模拟电子技术填空题答案

模拟电子技术填空题答案
模拟电子技术填空题答案

1,半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2,本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N型半导体,其多数载流子是自由电子,若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。

3,PN结在正偏是导通,反偏是截止,这种特性称为单向导电性。

4,当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向电压将减小。

5,整形电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单项脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6,发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7,光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。

8,测得某二极管的正向电流为1mA,正向压降为0.65V,该二极管的直流电阻等于650Ω,交流电阻等于26Ω。

1,晶体管从结构上可以分为PNP和NPN两种类型,它工作时有两种载流子参与导电。

2,晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。

3,晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是放大、饱和、截止。

4,当温度升高时,晶体管的参数增大,I增大,导通电压减小。

5,某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10uA变化到20uA时,集电极从1mA变为1.99mA,则交流电流放大系数约为99.

6,场效应管从结构上可分为两大类:MOS场效应管、结型场效应管;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:增强型、耗尽型。

7,Ugs(off)表示夹断电压,Idss表示饱和漏极电流,它们是耗尽型场效应管的参数。

1,放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压Uo=1V,该放大电路的电压放大倍数为100,电压增益为40dB。

2,放大电路的输入电阻越大,放大电路向信号源索取的电流就越小,输入电阻也就越大;输出电阻越小,负载对输出电压的影响就越小,放大电路的负载能力就越强。

3,共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相,电压放大倍数近似为1,输入电阻大,输出电阻小。

4,差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用,对共模输入信号具有很强的抑制作用,差分放大电路的零点漂移很小。

5,乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成,其主要优点是效率高。

6,两级放大电路,第一级电压增益为40dB,第二级电压放大倍数为10倍,则两级总电压放大倍数为1000倍,总电压增益为60dB。

7,集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路,其作用是用来减小零点漂移。

8,理想集成运算放大器工作在线性状态时,两输入端电压近似相等,称为虚短;输入电流近似为0称为虚断。

9,集成运算放大器的两输入端分别称为反相输入端和同相输入端,前者的极性与输出端反相,后者的极性与输出端同相。

1,将反馈引入放大电路后,若使净输入减少,则引入的是负反馈,若使净输入增加,则引入的是正反馈。

2,反馈信号只含有直流量的称为直流反馈,反馈信号只含有交流量的称为交流反馈。

3,在反馈放大电路中,若反馈信号取自输出电压,则说明电路引入的是电压反馈,若反馈……

则是电流反馈;在输入端,反馈信号与输入信号以电压方式进行比较,则是串联反馈,反馈信号与输入信号以电流方式进行比较,则是并联反馈。

4,负反馈虽然使放大电路的增益减小,但能使增益的稳定性提高,同频宽展宽,非线性失真减小。

5,电压负反馈能稳定输出电压,是输出电阻减小;电路负反馈能稳定输出电流,使输出电阻增大。

6,放大电路中为了提高输入电阻引入串联反馈,为了降低输入电阻应引入并联反馈。

7,负反馈放大电路中,其开环电压放大倍数Au=90,电压反馈系数Fu=0.1,则反馈深度为10,闭环放大倍数为9.

8,深度负反馈放大电路有:Xi=Xf,即Xid=0.。

1,运算电路中的集成运算放大器应工作在线性区,为此运算电路中必须引入深度负反馈。

2,反响比例运算电路的主要特点是输入电阻较低,运算放大器共模输入信号为0;同相比例运算电路的主要特点是输入电阻很大,运算放大器共模输入信号较大。

3,简单RC低通电路在截止频率处输出电压是输入电压的0.707倍,即衰减3dB,相移为-45度。4,晶体管有三个频率参数,Fb称为共发射极截止频率,Fa称为共基极截止频率,Ft称为特征频率。

