无机材料物理性能复习题

无机材料物理性能复习题
无机材料物理性能复习题

1.影响无机材料强度的因素有哪些?

答:在晶体结构既定的情况下,影响材料强度的主要因素有三个:弹性模量E,断裂功γ和裂纹尺寸C。还与其他因素有关,如:内在因素:材料的物性,如:弹性模量、热膨胀系数、导热性、断裂能;显微结构:相组成、气孔、晶界(晶相、玻璃相、微晶相)、微裂纹(长度、尖端的曲率大小);外界因素:温度、应力、气氛环境、式样的形状大小、表面;工艺因素:原料的纯度、降温速率。

2.请对氧化铝单晶的λ-T曲线分析说明。

答:在很低温度时,主要是热容Cv对热导率λ的贡献,Cv与T^3成正比,因而λ也近似随T^3而变化。随温度升高热导率迅速增大,然而温度继续升高,平均自由程l要减小,这时热导率随温度T升高而缓慢增大,并在德拜温度θd左右趋于一定值,这时平均自由程l成了影响热容的主要因素,因而,热导率λ随温度T升高而迅速减小。在低温(40K),热导率出现极大值,在高温区,变化趋于缓和,在1600K,由于光子热导的贡献是热导率有所回升。

3.试比较石英玻璃、石英多晶体和石英单晶热导率的大小,并解释产生差异的原因。

答:石英单晶体热导率最大,其次是石英多晶体,最后是石英玻璃。原因:多晶体中晶粒尺寸小,晶界多,缺陷多,晶界处杂质也多,声子更易受到散射,因而它的平均自由程度小的多,所以多晶体的热导率比单晶体小。玻璃属于非晶体,在不考虑光子导热的温度下,非晶体声子的平均自由程度比晶体的平均自由程度小的多,所以非晶体的热导率小于晶体的热导率。

4..裂纹形成原因有哪些?裂纹扩展的方式有哪些?哪些措施可防止裂纹扩展?

答:裂纹形成的原因:1晶体微观结构中的缺陷受外力引起应力集中会形成裂纹2.材料表面的机械损伤与化学腐蚀形成表面裂纹3.热应力形成裂纹4.由于晶体的各向异性引起

扩展方式:张开型,划开型,撕开型

阻止裂纹的扩展:1.作用力不超过临界应力2.加入吸收能量的机构3.在材料中造成大量极细微的裂纹。

5.热压Al2O3(晶粒尺寸小于1μm,气孔率约为0)、烧结Al2O3(晶粒尺寸约15μm,气孔率约为1.3%)以及Al2O3单晶(气孔率为0)等三种材料中,哪一种强度最高?哪一种强度最低?为什么?

答:强度最高的是Al2O3单晶,强度最低的是烧结Al2O3。因为晶粒越小,强度越高;气孔率的增加也会降低强度,根据这可以初步判断它们的强度大小。

6.简述固体材料热容的两个经验规律的内容。

答:①元素的热容定律——杜隆—珀替定律:恒压下元素的原子热容等于25J/(K·mol)

②化合物热容定律——柯普定律:化合物分子热容等于构成此化合物各元素原子热容之和。

7.举例说明预加应力可以提高无机材料强度的原因。(微晶、高密度与高纯度,预加应力,化学强度,陶瓷材料的增韧)

答:如制造安全玻璃(钢化玻璃),将玻璃加热到转变温度以上但低于熔点,然后淬冷,表面立即冷却变成刚性的,而内部仍处于软化状态,不存在应力。在以后继续冷却中,内部将比表面以更大的速率收缩,此时是表面受力,内部受拉,结果在表面形成残留压应力。此过程便提高了玻璃的强度。

8.写出Einstein 与Debye 热容量理论各自的假设条件, 以及在两个温度极端( T >> 0 和T →0 ) 时摩尔热容量Cv 与温度T 的关系式。

答:爱因斯坦假设:每个原子都是独立的振子,原子间彼此无关,每个振子震动的角频率相同。德拜模型假设:晶体对热容的贡献主要是弹性波的震动,即波长较长的声频支在低温下的震动。爱因斯坦模型:当温度很高时,Cv=3Nk;当温度很低时,Cv=3Nk(θe/T)^2*e^(-θe/T)。德拜模型:当温度很高时,Cv=3Nk,当温度很低时,Cv=12Π^4Nk/5*(T/θd)^3,C V与T3成正比并趋于0.

9.材料高温蠕变曲张规律如何?

答:1. 弹性形变阶段起始段,在外力作用下,发生瞬时弹性形变,即应力和应变同步。2.第一阶段蠕变(蠕变减速阶段或过渡阶段)其特点是应变速率随时间递减,持续时间较短。3.第二阶段蠕变—稳定蠕变此阶段的形变速率最小,且恒定,也为稳定态蠕变。4.第三阶段蠕变(加速蠕变)此阶段是断裂即将来临之前的最后一个阶段。特点:曲线较陡,说明蠕变速率随时间增加而快速增加。

10.晶体产生滑移的条件是什么?

答:1.有于晶面指数小的面,原子的面密度大,因此面间距越大,原子间作用力越小,易产生相对滑动;2.柏氏矢量小;3.静电因素,同号离子存在巨大斥力的影响。晶体的滑动总是发生在主要晶面和主要晶向上。

11.影响无机材料热导率的因素有哪些?答:1.温度2.化学组成的影响3.显微结构

12.影响无机材料弹性模量的因素有哪些?答:1.原子结构的影响2温度3.相变的影响。

13.什么是材料的乳浊?如何选择乳浊剂?

答:本应是透明的,但由于各种原因或认为造成的不透明称为乳浊。考虑乳浊剂与釉玻璃折射率的差值、

乳浊剂在釉中的溶解和析晶情况、乳浊剂受釉烧条件的影响等。选择的目的在于挑选乳浊剂懂得种类,确定乳浊剂的用量。

14. 弹性散射的种类有哪些? 答:1.延德尔散射2.米氏散射3.瑞利散射。

15. 载流子的种类有哪些?什么是本征半导体?什么是杂质半导体?举例说明掺后半导体导电能力提高的原因。

答:金属导体中的载流子是自由电子,无机材料中的载流子可以是电子(负电子e`、电子空穴h ·)、离子(正电子、负电子、空位)。载流子只有半导体晶格本身提供是本征半导体。掺入杂质的本征半导体是杂质半导体。在半导体中渗入杂质后,多出电子(如在四价的Si 单晶中掺入五价的砷后,砷原子外层有5个电子,其中4个同邻的4个Si 原子形成共价后,多余一个电子)这个多余的电子能级离导带很近,比起满带中的电子容易激发,从而导电能力提高。

16. 什么是双折射现象?

答:当光束通过各异性介质表面时,折射光会分成两束沿着不同方向传播,这种由一束入射光折射后分成两束光的现象称为双折射。

17. 影响无机材料热膨胀系数大小的因素有哪些?

答:1.与温度、热容有关2.与结合能、熔点有关3.和材料结构有关,包括结构致密程度、相变。(选择釉的膨胀系数适当的小于胚体的膨胀系数)

18. 应力:材料单位面积上所受的附加内力,其值等于单位面积上所受的外力。б=F/A

应变,用来表征材料受力是内部个质点之间的相对位移。

滞弹性:弹性模量依赖时间的现象。

影响蠕变的因素:温度、应力、晶体的组成、显微结构(气孔率、晶粒尺寸、玻璃相)怎样分析? 当光束通过介质时,一部分光的能量被材料所吸收,其强度将被减弱,即为光吸收;材料的折射率岁入射光的波长而变化,这种现象称为光的色散。 电子电导的特征:霍尔效应 提高半透明性的主要方法是增加玻璃含量,减少莫来石的量,提高长石对黏土的比例。

19.材料的实际强度比理论低的原因?

