可被M8832替换的型号CS7210,SD6702,CL1502
概述
M8832是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。
M8832芯片内部集成500V功率开关，采用专利的驱动和电流检测方式，芯片的工作电流极
低，无需辅助绕组检测和供电，只需要很少的外围元件，即可实现优异的恒流特性，极大的节约了系统成本和体积。
M8832芯片内带有高精度的电流采样电路，同时采用了专利的恒流控制技术，实现高精度的LED恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。
M8832具有多重保护功能，包括LED开路/短路保护，SEN电阻短路保护，欠压保护，芯片温度过热调节等。
M8832采用SOP-8封
装。
典型应用特点
?电感电流临界连续模式?内部集成500V功率管
?无需辅助绕组检测和供电?芯片超低工作电流
?宽输入电压
?±3%LED输出电流精度?LED开路保护
?LED短路保护
?SEN电阻短路保护
?芯片供电欠压保护
?过热调节功能
?采用SOP-8封装
应用
?LED蜡烛灯
?LED球泡灯
?其它LED照明
图1M8832典型应用图
M8832
管脚封装管脚描述
极限参数(注1)
注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由T JMAX ,θJA ,和环境温度T A 所决定的。最大允许功耗为P DMAX =(T JMAX -T A )/θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。 注3：人体模型，100pF 电容通过1.5K Ω电阻放电。
推荐工作范围
M8832
电气参数(注4,5)（无特别说明情况下，V DD=15V,T A=25℃）
注4：典型参数值为25?C下测得的参数标准。
注5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。
PK 内部结构框图
应用信息
M8832是一款专用于LED 照明的恒流驱动芯片，应用于非隔离降压型LED 驱动电源。采用专利的恒流架构和控制方法，芯片内部集成500V 功率开关，只需要极少的外围组件就可以达到优异的恒 值电压进行比较，当SEN 电压达到内部检测阈值时，功率管关断。
电感峰值电流的计算公式为：
流特性。而且无需辅助绕组供电和检测，系统成本极低。
I PK =
400
(mA)R SEN
启动
系统上电后，母线电压通过启动电阻对V DD 电容充电，当V DD 电压达到芯片开启阈值时，芯片内部控制电路开始工作。M8832内置17V 稳压管，用于钳位V DD 电压。芯片正常工作时，需要的V DD 电流极低，所以无需辅助绕组供电。
恒流控制，输出电流设置芯片逐周期检测电感的峰值电流，SEN 端连接到内
部的峰值电流比较器的输入端，与内部400mV 阈
其中，R SEN 为电流采样电阻阻值。
SEN 比较器的输出还包括一个350ns 前沿消隐时间。LED 输出电流计算公式为：
I
= I LED
2
其中，I PK 是电感的峰值电流。
V = V on
储能电感
M8832工作在电感电流临界模式，当功率管导通时，流过储能电感的电流从零开始上升，导通时间为：
短。因此可以根据需要设定的开路保护电压，来计算退磁时间Tovp 。
Tovp ≈
L ?VSEN
t =
L ? I PK
其中，
RSEN ?Vovp
IN - V LED
其中，L 是电感量；I PK 是电感电流的峰值；V IN 是经整流后的母线电压；V LED 是输出LED 上的电压。 当功率管关断时，流过储能电感的电流从峰值开 VSEN 是SEN 关断阈值
（400mV ）Vovp 是需要设定的过压保护点
然后根据Tovp 时间来计算Rovp 的电阻值，公式如下：
始往下降，当电感电流下降到零时，芯片内部逻辑再次将功率管开通。功率管的关断时间为：
Rovp ≈ 15*Tovp *10
6
（kohm ）
L ? I PK t off
LED
储能电感的计算公式为：
L =
V LED ? (V IN - V LED )
f ? I PK ? V IN
其中，f 为系统工作频率。M8832的系统工作频率和输入电压成正比关系，设置M8832系统工作频率时，选择在输入电压最低时设置系统的最低工作频率，而当输入电压最高时，系统的工作频率也最高。
M8832设置了系统的最小退磁时间和最大退磁时间，分别为4.5us 和240us 。由t OFF 的计算公式可知，如果电感量很小时，t OFF 很可能会小于芯片的最小退磁时间，系统就会进入电感电流断续模式，LED 输出电流会背离设计值；而当电感量很大时，
t OFF 又可能会超出芯片的最大退磁时间，这时系统
就会进入电感电流连续模式，输出LED 电流同样也
会背离设计值。所以选择合适的电感值很重要。 过压保护电阻设置
开路保护电压可以通过ROVP 引脚电阻来设置，ROVP 引脚电压为0.5V 。
当LED 开路时，输出电压逐渐上升，退磁时间变
保护功能
M8832内置多种保护功能，包括LED 开路/短路保护，SEN 电阻短路保护，V DD 欠压保护，芯片温度过热调节等。当输出LED 开路时，系统会触发过压保护逻辑并停止开关工作。
当LED 短路时，系统工作在5KHz 低频，SEN 关断阈值降低到200mV ，所以功耗很低。当有些异常的情况发生时，比如SEN 采样电阻短路或者变压器饱和，芯片内部的快速探测电路会触发保护逻辑，系统马上停止开关工作。
系统进入保护状态后，V DD 电压开始下降；当V DD 到达欠压保护阈值时，系统将重启。同时系统不断的检测负载状态，如果故障解除，系统会重新开始正常工作。
过温调节功能
M8832具有过热调节功能，在驱动电源过热时逐
渐减小输出电流，从而控制输出功率和温升，使
电源温度保持在设定值，以提高系统的可靠性。
芯片内部设定过热调节温度点为150℃。
PCB 设计
在设计M8832PCB 时，需要遵循以下指南： 旁路电容
