EM640FT8AS-55L中文资料(List Unclassifed)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

文档标题

256K×8位低功耗和低电压全CMOS静态RA M 修订记录

版本号

0.0

0.1

0.2

0.3

历史

初稿草案

0.1版本

0.2版本

0.3版本

删除字节选项信息

删除UB,LB信息

修订VOH（2.2V至2.4V）,TOH（15ns至为10ns）,

TOE-55（为30ns至25ns）,TWP-55（为45nS至40ns）,

TWP-70（55ns至50ns）,tWHZ-70（为25ns至20ns）,

ICC（2mA至3毫安）,ICC1（2mA至3毫安）

V IH从2.0V到2.2V电平变化

草案日期

年6月7,2007年

二零零七年六月十五日

2007年6月21日,

2007年7月2日,

备注

0.40.4版本8月16个,2007年

256K×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM

特征

-工艺技术：0.15μm全CMOS

-组织：256K X8

-电源电压

= EM620FV8B : 2.7~3.6V

-低数据防护持电压：1.5V

-三态输出和TTL兼容

-包装产品设计45/55/70ns

一般物理规格

-抛光裸硅背面模具表面

-典型模具厚度= 725um +/- 15微米

-典型顶层金属化：

=金属（钛/铝铜/锡/ ARCSiON /二氧化硅）：5.2K埃

-顶边钝化：

=钝化（HDP / pNIT / PIQ）：5.4K埃

-晶圆直径：8英寸

选项

-C1 / W1：DC探索Sun Yatsen模/硅片@热温度

-C2 / W2：DC / AC探索Sun Yatsen模具/硅片@热温度

5629

EM620FV8B（双C / S）

+(0.0)

EMLSI LOGO

28 y

Pre-charge Circuit

板说明

Name CS1,CS2 OE

A0~A17 I/O0~I/O7性能

片选输入

输出使能输入

写使能输入

地址输入

数据输入/输出

Name

Vcc

Vss

性能

电源

接地

无连接

Row Select

Memory Array

1024 x 2048

I/O Circuit

Column Select

Control Logic

粘结说明

2M全CMOS SRAM芯片拥有总56pads.参阅到结合焊盘位置和识别表X,Y坐标. EMLSI建议使用键合线对芯片背面上Vss焊盘,以提高抗噪声能力.

功能规格

有3个类别EMLSI模具及硅片产品,这是C1和C2模具和W1和W2晶圆,分别.

每个芯片和芯片支持专用特点,探讨其规格范围内电气参数.以下是简要信息模具和晶圆分类.请参阅包装规格为更多信息,但这些参数并不防护证在裸芯片和晶片.

C1级别死亡或W1水平WAFER

直流参数是通过规范C1级芯片或W1晶圆级测量.直流参数在70℃温测定

perature,即要求‘Hot DC排序"其他参数都不能防护证,防护证包括设备可靠性.详情请参阅

以鉴定报告设备可靠性和封装级数据表电气参数.

C2级死亡或W2水平WAFER

直流参数和选择AC参数测量与C2级芯片或W2级晶圆. C2DC特性

死亡和W2晶圆是基于C1级芯片和W1级硅片DC规格测试.直流和指定AC参数是

在70℃温度下,它被称为测试‘Hot DC与AC选择性排序".其他参数都不能防护证,担防护

包括设备可靠性.请参阅鉴定报告对设备可靠性和封装级数据表电气参数.

C2级芯片和W2级晶圆探针下AC参数.

tRC,TAA,控烟

tWC, tCW

包装

单个设备将被包装在防静电托盘.

芯片托盘：用于模具2英寸方形饼样式载体与各模具分格.通常所说松饼

包,每个托盘具有选择设备腔体尺寸,可轻松装卸,防止

旋转.本身是由导电材料制成盘,以减少破坏危险,从静电模具

放电.该芯片载体将被贴上以下信息：

EMLSI晶圆批号

EMLSI部件号

数量

罐包装：罐包装是由EMLSI制造和使用由我们提供所要求裸片晶圆众多客户.该包是

包括清洁纸来包装片和海绵几乎脆弱塑料盒之间晶片,高缓冲海绵.每包通常有24片,然后几个包放入大箱子视晶圆量.

债券焊盘＃1顶部

芯片载体模具方向

储存和处理

EMLSI建议存储在与过滤氮气受控环境模具.该运营商必须开放在ESD安全环境时,检查和组装.

绝对最大额定值 *

参数任何引脚相对于VSS电压供应相对Vss电压Vcc

功耗

工作温度

符

V IN, V OUT

V CC

P D

T A

起码

-0.2 to 4.0V

1.0

-40到85

Unit

o C

*强调超过上述"绝对最大额定值"可能会对设备造成永久性损坏.功能一般

通货膨胀应限制在推荐工作条件.暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响其可靠性.功能说明

CS1 H X X L L L L CS2

I/O0-7

高阻

数据输出

数据在

Mode

取消选择

输出禁用

Read

Write

Power

支持

主动

注：X表示不关心. （必须是高或低状态）

推荐直流工作条件1)

参数电源电压

接地

输入高电压

输入低电压

4.符

V CC

V SS

V IH

V IL

Min

2.7

2.2

-0.23)

Typ

3.3

Max

3.6

V CC+ 0.22)

0.6

Unit

TA = -40到85o C,另有说明

过冲：V CC在情况下脉冲宽度20ns+ 2.0V

冲：-2.0 V情况下,脉冲宽度为20ns

过高和过低采样,而不是100％测试.电容1)(f =1MHz, T A=25o C)

Item

输入电容

输入/输出继电器电容

1.电容进行采样,而不是100％测试.符

C IN

C IO

测试条件

V IN=0V

V IO=0V

Min

Max

Unit

DC及经营特色

参数输入漏电流输出漏电流工作电源符

I LI

I LO I CC I CC1

平均工作电流

I CC2

V OL

V OH

I SB V IN=V SS到V CC

CS1=V IH或CS2 = V IL或OE = V IH或WE = V IL

V IO=V SS到V CC

I IO=0mA, CS1=V IL, CS2=WE=V IH, V IN=V IH或V IL

周期时间=1μs,100％关税,I IO=0mA,

CS10.2V, CS2V CC-0.2V,

V IN IN V CC-0.2V

周期时间=最小,I IO=0毫安,100％关税,

CS1=V IL, CS2=V IH,

V IN=V IL或V IH

I OL= 2.1mA

I OH= -1.0mA

CS1=V IH, CS2=V IL,其他输入= V IH或V IL

CS1V CC-0.2V, CS2V CC-0.2V（CS控制）

或0V CS20.2V（CS2控制）,

其他输入= 0?V CC

（典型值条件：V CC=3.3V @ 25 C)

（最大条件：V CC=3.6V @ 85o C)

测试条件Min

-1

45ns

55ns

70ns

2.4

Typ

Max

0.4

0.3

Unit

输出低电压

输出高电压

待机电流（TTL）

V V mA

待机电流（CMOS）I SB1LF-11)10uA NOTES

1.典型值是在Vcc = 3.3V,T测量A=25o C和不是100％测试.