因为理论强度计算的是理想晶体,而实际的金属或合金材料是非理想晶体,有各种各样的缺陷,这些缺陷降低了材料的强度,如点缺陷:空位、间隙原子、置换原子,线缺陷如螺位错、刃位错、混合位错、不全位错等,面缺陷如晶界、亚晶界,体缺陷如非金属夹杂物、硅酸盐、氧化物、氮化物、第二相等,都使材料的强度降低,如果制作没有缺陷的晶体如须晶就已经达到其理论强度了。

电子电导率的影响因素:温度的影响、杂质及缺陷的影响包括杂质缺陷、组分缺陷(阳离子空位、阴离子空位、间隙离子)离子导电率的影响因素:温度的影响、离子性质及晶体结构的影响、晶格缺陷。 光通过固体现象:电子极化、电子能态转变

18.(补充)请解释晴天早晨的太阳为何呈红色而中午却变成白色。

当散射中心的限度远小于入射光的波长时发生的散射称为瑞利散射,此时散射强度与波长的四次方成反比,即微小粒子对长波的散射不如短波有效。 由于大气及尘埃对光谱上蓝紫色的散射比红橙色强,一天内不同时刻阳光到达观察者所通过的大气层厚度不同:阳光透过大气层越厚,蓝紫色成分损失越多,因此到达观察者的阳光中蓝紫色的比例就越少,呈现红色。

早晨起来的时候,我们看到的太阳光是斜入射,阳光要穿透很厚的大气层,使得蓝紫光被大量地散射,但是红光因为散射程度不如蓝紫光多(瑞利散射),所以保留了下来。

中午的时候太阳光直射,红光和蓝紫光被散射的差距不是太大,所以基本上是白色。

5.电流是电荷的定向移动,电荷的载体成为载流子。载流子可以是电子、空穴、离子。

1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。 解:根据题意可得 б真应力=F/A=4500/Π/(2.4/2*10^-3)^2=9.95*10^8Pa б名义应力=F/A=4500/Π/(2.5/2*10^-3)^2=9.17*10^8Pa

受拉力后长度l=V/s=Π*(2.5/2)^2*25/Π/(2.4/2)^2=27.1cm ε真应变=Ln27.1/25=0.081 ε名义应变=ΔL/Lo=0.084 由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。

1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限

弹性模量。若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。

解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。则有

)(2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =?+?=+=上限弹性模量)

(1.323)8405.038095.0()(112211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量

当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.39P 2)可得,其上、下限弹性

模量分别变为330.9 GPa 和292.7 GPa 。

1-11一圆柱形Al 2O 3晶体受轴向拉力F ,若其临界抗剪强度τf 为135 MPa,求沿图中所示之方向的滑移系统

产生滑移时需要的最小拉力值,并求滑移面的法向应力。

解:

1-18 融熔石英玻璃的性能参数为:E=73 Gpa ;γ=1.56 J/m 2;理论强度σth=28 Gpa 。如材料中存在最大长度为2μm 的内裂,且此内裂垂直于作用力方向,计算由此导致的强度折减系数。 2c=2μm c=1*10-6m c E c πγ

σ2==GPa 269.010*1*14.356.1*10*73*269=- 强度折减系数=1-0.269/28=0.99

1-20 一陶瓷三点弯曲试件,在受拉面上于跨度中间有一竖向切口如图。如果E=380 Gpa ,μ=0.24,求K Ic 值,设极限荷载达50Kg 。计算此材料的断裂表面能。

解 c/W=0.1, Pc=50*9.8N ,B=10, W=10,S=40 代入下式:

])/(7.38)/(6.37)/(8.21)/(6.4)/(9.2[2/92/72/52/32/12/3W c W c W c W c W c BW

S P K c IC +-+-=]1.0*7.381.0*6.371.0*8.211.0*6.41.0*9.2[010.0*1040*8.9*502/92/72/52/32/12/3+-+-=62*(0.917-0.145+0.069-0.012+0.0012)

=1.96*0.83==1.63Pam 1/2

212μγ-=E K IC 28.3)10*380*2/(94.0*)10*63.1(2)1(92622==-=E K IC μγ J/m 2

1-22 一陶瓷零件上有一垂直于拉应力的边裂,如边裂长度为:(1)2mm;(2)0.049mm;(3)2 um, 分别求上述三种情况下的临界应力。设此材料的断裂韧性为1.62MPa.m 2。讨论讲结果。

c Y K I σ= Y=1.12π=1.98 c K I

98.1=σ=2/1818.0-c (1)c=2mm, MPa c 25.1810*2/818.03==-σ (2)c=0.049mm, MPa c 58.11610*049.0/818.03==-σ c=2um, MPa c 04.57710*2/818.06==-σ

2-1 计算室温(25℃)及高温(1000℃)时莫来石瓷的摩尔热容值,并请和按杜龙-伯蒂规律计算的结果比较。

(1) 当T=298K ,

Cp=a+bT+cT -2=365.96+62.53*10-3*298-111.52*105/2982=365.96+18.63-125.58=259.01J/mol.K

(2) 当T=1273K ,

Cp=a+bT+cT -2=365.96+62.53*10-3*1273-111.52*105/12732=365.96+79.60-6.88=438.68J/mol.K

据杜隆-珀替定律:(3Al 2O 3.2SiO 4)

Cp=21*25=525 J/mol.K 可见,随着温度的升高,Cr 趋于按Dulong-Petif 定律所得的计算值。

2-2 康宁1723玻璃(硅酸铝玻璃)具有下列性能参数:λ=0.021J/(cm.s.℃); α=4.6*10-6/℃;σ

p=7.0Kg/mm 2.E=6700Kg/mm 2,μ=0.25.求第一及第二热冲击断裂抵抗因子。 第一冲击断裂抵抗因子:E

R f αμσ)1(-==

66610*8.9*6700*10*6.475.0*10*8.9*7-=170℃ 第二冲击断裂抵抗因子:E

R f αμλσ)1(-=' =170*0.021=3.57 J/(cm.s)

2-3 一热机部件由反应烧结氮化硅制成,其热导率λ=0.184J/(cm.s.℃),最大厚度=120mm.如果表面热传递系数h=0.05 J/(cm 2.s.℃),假定形状因子S=1,估算可兹应用的热冲击最大允许温差。

)(112)(1012.160cos /0015.060cos 1017.3)(1017.360cos 53cos 0015.060cos 0015.053cos 82

332min 2MPa Pa N F F f =?=????=?=????=????=πσπτπτ:此拉力下的法向应力为为:系统的剪切强度可表示由题意得图示方向滑移

h

r S R T m m 31.01?'=?=226*0.18405.0*6*31.01=447℃

热抗应力=-Ea (T`-To )=-370*10^3*8.8*10^(-6)*(1000-25)=-3.1746Gpa

名词解释

1、塑性形变:是指在超过材料的屈服应力作用下产生形变,外应力移去后不能恢复的形变。无机材料的塑性形变,远不如金属塑性变形容易。

2、滑移系统:滑移面和滑移方向为晶体的滑移系统

1、 弹性散射:散射前后,光的波长(或光子能量)不发生变化的散射。

2、光的色散:一束平行光照射各向同性均质的材料时,材料的折射率随入射光的波长而变化的现象。

3、电光效应:这种由于外加电场所引起的材料折射率的变化效应,称为电光效应。

4、光折变效应:材料在光辐射下通过光电效应形成空间电荷场,由于电光效应引起折射随光强空间分布而发生变化的效应。

5、非线性光学效应:由于光波通过介质时极化率的非线性响应,引起了对于光波的反作用,产生了和频、差频等谐波,这种与光强有关,不同于线性光学现象的效应称非线性光学效应

