模电课件_电子科大李朝海1.3

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础(一)》期末试题〔A 〕 一、填空题(15分) 1.由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4.某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz 。 5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6.在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的 输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题(15分) 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4.差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号; D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。 5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

电子科技大学模拟电路考试题及答案

电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A卷(120分钟)考试形式:开卷 课程成绩构成:平时10分,期中30分,实验0分,期末60分 一(20分)、问答题 1.(4分)一般地,基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大?哪个最小? 2.(4分)在集成运算放大器中,为什么输出级常用射极跟随器?为什么常用射极跟随器做缓冲级? 3.(4分)电流源的最重要的两个参数是什么?其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载?在集成电路中采用有源负载有什么好处? 4.(4分)集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级? 5.(4分)在线性运算电路中,集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式?

二(10分)、电路如图1所示。已知电阻R S=0,r be=1kΩ,R1∥R2>>r be。 1.若要使下转折频率为10Hz,求电容C的值。 2.若R S≠0,仍保持下转折频率不变,电容C的值应该增加还是减小? 图1 三(10分)、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V,硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V,R C=10kΩ。求电阻R E和R G。 图2 四(10分)、电路如图3所示。已知三极管的β=50,r be=1.1kΩ,R1=150kΩ,R2=47k Ω,R3=10kΩ,R4=47kΩ,R5=33kΩ,R6=4.7kΩ,R7=4.7kΩ,R8=100Ω。 1.判断反馈类型; 2.画出A电路和B电路; 3.求反馈系数B; 4.若A电路的电压增益A v=835,计算A vf,R of和R if。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()

2018年成都电子科技大学858信号与系统考研大纲硕士研究生入学考试大纲

主要考察学生掌握《信号与系统》中连续和离散时间信号与系统的基本概念、理论和分析方法;重点考察在时间域和变换域建立信号与系统的数学模型、信号分析、求解系统输出以及对系统本身性能判定的方法,具备通过上述知识解决实际应用问题的能力。 《信号与系统》是测控技术及仪器专业一门重要的专业基础课,是测控技术及仪器专业的学 生学习专业知识的一门入门课,通过本课程的学习,使学生了解连续和离散信号与系统的基本概念、理论和分析方法;理解在时间域与变换域建立信号与系统的数学模型、信号分析、求解系统 输出以及对系统本身性能的基本方法。熟练掌握基本概念与基本运算,并能加以灵活应用。 本课程介绍连续时间系统、离散时间系统、信号的时域和频域分析、信号的采样与恢复等基 本内容等。通过本课程的学习,学生可以获得信号与系统分析方面的基本知识,增强学生利用该 知识解决实际应用的能力。 二、内容 1、基本概念 1)连续时间和离散时间信号的基本分类和表示方法 2)奇异信号及其基本性质, 3)信号的基本运算、自变量的变换 4)系统的基本概念和基本性质。 2、线性时不变系统时域分析 1)线性时不变系统的时域分析方法 2)零输入响应和零状态响应的概念 3)卷积积分与卷积和的基本运算 3、线性时不变系统频域分析 1)线性时不变系统的傅里叶分析方法 2)连续时间信号傅里叶级数分解和傅里叶变换的物理意义 3)连续时间周期信号的傅里叶级数性质和 LTI 系统对复指数信号的响应计算方法 4)从基本变换对出发、灵活运用傅里叶变换的基本性质求解傅里叶变换(包括反变换) 5)系统的频率响应及有关滤波等概念, 6)信号的幅度调制、 4、信号的采样与恢复 1)采样的基本理论 2)采样定理以及采样后输出信号的频谱特点 3)零阶保持采样 4)信号的采样与恢复,欠采样造成的信号混淆。 5、拉普拉斯变换