5,集成运算放大器开环差模电压增益值比直流增益下降3dB所对应的信号频率称为开环带宽,开环差模电压增益值下降到0dB所对应的信号频率称为单位增益带宽。

6,集成运算放大器交流放大电路采用单电源供电时,运算放大器两个输入端的静态电位不能为

0,运算放大器输出端必须接有输出电容。

1,正弦波振荡电路主要由放大电路、正反馈网络、选频网络、稳幅环节四部分组成。

2,设放大电路的放大倍数为Au,反馈网络的饿反馈系数为Fu,则正弦波振荡电路的振幅平衡条件是,相应平衡条件是。

3,RC桥式震荡电路输出电压为正弦波时,其反馈系数Fu=1/3,放大电路的电压放大倍数Au=3;

若RC串并联网络中的电阻均为R,电容均为C,则振荡频率Fo=1/2πRC。

4,RC桥式正弦波振荡电路中,负反馈电路必须采用非线性电阻元件构成,其主要目的是为了稳幅。

5,用晶体管构成的三点式LC震荡电路中,谐振回路必须由三个电抗元件组成,在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须同性质,不与发射极相接的电抗元件必须与之异性质,方能满足振荡的相位条件。

6,石英晶体在并联型晶体振荡电路中起电感元件作用,在串联型晶体振荡器中起短路元件作用,石英晶体振荡器的优点是频率稳定度高。

7,电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态,有集成运算放大器构成的电压比较器运算放大器工作在非线性状态。

8,迟滞比较器中引入中引入了正反馈,它有两个门限电压。

9,三角波产生电路由迟滞比较器和线性RC积分电路组成。

1,小功率直流稳压电源一般由变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路组成。

2,桥式整容电容滤波电路的交流输入电压有效值为U2,电路参数选择合适,则该整流滤波电路的输出电压U0=1.2U2,当负载电阻开路时,U0=1.4U2,当滤波电容开路时,U0=0.9U2。3,串联型晶体管线性稳压电路主要由调整管、比较放大器、取样电路和基准电压等四部分组成。4,线性集成稳压器调整管工作在放大状态,而开关稳压电源工作在开关状态,所以它的效率高。

模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3

1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少? 解:二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。 1、两个管子都正接。(1.4V ) 2、6V 的管子反接,8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接, 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。(14V ) (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。 1、 两个管子都反接,电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接,一个反接,电压小的先导通。(0.7V ) 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解:稳压管的最大稳定电流: I ZM =P ZM / U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ~I U U R

(完整版)电子技术复习题(答案)

电子技术复习题 一、填空 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时,电抗原件将能量存储起来,而当电源电压降低时,又将能量释放出来,从而使输出电压比较平滑,这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器,任选其中一个电极为公共电极时,可组成三种不同的四端网络,分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5.构成放大电路的条件有两个:一是发射结正偏,集电结反偏;二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时,会引起放大电路的静态工作点向上偏移,造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8.半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9.硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10.二极管的反向电压在一定范围时,电流基本上是 恒定(或不变) 的。 11.稳压管工作在 反向击穿 区。 12.NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13.PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14.非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15.为不产生非线性失真,放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ,输入信号的幅值不能太大。 16.在外部因素(如温度变化、三极管老化、电源电压波动等)的影响下,会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17.外部因素中,对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18.三极管级间耦合的方式主要有:阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19.三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20.三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21.三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22.场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23.场效应管有两种类型:结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24.最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体(或MOS ) 场效应管 25.绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26.在多级直接耦合放大电路中,即使把输入端短路,在输出端也会出现电压波动,使输出电压偏离零值,这种现象称为 零点漂移(或零漂) 。 27. 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28.差动放大电路有两个输入端,在有信号输入时,其输入类型有:共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29.通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30.集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31.理想运放的两个重要特性为: 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32.带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ,与取样对象无关。 33.自激振荡的起振时应满足 AF>1 33.交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34.晶体管作为开关使用,是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ,典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001,对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空,对于与门应当接到高电平,对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分,存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。