1、介质损耗:由于导电或交变场中极化弛豫过程在电介质中引起的能量损耗,由电能转变为其他形式的能,统称为介质损耗。

2. BaTiO3半导体的PTC 现象:价控型BaTiO3半导体在晶型转变点附近,电阻率随温度上升发生突变,增大了3~4个数量级的现象。

3、电子能态转变——光子被吸收和发射,都可能涉及到固体材料中电子能态的转变。原子吸收了光子能量后,可能将低能级上的电子激发到能量更高的空能级上

1、磁后效应:处于外电场为H0的磁性材料,突然受到外磁场的跃迁变化到H1,则磁性材料的磁感应强度并不是立即全部达到稳定值,而是一部分瞬时到达,另一部分缓慢趋近稳定值,这种现象称为磁后效应。

2.原子本征磁矩:原子中电子的轨道磁矩和电子的自旋磁矩构成了原子的固有磁矩,也称原子本征磁矩。

3、交流磁滞回线:交流磁化过程中,由于磁场强度是周期性对称变化的,所以磁感应强度也跟着周期性对称地变化,变化一个周期构成一曲线称为交流磁滞回线。

4、自发磁化:铁磁物质内部存在很强的“分子场”,即使无外加磁场,在“分子场”的作用下,原子磁矩趋于同向平行排列,即自发磁化至饱和,称为自发磁化。

5、磁畴:铁磁质相邻原子的电子之间存在很强的“交换耦合作用”,使得在无外磁场作用时,电子自旋磁矩能在小区域内自发地平行排列,形成自发磁化达到饱和状态的微小区域。这些区域称为“磁畴”

材料物理性能期末复习题

期末复习题 一、填空(20) 1.一长30cm的圆杆,直径4mm,承受5000N的轴向拉力。如直径拉成3.8 mm,且体积保持不变,在此拉力下名义应力值为,名义应变值为。 2.克劳修斯—莫索蒂方程建立了宏观量介电常数与微观量极化率之间的关系。 3.固体材料的热膨胀本质是点阵结构中质点间平均距离随温度升高而增大。 4.格波间相互作用力愈强,也就是声子间碰撞几率愈大,相应的平均自由程愈小,热导率也就愈 介电常数一致,虚部表示了电介质中能量损耗的大小。 .当磁化强度M为负值时,固体表现为抗磁性。8.电子磁矩由电子的轨道磁矩和自旋磁矩组成。 9.无机非金属材料中的载流子主要是电子和离子。 10.广义虎克定律适用于各向异性的非均匀材料。 ?(1-m)2x。11.设某一玻璃的光反射损失为m,如果连续透过x块平板玻璃,则透过部分应为 I 12.对于中心穿透裂纹的大而薄的板,其几何形状因子。 13.设电介质中带电质点的电荷量q,在电场作用下极化后,正电荷与负电荷的位移矢量为l,则此偶极矩为 ql 。 14.裂纹扩展的动力是物体内储存的弹性应变能的降低大于等于由于开裂形成两个新表面所需的表面能。 15.Griffith微裂纹理论认为,断裂并不是两部分晶体同时沿整个界面拉断,而是裂纹扩展的结果。16.考虑散热的影响,材料允许承受的最大温度差可用第二热应力因子表示。 17.当温度不太高时,固体材料中的热导形式主要是声子热导。 18.在应力分量的表示方法中,应力分量σ,τ的下标第一个字母表示方向,第二个字母表示应力作用的方向。 19.电滞回线的存在是判定晶体为铁电体的重要根据。 20.原子磁矩的来源是电子的轨道磁矩、自旋磁矩和原子核的磁矩。而物质的磁性主要由电子的自旋磁矩引起。 21. 按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。 22.复合体中热膨胀滞后现象产生的原因是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。 23.晶体发生塑性变形的方式主要有滑移和孪生。 24.铁电体是具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。 25.自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用。 二、名词解释(20) 自发极化:极化并非由外电场所引起,而是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。 断裂能:是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性 能等。

无机材料物理性能习题解答

这有答案,大家尽量出有答案的题材料物理性能 习题与解答 吴其胜 盐城工学院材料工程学院 2007,3

目录 1 材料的力学性能 (2) 2 材料的热学性能 (12) 3 材料的光学性能 (17) 4 材料的电导性能 (20) 5 材料的磁学性能 (29) 6 材料的功能转换性能 (37)

1材料的力学性能 1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至 2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。 解:根据题意可得下表 由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。 1-2一试样长40cm,宽10cm,厚1cm ,受到应力为1000N 拉力,其杨氏模量为3.5×109 N/m 2,能伸长多少厘米? 解: 拉伸前后圆杆相关参数表 ) (0114.010 5.310101401000940000cm E A l F l E l l =?????=??= ?=?=?-σ ε0816.04.25 .2ln ln ln 2 2 001====A A l l T ε真应变) (91710 909.44500 60MPa A F =?==-σ名义应力0851 .0100=-=?=A A l l ε名义应变) (99510 524.44500 6 MPa A F T =?= = -σ真应力

1-3一材料在室温时的杨氏模量为3.5×108 N/m 2,泊松比为0.35,计算其剪切模量和体积模量。 解:根据 可知: 1-4试证明应力-应变曲线下的面积正比于拉伸试样所做的功。 证: 1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。 解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。则有 当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。 1-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出t = 0,t = ∞ 和t = τ时的纵坐标表达式。 解:Maxwell 模型可以较好地模拟应力松弛过程: V oigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程: )21(3)1(2μμ-=+=B G E ) (130)(103.1)35.01(210 5.3) 1(28 8 MPa Pa E G ≈?=+?= += μ剪切模量) (390)(109.3) 7.01(310 5.3) 21(38 8 MPa Pa E B ≈?=-?= -=μ体积模量. ,. ,112 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 S W VS d V ld A Fdl W W S W V Fdl V l dl A F d S l l l l l l ∝=== = ∝= = = =??? ? ? ?亦即做功或者:亦即面积εε εε εε εσεσεσ) (2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =?+?=+=上限弹性模量 ) (1.323)84 05.038095.0()(11 2211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量 ). 1()()(0)0() 1)(()1()(1 //0 ----= = ∞=-∞=-= e e e E t t t στεσεεεσετ τ ;;则有:其蠕变曲线方程为:. /)0()(;0)();0()0((0)e (t)-t/e στσσσσσστ ==∞==则有::其应力松弛曲线方程为

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2、材料的热学性能 2-1 计算室温(298K )及高温(1273K )时莫来石瓷的摩尔热容值,并请和按杜龙-伯蒂规律计算的结果比较。 (1) 当T=298K ,Cp=a+bT+cT -2=87.55+14.96 10-3298-26.68 105/2982 =87.55+4.46-30.04 =61.97 4.18 J/mol K=259.0346 J/mol K (2) 当T=1273K ,Cp=a+bT+cT -2=87.55+14.96 10-31273-26.68 105/12732 =87.55+19.04-1.65 =104.94 4.18 J/mol K=438.65 J/mol K 据杜隆-珀替定律:(3Al 2O 32SiO 4) Cp=21*24.94=523.74 J/mol K 2-2 康宁玻璃(硅酸铝玻璃)具有下列性能参数:λ=0.021J/(cm s ℃); α=4.610?6/℃;σp =7.0Kg/mm 2,E=6700Kg/mm 2,μ=0.25。求其第一及第二热冲击断裂抵抗因子。 第一冲击断裂抵抗因子:E R f αμσ)1(-==666 79.8100.75 4.61067009.810-???????=170℃ 第二冲击断裂抵抗因子:E R f αμλσ) 1(-= '=1700.021=3.57 J/(cm s) 2-3 一陶瓷件由反应烧结氮化硅制成,其热导率λ=0.184J/(cm s ℃),最大厚度=120mm 。如果表面热传递系数h=0.05 J/(cm 2s ℃),假定形状因子S=1,估算可安全应用的热冲击最大允许温差。 h r S R T m m 31.01? '=?=226*0.18405 .0*6*31.01 =447℃ 2-4、系统自由能的增加量TS E F -?=?,又有! ln ln ()!! N N N n n =-,若在肖特基缺 定律所得的计算值。 趋近按,可见,随着温度的升高Petit Dulong C m P -,