模拟电路期末试题,电子科大成都学院

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期中考试 模拟电路基础课程考试题 A 卷( 120 分钟)考试形式:开卷考试日期 2006 年 11月 11日课程成绩构成:平时 10 分,期中 30 分,实验 0 分,期末 60 分 一(14分)、问答题 1.(2分)从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面,分别简述PN结的单向导电性。 2.(2分)试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。 3.(2分)以NPN型BJT单级共射放大器为例,试简要叙述确定动态范围的过程。 4.(2分)以单级稳基压偏置放大器为例,当环境温度降低时,试简要叙述稳定静态工作点的原理。5.(2分)在多级电压放大器中,为什么常常采用射极跟随器(或源极跟随器)作为输出级(最末级)?6.(2分)计算放大器的电压增益时,为什么通常需要计算静态工作点? 7.(2分)什么是多级放大器中的零点漂移现象?

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二(8分)、电路如图1所示,已知β= 100,V BE = 0.7V,V A = ∞,r be = 5.6kΩ。 1.求输入电阻R i; 2.求小信号源电压增益A vs = v o/v s; 3.求输出电阻R o。 图1

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 三(8分)、在下图所示的分压式电路中,设三极管的电流放大系数为 ,三极管b、e之间的等效电阻为r be=3.5kΩ,电路中Vcc、V s、R1、R2、R C、R L,R E,R s均为已知, 1)试估算该电路的静态工作点,写出I BQ,I CQ,U CEQ的表达式。 2)画出中频段的交流小信号等效电路。 3)根据微变等效电路写出电压放大倍数A v及输入电阻Ri 和输出电阻Ro的表达式。 4)写出输出电压vo与提供的输入电压vs之间 (1)的比值,即A VS的表达式。 图2

模电试题及答案

试题一 一、选择题(每小题2分,共24分):(1)当晶体管工作在放大区时,发射 结电压和集电结电压应为( B )。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏(2)N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素(3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路)。(4)高通滤波电路可以用于( A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。(5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C ) A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。) B 等于((6)、电路如图所示,其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 (7)当信号频率等于放大电路的f或f时,放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降( A )。 A.3dB B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A.同相比例B.微分 C.同相求和 (9)PN结加正向电压时,空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL功率放大电路如图所示,当u为正半周时,则( A )。i-111A

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 (12)电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号u为如图所示的三角波, i则输出电压u的最大值为( B )。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题:(总16 分,每空 2 分)

桂林电子科技大学模电试卷1

义乌工商职业技术学院 模拟电子技术测验 试卷一 一、填空题:将正确的答案填入空格中。 (本大题分15小题,每小题2分,共30分) 1、在P 型半导体中,__________是多数载流子,__________是少数载流子。 2、下图所示电路中,设二极管导通时正向电压为0.7V ,则二极管处于__________状态,电流I D =__________。 3、 振荡器的振幅平衡条件为__________,而起振时,则要求__________。 4、 两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT 复合,其复合管的β值约为__________。 5、 一个由NPN 型BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路,如果其静态工作点 偏低,则随着输入电压的增加,输出将首先出现__________失真;如果静态工作点偏高,则随着输入电压的增加,输出将首先出现__________失真。 6、 在低频段,当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时,所对应的频率 称为下限频率。 7、 放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为 ____________________。 8、 理想运算放大器的差模输入电阻等于__________,开环增益等于__________。 9、 差动放大电路的共模抑制比定义为______________________________(用文字 或数学式子描述均可);在电路理想对称情况下,双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。 10、单相桥式整流电路,若其输入交流电压有效值为10V ,则整流后的输出电压平 均值等于__________。 11、如下图(a)所示电路的输入v i 为正弦交流电压,其输出v o 的波形如下图(b)所示, 则可知功放管__________工作不正常。 2kΩ 10V 5V 3kΩ D I D