模拟电子技术基础填空题及答案

模拟电子技术基础填空题及答案 在电子技术运用范围越来越广之际,同学们对电子技术的学习得怎么样了呢?下面我为大 家分享最新的电子技术考试题及答案,仅供参考! 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V; 锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小 ;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的 电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 0.7 伏;其门坎电 压Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为 电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P) 半导体和电子(N) 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流 电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件, V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置, 工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制(0BF)转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H 和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为: 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位,则它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,则需要 8 片 1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平,输出低电平和输出高阻态。 6、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间,具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的,不连续的信号,称为(B ) A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。 A.译码器B.编码器 C.全加器D.寄存器

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷

2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子 3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。 A.减小 B.基本不变 C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大 B.基本不变 C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流 B.稳压 C.发光 D.可变电容器 1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √ ) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1.4 分析计算题 =,试写出各电路的输出电压Uo值。1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on) =(6—V= V。 解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第二章

第二章 放大电路基础 2.1 放大电路如图P 3.1所示,电流电压均为正弦波,已知Ω=600S R 、mV U S 30=、 mV U i 20=、Ω=k R L 1、V U 2.10=。求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻i R ;当L R 开路时,测得V U 8.10=,求输出电阻R 。 解:1、 S i S i i U R R R U += Ω =-?=-=k U U R U R i S S i i 2.12030600 20 2、 6002.02 .1=== i O u U U A dB A dB A u u 6.3578.12060log 20||log 20)(=?=== 3、 uA R U I i i i 7.162.120=== uA mA A R U I L 12002.10012.01012 .1300===?== 9.717.161200=== i O i I I A dB A dB A i i 2.3786.1209.71log 20log 20)(=?=== 4、uW I U P i i i 334.07.1602.0=?== uW I U P 1440 12002.1000=?== 4311334.01440=== i O P P P A dB A dB A P P 9.3669.3104311log 10log 10)(=?=== 5、其等效电路如图P3.1.2: 根据等效电路可得: 8 .12.10?+= L L R R R Ω=k R 5.00

2.2 放大电路如图P 3.2.1所示,已知三极管100=β、Ω=200'bb r 、V U BEQ 7.0=。试: (1)计算静态工作点CQ I 、CEQ U 、BQ I ;(2)画出H 小信号等效电路,求u A 、i R 、 0R (3)求源电压增益uS A 。 解:1、 V V R R R V CC B B B B 315104010 212=?+=+= mA R R R V I E E BEQ B CQ 1.21.017 .032 1=+-= +-= uA I I CQ BQ 211001 .2== = β V R R R I V U E E C C CC CEQ 4.6)1.013(1.215)(21=++?-=++-= 2、H 小信号等效电路如图P3.2.2: Ω=?++=++=14501.226 )1001(20026) 1('0EQ bb be I r r β 9 .151.010145.13 //7.4100)1('1-=?+?-=++-=E be L u R r R A ββ []Ω=?+=++=k R r R R R E be B B i 73.4)1.010145.1//(40//10)1(////121β Ω≈=k R R C 30 3、 35.1451.073.473 .49.1500-=+?-=+==== S i i u S i u S i i S uS R R R A U U A U U U U U U A 2.3 放大电路如图P 3.3.1所示,已知三极管80=β、Ω=200'bb r 设各电容对交流的容抗