无机材料物理性能试题

无机材料物理性能试题及答案

无机材料物理性能试题及答案 一、填空题(每题2分,共36分) 1、电子电导时,载流子的主要散射机构有中性杂质的散射、位错散射、电离杂质的散射、晶格振动的散射。 2、无机材料的热容与材料结构的关系不大,CaO和SiO2的混合物与CaSiO3 的 热容-温度曲线基本一致。 3、离子晶体中的电导主要为离子电导。可以分为两类:固有离子电导(本征 电导)和杂质电导。在高温下本征电导特别显著,在低温下杂质电导最为显著。 4、固体材料质点间结合力越强,热膨胀系数越小。 5、电流吸收现象主要发生在离子电导为主的陶瓷材料中。电子电导为主的陶瓷材料,因 电子迁移率很高,所以不存在空间电荷和吸收电流现象。 6、导电材料中载流子是离子、电子和空位。 7. 电子电导具有霍尔效应,离子电导具有电解效应,从而可以通过这两种效应检查材料 中载流子的类型。 8. 非晶体的导热率(不考虑光子导热的贡献)在所有温度下都比晶体的 小。在高温下,二者的导热率比较接近。 9. 固体材料的热膨胀的本质为:点阵结构中的质点间平均距离随着温度升高而增 大。 10. 电导率的一般表达式为 ∑ = ∑ = i i i i i q nμ σ σ 。其各参数n i、q i和μi的含义分别 是载流子的浓度、载流子的电荷量、载流子的迁移率。 11. 晶体结构愈复杂,晶格振动的非线性程度愈大。格波受到的 散射大,因此声子的平均自由程小,热导率低。 12、波矢和频率之间的关系为色散关系。 13、对于热射线高度透明的材料,它们的光子传导效应较大,但是在有微小气孔存在时,由于气孔与固体间折射率有很大的差异,使这些微气孔形成了散射中心,导致透明度强烈降低。 14、大多数烧结陶瓷材料的光子传导率要比单晶和玻璃小1~3数量级,其原因是前者有微量的气孔存在,从而显著地降低射线的传播,导致光子自由程显著减小。 15、当光照射到光滑材料表面时,发生镜面反射;当光照射到粗糙的材料表面时,发生漫反射。 16、作为乳浊剂必须满足:具有与基体显著不同的折射率,能够形成小颗粒。 用高反射率,厚釉层和高的散射系数,可以得到良好的乳浊效果。 17、材料的折射随着入射光的频率的减少(或波长的增加)而减少的性质,称为折射率的色散。

无机材料物理性能题库(2)综述

名词解释 1.应变:用来描述物体内部各质点之间的相对位移。 2.弹性模量:表征材料抵抗变形的能力。 3.剪切应变:物体内部一体积元上的二个面元之间的夹角变化。 4.滑移:晶体受力时,晶体的一部分相对另一部分发生平移滑动,就叫滑移. 5.屈服应力:当外力超过物理弹性极限,达到某一点后,在外力几乎不增加的情况下,变形骤然加快,此点为屈服点,达到屈服点的应力叫屈服应力。 6.塑性:使固体产生变形的力,在超过该固体的屈服应力后,出现能使该固体长期保持其变形后的形状或尺寸,即非可逆性。 7.塑性形变:在超过材料的屈服应力作用下,产生变形,外力移去后不能恢复的形变。 8.粘弹性:一些非晶体和多晶体在比较小的应力时,可以同时变现出弹性和粘性,称为粘弹性. 9.滞弹性:弹性行为与时间有关,表征材料的形变在应力移去后能够恢复但不能立即恢复的能力。 10.弛豫:施加恒定应变,则应力将随时间而减小,弹性模量也随时间而降低。 11.蠕变——当对粘弹性体施加恒定应力,其应变随时间而增加,弹性模量也随时间而减小。 12.应力场强度因子:反映裂纹尖端弹性应力场强弱的物理量称为应力强度因子。它和裂纹尺寸、构件几何特征以及载荷有关。 13.断裂韧性:反映材料抗断性能的参数。 14.冲击韧性:指材料在冲击载荷下吸收塑性变形功和断裂功的能力。 15.亚临界裂纹扩展:在低于材料断裂韧性的外加应力场强度作用下所发生的裂纹缓慢扩展称为亚临界裂纹扩展。 16.裂纹偏转增韧:在扩展裂纹剪短应力场中的增强体会导致裂纹发生偏转,从而干扰应力场,导致机体的应力强度降低,起到阻碍裂纹扩展的作用。 17.弥散增韧:在基体中渗入具有一定颗粒尺寸的微细粉料达到增韧的效果,称为弥散增韧。 18.相变增韧:利用多晶多相陶瓷中某些相成份在不同温度的相变,从而达到增韧的效果,称为相变增韧。 19.热容:分子热运动的能量随着温度而变化的一个物理量,定义为物体温度升高1K所需要的能量。 20.比热容:将1g质量的物体温度升高1K所需要增加的热量,简称比热。 21.热膨胀:物体的体积或长度随温度升高而增大的现象。 热传导:当固体材料一端的温度笔另一端高时,热量会从热端自动地传向冷端。22.热导率:在物体内部垂直于导热方向取两个相距1米,面积为1平方米的平行平面,若两个平面的温度相差1K,则在1秒内从一个平面传导至另一个平面的热量就规定为该物质的热导率。 23.热稳定性:指材料承受温度的急剧变化而不致破坏的能力,又称为抗热震性。 24.抗热冲击断裂性:材料抵抗温度急剧变化时瞬时断裂的性能。 25.抗热冲击损伤性:材料抵抗热冲击循环作用下缓慢破坏的性能。 26.热应力:材料热膨胀或收缩引起的内应力。 27.声频支振动:振动的质点中包含频率甚低的格波时,质点彼此间的位相差不

材料无机材料物理性能考试及答案

材料无机材料物理性能考试及答案

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无机材料物理性能试卷 一.填空(1×20=20分) 1.CsCl结构中,Cs+与Cl-分别构成____格子。 2.影响黏度的因素有____、____、____. 3.影响蠕变的因素有温度、____、____、____. 4.在____、____的情况下,室温时绝缘体转化为半导体。 5.一般材料的____远大于____。 6.裂纹尖端出高度的____导致了较大的裂纹扩展力。 7.多组分玻璃中的介质损耗主要包括三个部分:____、________、____。 8.介电常数显著变化是在____处。 9.裂纹有三种扩展方式:____、____、____。 10.电子电导的特征是具有____。 二.名词解释(4×4分=16分) 1.电解效应 2.热膨胀 3.塑性形变 4.磁畴 三.问答题(3×8分=24分) 1.简述晶体的结合类型和主要特征: 2.什么叫晶体的热缺陷?有几种类型?写出其浓度表达式?晶体中离子电导分为哪几类? 3.无机材料的蠕变曲线分为哪几个阶段,分析各阶段的特点。 4.下图为氧化铝单晶的热导率与温度的关系图,试解释图像先增后减的原因。 四,计算题(共20分) 1.求熔融石英的结合强度,设估计的表面能为1.75J/m2;Si-O的平衡原子间距为1.6×10-8cm,弹性模量值从60 到75GPa。(10分) 2.康宁1273玻璃(硅酸铝玻璃)具有下列性能参数: =0.021J/(cm ·s ·℃);a=4.6×10-6℃-1;σp=7.0kg/mm2,