电子科技大学模拟电路简答题整理总汇 期末必备

1 画出BJT管输出特性曲线,简述各个区域的特点及偏置条件 截止区:ic几乎为0,电路不工作。发射结电压小于开启电压;集电结反偏; 放大区:ic=βib,ic几乎只与ib有关,与uCE无关,表现出ib对ic的控制作用。 发射结电压大于开启电压;集电结反偏。 饱和区:ic不仅与ib有关,还随uCE增大而明显增大,ic<βib。 发射结和集电结正偏。 BJT输出特性曲线表现的是IB为常数时ic与管压降UCE的关系。 2为什么BJT称为双极性晶体管,而FET称为单极晶体管,他们各自是哪种控制型器件。BJT管工作时两种载流子都参与导电;FET管仅有多数载流子参与导电;BJT管是电流控制器件;FET管是电压控制器件。 3 BJT管输出电压产生截止失真(饱和失真)的原因是什么,如何减小。 产生失真的原因是静态工作点Q设置不合理或者外加信号过大。 输出电压产生截止失真的原因是Q点过低,负半周期时IB过小导致BJT管进入截止区;适当减小RB以增大IB即可; 输出电压产生饱和失真的原因是Q点过高,正半周期时IC饱和导致BJT管进入饱和区;适当增大RB以减小IB即可 Q点位置适中的时候如果外加输入信号过大,产生双向失真。通过输入端接分压电路或者适当增大直流偏置电压。 4 直流电源在放大电路的作用是什么 ①为晶体管正常工作提供偏置电压; ②为电路提供能源 5 为什么要稳定静态工作点,有哪些方法 静态工作点不但决定电路是否会产生失真,还会影响到电压放大倍数、输入电阻等动态参数。引入直流负反馈或者使用温度补偿(靠温度敏感器件直接对IB产生影响)。 6 BJT管稳定静态工作点电路引入了哪种反馈,简述稳Q过程。 见6 7 有哪些耦合方式,各有什么特点? 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。 直接耦合:可放大直流信号、低频特性好、利于集成;静态工作点相互影响,存在零点漂移现象。 阻容耦合:各级静态工作点相互独立;只能放大交流信号、低频特性差、耦合过程有损耗,不利于集成。 变压器耦合:同阻容耦合,可实现阻抗变换。 光电耦合:实现电气隔离,抑制电干扰。

模电试题及答案40678

《模拟电子技术基础》试题(A 卷) 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。 (10分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 ( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。 ( ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。 ( ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 ( ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 ( ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 ( ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从 P 区流向 N 区。 ( ) (8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 ( ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。 ( ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 ( ) 二、选择填空 (10分) (1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。 (A )电流负反馈 (B )电压负反馈 (C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2)RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 (A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。 (A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D )差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。 (A )β (B )β2 (C )2β (D )1+β (5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 。 (A )共基放大电路 (B )共集放大电路 (C )共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。

电科大-模拟电子技术试题3及答案

电子科技大学网络教育 一、 选择题 (每小题2,共10分 ) 1. BJT 依靠( )控制漏极电流íc 的器件。 A 电 压 B 电 流 C 电 阻 D 电 场 2.电流求和负反馈使输人电阻( )。 A 增加 B 不变 C 减少 D 不清楚 3. NPN 管放大偏值电路中,若V C 增加,则 I B ( )。 A 略有增加 B 略有减小 C 几乎不变 D 不定 4. 集成运放采用有源负载的目的是( )。 A 提高电压增益 B 减少温度漂移 C 稳定工作点 D 提高电流强度 5.若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将( ) 。 A.R c 增大 B.R c 减小 C.V C C 减小 D V C C 增大 二、判断题(每题2分,共20分) 1、反向电流是由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。( ) 2、三极管是电压控制元件,场效应管是电流控制元件。( ) 3、晶体三极管具有放大作用时,发射结反偏,集电结正偏。( ) 4、三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。( ) 5、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用直流负反馈,为了减小输出电阻采用电压负反馈。( ) 6、差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号 。( ) 7、共模信号是大小相等,极性不同的两个信号。( ) 8、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。( ) 9、用低频信号去改变高频信号的频率称为调频,低频信号称为调制信号,高频信号称高频载波。( ) 10、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而升高。共基极电路比共射极电路高频特性好。( ) 三、填空题 (每空2分,共20分) 1.差动放大器两个输入端的增益电压分别是1mV 和-1mV ,则输入的共模电压是 mV 。 2.反馈方程式AB A A f +=1中,A 、 B 符号 时为负反馈,A ,B 符号 时,为正反馈 。 3.在画放大电路的直流通路时,应该将电路中的电容 。 4. 运算放大器的输入级是 。 5.一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低,当前级输入信号幅度足够大时,后级输出电压波形将 。