V DD 的旁路电容需要紧靠芯片V DD 和GND 引脚。
ROVP电阻
开路保护电压设置电阻需要尽量靠近芯片ROVP引脚。
地线
电流采样电阻的功率地线尽可能短，且要和芯片的地线及其它小信号的地线分头接到母线电容的地端。
功率环路的面积
减小功率环路的面积，如功率电感、功率管、母线电容的环路面积，以及功率电感、续流二极管、输出电容的环路面积，以减小EMI辐射。
NC引脚
NC引脚必须悬空以保证芯片引脚间距离满足爬电距离
DRAIN引脚
增加DRAIN引脚的铺铜面积以提高芯片散热。
典型参数特性
VDD启动电压对温度的变化VDD欠压保护阈值对温度的变化
VDD启动电流对温度的变化VDD工作电流对温度的变化
M8832 封装丝印描述
密级审核表
国防专利密级审核表 ﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍授权的职务发明国防专利填写以下内容：
注意事项 一、本表应使用中文准确填写一式一份，文字应打字或印刷，字迹为黑色。 二、专利（申请）号、权利人和发明名称应与国防专利清单中的专利（申请）号、权利人和发明名称一致。具有多个权利人的，只填写第一署名权利人。 三、经密级审核确定继续保密的国防专利（申请），应确定密级，并填写保密期限。其中确定为秘密级的，保密期限不能超过十年；确定为机密级的，保密期限不能超过二十年。不能确定保密期限的，应填写解密条件。 四、未审查结案的国防专利申请原则上不能解密。解密的专利移交至国家知识产权局转为普通专利，已终止或者不需要保密的专利向社会公布。可公开的专利人名称填写要求是：军工企事业单位填写组织机构代码证或企业法人营业执照上的名称，军队单位有对外公开名称的填写对外公开名称，没有对外公开名称的一般应填写部队代号。具有多个权利人的，所有权利人都应填写可公开的名称和地址。 五、国防专利的密级审核结论应该由具有定密权限的机关、单位作出并加盖保密部门印章，填写经办人和联系电话。 1．权利人具有定密权限的，由权利人单位做出密级审核结论。 2．权利人不具有定密权限的，由有定密权限的上级单位或者项目来源单位作出密级审核结论。 3．权利人因撤、并、分等原因不存在的，由承担其职能的单位，或者上级单位作出密级审核结论。 4．权利人个人、民营企业等不具有上述条件的国防专利，由所在省、自治区、直辖市国防科技工业主管部门作出密级审核结论。 六、对于已授权的职务发明国防专利同时填写转化应用情况和意见建议。若一项国防专利同时涉及多种转化类型或者转化形式的，应据实多选。 “国防专利转化”是指对科学研究与技术开发所具有实用价值的国防专利技术，根据国防建设和国民经济发展的需要，由专利权人或者许可的他人，按照国家法律法规有关规定，进行的后续的试验、开发、工程化应用或产业化活动。 “自行实施”是指专利权利人单位（包括多个权利人单位），自行制造、使用、许诺销售、销售该国防专利产品，使用该国防专利方法，以及使用、许诺销售、销售依照该国防专利方法直接获得的产品。 “许可实施”是指该专利权单位以订立国防专利实施许可合同的方式，许可他人在一定时间和一定范围内使用其国防专利。 “向他人转让技术”是指该专利权人单位在未采取专利许可实施或专利权转让的情形下，以技术转让的方式，由他人使用该国防专利相关技术成果（包括图纸、样品、实验数据、技术材料等）。 “与他人合作实施”是指专利权人单位，与他人共同制造、使用、许诺销售、销售该国防专利产品，使用该国防专利方法，以及使用、许诺销售、销售依照该国防专利方法直接获得产品。 “作价入股”是指该专利权人单位将该国防专利权作为资本入股，由此获得股权收入的经营活动。
新旧公差对照表
? 新旧轴孔公差对照表 孔、轴公差带新旧国标对照表 (尺寸1～500mm) 基孔制配合的轴基轴制配合的孔 注：① 仅1～3mm尺寸分段使用。② 不同尺寸分段分别与不同的新国标符号近似。 ③ 介于两者之间。④ 没有适当的相近的符号。
基孔制配合的轴基轴制配合的孔 基轴制配合的孔间 隙 配 合 旧国标D1 Db1 Dc1 D Db Dc Dd De D3 D4 Dc4 De4 新国标H6 G6 F7 H7 G7 F8 E8 E9 D8 D9 H8 H8 H9 F9 D19 D10 备注②②③③旧国标D5 D6 Dc6 Dd6 De6 D7 Dc7 新国标H10 H11 D11 B11 C11 A11 B11 H12 H13 备注②②③④ 过 渡 配 合 旧国标Ga1 Gb1 Gc1 Gd1 Ga Gb Gc Gd Ga3 Gb3 Gc3 Gd3 新国标N6 M6 K6 J6 Js6 N7 M7 K7 J7 N8 M8 K8 J8 备注②①① 过 盈 配 合 旧国标Jd Je Jb3 新国标 U7 S7 R7 R8 U8 备注②② TOP 管理员 ?个人空间 ?发短消息 ?加为好友 ?当前离线 # 基 轴 制 配 合 的 孔 间 隙 配 合 旧国标D1 Db1 Dc1 D Db Dc Dd De D3 D4 Dc4 De4 新国标H6 G6 F7 H7 G7 F8 E8 E9 D8 D9 H8 H8 H9 F9 D19 D10 备注②②③③ 旧国标D5 D6 Dc6 Dd6 De6 D7 Dc7 新国标H10 H11 D11 B11 C11 A11 B11 H12 H13 备注②②③④ 过 渡 配 合 旧国标Ga1 Gb1 Gc1 Gd1 Ga Gb Gc Gd Ga3 Gb3 Gc3 Gd3 新国标N6 M6 K6 J6 Js6 N7 M7 K7 J7 N8 M8 K8 J8 备注②①① 过 盈 配 旧国标Jd Je Jb3 新国标 U7 S7 R7 R8 U8
齿轮的参数 代号 图解 计算方法