材料物理性能-复习资料

第二章材料的热学性能 热容:热容是分子或原子热运动的能量随温度而变化的物理量,其定义是物体温度升高1K所需要增加的能量。 不同温度下,物体的热容不一定相同,所以在温度T时物体的热容为: 物理意义:吸收的热量用来使点阵振动能量升高,改变点阵运动状态,或者还有可能产生对外做功;或加剧电子运动。 晶态固体热容的经验定律: 一是元素的热容定律—杜隆-珀替定律:恒压下元素的原子热容为25J/(K?mol); 二是化合物的热容定律—奈曼-柯普定律:化合物分子热容等于构成此化合物各元素原子热容之和。 热差分析:是在程序控制温度下,将被测材料与参比物在相同条件下加热或冷却,测量试样与参比物之间温差(ΔT)随温度(T)时间(t)的变化关系。 参比物要求:应为热惰性物质,即在整个测试的温度范围内它本身不发生分解、相变、破坏,也不与被测物质产生化学反应同时参比物的比热容,热传导系数等应尽量与试样接近。 第三章材料的光学性能 四、选择吸收:同一物质对各种波长的光吸收程度不一样,有的波长的光吸收系数可以非常大,而对另一波长 的吸收系数又可以非常小。 均匀吸收:介质在可见光范围对各种波长的吸收程度相同。 金属材料、半导体、电介质产生吸收峰的原因 (1)金属对光能吸收很强烈,这是因为金属的价电子 处于未满带,吸收光子后即呈激发态,用不着跃迁到导 带即能发生碰撞而发热。(2)半导体的禁带比较窄, 吸收可见光的能量就足以跃迁。(3)电介质的禁带宽, 可见光的能量不足以使它跃迁,所以可见光区没有吸收 峰。紫外光区能量高于禁带宽度,可以使电介质发生跃 迁,从而出现吸收峰。电介质在红外区也有一个吸收峰, 这是因为离子的弹性振动与光子辐射发生谐振消耗能量所致。 第六章材料的磁学性能 一、固有磁矩产生的原因 原子固有磁矩由电子的轨道磁矩和电子的自旋磁矩构成,电子绕原子核运动,产生轨道磁矩;电子的自旋也产生自旋磁矩。当电子层的各个轨道电子都排满时,其电子磁矩相互抵消,这个电子层的磁矩总和为零。原子中如果有未被填满的电子壳层,其电子的自旋磁矩未被抵消(方向相反的电子自旋磁矩可以互相抵消),原子就具有“永久磁矩”。 二、抗磁性与顺磁性 抗磁性:轨道运动的电子在外磁场作用下产生附加的且与外磁场反向的磁矩。 产生原因:外加磁场作用下电子绕核运动所感应的附加磁矩造成的。 顺磁性:材科的顺磁性来源于原子的固有磁矩。 产生原因:因为存在未填满的电子层,原子存在固有磁矩,当加上外磁场 时,为了降低静磁能,原子磁矩要转向外磁场方向,结果使总磁矩不为零而表 现出磁性。 三、强顺磁性:过渡族金属在高温都属于顺磁体,这些金属的顺磁性主要是由 于3d, 4d, 5d电子壳层未填满,而d和f态电子未抵消的磁矩形成晶体离子 构架的固有磁矩,因此产生强烈的顺磁性。 四、磁化曲线、磁滞回线

无机材料物理性能课后习题答案

《材料物理性能》 第一章材料的力学性能 1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至 2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。 解: 由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。 1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。 解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=,V 2=。则有 当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=代入经验计算公式E=E 0+可得,其上、下限弹性模量分别变为 GPa 和 GPa 。 1-11一圆柱形Al 2O 3晶体受轴向拉力F ,若其临界抗剪强度 τf 为135 MPa,求沿图中所示之方向的滑移系统产生滑移时需要的最小拉力值,并求滑移面的法向应力。 0816 .04.25.2ln ln ln 22 001====A A l l T ε真应变) (91710909.44500 60MPa A F =?==-σ名义应力0851 .010 0=-=?=A A l l ε名义应变) (99510524.445006MPa A F T =?== -σ真应力)(2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =?+?=+=上限弹性模量) (1.323)84 05.038095.0()(1 12211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量

无机材料物理性能期末复习题

期末复习题参考答案 一、填空 1.一长30cm的圆杆,直径4mm,承受5000N的轴向拉力。如直径拉成3.8 mm,且体积保持不变,在此拉力下名义应力值为,名义应变值为。 2.克劳修斯—莫索蒂方程建立了宏观量介电常数与微观量极化率之间的关系。 3.固体材料的热膨胀本质是点阵结构中质点间平均距离随温度升高而增大。 4.格波间相互作用力愈强,也就是声子间碰撞几率愈大,相应的平均自由程愈小,热导率也就愈低。 5.电介质材料中的压电性、铁电性与热释电性是由于相应压电体、铁电体和热释电体都是不具有对称中心的晶体。 6.复介电常数由实部和虚部这两部分组成,实部与通常应用的介电常数一致,虚部表示了电介质中能量损耗的大小。 7.无机非金属材料中的载流子主要是电子和离子。 8.广义虎克定律适用于各向异性的非均匀材料。 ?(1-m)2x。9.设某一玻璃的光反射损失为m,如果连续透过x块平板玻璃,则透过部分应为 I 10.对于中心穿透裂纹的大而薄的板,其几何形状因子Y= 。 11.设电介质中带电质点的电荷量q,在电场作用下极化后,正电荷与负电荷的位移矢量为l,则此偶极矩为 ql 。 12.裂纹扩展的动力是物体内储存的弹性应变能的降低大于等于由于开裂形成两个新表面所需的表面能。 13.Griffith微裂纹理论认为,断裂并不是两部分晶体同时沿整个界面拉断,而是裂纹扩展的结果。14.考虑散热的影响,材料允许承受的最大温度差可用第二热应力因子表示。 15.当温度不太高时,固体材料中的热导形式主要是声子热导。 16.在应力分量的表示方法中,应力分量σ,τ的下标第一个字母表示方向,第二个字母表示应力作用的方向。 17.电滞回线的存在是判定晶体为铁电体的重要根据。 18.原子磁矩的来源是电子的轨道磁矩、自旋磁矩和原子核的磁矩。而物质的磁性主要由电子的自旋磁矩引起。 19. 按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。 20.复合体中热膨胀滞后现象产生的原因是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。 21.晶体发生塑性变形的方式主要有滑移和孪生。 22.铁电体是具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。 23.自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用。 二、名词解释 自发极化:极化并非由外电场所引起,而是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。 断裂能:是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性 能等。 滞弹性:当应力作用于实际固体时,固体形变的产生与消除需要一定的时间,这种与时间有关的弹性称为滞弹性。 格波:处于格点上的原子的热振动可描述成类似于机械波传播的结果,这种波称为格波,格波的一个

