dB”。分别记作:10lg(P2/P1)、20lg(U2/U1)、20lg(I2/I1)上式中P、U、I分别是电功率、电压、电流。 使用“dB”有两个好处:其一读写、计算方便。如多级放大器的总放大倍数为各级放大倍数相乘,用分贝则可改用相加。其二能如实地反映人对声音的感觉。实践证明,声音的分贝数增加或减少一倍,

人耳听觉响度也提高或降低一倍。即人耳听觉与声音功率分贝数成正比。例如蚊子叫声与大炮响声相差100万倍,但人的感觉仅有60倍的差异,而100万倍恰是60dB。 一、TTL电平: TTL 电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑“1”,0V等价于逻辑“0”,这被称做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 TTL 电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的,首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低,另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者,计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的,而TTL 接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下,是采用并行数据传输方式,而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题,这些问题对可靠性均有影响。 TTL输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。 TTL电路是电流控制器件,TTL电路的速度快,传输延迟时间短

TTL电平与RS232电平的区别

TTL电平与RS232电平的区别 工作中遇到一个关于电平选择的问题,居然给忘记RS232电平的定义了,当时无法反应上来,回来之后查找资料才了解两者之间的区别,视乎两年多的时间,之前 非常熟悉的一些常识也开始淡忘,这个可不是一个好的现象.:-),还是把关于三种 常见的电平的区别copy到这里.做加深记忆的效果之用.. 什么是TTL电平、CMOS电平、RS232电平?它们有什么区别呢?一般说来,CMOS电平比TTL电平有着更高的噪声容限。 (一)、TTL电平标准 输出L:<0.8V ;H:>2.4V。 输入L:<1.2V ;H:>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。于是TTL电平的输入低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/2=0.4V,高电平的噪声容限为(5-2.4)/2=1.3V。 (二)、CMOS电平标准 输出L:<0.1*Vcc ;H:>0.9*Vcc。 输入L:<0.3*Vcc ;H:>0.7*Vcc. 由于CMOS电源采用12V,则输入低于3.6V为低电平,噪声容限为1.8V,高于3.5V为高电平,噪声容限高为1.8V。比TTL有更高的噪声容限。 (三)、RS232标准 逻辑1的电平为-3~-15V,逻辑0的电平为+3~+15V,注意电平的定义反相了一次。 TTL与CMOS电平使用起来有什么区别 1.电平的上限和下限定义不一样,CMOS具有更大的抗噪区域。同是5伏供电的话,ttl一般是1.7V和3.5V的样子,CMOS一般是 2.2V,2.9V的样子,不准确,仅供参考。 2.电流驱动能力不一样,ttl一般提供25毫安的驱动能力,而CMOS一般在10毫安左右。 3.需要的电流输入大小也不一样,一般ttl需要2.5毫安左右,CMOS几乎不需要电流输入。 4.很多器件都是兼容TTL和CMOS的,datasheet会有说明。如果不考虑速度和性能,一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能引起电路工作不正常,因为有些ttl电路需要下一级的输入阻抗作为负载才能正常工作。 1.TTL电路和CMOS电路的逻辑电平 VOH: 逻辑电平1 的输出电压 VOL: 逻辑电平0 的输出电压 VIH : 逻辑电平1 的输入电压 VIH : 逻辑电平0 的输入电压

TTL和CMOS的区别(全面-自己整理)

TTL和CMOS的区别 TTL和COMS电平比较: (一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。 (二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。 (三)TTL电平标准 输出 L: <0.8V ; H:>2.4V。 输入 L: <1.2V ; H:>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。 CMOS电平: 输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc。 输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc. TTL和COMS电路比较: TTL CMOS TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象 总体特性比较: 1.CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成 https://www.360docs.net/doc/a28184536.html,S的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差 4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门) 5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。 3、COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: (1)、在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。 (2)、芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 (3)、在VDD和外电源之间加限流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 (4)、当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS 电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。 4、COMS电路的使用注意事项 (1)、COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。 (2)、输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。 (3)、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。 (4)、当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为 R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 (5)、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。 5、TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理): 1、悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。 COMS门电路就不用考虑这些了。 6、TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,

TTL电平和CMOS电平区别和比较

一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≈VCC,Uol≈GND 2.输入高电平Uoh和输入低电平Uol Uih≥0.7*VCC,Uil≤0.2VCC(VCC为电源电压,GND为地) 从上面可以看出: 在同样5V电源电压情况下,COMS电路可以直接驱动TTL,因为CMOS的输出高电平大于2.0V,输出低电平小于0.8V;而TTL电路则不能直接驱动CMOS电路,TTL的输出高电平为大于2.4V,如果落在2.4V~3.5V之间,则CMOS电路就不能检测到高电平,低电平小于0.4V满足要求,所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。如果出现不同电压电源的情况,也可以通过上面的方法进行判断。 如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5VCMOS电路的情况,如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74HC换成74HCT(74系列的输入输出在下面有介绍)的芯片,因为3.3VCMOS可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。 三.74系列简介 74系列可以说是我们平时接触的最多的芯片,74系列中分为很多种,而我们平时用得最多的应该是以下几种:74LS,74HC,74HCT这三种,这三种系列在电平方面的区别如下: TTL和CMOS电平 1、TTL电平(什么是TTL电平): 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。2、CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3、电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl5v<==>cmos3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。 4、OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才