电子科大2010年信号与系统期末考题及标准答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零 一 零 至二零 一 一 学年第 一 学期期 末 考试 SIGNALS AND SYSTEMS 课程考试题 A 大纲A 卷 ( 120 分钟) 考试形式: 一页纸开卷 考试日期 20 年 月 日 课程成绩构成:平时 10 分, 期中 20 分, 实验 10 分, 期末 60 分 Attention: Y ou must answer the following questions in English. 1.(15 points ) Suppose ()1x t and ()2x t are two band-limited signals, where π ωω200,0)(1>=for j X ,π ωω500, 0)(2>=for j X . Impulse-train sampling is performed on ()()() 1234/22=+-*y t x t x t to obtain ()()()p n y t y nT t nT δ+∞ =-∞ = -∑ .Give out the expression of )(ωj Y in terms of ) (1ωj X and )(2ωj X ,where )(ωj Y is the Fourier transform of ) (t y . Specify the largest values of the sampling period T which ensures that ()t y is recoverable from ()t y p .

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

模电试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》期末考试试卷 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有 ()导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与 ()有关,而与外加电压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直 线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开; 4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结 ()。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降 ()。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、 ()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈, 为了稳定交流输出电流采用()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反 馈放大电路的放大倍数AF=()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为() 信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用() 类互补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电

阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其 两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、,则三 个电极分别是(),该管是()型。 A、( B、 C、E) B、(C、B、E) C、(E、C、B) D、(NPN) E、 (PNP) 3、对功率放大器的要求主要是()、()、()。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(),此时应该() 偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了()而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是()。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ() 倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强,一般引入()负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于(A ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( B ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态 (3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型锗管 D.PNP 型硅管 (4 )温度上升时,半导体三极管的( A ) A.β和I CEO 增大,u BE 下降 B.β和u BE 增大,I CEO 减小 C.β减小,I CEO 和u BE 增大 D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.共漏极放大电路 D.共射极放大电路 (6 )在四种反馈组态中,能够使输出电压稳定,并提高输入电阻的负反馈是( ) A.电压并联负反馈 B.电压串联负反馈 C.电流并联负反馈 D.电流串联负反馈 (7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( ) A.A u 等于各级电压放大倍数之积 B.R i 等于输入级的输入电阻 C.R o 等于输出级的输出电阻 D.A u 等于各级电压放大倍数之和 (8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ,可以提高电路的( ) A.|A ud | B.|A uc | C.R id D.K CMR (9 )电路如图2所示,其中U 2=20V ,C=100μf 。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略,该电路的输出电压U o ≈( )。 A.24V B.28V C.-28V D.-18V (10 )在下列四种比较器中,抗干扰能力强的是 ( )。A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题 (每格1分,共20分) (11 )当放大电路输入非正 弦信号时,由于放大电路 对不同频率分量有不同的 放大倍数而产生的输出失 真为 ____ 失真,由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 ___失真,这两种失真统称为 _____失真或 ______失真。 (12 )半导体三极管属 _____控制器件,而场效应管属于_____控制器件。 (13按结构不同场效应管分为_____ 型和______型两大类。 (14 )集成运放内部电路实际是一个 _____、_____ 、______ 放大电路。 + _ + D 4 TR D 3 Uo D 2 U 2 + C D 1 U 1 (图2) _ _ -2V -8V -2.2V ① ② ③ 图1