材料物理性能考试重点、复习题电子教案

材料物理性能考试重点、复习题

精品资料 1.格波:在晶格中存在着角频率为ω的平面波,是晶格中的所有原子以相同频率振动而 形成的波,或某一个原子在平衡附近的振动以波的形式在晶体中传播形成的波 2.色散关系:频率和波矢的关系 3.声子:晶格振动中的独立简谐振子的能量量子 4.热容:是分子或原子热运动的能量随温度而变化的物理量,其定义是物体温度升高1K 所需要增加的能量。 5.两个关于晶体热容的经验定律:一是元素的热容定律----杜隆-珀替定律:恒压下元素的 原子热容为25J/(K*mol);另一个是化合物的热容定律-----奈曼-柯普定律:化合物分子热容等于构成此化合物各元素原子热容之和。 6.热膨胀:物体的体积或长度随温度的升高而增大的现象称为热膨胀 7.固体材料热膨胀机理:材料的热膨胀是由于原子间距增大的结果,而原子间距是指晶 格结点上原子振动的平衡位置间的距离。材料温度一定时,原子虽然振动,但它平衡位置保持不变,材料就不会因温度升高而发生膨胀;而温度升高时,会导致原子间距增大。 8.温度对热导率的影响:在温度不太高时,材料中主要以声子热导为主,决定热导率的因 素有材料的热容C、声子的平均速度V和声子的平均自由程L,其中v通常可以看作常数,只有在温度较高时,介质的弹性模量下降导致V减小。材料声子热容C在低温下与温度T3成正比。声子平均自由程V随温度的变化类似于气体分子运动中的情况,随温度升高而降低。实验表明在低温下L值的变化不大,其上限为晶粒的线度,下限为晶格间距。在极低温度时,声子平均自由程接近或达到其上限值—晶粒的直径;声子的热容C则与T3成正比;在此范围内光子热导可以忽略不计,因此晶体的热导率与温度的三次方成正比例关系。在较低温度时,声子的平均自由程L随温度升高而减小,声子的热容C仍与T3成正比,光子热导仍然极小,可以忽略不计,此时与L相比C对声子热导率的影响更大,因此在此范围内热导率仍然随温度升高而增大,但变化率减小。 在较高温度下,声子的平均自由程L随温度升高继续减小,而声子热容C趋近于常数,材料的热导率由L随温度升高而减小决定。随着温度升高,声子的平均自由程逐渐趋近于其最小值,声子热容为常数,光子平均自由程有所增大,故此光子热导逐步提高,因此高温下热导率随温度升高而增大。一般来说,对于晶体材料,在常用温度范围内,热导率随温度的上升为下降。 9.影响热导率的因素:1)温度的影响,一般来说,晶体材料在常用温度范围内,热导率随 温度的上升而下降。2)显微结构的影响。3)化学组成的影响。4)复合材料的热导率 10.热稳定性:是指材料承受温度的急剧变化而不致破坏的能力,所以又称为抗热震性。 11.常用热分析方法:1)普通热分析法2)差热分析3)差示扫描量热法4)热重法 12.光折射:当光依次通过两种不同介质时,光的行进方向要发生改变,这种现象称为折 射 13.光的散射:材料中如果有光学性能不均匀的结构,例如含有透明小粒子、光性能不同 的晶界相、气孔或其他夹杂物,都会引起一部分光束偏离原来的传播方向而向四面八方散开来,这种现象称为光的散射。 14.吸收:光通过物质传播时,会引起物质的价电子跃迁或使原子振动,从而使光能的一 部分转变为热能,导致光能的衰减的现象 15.弹性散射:光的波长(或光子能量)在散射前后不发生变化的,称为弹性散射 16.按照瑞利定律,微小粒子对波长的散射不如短波有效,在可见光的短波侧λ=400nm 处,紫光的散射强度要比长波侧λ=720nm出红光的散射强度大约大10倍 17.色散:材料的折射率随入射光的频率的减小(或波长的增加)而减小的性质,称为材仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢2

最新无机材料物理性能考试试题及答案

无机材料物理性能考试试题及答案 一、填空(18) 1. 声子的准粒子性表现在声子的动量不确定、系统中声子的数目不守恒。 2. 在外加电场E的作用下,一个具有电偶极矩为p的点电偶极子的位能U=-p·E,该式表明当电偶极矩的取向与外电场同向时,能量为最低而反向时能量为最高。 3. TC为正的温度补偿材料具有敞旷结构,并且内部结构单位能发生较大的转动。 4. 钙钛矿型结构由 5 个简立方格子套购而成,它们分别是1个Ti 、1个Ca 和3个氧简立方格子 5. 弹性系数ks的大小实质上反映了原子间势能曲线极小值尖峭度的大小。 6. 按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。 7. 制备微晶、高密度与高纯度材料的依据是材料脆性断裂的影响因素有晶粒尺寸、气孔率、杂质等。 8. 粒子强化材料的机理在于粒子可以防止基体内的位错运动,或通过粒子的塑性形变而吸收一部分能量,达从而到强化的目的。 9. 复合体中热膨胀滞后现象产生的原因是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。 10.裂纹有三种扩展方式:张开型、滑开型、撕开型 11. 格波:晶格中的所有原子以相同频率振动而形成的波,或某一个原子在平衡位置附近的振动是以波的形式在晶体中传播形成的波 二、名词解释(12) 自发极化:极化并非由外电场所引起,而是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。 断裂能:是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性能等。 电子的共有化运动:原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个原子的某一电子壳层转移到相邻原子的相似壳层上去,因而电子可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子的共有化运动。 平衡载流子和非平衡载流子:在一定温度下,半导体中由于热激发产生的载流子成为平衡载流子。由于施加外界条件(外加电压、光照),人为地增加载流子数目,比热平衡载流子数目多的载流子称为非平衡载流子。 三、简答题(13) 1. 玻璃是无序网络结构,不可能有滑移系统,呈脆性,但在高温时又能变形,为什么? 答:正是因为非长程有序,许多原子并不在势能曲线低谷;在高温下,有一些原子键比较弱,只需较小的应力就能使这些原子间的键断裂;原子跃迁附近的空隙位置,引起原子位移和重排。不需初始的屈服应力就能变形-----粘性流动。因此玻璃在高温时能变形。 2. 有关介质损耗描述的方法有哪些?其本质是否一致? 答:损耗角正切、损耗因子、损耗角正切倒数、损耗功率、等效电导率、复介电常数的复项。多种方法对材料来说都涉及同一现象。即实际电介质的电流位相滞后理想电介质的电流位相。因此它们的本质是一致的。 3. 简述提高陶瓷材料抗热冲击断裂性能的措施。 答:(1) 提高材料的强度 f,减小弹性模量E。(2) 提高材料的热导率c。(3) 减小材料的热膨胀系数a。(4) 减小表面热传递系数h。(5) 减小产品的有效厚度rm。