电子技术复习题

一、填空题(每空1分,共22分) 1、二极管具有最显著的特点是单向导电性。 2、三极管处于放大状态时,发射结正偏,集电结反偏。 3、在直接耦合放大电路中,抑制零点漂移最有效的电路结构是差分放大电路。 4、场效应管只有一种极性的载流子参与导电,固又称为单极型晶体管。 5、互补对称功率放大电路主要是要求输出大功率。 6、集成运算放大器的电路,可分为输入级、中间级、输出级和偏置电路四个基本组成部 分。 7、放大电路中负反馈的四种类型为:串联电压负反馈、并联电压负反馈、 串联电流负反馈、和并联电流负反馈。 8、逻辑函数的基本运算有与运算、或运算和非运算。 9、时序逻辑电路由门电路和触发器两部分组成。 10、用二进制代码表示有限对象(信号)的过程称为编码。 11、共阴LED数码管应与输出高电平有效的译码器匹配。 12、计数器按计数增减趋势分,有加法、减法和可逆计数器。 13、能将数字量转换为模拟量的装置称为 D/A转换器。 14、二进制数101011转换为十进制数为 43 。 二、选择题(每小题2分,共18分) 1、在放大电路中,若测得某晶体管三个电极的电位分别为10V,,,则这三 个极分别为:(C)。 A. C, B, A B. E, C, B C. C, E, B D.不确定 2、在下图所示的电路中,U 为( B )。

3、射极输出器( A )。 A.有电流放大作用,没有电压放大作用。 B.有电流放大作用,也有电压放大作用。 C.没有电流放大作用,也没有电压放大作用。 D.没有电流放大作用,有电压放大作用。 4、集成运算放大器实现信号运算关系时,其电路的特点是:( A ) A.电路引入负反馈 B.电路引入正反馈C.电路可以引入正反馈,也可以引入负反馈 D.不需要引入反馈 5、在下图所示的稳压电路中,已知U Z =6V,则U O 为( D )。 6、下图所示电路中,Y恒为0的图是( B )。

模拟电子技术 题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较,____________为电压控制器件,____________为电流控制器件,____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时,常用的两个基本且重要的概念是: 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要,如果Q 点设置过低,将会引起 失真,其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中,稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于( ) A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 ( ) A .A 是基极, B 是发射极, C 是集电极,是NPN 管 B .A 是集电极,B 是基极, C 是发射极,是PNP 管 C .A 是集电极,B 是发射极,C 是基极,是PNP 管 D .A 是发射极,B 是集电极,C 是基极,是NPN 管 3、P 沟道增强型场效应管处于放大状态时要求( ) A 、UGS >0,UDS >0 B 、UGS <0,UDS <0 C 、UGS >0,UDS <0 D 、UGS <0,UDS >0 4、某仪表的放大电路,要求Ri 很大,输出电流稳定,则应采用( )形式来达到性能要求。 A 、电流串联负反馈 B 、电压并联负反馈 C 、电流并联负反馈 D 、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中,电阻Re 的作用是:( ) A 、提高Ri B 、提高Avd C 、提高K CMR D 、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时,其K CMR 将会( )。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 D 、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少?( )

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案 1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。 (1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。(√) (2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。(×) (3)线性电路一定是模拟电路。(√) (4)模拟电路一定是线性电路。(×) (5)放大器一定是线性电路。(√) (6)线性电路一定是放大器。(×) (7)放大器是有源的线性网络。(√) (8)放大器的增益有可能有不同的量纲。(√) (9)放大器的零点是指放大器输出为0。(×) (10)放大器的增益一定是大于1的。(×) 2 填空题: (1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。 (2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。 (3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。 (4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。 (5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。 (6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。 (7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。 (8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 (10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。 解:提示:按照输入阻抗、输出阻抗定义完成,电流通过测电阻压降得到。 4. 现有:宽频信号发生器1个,示波器1个,互导型放大器1个,1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率,请写出实验步骤。 解: 提示:放大器输入接信号源,输出接电阻,从0HZ开始不断加大频率,由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录,绘出通频带各点图形。 第2章习题答案

模拟电子技术复习题(填空选择)

填空题 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。 、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O和V I的相位差为1800;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为0。 、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 41、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