两轴平行的齿轮传动直齿圆柱 齿轮传动 1、两轮轴线互相平行。 2、齿轮的齿长方向与齿轮轴线互相平 行。 3、两轮传动方向相反。 4、此种传动形式英勇最广泛。 直齿圆柱 齿轮传动 1、两轮轴线互相平行。 2、齿轮的齿长方向与齿轮轴线互相平 行。 3、两轮传动方向相反； 斜齿圆柱 齿轮传动1、轮齿齿长方向线与齿轮轴线倾斜一个 角度。 2、与直齿圆柱齿轮传动相比，同时啮合 的齿数增多，传动平稳，传动的扭矩也 比较大。 3、运转时存在轴向力。 4、加工制造比直齿圆柱齿轮传动麻烦。斜齿圆柱 齿轮传动 非圆齿轮 传动 1、目前常见的非圆齿轮有椭圆形、扇形。 2、当主动轮等速转动时从动轮可以实现 有规则的不等速转动。 3、此种传动多见于自动化机构。 人字齿轮 传动 1、具有斜齿圆柱齿轮的优点，同时运转 时不产生轴向力。 2、适用于传递功率大，需作正反向运转 的机构中。 3、加工制造比斜齿圆柱齿轮麻烦。
两轴相交的齿轮传动交叉轴斜 齿轮传动 1、两轮轴线不再同一平面上，或者任意 交错，或者垂直交错。 2、两轮的螺旋角可以相等，也可以不相 等。 3、两轮的螺旋方向可以相同，也可以不 相同。 蜗杆传动 1、蜗杆轴线与蜗轮轴线成垂直交错。 2、可以实现大的传动比，传动平稳，噪 声小，有自锁。 3、传动效率较低，蜗杆线速度受一定限 制。 直齿锥齿 轮传动 1、两轮轴线相交于锥顶点，轴交角α有 三种，α〉90°，α=90°（正交）， α〈90°。 2、轮齿齿线的延长线通过锥点。 斜齿锥齿 轮传动 1、轮齿齿线呈斜向，或者说，齿线的延 长线不通过锥点，而是与某一圆相切。 2、两轮螺旋角相等，螺旋方向相反。 弧齿锥齿 轮传动 1、轮齿齿线呈弧形。 2、两轮螺旋角相等，螺旋方向相反。 3、与直齿锥齿轮传动相比，同时参加啮 合的齿数增多，传动平稳，传动的扭矩 较大。
代替型号
E3F/E3F2/E3F3停产替代 2011年9月生产终了商品 2013年1月作成 注意事项： 外形尺寸不一样，E3JK系列是方形的；E3F是圆柱形的 检测距离不一样 输出方式不一样，E3JK是继电器输出；E3F是晶体管输出 E3FA回归反射型不自带反射板，需要另配 E3FA对射型不能配狭缝 部分型号外壳材质不一样 停产型号与推荐替代型号： 停产型号替代型号 E3F-3B4 E3FA-TP11 E3F-3C4 E3FA-TN11 E3F-3Z1 E3JK-5M1-N E3F-3Z2 E3JK-5M2-N E3F-R2B4 E3FA-RP11 E3F-R2C4 E3FA-RN11 E3F-R2Z1 E3JK-R2M1
E3F-R2Z2 E3JK-R2M2 E3F-DS10B4 E3FA-DP11 E3F-DS10C4 E3FA-DN11 E3F-DS10Z1 E3JK-DS30M1 E3F-DS10Z2 E3JK-DS30M2 E3F2-7B4 E3F2-7B4-M E3FA-TP11 E3F2-7B4-C E3F2-7B4-S E3F2-7B4-P1 E3F2-7B4-M1-M E3FA-TP21 E3F2-7B4-M1-C E3F2-7B4-M1-S E3F2-7C4 E3FA-TN11 E3F2-7C4-M
E3F2-7C4-C E3F2-7C4-S E3F2-7C4-P1 E3F2-7C4-M1-M E3FA-TN21 E3F2-7C4-M1-C E3F2-7C4-M1-S E3F2-R4B4-E E3FA-RP11 E3F2-R4B4-P1-E E3FA-RP21 E3F2-R4C4-E E3FA-RN11 E3F2-R4C4-P1-E E3FA-RN21 E3F2-R2B4 E3FA-RP11 E3F2-R2B4-E E3F2-R2B4-P1-E E3FA-RP21 E3F2-R2C4-E E3FA-RN11
装备承制单位资格目录认证
装备承制单位资格目录认证 申请装备承制单位目录的必要性： 《装备采购条例》规定：装备采购实行承制单位资格审查制度，除特殊情况外，装备采购的承制单位应当从《装备承制单位名录》中选择。《装备科研条例》规定：总部分管有关装备的部门、军兵种装备部对批准立项的装备研制项目，应当在经过资格审查的单位中通过招标或竞争性谈判的方式择优选择装备承研承制单位订立装备研制合同。《装备维修工作条例》规定：总部分管有关装备的部门、军兵种装备部，应当对拟承担装备大修任务的单位组织进行修理资格审查;经审查合格的，方可交付部队装备大修任务。 《装备承制单位资格审查管理规定》、《装备承制单位资格审查规范(试行)》、《装备承制单位资格审查计划管理办法》、《装备承制单位名录管理办法》和《装备承制单位资格审查员管理办法》等一系列法规、制度，进一步对装备承制单位资格审查工作进行了全面规范。装备承制单位资格审查制度，开展装备承制单位资格审查工作，是打破垄断，推行竞争，深化装备采购改革的重要举措;是确保装备研制、生产、维修、服务质量和装备合同履行的重要保证;是促进装备承制单位提高综合能力的重要手段。 申请材料： 1.法人资格 (1)企业法人营业执照/事业单位法人证书; (2)法定代表人证书/任职证明文件;
(3)组织机构与管理制度; (4)组织机构代码证书; (5)国有土地使用证/租用合同; (6)房屋所有权证/租用合同; (7)其他与法人资格有关的内容。 2.专业技术资格 (1)专业技术管理制度; (2)技术人员队伍状况; (3)研制、生产和维修设备和基础设施; (4)测和维修设备和检测手段; (5)按技术标准和技术文件研制、生产和维修产品的能力; (6)主体技术和关键技术掌握情况; (7)主要配套单位协作关系; (8)其他与专业技术有关的内容。 3.质量管理水平和质量保证能力 (1)质量管理体系文件; (2)第三方质量管理体系认证; (3)质量管理体系运行保持情况; (4)装备产品实物质量; (5)质量管理活动的有效性; (6)其它质量管理活动满足要求情况。 4.财务资金状况
与国内外同类产品的对比分析