材料物理性能期末复习重点-田莳

1.微观粒子的波粒二象性 在量子力学里,微观粒子在不同条件下分别表现出波动或粒子的性质。这种量子行为称为波粒二象性。 2.波函数及其物理意义 微观粒子具有波动性,是一种具有统计规律的几率波,它决定电子在空间某处出现的几率,在t 时刻,几率波应是空间位置(x,y,z,t)的函数。此函数 称波函数。其模的平方代表粒子在该处出现的概率。 表示t 时刻、 (x 、y 、z )处、单位体积内发现粒子的几率。 3.自由电子的能级密度 能级密度即状态密度。 dN 为E 到E+dE 范围内总的状态数。代表单位能量范围内所能容纳的电子数。 4.费米能级 在0K 时,能量小于或等于费米能的能级全部被电子占满,能量大于费米能级的全部为空。故费米能是0K 时金属基态系统电子所占有的能级最高的能量。 5.晶体能带理论 假定固体中原子核不动,并设想每个电子是在固定的原子核的势场及其他电子的平均势场中运动,称单电子近似。用单电子近似法处理晶体中电子能谱的理论,称能带理论。 6.导体,绝缘体,半导体的能带结构 根据能带理论,晶体中并非所有电子,也并非所有的价电子都参与导电,只有导带中的电子或价带顶部的空穴才能参与导电。从下图可以看出,导体中导带和价带之间没有禁区,电子进入导带不需要能量,因而导电电子的浓度很 大。在绝缘体中价带和导期隔着一个宽的禁带E g ,电子由价带到导带需要外界供给能量,使电子激发,实现电子由价带到导带的跃迁,因而通常导带中导电电子浓度很小。半导体和绝缘体有相类似的能带结构,只是半导体的禁带较窄(E g 小) ,电子跃迁比较容易 1.电导率 是表示物质传输电流能力强弱的一种测量值。当施加电压于导体的两 端 时,其电荷载子会呈现朝某方向流动的行为,因而产生电流。电导率 是以欧姆定律定义为电流密度 和电场强度 的比率: κ=1/ρ 2.金属—电阻率与温度的关系 金属材料随温度升高,离子热振动的振幅增大,电子就愈易受到散射,当电子波通过一个理想品体点阵时(0K),它将不受散射;只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方,电子被才受到散射(不相干散射),这就是金属产生电阻的根本原因。由于温度引起的离子运动(热振动)振幅的变化(通常用振幅的均方值表示),以及晶体中异类原于、位错、点缺陷等都会使理想晶体点阵的周期性遭到破坏。这样,电子波在这些地方发生散射而产生电阻,降低导电性。 金属电阻率在不同温度范围与温度变化关系不同。一般认为纯金属在整个温度区间产生电阻机制是电子-声子(离子)散射。在极低温度下,电子-电子散射构成了电阻产生的主要机制。金属融化,金属原子规则阵列被破坏,从而增强了对电子的散射,电阻增加。 3.离子电导理论 离子电导是带有电荷的离子载流子在电场作用下的定向移动。一类是晶体点阵的基本离子,因热振动而离开晶格,形成热缺陷,离子或空位在电场作用下成为导电载流子,参加导电,即本征导电。另一类参加导电的载流子主要是杂质。 离子尺寸,质量都远大于电子,其运动方式是从一个平衡位置跳跃到另一个平衡位置。离子导电是离子在电场作用下的扩散。其扩散路径畅通,离子扩散系数就高,故导电率高。 4.快离子导体(最佳离子导体,超离子导体) 具有离子导电的固体物质称固体电解质。有些

东南大学-材料物理性能复习题(2008)

材料物理性能复习题 第一章 1、C v 、C p 和c 的定义。C pm 和C vm 的关系,实际测量得到的是何种量?Cvm 与温度(包括ΘD )的关系。自由电子对金属热容的贡献。合金热容的计算。 2、哪些相变属于一级相变和二级相变?其热容等的变化有何特点? 3、撒克斯法测量热容的原理。何谓DTA 和DSC ?DTA 测量对标样有何要求?如何根据DTA 曲线及热容变化曲线判断相变的发生及热效应(吸热或放热)? 4、线膨胀系数和体膨胀系数的表达式及两者的关系。证明c b a v αααα++=(采用与教材不同的方法) 5、金属热膨胀的物理本质。热膨胀和热容与温度(包括ΘD )的关系有何类似之处?为何金属熔点越高其膨胀系数越小?为何化合物和有序固溶体的膨胀系数比固溶体低?奥氏体转变为铁素体时体积的变化及机理。膨胀测量时对标样有何要求? 6、比容的定义(单位重量的体积,为密度的倒数)。奥氏体、珠光体、马氏体和渗碳体的比容相对大小。 7、钢在共析转变时热膨胀曲线的特点及机理。如何根据冷却膨胀曲线计算转变产物的相对量? 8、傅里叶定律和热导率、热量迁移率。导温系数的表达式及物理意义。 9、金属、半导体和绝缘体导热的物理机制。魏德曼-弗兰兹定律。 10、何谓抗热冲击断裂性和抗热冲击损伤性?热应力是如何产生的,与哪些因素有关?提高材料的抗热冲击断裂性可采取哪些措施? 第二章 1、电阻、电阻率、电导率及电阻温度系数的定义及相互关系。 2、电阻的物理意义。为何温度升高、冷塑性变形和形成固溶体使金属的电阻率增加,形成有序固溶体使电阻率下降?马基申定律的表达式及各项意义。为何纯金属的电阻温度系数较其合金大?如何获得电阻温度系数很低的精密电阻合金? 3、对层片状组织,证明教材中的关系式(2.25)和(2.26)。 4、双电桥较单电桥有何优点?用电位差计测量电阻的原理。用电阻分析法测定铝铜合金时效和固溶体的溶解度的原理。 5、何谓本征半导体?其载流子为何?证明关系式J=qnv 和ρ=E/J (J 和E 分别为电流密度和电场强度)。 6、为何掺杂后半导体的导电性大大增强?为何有电子型和空穴型两种半导体。N 型和P 型半导体中的多子和少子。为何PN 结有单向导电性? 7、温差电势和接触电势的物理本质,热电偶的原理。 8、何谓压电效应?电偶极矩的概念。压电性产生的机理。 9、何谓霍尔效应和霍尔系数?推导出教材中的关系式(2.83)~(2.85)。如何根据霍尔效应判断半导体中载流子是电子还是空穴? 第三章 1、M 、P m 的关系。M 、H 的关系。μ0,μ,χ的概念。B 、H 的关系。磁化曲线