高频电子技术课后填空题答案

高频电子技术第三版课后填空题答案 第一章 高频电路中,LC 谐振回路可分为并联回路和串联回路.LC 单谐振回路又可分为电流谐振回路和电压谐振回路. (1)选频网络的通频带指归一化幅频特性由1下降到时的两边界频率之间的宽度.理想选频网络的矩形系数K 0.1=1. (2)所谓谐振是指LC 谐振回路的总电抗X(串联回路)或总电纳B(并联回路)为0. (3)设f 0为串联和并联谐振回路的谐振频率,当工作频率ff 0时,串联谐振回路呈电感性;当工作频率f=f 0时,串联谐振回路呈电阻性.当工作频率ff 0时,并联谐振回路呈电容性;当工作频率f=f 0时,并联谐振回路呈电阻性. (4)串并谐振回路的Q 值越大,回路损耗越小,谐振曲线就越陡峭,通频带就越窄.当考虑LC 谐振回路的信号源内阻和负载后,其回路的损耗增大,品质因数下降. (5)串并谐振回路的矩形系数K 0.1=9.95,所以频率的选择性较差. (6)设R 为LC 并联谐振回路中电感L 的损耗电阻,则该谐振回路谐振电阻为R p =L RC ,品质因数为Q=R p LC ,谐振频率为.谐振时流过电感或电容的谐振电流是信号源电流的Q 倍 (7)设R 为LC 串联谐振回路中电感L 的损耗电阻,则品质因数为LC R 谐振频率为 .谐振时电感或电容两端的谐振电压是信号源电压的Q 倍. (8)Q 值相同时,临界耦合时双谐振回路的通频带是单谐振回路的3.1倍,矩形系数K 0.1=3.16,选择性比单谐振回路 好. (9)高频小信号放大器采用谐振回路作负载,因此,该放大器不仅有放大作用,而且也具有滤波或选频的作用.而且由于输入信号较弱,因此放大器中的晶体管可视为线性元件.高频电子电路中常采用Y 参数等效电路进行分析.衡量高频小信号放大器选择性两个重要参数分别是i b ,i c . (10)不考虑晶体管y ie 的作用,高频小信号调谐放大器的输入导纳Y i =y ie ,输出导纳Y o =y oe . (11)单级单调谐放大器的通频带B=1/n 0/Q L ,矩形系数K 0.1=9.95. (12)随着级数的增加,多级单调谐放大器(各级的参数相同)的增益变大,通频带变窄,矩形系数变小,选择性变好. (13)高频小信号谐振放大器不稳定的原因是Y 参数中y re 参数的存在. (14)由于晶体管存在着y re 的内反馈,使晶体管成为一个”双向元件”,从而导致电路的不稳定.为了消除y re 的反馈作用,常采用单向化的办法变”双向元件”为”单向元件”.单向化的方法主要有中和法和失配法. (15)晶体管单向化方法中的失配法是以牺牲增益来换取电路的稳定的,常用的失配法是共发-共基. 第二章 1按照电流导通角θ来分类,θ=180°的高频功率放大器称为甲类功放,θ>90°的高频功率放大器称为甲乙类功放,θ=90°的高频功率放大器称为乙类功放,θ<90°的高频功率放大器称为丙类功放. (1)高频功率放大器一般采用谐振回路作为负载,属丙类功率放大器.其电流导通角θ<90°.兼顾效率和输出功率,高频功放的最佳导通角为θ=70°.高频功率放大器的两个重要的性能指标是效率和输出功率. (2)高频功放通常工作于丙类状态,因此其晶体管是非线性器件,常用静态特性曲线方法进行分析.对高频功放通常用图解法进行分析,常用的曲线除晶体管输入特性曲线外,还有输出特性曲线和转移特性曲线. (3)若高频谐振功率放大器的输入电压为余弦波,则其集电极电流是尖顶余弦脉冲,基极电流是尖顶余弦脉冲,发射极电流是尖顶余弦脉冲,放大器输出电压为余弦波形式的信号. (4)为使输出电流最大,二倍频的最佳导通角θ=60°,三倍频的最佳导通角θ=40°. (5)D 类功放中的晶体管工作在开关状态,其效率高于C 类功放的效率.理想情况下D 类功放的效率η=100%.D 类功放有电压开关型和电流开关型两种基本电路. (6)高频功放的动态特性曲线是斜率为g d 的一条直线. (7)对高频功放而言,如果动态特性曲线和u BEmax 对应的静态特性曲线的交点位于放大区就称为欠压工作状态;交点位于饱和区就称为过压工作状态;动态特性曲线, u BEmax 对应的静态特性曲线和临界饱和线三线交于一点就称为临界工作状态. (8)高频功放的基极电源电压-U BB (其他参数不变)由大到小变化时,功放的工作状态由欠压状态到临界状态到过压状态变化.高频功放的集电极电源电压E c (其他参数不变)由小变大变化时,功放的工作状态由过压状态到临界状态