模电期末考试题及答案

(10 一、判断下列说法是否正确,用“X”或 分) 1 《模拟电子技术》 “2”表示判断结果。 只要满足相位平衡 电路就 会产生正 波振荡。 ) 2 引’ 入 直 流负反馈 可 以 稳 定静态工 ( 作点 V 。 ) 3 负 反 馈 越深, 电 路 的 性能越 稳定 。 ( X ) 4 >-l-A 零 点 漂 移就是 静 态 工 作点的 漂移 。 ( V ) 5 放大 电路采用复合管是为了 增大放大倍数和输入电阻 。 ( V ) 6 镜像 电 流: 源电路中两 只晶 体 管 的特性应完 全相同 。 ( V ) 7 半 导 体 中 的 空 穴 带 正 电 。 ( V ) 8 P 型 半 导体带正 电, N 型半导体带负电 。 ( X ) 9 实 现 运 算电路: 不一 定 非引入负 反馈 。 ( X ) 10 凡是引 入 正反馈的集 成运 放, 」定工作在非 线性区 。 ( X ) ( X (10 分) 二、选择填空 (1) 为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 为了展宽频带,应在放大电路中引入 ________ (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2) 在桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路中, C _______________ 。 (A ) ?A =-180 0,杆=+180 0 (B )杯=+180 0,?F =+180 0 (C )杯=00, ?F =0 0 (3) 集成运放的互补输出级采用 (A )共基接法 (B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4) 两 个B 相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 B

电子科大模电期末真题10~11

学院___________________ 系别____________ 班次_____________ 学号__________ 姓名________________ ………….……密…..……….封……..……线………..…以………..…内………....答…………...题…………..无…….….效…..……………….. 电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 1 学期期 末 考试 模拟电路基础 课程考试题 A 卷 ( 120 分钟) 考试形式: 开卷 考试日期 2011年 1 月 5 日 课程成绩构成:平时 20 分, 期中 20 分, 实验 0 分, 期末 60 分 一、填空题(共30分,共 15个空格,每个空格2 分) 1、共发射极放大器(NPN 管),若静态工作点设置偏高,可能产生_饱和__失真,此时集电极电流会出现 __上___(上、下)削峰失真。 2、某晶体管的极限参数P CM = 200 mW ,I CM = 100 mA ,U (BR)CEO = 30 V ,若它的工作电压U CE 为10 V ,则工作电流不得超过 20 mA ;若工作电流I C = 1 mA ,则工作电压不得超过 30 V 。 4、电路及直流测试结果如图1所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(恒流区、夹断区、可变电阻区)。 图1 (a) 恒流区 ; (b) 可变电阻区 。 5、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图2所示。已知W7805的输出电压为5V ,I Q =10 mA ,晶体管的β=50,|U BE |=0.7 V ,电路的输入电压U I =16 V ,三极管处于 放大 (放大,饱和,截止)状态, R 1上的电压为 5.7 V ,输出电压U o 为 9 V 。 图2

模拟电子技术期末试卷5套及答案

《模拟电子技术》期末考试试卷1 2010.05 班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___ 一.填空(25分) (1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量 一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。 (2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。 (3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。 (4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。 (5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。 (6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组 成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。 (7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频 特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。 (8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为 un u u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数u A = un u u A A A (21) (9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。 (10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。 二.选择题(每题2分,共20分) (1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。 (A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈

电子科技大学课件

电子科技大学课件点播及在线作业学习指南 一、网络教育学习模式 以网络课件学习、在线作业提交为主,纸介教材自学为辅。 二、网络课件学习及作业提交学号:20110210214024 1.登陆学习平台,进行在线课件学习密码066884 在正式取得学籍后,学校将根据教学计划在系统里为学生开设相应的学习课程,进入平台后就可以进行学习。 【操作】: 第一步:直接在浏览器的地址栏里输入学习平台网址:https://www.360docs.net/doc/bd17671070.html,/news/ 即可访问学习平台。 第二步:在网络学院的首页登录处输入用户名(学号),密码(默认为身份证号的末六位)如图1。 图1输入用户名和用户密码登录平台 学号查询办法:登陆网上《学生专栏》,(学生专栏的网址:https://www.360docs.net/doc/bd17671070.html,,用户名:中文全名,密码:身份证号码),学号信息请