材料物理性能复习题

μυσρ22/1e n m **==材料物理性能复习题 一. 概念题 压电体:某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移,产生极化,从而导致介质两端表面内出现符 号相反的束缚电荷。在一定应力范围内,机械力与电荷呈线性可逆关系这类物质 导体:在外电场的作用下,大量共有化电子很易获得能量,集体定向流动形成电流的物体 半导体:能带结构的满带与空带之间也是禁带,但是禁带很窄,导电性能介于导体和半导体之间的物体 绝缘体:在外电场的作用下,共有化电子很难接受外电场的能量,难以导通电流的物体 热电效应:当材料存在电位差时会产生电流,存在温度差时会产生热流的这种现象 电光效应:铁电体的极化能随E 而改变,因而晶体的折射率也将随E 改变,这种由外电场引起晶体折射率的变化 一般吸收:在光学材料中,石英对所有可见光几乎都透明的,在紫外波段也有很好的透光性能,且吸收系数不变的这 种现象 选择吸收: 对于波长范围为3.5—5.0μm 的红外光却是不透明的,且吸收系数随波长剧烈变化的这种现象 发光效率:发光体把受激发时吸收的能量转换为光能的能力 受激辐射:当一个能量满足hv =E 2-E 1的光子趋近高能级E 2的原子时,入射的光子诱导高能级原子发射一个和自己性 质完全相同的光子的过程 二、 简答题 (1) 电介质导电的概念、详细类别、来源。 概念:并不是所有的电介质都是理想的绝缘体,在外电场作用下,介质中都会有一个很小的电流 类别:一类是源于晶体点阵中基本离子的运动,称为离子固有电导或本征电导,这种电导是热缺陷形成的,即是由离子自身随着热运动的加剧而离开晶格点阵形成。另一类是源于结合力较弱的杂质离子的运动造成的,称为杂质电导 来源(导电方式):电子与空穴(电子电导);移动额正负离子电导(离子电导)。对于离子电导,必须需要指出的是:在较低场强下,存在离子电导;在高场强下,呈现电子电导。 (2) 正常情况下,为什么金属的电导率随着温度的升高而降低(电阻升高)。 金属材料随温度升高,离子热振动的振幅增大,电子就愈易受到散射,可认为μ与温度成正比,则ρ也与温度成正比。 (3) 为什么金属化合物的导电性要低于单一金属,请基于电离势能方面的差异进行简要说明。 (1)晶体点阵畸变;(2)杂质对理想晶体的破坏;(3)影响了能带结构,移动费米面及电子能态密度和有效电导电子数;(4)影响了弹性常数。过渡金属与贵金属两组元固溶时:电阻异常高,原因它们的价电子可以转移到过渡金属的尚未被填满的d-或f-壳层中,从而使有效电导的电子数目减少。原子键合的方式发生了变化,其中至少一部分由金属键变为共价键获离子键,使导电电子减少。 (4) 简述本证硅的导电机理。 导电机理:在热、光等外界条件的影响下,满带上的价电子获得足够的能量,跃过禁带跃迁至空带而成为自由电子,同时在满带中留下电子空穴,自由电子和电子空穴在外加电场的作用下定向移动形成电流。 (5) 简述硅中掺杂硼的导电机理(要有示意图) 在本征半导体中,掺入3价元素的杂质(硼,铝,镓,铟),就可以使晶体中空穴浓度大 大增加。因为3价元素的原子只有3个价电子,当它顶替晶格中的一个4价元素原子, 并与周围的4个硅(或锗)原子组成4个共价键时,缺少一个价电子,形成一个空位。 因为,3价元素形成的空位能级非常靠近价带顶的能量,在价电子共有化运动中,相邻的 原子上的价电子就很容易来填补这个空位(较跃迁至禁带以上的空带容易的多),从而产 生一个空穴。所以每一个三价杂质元素的原子都能接受一个价电子,而在价带中产生一 个空穴。 (6) 简述硅中掺杂砷的导电机理(要有示意图) 本征半导体中掺入5价元素(磷,砷,锑)就可使晶体中的自由电子的浓度极大地增 加。因为5价元素的原子有5个价电子,当它顶替晶格中的一个4价元素的原子时, 余下了1个价电子变成多余的,此电子的能级非常靠近导带底,非常容易进入导带成 为自由电子,因而导带中的自由电子较本征半导体显著增多,导电性能大幅度提高。 (7) 简述介质损耗的几种形式及造成这几种损耗的原因。 介质损耗形式:

材料物理性能期末复习考点教学内容

材料物理性能期末复 习考点

一名词解释 1.声频支振动:震动着的质点中所包含的频率甚低的格波,质点彼此之间的相位差不大,格波类似于弹性体中的应变波,称声频支振动。 2.光频支振动:格波中频率甚高的振动波,质点间的相位差很大,临近质点的运动几乎相反,频率往往在红外光区,称光频支振动。 3.格波:材料中一个质点的振动会影响到其临近质点的振动,相邻质点间的振,动会形成一定的相位差,使得晶格振动以波的形式在整个材料内传播的波。 4.热容:材料在温度升高和降低时要时吸收或放出热量,在没有相变和化学反应的条件下,材料温度升高1K时所吸收的热量。 5.一级相变:相变在某一温度点上完成,除体积变化外,还同时吸收和放出潜热的相变。 6.二级相变:在一定温度区间内逐步完成的,热焓无突变,仅是在靠近相变点的狭窄区域内变化加剧,其热熔在转变温度附近也发生剧烈变化,但为有限值的相变。 7.热膨胀:物体的体积或长度随温度升高而增大的现象。 8.热膨胀分析:利用试样体积变化研究材料内部组织的变化规律的方法。 9.热传导:当材料相邻部分间存在温度差时,热量将从温度高的区域自动流向温度低的区域的现象。 10.热稳定性(抗热震性):材料称受温度的急剧变化而不致破坏的能力。 11.热应力:由于材料的热胀冷缩而引起的内应力。 12.材料的导电性:在电场作用下,材料中的带电粒子发生定向移动从而产生宏观电流 13.载流子:材料中参与传导电流的带电粒子称为载流子 14.精密电阻合金:需要电阻率温度系数TRC或者α数值很小的合金,工程上称其为精密电阻合金 15.本征半导体:半导体材料中所有价电子都参与成键,并且所有键都处于饱和(原子外电子层填满)状态,这类半导体称为本征半导体。 16. n型半导体:掺杂半导体中或者所有结合键处被价电子填满后仍有部分富余的价电子的这类半导体。 17. p型半导体:在所有价电子都成键后仍有些结合键上缺少价电子,而出现一些空穴的一类半导体。 18.光致电导:半导体材料材料受到适当波长的电磁波辐射时,导电性会大幅升高的现象。

材料物理性能复习题

一、名词解释 光矢量:即是光波的电场强度矢量。 双折射:当光束通过各向异性介质表面时,折射光会分成两束沿着不同的方向传播,这种由一束入射光折射后分成两束光的现象。 光轴:通过改变入射光的方向,可以发现,在晶体中存在一些特殊的方向,沿着这些方向传播的光不会发生双折射,这些特殊的方向称为晶体的光轴。 热膨胀:物质在加热或冷却时的热胀冷缩现象称为热膨胀。 朗伯特定律:l e I I α-=0,在介质中光强随传播距离呈指数形式衰减的规律即称为朗伯特定律。 热稳定性:指材料承受高温的急剧变化而不致破坏的能力,也称为抗热震性。 滞弹性:指材料在交变载荷的情况下表现为应变对应力的滞后特性即称为滞弹性。 应力感生有序:溶解在固溶体中孤立的间隙原子,置换原子,在外加应力时,这些原子所处的位置的能量即出现差异,因而原子要发生重新分布,即产生有序排列,这种由于应力引起的原子偏离无序状态分布叫应力感生有序。 穆斯堡耳效应:固体中的无反冲核共振吸收即为穆斯堡尔效应。 高分子的分子结构:指除具有低分子化合物所具有的,如同分异构、几何异构、旋光异构等结构特征之外,还有高分子量,通常由103~105个结构单元组成的众多结构特点。 高分子的聚集态结构:是指大分子堆砌、排列的形式和结构。 均方末端距:是描述高分子链的形状和大小时采用末端距的2次方的平均值,用r 2表示,称为均方末端距。 二、填空题 1、下图为聚合物的蠕变和回复曲线,可见一个聚合物材料的总形变是三种形变之和,其中 ε1为普弹形变、 ε2为高弹形变、 ε3为粘性流动。 2、从微观上分析,光子与固体材料相互作用的两种重要结果是:电子极化和电子能态转变 3、在光的非弹性散射光谱中,出现在瑞利线低频侧的散射线统称为斯托克斯线,而在瑞利线高频侧的散射线统称为反斯托克斯线。 4、掺杂在各种基质中的三价稀土离子,它们产生光学跃迁的是4f 电子。 5、红宝石是历史上首先获得的激光材料,它的发光中心是C r 3+ 离子。 6、非稳态法测量材料的热导率是根据试样温度场随时间变化的情况来测量材料热传导性能的方法。 7、弹性模量的物理本质是标志原子间结合力的大小。 8、测量弹性模量的方法有两种:一种是静态测量法,另一种是动态测量法。 9、图中表示曲线(a )表示熔融石英玻璃(SiO 2)、曲线(b )表示非晶态聚苯乙烯(PS )的热导率随温度的变化。

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