与国内外同类产品的对比分析一：该项技术的概述及国内外发展概述 （1）、医用压敏胶、远红外陶瓷微粉共同组成的。是集光学、热学、医疗技术于一体的完美结合。当它吸收到皮肤的热能后，释放出8-15微米的远红外光线，与人体的细胞原子和水分子振动频率一致，从而活化人体组织细胞，快速透皮，作用于患处，阻断制痛介质合成。经数千家专科医院近千例临床病例验证表明：它既避免了内服药物的毒副作用，又克服了普通外用药贴透皮困难的缺陷，具有持续释放能量的功效，高效安全。它可以迅速止痛，缓解痉挛，消炎消肿，改善血液循环，加强代谢作用，增强肌体细胞活力，提高了人体的代谢功能，成功的实现了真正的内痛外治。 （2）、远红外贴最早起源于中国，在我国的应用由来已久，而其疗效也颇受认同。其悠久的传统文化内涵和文明承载在很大程度上影响着消费者的选购心理。后流传到韩国、日本等亚洲其他国家，目前部分发达国家也在逐步使用远红外磁疗贴。远红外贴为也叫“透皮吸收剂”属于膏药的一种，它是由药材提取物、远红外陶瓷粉、与橡胶等基质混匀后，涂布于布上的外用制剂。相对于口服和注射两大用药方式来说，吸收剂可直接作用于病患处，不仅药效迅速而且降低了不良反应。 （3）、特别是上纪70 年代中期，美国首先提出透皮控释给药（TDDS）治疗方案并制成东莨菪贴片以来，透皮给药系统不断完善并得到了迅猛的发展。在国际上透皮吸收剂是先进用药方式的代表。我国的膏药可以说是传统的“透皮吸收剂”，把膏药的传统特色与世界先进给药方式联系起来。随着传统医药和现代医学的进一步结合与推进，远红外贴被挖掘出越来越多的新用途，如降压、减肥、避孕、治疗流感、助眠、治疗糖尿病、退热等，而且随着对传统医药与现代医学的发展和人们对远红外贴的认识会进一步加强。
AO3400A替代型号DMN3042L
DMN3042L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET AO3400A 替代型号DMN3042L Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R DS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. ? Battery Charging ? Power Management Functions ? DC-DC Converters ? Portable Power Adaptors Features and Benefits ? Low On-Resistance ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Mechanical Data ? Case: SOT23 ? Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ? Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 ? Terminals: Finish ? Matte Tin Annealed over Copper Leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ? Terminals Connections: See Diagram Below ? Weight: 0.008 grams (Approximate) SOT23 G Top View Internal Schematic Ordering Information (Note 4) Top View 2. See https://www.360docs.net/doc/a19138992.html,/quality/lead_free.html fo r more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free. 3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds. 4. For packaging details, go to our website at http”//https://www.360docs.net/doc/a19138992.html,/products/packages.html. Marking Information SOT23 4L = Product Type Marking Code YM = Date Code Marking Y or Yˉ = Year (ex: B = 2014) M = Month (ex: 9 = September) 4L Y M
替代型号
替代型号产品型号 1N5817ZHCS750-1N5818ZHCS750-1N5818M ZHCS750-1N5819ZHCS750-1N5820ZHCS750-1N5821ZHCS750-1N5822ZHCS750-1SV215ZMV832B-1SV228ZDC833A-1SV230ZMV831B-1SV231ZMV834B-1SV262ZMV833B-1SV270ZMV830B-1SV276ZMV830B-1SV279ZV831BV2-1SV281ZMV830B-1SV284ZMV830B-1SV286ZV831BV2-1SV322ZMV932-1SV323ZV932V2-1SV324ZMV933A-1SV325ZV933V2-1SV331ZV931V2-2N6720ZTX655-2N6721ZTX657-2N6724ZTX601-2N6725ZTX601-2N6728ZTX553-2N6729ZTX553-2N6730ZTX753-2N6731ZTX653-2N6732ZTX753-2N7001ZVN3320F-2N70022N7002-2N7007ZVN3320A-2N7008ZVN3306A-2N7019ZVP3306F-2N7025ZVP3306A-2N7026ZVP3306F-2PD1424FCX718-2PD1424ZXTP25020DFH-2PD2150FCX619-2PD2150ZXTN25060BZ-2PD2150ZXTN25060BFH-2SA1013ZTX755-2SA1036K FMMT589-
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AO3414 替代型号DMG3414U