模拟电子技术填空题

模拟电子技术基础(答案在最后) 一、填空题(每题1分) 1.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V , 锗二极管的正向导通电压取()V。 2.直流负反馈是指()通路中有负反馈;交流负反馈是指()通路中有负反馈。 3. FET工作在可变电阻区时,i D与u GS基本上是()关系,所以在这个区域中,FET的 d、s极间可以看成一个由u GS控制的()。 4.差模输入信号电压是两个输入信号的(差)值;共模输入信号电压是两个输入信号的()值;当u I1 = 18 mV,u I2 = 6 mV时,u Id =()mV,u Ic =()mV 5.功率放大电路输出较大的功率来驱动负载,因此其输出的()和()信号的幅度均较大,可达到接近功率管的()参数。 6.已知输入信号的频率为10 kHz ~15kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用()滤波电路。 7.理想二极管的正向电阻为(),反向电阻为() 8.差分放大电路具有电路结构()的特点,因此具有很强的()零点漂移的能力。它能放大()信号,而抑制()信号。 9.反相比例运算电路与同相比例运算电路中,()相比例运算电路输入电阻大,而()相比例运算电路的共模信号为0。 10.图示单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线,由此可以得出: 1. 电源电压V CC = ( ) ; 2. 静态集电极电流I CQ = ( ) ,管压降U CEQ = ( ) ; 3. 集电极电阻R C = ( ) ;负载电阻R L = ( ) ; 4.晶体管的电流放大系数 = ( ) ;进一步计算可得到电压放大倍数A = ( ) ;();

填空题图2301 11.放大电路的幅频特性是指()随信号频率而变;相频特性是指输出信号与输入信号的()随信号频率而变。 12.积分运算电路可以将方波电压转换为()电压。 13.常用小功率直流稳压电源系统由()、()、()、()等四部分组成。 14.场效应管的类型按沟道分为()型和()型;按结构分有()型和()型;按u GS = 0时有无导电沟道分为()型和()型。 15.本征半导体掺入微量的( )元素,则形成P型半导体,其多子为( ),少子为( ) 。 16.当差分放大电路输入端加入大小相等、极性相反的信号时,称为()输入;当加入大小和极性都相同的信号时,称为()输入。 17.根据反馈形式的不同,LC振荡电路可分为()反馈式和三点式两类,其中三点式振荡电路又分为()三点式和()三点式两种。 18.为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用()滤波电路。 19. FET是通过改变()来改变漏极电流()的,所以它是一个()器件。 20.基本互补对称功率放大电路,存在()失真;可以通过加偏置电压来克服,在具体电路中是利用前置电压放大级中()或()上的压降来实现。 21.甲类放大电路是指放大管的导通角等于();乙类放大电路的导通角等于();甲乙类放大电路的导通角为()。 22.一般情况下,当集成运放的反相输入端和输出端有通路()时,集成运放工作在()。当集成运放开环或同相输入端和输出端有通路()时,集成运放工作在()。 23.功率放大电路根据输出幅值U om、负载电阻R L、和电源电压V CC计算出输出功率P o 和电源消耗功率P V后,可以方便地根据P o和P V值来计算每只功率管消耗的功 1234567 0.5 1 1.5 2 Q 10 20 30 40 μ μ μ μA A A A U CE(V) Ic(mA)

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