查看登录后的学生专栏页面左上角,红色圆圈标记位置 进入平台后如图2。 图2登录平台后界面 第三步:在管理主页选择“我的学习”点击“在线课程学习”,如图3。 图3在线课程学习 点击在线课程学习后,看到的课程列表如图4所示,可以看到课程名称,图4上的课程是教学计划里相应的课程。(“学期”栏标注1、2、3、4对应的课程)。(平时成绩比重为30%或100%) 图4在线学习课程列表 第四步:选择某门课程(如《管理学原理》)点击右则的“开始学习”即可开始进行该课程的学习。

点击“开始学习”后就可以进入课程的学习。进入课程学习中心后,如图5。界面左面有“学习进度”、“资料下载”(大纲及考前自测题)、“作业提交”(作业测验)、“管理”(学习小组、答疑中心)。界面右面可以看到“学习内容”,下面显示学习内容的六种状态,如图6。 图5课程中心 图6学习内容状态 第五步:点击学习内容中相应的学习节点进行学习,每一个学习节点至少要学习60秒并滚动旁边的滚动条才可以显示学习进度。完成学习后,则显示已经学习完毕,即可进行下一个节点的学习。如图7。学习节点及学习进度如图8。 图7学习节点状态

模电总结复习资料+期末试题A及答案

第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管~,锗管~。 *死区电压------硅管,锗管。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

哈工大模电期末考试题及答案

一、 填空(16分) 1、在电流控制方式上,双极型晶体管是__电流控制电流源____型,而场效应管是__电压控制电流源___型;二者比较,一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。 2、放大电路中,为了不出现失真,晶体管应工作在___放大___区,此时发射结___正偏______,集电结___反偏______。 3、负反馈能改善放大电路性能,为了提高负载能力,应采用___电压___型负反馈,如果输入为电流源信号,宜采用___并联___型负反馈。 4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中,___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。 5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。 6、下列说法正确的画√,错误的画× (1)放大电路的核心是有源器件晶体管,它能够实现能量的放大,把输入信号的能量放大为输出信号的能量,它提供了输出信号的能量。 ( × ) (2)共集组态基本放大电路的输入电阻高,输出电阻低,能够实现电压和电流的放大。 ( × ) (3)图1所示的文氏桥振荡电路中,对于频率为01 2f RC π=的信号,反馈信 号U f 与输出信号U o 反相,因此在电路中引入了正反馈环节,能产生正弦波振荡。 ( × ) 第 1 页 (共 8 页) 图1

试 题: 班号: 姓名: 二、(18分)基本放大电路及参数如图2所示,U BE =0.7V ,R bb ’=300?。回答下列各问: (1) 请问这是何种组态的基本放大电路?(共射、共集、共基) (2) 计算放大电路的静态工作点。 (3) 画出微变等效电路。 (4) 计算该放大电路的动态参数:u A ,R i 和R o (5) 若观察到输出信号出现了底部失真,请问应如何调整R b 才能消除失真。 图2 答:(1)是共射组态基本放大电路 (1分) (2)静态工作点Q : Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ,即15= I BQ *200k ?+0.7V+51* I BQ *8k ?, ∴I BQ =0.0235mA (2分) ∴I CQ =βI BQ =1.175mA , (2分) ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V (2分) (3)微变等效电路 o (4分) (4)r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K ? A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6 (2分) Ri=R b //r be ≈1.33K ?; (2分) Ro ≈Rc=2K ? (2分) (5)是饱和失真,应增大R b (1分)

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