e3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET AO3414 替代型号DMG3414U Features Mechanical Data ? Low On-Resistance ? 25m? @ V GS = 4.5V ? 29m? @ V GS = 2.5V ? 37m? @ V GS = 1.8V ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ? Qualified to AEC-Q101 Standards for High R eliability ? Case: SOT23 ? Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ? Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D ? Terminals: Finish ? Matte Tin annealed over Copper leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ? Terminals Connections: See Diagram Below ? Weight: 0.008 grams (approximate) TOP VIEW Internal Schematic TOP VIEW Ordering Information (Note 4) Notes: 1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. 2. See https://www.360docs.net/doc/a19138992.html,/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free. 3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds. 4. For packaging details, go to our website at https://www.360docs.net/doc/a19138992.html,/products/packages.html. Marking Information MN8 = Product Type Marking Code YM = Date Code Marking for SAT (Shanghai Assembly/ Test site) YM = Date Code Marking for CAT (Chengdu Assembly/ Test site) Y or Y = Year (ex: A = 2013) M = Month (ex: 9 = September) Chengdu A/T Site Shanghai A/T Site DMG3414U Gate G S MN8 MN8 Y M Y M
型号对照表
TYCO P&B 620V23134VF4CB G8JN AZ973/972 792H HFV4FRC1RLP 621VF4CB 896 HVF7A FRC2RLE 622V23134/V23136VF7G8JR AZ9801897HFV7FRC3RLAC 623V23073/V23074VFM CM G8HN AZ988871 HFV6FRC7MRIR 625V23072 VKM AZ975/976 HFKM /HFKS FRA3MRC/MRI /MRD 626JSM G8U FRS10M 627V23133/V23076VKP G8PE FBL-274 AZ9701/9711 822E HFKP FRA2MRC/MRI 628 T72M T72M JJM/CQ G8QN FBR51/52AZ9471 895 HFKW FRS12M 5601 0 335 200 0040 335 200 0220 335 200 0240 335 200 0270 335 200 0520 335 200 0750 335 200 079 0 744 12 54 201 00154 201 10154 203 0014DB 002 895 0234DB 003 750 1014DB 003 750 1514DB 003 750 181 56020 744 38 M9E HW 547SFB 163WFL 6 GFU 2141GFU 2214 58920 5603M10C HW 550 LIGHTENPOINT FL 6 5604 07 44 13 4DB 003 750 0184DB 003 750 0814DB 003 750 171M11 HW 558 SFB 161 WFL 9 GFU 2213 5605 0 335 200 0410 335 200 080 07 44 6254 201 003 4DM 001899 0014DM 001899 0414DM 003360 004DM 003390 004DM 003390 011 M504 SFB 164 LIGHTENPOINT FL 16 560607 44 36 54 201 10854 204 002 M505 HW 566SFB 165 WFL 9 5608 M9C HW 551 LIGHTENPOINT FL 16 WIPAC UNIPART INTER MOTOR BOSCH DURITE VALEO FISTER MICROHORSE WEHRLE HELLA NAGARES FUJITSU TYCO GROUP NAIS OMRON LUCAS MICROHORSE HONGFA FIC ZETTLER SONG CHUAN Competitors Cross Reference / Lista de Competidores
汽车电子常用芯片型号代换资料