TTL_CMOS电平标准

TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑"1",0V等价于逻辑"0",这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 ************************************************************* TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路(Transistor-Transistor Logic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL(H-TTL)、低功耗型TTL(L-TTL)、肖特基型TTL(S-TTL)、低功耗肖特基型TTL(LS-TTL)五个系列。 1.标准TTL输入高电平最小2V,输出高电平最小 2.4V,典型值 3.4V,输入低电平 最大0.8V,输出低电平最大0.4V,典型值0.2V(输入H>2V,输入L<0.8V; 输出H>2.4V(3.4V),输出L<0.4V(0.2V)。 2.S-TTL输入高电平最小2V,输出高电平最小Ⅰ类2.5V,Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值 3.4V,输入低电平最大0.8V,输出低电平最大0.5V。 3.LS-TTL输入高电平最小2V,输出高电平最小Ⅰ类2.5V,Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型 值3.4V,输入低电平最大Ⅰ类0.7V,Ⅱ、Ⅲ类0.8V,输出低电平最大Ⅰ类0.4V,Ⅱ、Ⅲ类0.5V,典型值0.25V。 TTL电路的电源VDD供电只允许在+5V±10%范围内,扇出数为10个以下TTL门电路。 ********************************************************** COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成电路的英文缩写,电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的,静态功耗很小。 COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5~+15V均能正常工作,电压波动允许±10,当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数 字地)为逻辑0。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为0.1Vcc.当输入电压高于VDD-1.5V时为逻辑1,输入电压低于VSS+1.5V(VSS为数字地)为逻辑0 ************************************************************ CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。

RS232、RS485、TTL电平、CMOS电平

RS232、RS485、TTL电平、CMOS电平 什么是TTL 电平、CMOS 电平、RS232 电平?它们有什么区别呢?一般说来,CMOS 电平比TTL 电平有着更高的噪声容限。 (一)、TTL 电平标准输出L: 2.4V。输入L: 2.0VTTL 器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V 就认为是0,高于2.0 就认为是1。于是TTL 电平的输入低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/2=0.4V,高电平的噪声容限为(5-2.4)/2=1.3V。 (二)、CMOS 电平标准输出L:0.9*Vcc。输入L:0.7*Vcc.由于CMOS 电源采用12V,则输入低于3.6V 为低电平,噪声容限为1.8V,高于3.5V 为高电平,噪声容限高为1.8V。比TTL 有更高的噪声容限。 (三)、RS232 标准负逻辑:逻辑1 的电平为-3~-15V,逻辑0 的电平为 +3~+15V,注意电平的定义反相了一次。 不足之处: (1)接口的信号电平值较高,易损坏接口电路的芯片,又因为与TTL 电平不兼容故需使用电平转换电路方能与TTL 电路连接。(2)RS232 可做到双向传输,全双工通讯最高传输速率20kbps。(3)接口使用一根信号线和一根信号返回线而构成共地的传输形式,这种共地传输容易产生共模干扰,所以抗噪声干扰性弱。(4)传输距离有限,最大传输距离15 米。 (四)、RS485 标准逻辑1 的电平为+2~+6V,逻辑0 的电平为-2~-6V, 双向传输,半双工通讯, 最高传输速率10Mbps 最大传输距离约为1200m RS-485 接口是采用平衡驱动器和差分接收器的组合,抗共模干能力增强,即抗噪声干扰性好。

CMOS电平转换电路详解

CMOS电平转换电路详解 COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成电路的英文缩写,电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的,静态功耗很小。 COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5~+15V均能正常工作,电压波动允许10,当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为0.1Vcc.当输入电压高于VDD-1.5V时为逻辑1,输入电压低于VSS+1.5V(VSS为数字地)为逻辑0。 TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑1,0V 等价于逻辑0,这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 标准TTL输入高电平最小2V,输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V,输出低电平最大0.4V,典型值0.2V(输入H》2V,输入L《0.8V;输出H 》2.4V(3.4V),输出L《0.4V(0.2V)。 CMOS电平是数字信号还是模拟信号?CMOS电平是数字信号,COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5--+15V均能正常工作,电压波动允许10,当输出电压高于VDD-0.5V 时为逻辑1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0,一般数字信号才是0和1 。 cmos电平转换电路1、TTL电路和CMOS电路的逻辑电平 VOH:逻辑电平1 的输出电压 VOL:逻辑电平0 的输出电压 VIH :逻辑电平1 的输入电压 VIH :逻辑电平0 的输入电压 TTL电路临界值:

TTL电平和CMOS电平总结

1,TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平 <=0.8V,噪声容限是0.4V。 2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈 4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。 5,TTL和COMS电路比较: 1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。 3)COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。 2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。 6,COMS电路的使用注意事项 1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。 2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。 3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。 4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。

CMOS电平和TTL电平的区别

1.TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电 平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是 0.4V。 2.CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3.电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样,所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西! 哈哈..... 4.TTL和COMS电路比较: (1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 (2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。 (3)COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: (1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定

电压。 (2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。(3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。(4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS 5.兼容性: CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。所以,用TTL电平在条件允许下他们就可以兼容。要注意到他们的驱动能力是不一样的,CMOS的驱动能力会大一些,有时候TTL的低电平触发不了CMOS电路,有时CMOS的高电平会损坏TTL电路,在兼容性上需注意。 注: 1.CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成 https://www.360docs.net/doc/a28184536.html,S的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差 4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门) 5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法

TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法 一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门 (transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≈VCC,Uol≈GND 2.输入高电平Uoh和输入低电平Uol Uih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC(VCC为电源电压,GND为地) 从上面可以看出: 在同样5V电源电压情况下,COMS电路可以直接驱动TTL,因为CMOS的输出高电平大于2.0V,输出低电平小于0.8V;而TTL电路则不能直接驱动 CMOS电路,TTL的输出高电平为大于2.4V,如果落在2.4V~3.5V之间,则CMOS电路就不能检测到高电平,低电平小于0.4V满足要求,所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。如果出现不同电压电源的情况,也可以通过上面的方法进行判断。 如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5V CMOS电路的情况,如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74HC换成74HCT(74系列的输入输出在下面有介绍)的芯片,因为3.3V CMOS 可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。

TTL和CMOS电平总结

TTL和CMOS电平总结 TTL和CMOS电平总结 TTL——Transistor-Transistor Logic HTTL——High-speed TTL LTTL——Low-power TTL STTL——Schottky TTL LSTTL——Low-power Schottky TTL ASTTL——Advanced Schottky TTL ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容) AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)(亦称ACL) AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容) FCT——FACT扩展系列,与TTL电平兼容 FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology 1,TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平 是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。 2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需 要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈 4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱 动门电路。 5,TTL和COMS电路比较: 1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常

PCB设计规范(什么是TTL电平和CMOS电平)

什么是TTL电平和CMOS电平 2009-10-27 14:42 TTL电平: 输出高电平〉2.4V 输出低电平〈0.4V 在室温下,一般输出高电平是3.5V 输出低电平是0.2V。 最小输入高电平和低电平 输入高电平〉=2.0V 输入低电平《=0.8V 它的噪声容限是0.4V. CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 电平转换电路:因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v《==》cmos 3。3v),所以互相连接时需要电平的转换:就 是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。 OC门,即集电极开路门电路,它必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和 大电流负载,所以又叫做驱动门电路。 TTL和COMS电路比较: 1、TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 2、TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。 3、COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生 锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: (1)、在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。 (2)、芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 (3)、在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 (4)、当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电 源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。 4、COMS电路的使用注意事项 (1)、COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉 电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。 (2)、输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。 (3)、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。 (4)、当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 (5)、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。

TTL与CMOS高低电平区别比较

T T L与C M O S高低电平区别比较 一.T T L T T L集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门 (t r a n s i s t o r-t r a n s i s t o r l o g i c g a t e),TT L大部分都采用5V电源。 1.输出高电平U o h和输出低电平U o l U o h≥2.4V,U o l≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 U i h≥2.0V,U i l≤0.8V 二.C M O S C M O S电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分 敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。C M OS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。 1.输出高电平U o h和输出低电平U o l U o h≈V C C,U o l≈G N D 2.输入高电平U o h和输入低电平U o l U i h≥0.7V C C,U i l≤0.2V C C(V C C为电源电压,G N D为地) 从上面可以看出: 在同样5V电源电压情况下,C O M S电路可以直接驱动T T L,因 为C M O S的输出高电平大于 2.0V,输出低电平小于0.8V;而T T L电路则不能直接驱动C M O S电路,T T L的输出高电平为大于 2.4V,如果落在 2.4V~3.5V之间,则C M O S电路就不能检测到高电平,低电平小于0.4V满足要求,所以在T T L电路驱动C O M S电路时需要加上拉电阻。如果出现不同电压电源的情况,也可以通过上面的方法进行判断。 如果电路中出现3.3V的C O M S电路去驱动5V C M O S电路的情况,如 3.3V单片机去驱动74H C,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74H C换成74H C T(74系列的输入输出在下面有介绍)的芯片,因为 3.3V C M O S可以直接驱动5V的T T L电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。

相关主题
相关文档
最新文档