汽车电子常用芯片型号代换资料汽车电子, 存储器 标志印字芯片功能代换型号 BOSCH 30039 30061 ADC0809 B22AN 存储器 93C06 B34AB 存储器 24C02 B43AB 存储器 24C02 B46AJ 存储器 24C02 B49AJ 存储器 24C02 B52AP 存储器 24C02 B54AH 存储器 24C02 B57120 存储器 27C64 B57324 存储器 2732A B57347 存储器 27C64 B57423 存储器 27C256 B57449 74HC74 B57477 存储器 27C64 B57519 存储器 27C64 B57581 74HC573 B57604 存储器 27C256 B57605 存储器 27256 B57607 存储器 27C128 B57610 存储器 27C128 B57618 存储器 87C257 B57618 存储器 87C64 B57625 存储器 2764A B57654 存储器 27C256 B57696 存储器 27C256 B57701 存储器 27C256 B57733 4x位开关 TLE4211, TLE6220 B57764 存储器 87C257 B57764 存储器 87C64 B57771 存储器 27C256
B57922 存储器 87C257 B57960 存储器 27C256 B57995 存储器 TMS27C256 B58014 存储器 27C256 B58038 存储器 27C256 B58094 存储器 27C510 B58126 存储器 27C010 B58127 存储器 27C512 B58150 存储器 87C257 B58157 存储器 27C512 B58185 存储器 87C257 B58196 存储器 NS93C46 B58234 存储器 27C256 B58235 存储器 87C257 B58239 存储器 27C512 B58240 6 x位开关 TLE4216G, TLE4226G B58241 4 x位开关 TLE4214G, TLE6225 B58243 存储器 CJ87BC6QG B58244 I87M12 B58258 存储器 24C02 B58265 控制器 CAN控制器?? B58275 存储器 27C1024 B58286 控制器 SAB80C166 B58293 存储器 27C512 B58331 存储器 28F010 B58334 存储器 28C64 B58380 存储器 24C02 B58381 存储器 AM28F512 B58399 存储器 AM29F010 B58400 存储器 87C510 B58424 存储器 27C512 B58502 ABS,ASR系统IC TLE5200G, TLE6210G B58504 ABS,ASR系统IC TLE5201G, TLE6211G B58505 2 x位开关 TLE5225G, TLE6215G B58517 存储器 28F020
与国内外同类产品的对比分析
与国内外同类产品的对比分析 一：该项技术的概述及国内外发展概述 （1）、医用压敏胶、远红外陶瓷微粉共同组成的。是集光学、热学、医疗技术于一体的完美结合。当它吸收到皮肤的热能后，释放出8-15微米的远红外光线，与人体的细胞原子和水分子振动频率一致，从而活化人体组织细胞，快速透皮，作用于患处，阻断制痛介质合成。经数千家专科医院近千例临床病例验证表明：它既避免了内服药物的毒副作用，又克服了普通外用药贴透皮困难的缺陷，具有持续释放能量的功效，高效安全。它可以迅速止痛，缓解痉挛，消炎消肿，改善血液循环，加强代谢作用，增强肌体细胞活力，提高了人体的代谢功能，成功的实现了真正的内痛外治。 （2）、远红外贴最早起源于中国，在我国的应用由来已久，而其疗效也颇受认同。其悠久的传统文化内涵和文明承载在很大程度上影响着消费者的选购心理。后流传到韩国、日本等亚洲其他国家，目前部分发达国家也在逐步使用远红外磁疗贴。远红外贴为也叫“透皮吸收剂”属于膏药的一种，它是由药材提取物、远红外陶瓷粉、与橡胶等基质混匀后，涂布于布上的外用制剂。相对于口服和注射两大用药方式来说，吸收剂可直接作用于病患处，不仅药效迅速而且降低了不良反应。
（3）、特别是上纪70年代中期，美国首先提出透皮控释给药（TDDS）治疗方案并制成东莨菪贴片以来，透皮给药系统不断完善并得到了迅猛的发展。在国际上透皮吸收剂是先进用药方式的代表。我国的膏药可以说是传统的“透皮吸收剂”，把膏药的传统特色与世界先进给药方式联系起来。随着传统医药和现代医学的进一步结合与推进，远红外贴被挖掘出越来越多的新用途，如降压、减肥、避孕、治疗流感、助眠、治疗糖尿病、退热等，而且随着对传统医药与现代医学的发展和人们对远红外贴的认识会进一步加强。 （4）、据统计1999年，全球透皮控释制剂市场的销售额约为11亿美元，2005年达到127亿美元，2010年达到800亿～1000亿美元。美国医药界认为，今后5～10年内，有1/3的现用药将采用透皮吸收制剂。药物透皮吸收给药系统是药剂学中一个新领域，自1981年世界上第一个TTS（透皮制剂）产品----东莨菪碱由美国Alza公司推入美国市场以来，受到广大医生和患者的青睐，国际上竞相研制生产TTS产品。据统计，目前透皮制剂用于激素替代治疗（治疗绝经期综合征、骨质疏松症和性腺机能减退）、心血管疾病（高血压和心绞痛）和中枢神经系统疾病（戒烟、晕动病和疼痛／炎症）。 （5）、截至2004年，美国已有超过35个药物透皮制剂上市。2005年，美国20％以上的制药企业已经开始生产TTS。在众多企业的参与
机械制图国标GB新旧对比
标准概括介绍: 《机械制图》国家标准的变更 1．《机械制图》国家标准的历史 我国《机械制图》标准的变更时间表 颁发时间主要内容颁发部门说明 1951年13项《工程制图》标准。政务院财经委员会以第一角画法为我国《工程制图》的统一规则，从而扭转了我国机械图样中第一角和第三角画法并用的混乱状态。 1956年21项《机械制图》部颁标准。原第一机械工业部属于前苏联的ΓOCT 体系。 1959年19项《机械制图》国家标准（第一套国标）。国家科委 1970年修订了1959年的国家标准，共7项，在全国试行。中国科学院 1974年在1970年基础上扩充为10项，正式转正发布。原国家标准计量局1983～1984年17项《机械制图》国家标准。原国家标准计量局1985年开始实施，这套标准是跟踪国际标准（ISO）的，达到了当时的国际先进水平。1993～2003年陆续修订1985年实施的《机械制图》国家标准。国家质量监督检验检疫总局绝大部分已与国际标准（ISO）接轨，1985年实施的17项《机械制图》国家标准有14项被取代。 2．新旧标准的对照 1985年实施标准与现行标准对照表 分类1985年实施的《机械制图》国家标准编号现行《机械制图》 国家标准编号现行《机械制图》 国家标准名称 基本规定GB/T 4457.1－1984 ※GB/T 14689－1993 技术制图图纸幅面及格式 GB/T 4457.2－1984 ※GB/T 14690－1993 技术制图比例 GB/T 4457.3－1984 ※GB/T 14691－1993 技术制图字体 GB/T 4457.4－1984 ※GB/T 17450－1998 技术制图图线 GB/T 4457.4－2002 机械制图图样画法图线 GB/T 4457.5－1984 GB/T 17453－1998 技术制图图样画法剖面区域的表示法GB/T 4457.5－1984 机械制图剖面符号 基本表示法GB/T 4458.1－1984 ※GB/T 17451－1989 技术制图图样画法视图 GB/T 4458.1－2002 机械制图图样画法视图 GB/T 17452－1989 技术制图图样画法剖视图和断面图 GB/T 4458.6－2002 机械制图图样画法剖视图和断面图 GB/T 16675.1－1996 技术制图简化表示法第1部分：图样画法 —— GB/T 4457.2－2003 技术制图图样画法指引线和基准线的基本规定 GB/T 4458.2－1984 ※GB/T 4458.2－2003 机械制图装配图中零、部件序号及其编排方法 GB/T 4458.3－1984 GB/T 4458.3－1984 机械制图轴测图 GB/T 4458.4－1984 ※GB/T 4458.4－2003 机械制图尺寸注法
GBPC5008W【ASEMI】的两个直接替代型号
编辑：DD 最近有一位客户来问GBPC5008W这款型号的替代型号。下面就是ASEMI小编为您精选的两款整流桥型号，也是比较常用的GBPC封装型号——GBPC5010W（两种不同封装形式）！ 常见的第一种封装的GBPC5010W，主要参数规格：电流：50A；电压：1000V；包装方式：盒装，50PCS/盒。
桥堆GBPC5010W是针脚整流桥，主要应用于电源电路整流领域产品，开关电源，电源适配器，LED灯源电路，充电器，冰箱空调机，电视机，家用电器及小电器等相关产品，车用整流，机电设备。 还有另外一种封装就是铝底塑封的整流桥GBPC5010W。它与一般的GBPC5010W有什么区别或者优势呢？一起来看一下吧。 ASEMI整流桥GBPC5010-全新封装铝底塑壳-稳定可靠性更好 GBPC5010采用的是全新铝底塑壳封装，这种全新封装与KBPC5010所所用的金属锌壳有很大不一样，其散热性与稳定性表现更好。使用过金属锌壳封装的客户都会有这样的感 触，散热性相对不是很突出，内部芯片长时间工作积攒的大量热能不能被有效导出，也直 接影响到桥堆的可靠性。而GBPC5010采用全新铝底塑壳封装，铝的传导效率最佳，能快速 导热使得电源可靠性大幅提升。
GBPC5010采用铝底塑壳-保护芯片更安全 我们知道GBPC5010属于半导体功率器件，其工作时会芯片会发热。因为芯片被环氧树脂包裹，当芯片发热时树脂会细微热膨胀，而当整流桥停止工作时，树脂会细微冷缩。 因为金属锌与环氧树脂的热平衡点不一致，如果热涨与冷缩的时候树脂与外壳不同步，就 会造成对芯片的硬力拉伤。这点硬力变化虽然对整个整流桥来讲不算很大，但对内置芯片 来讲足以将芯片损坏。而GBPC5010独特的设计就能完美杜绝芯片被硬力拉伤的风险，所以 能更好的保护芯片不被损坏。
常用公差极限尺寸及新旧公差对照
尺寸至500轴常用公差极限尺寸 直径c11 d7 d9 d11 e8 f7 f9 g6 h4 h6 h7 h8 h9 h11 j6 js7 Js9 k6 m6 n6 p6 s6 u6 0-3 -60 -120 -20 -30 -20 -45 -20 -80 -14 -28 -6 -16 -6 -31 -2 -8 -3 -6 -10 -14 -25 -60 +4 -2 ±5 ±12 +6 +8 +2 +10 +4 +12 +6 +20 +14 +24 +18 3-6 -70 -145 -30 -42 -30 -60 -30 -105 -20 -38 -10 -22 -10 -40 -4 -12 -4 -8 -12 -18 -30 -75 +5 -2 ±6 ±15 +9 +1 +12 +4 +16 +8 +20 +12 +27 +10 +31 +23 6-10 -80 -170 -40 -55 -40 -76 -40 -130 -25 -47 -13 -28 -13 -40 -5 -14 -4 -9 -15 -22 -36 -90 +7 -2 ±7 ±18 +10 +1 +15 +6 +19 +10 +24 +15 +32 +23 +37 +28 10-18 -95 -205 -50 -68 -50 -93 -50 -160 -32 -59 -16 -34 -16 -59 -6 -17 -5 -11 -18 -27 -43 -110 +8 -3 ±9 ±21 +12 +1 +18 +7 +23 +12 +29 +18 +30 +28 +44 +33 18-30 -110 -240 -65 -86 -65 -117 -65 -195 -40 -73 -20 -41 -20 -72 -7 -20 -6 -13 -21 -33 -52 -130 +9 -4 ±10 ±26 +15 +2 +21 +8 +28 +15 +35 +22 +48 +35 +54 +41 30-40 -120 -280 -80 -105 -80 -142 -80 -240 -50 -89 -25 -50 -25 -87 -9 -25 -7 -16 -25 -39 -62 -160 +11 -5 ±12 ±31 +18 +2 +25 +9 +33 +17 +42 +26 +50 +43 +61 +48 40-50 -130 -290 60-65 -140 -330 -100 -130 -100 -174 -100 -290 -60 -106 -30 -60 -30 -104 -10 -29 -8 -19 -30 -46 -74 -190 +12 -7 ±15 ±37 +21 +2 +30 +11 +39 +20 +51 +32 +72 +53 +76 +60 65-80 -150 -340 80-100 -170 -390 -120 -155 -120 -207 -120 -340 -72 -126 -36 -71 -36 -123 -12 -34 -10 -22 -35 -54 -87 -220 +13 -9 ±17 ±43 +25 +3 +35 +13 +45 +23 +59 +37 +78 +59 +86 +70 100-120 -180 -400 120-140 -200 -450 -145 -185 -145 -245 -145 -396 -85 -148 -43 -83 -432 -143 -14 -39 -12 -25 -40 -63 -100 -250 +14 -11 ±20 ±50 +28 +3 +40 +15 +52 +27 +68 +43 +93 +71 +106 +87 140-160 -210 -460 160-180 -230 -480 180-200 -240 -530 -170 -216 -170 -285 -170 -460 -100 -172 -50 -96 -50 -165 -15 -44 -14 -29 -46 -72 -115 -290 +16 -13 ±23 ±57 +33 +4 +46 +17 +60 +31 +79 +50 +101 +79 +121 +102 200-225 -260 -550 225-250 -280 -570 尺寸至500孔常用公差极限尺寸 直径C11 D9 D11 E8 F8 G7 H6 H7 H8 H9 H10 H11 JS7 JS9 K7 N7 P7 S7 U7 Z7 0-3 +120 +60 +45 +20 +80 +20 +28 +14 +20 +6 +12 +2 +6 +10 +14 +25 +40 +60 ±5 ±12 -10 -4 -14 -6 -16 -14 -24 -18 -28 -26 -36 3-6 +145 +70 +60 +30 +105 +30 +38 +14 +28 +10 +16 +4 +8 +12 +18 +30 +48 +75 ±6 ±15 +3 -9 -4 -16 -8 -20 -15 -27 -19 -31 -31 -43
国内外替代型号对照表
北京半导体器件五厂CW584T Analog Devices, Inc.AD584SH 北京半导体器件五厂OP07CP Analog Devices, Inc.OP07CP 北京半导体器件五厂OP27GP Analog Devices, Inc.OP27GP 北京半导体器件五厂CW584P Analog Devices, Inc.AD584JN 北京半导体器件五厂OP27AJ Analog Devices, Inc.OP27AZ/883C 北京半导体器件五厂OP27FP Analog Devices, Inc.OP27FP 北京半导体器件五厂OP27FJ Analog Devices, Inc.OP27FZ 北京半导体器件五厂CW581T Analog Devices, Inc.AD581UH/883B 北京半导体器件五厂OP27ET Analog Devices, Inc.OP27EJ 北京半导体器件五厂CW581T Analog Devices, Inc.AD581SH/883B 北京半导体器件五厂OP27AT Analog Devices, Inc.OP27AJ/883C 北京半导体器件五厂CW581T Analog Devices, Inc.AD581TH/883B 北京半导体器件五厂OP27AT Analog Devices, Inc.OP27AJ 北京半导体器件五厂CW584T Analog Devices, Inc.AD584TE/883B 北京半导体器件五厂OP07CJ Analog Devices, Inc.OP07CZ 北京半导体器件五厂CW584T Analog Devices, Inc.AD584TH 北京半导体器件五厂OP07AJ Analog Devices, Inc.OP07AZ 北京半导体器件五厂OP07AJ Analog Devices, Inc.OP07AZ/883北京半导体器件五厂CW581T Analog Devices, Inc.AD581SH 北京半导体器件五厂CW581T Analog Devices, Inc.AD581JH 北京半导体器件五厂OP27EP Analog Devices, Inc.OP27EP 北京半导体器件五厂REF02J Analog Devices, Inc.REF02AZ2 北京半导体器件五厂OP37AT Analog Devices, Inc.OP37AJ/883B 北京半导体器件五厂OP27GS Analog Devices, Inc.OP27GS 北京半导体器件五厂OP07J Analog Devices, Inc.OP07Z 北京半导体器件五厂OP07DP Analog Devices, Inc.OP07DP 北京半导体器件五厂OP27AJ Analog Devices, Inc.OP27AZ 北京半导体器件五厂CW584T Analog Devices, Inc.AD584SH 北京半导体器件五厂BT32Central Semiconductor Corp.2N2647 北京半导体器件五厂(G)BT32Central Semiconductor Corp.2N2647 北京半导体器件五厂CW78M09K Fairchild Semiconductors Corp. LM78M09 Fairchild Semiconductors