常用晶体管参数大全查询
常用晶体管参数查询
Daten ohne Gewahr
2N109GE-P35V0.15A0.165W|2N1304GE-N25V0.3A0.15W10MHz
2N1305GE-P30V0.3A0.15W5MHz|2N1307GE-P30V0.3A0.15W B>60
2N1613SI-N75V1A0.8W60MHz|2N1711SI-N75V1A0.8W70MHz
2N1893SI-N120V0.5A0.8W|2N2102SI-N120V1A1W<120MHz
2N2148GE-P60V5A12.5W|2N2165SI-P30V50mA0.15W18MHz
2N2166SI-P15V50mA0.15W10MHz|2N2219A SI-N40V0.8A0.8W250MHz
2N2222A SI-N40V0.8A0.5W300MHz|2N22232xSI-N100V0.5A0.6W>50
2N2223A2xSI-N100V0.5A0.6W>50|2N2243A SI-N120V1A0.8W50MHz
2N2369A SI-N40V0.2A.36W12/18ns|2N2857SI-N30V40mA0.2W>1GHz
2N2894SI-P12V0.2A 1.2W60/90ns|2N2905A SI-P60V0.6A0.6W45/100
2N2906A SI-P60V0.6A0.4W45/100|2N2907A SI-P60V0.6A0.4W45/100
2N2917SI-N45V0.03A>60Mz|2N2926SI-N25V0.1A0.2W300MHz
2N2955GE-P40V0.1A0.15W200MHz|2N3019SI-N140V1A0.8W100MHz
2N3053SI-N60V0.7A5W100MHz|2N3054SI-N90V4A25W3MHz
2N3055SI-N100V15A115W800kHz|2N3055SI-N100V15A115W800kHz
2N3055H SI-N100V15A115W800kHz|2N3251SI-P50V0.2A0.36W
2N3375SI-N40V0.5A11.6W500MHz|2N3439SI-N450V1A10W15MHz
2N3440SI-N300V1A10W15MHz|2N3441SI-N160V3A25W POWER
2N3442SI-N160V10A117W0.8MHz|2N3495SI-P120V0.1A0.6W>150MHz 2N3502SI-P45V0.6A0.7W200MHz|2N3553SI-N65V0.35A7W500MHz
2N3571SI-N30V0.05A0.2W 1.4GHz|2N3583SI-N250/175V2A35W>10MHz 2N3632SI-N40V0.25A23W400MHz|2N3646SI-N40V0.2A0.2W
2N3700SI-N140V1A0.5W200MHz|2N3707SI-N30V0.03A0.36W100MHz 2N3708SI-N30V0.03A0.36W80MHz|2N3716SI-N100V10A150W4MHz
2N3725SI-N80V0.5A1W35/60ns|2N3740SI-P60V4A25W>4MHz
2N3741SI-N80V4A25W>4MHz|2N3742SI-N300V0.05A1W>30MHz
2N3767SI-N100V4A20W>10MHz|2N3771SI-N50V30A150W POWER
2N3772SI-N100V20A150W POWER|2N3773SI-N160V16A150W POWER
2N3792SI-P80V10A150W4MHz|2N3819N-FET25V20mA0.36W
2N3820P-FET20V15mA0.36W|2N3821N-FET50V 2.5mA0.3W
2N3824N-FET50V10mA0.3W<250E|2N3866SI-N55V0.4A1W175MHz
2N3904SI-N60V0.2A.35W300MHz|2N3906SI-P40V0.2A.35W250MHz
2N3909P-FET20V10MA0.3W|2N3958N-FET50V5mA0.25W
2N3963SI-P80V0.2A0.36W>40MHz|2N3972N-FET40V50mA 1.8W
2N4001SI-N100V1A15W40MHz|2N4033SI-P80V1A0.8W150MHz
2N4036SI-P90V1A1W60MHz|2N409GE-P13V15mA80mW 6.8MHz
2N4126SI-P25V200mA HF|2N4220N-FET30V0.2A
2N4236SI-P80V3A1W>3MHz|2N427GE-P30V0.4A0.15W B>40
2N428GE-P30V0.4A0.15W B>60|2N4286SI-N30V0.05A0.25W
2N4287SI-N45V0.1A0.25W40MHz|2N4291SI-P40V0.2A0.25W150MH
2N4302N-FET30V0.5mA0.3W|2N4347SI-N140V5A100W0.8MHz
2N4348SI-N140V10A120W>0.2MHz|2N4351N-FET30V30mA0.3W140KHz
2N4391N-FET40V50mA30E Up<10V|2N4392N-FET40V25mA60E Up<5V
2N4393N-FET40V5mA100E Up<3V|2N4401SI-N60V0.6A200MHz
2N4403SI-P40V0.6A200MHz|2N4416N-FET30V15mA VHF/UHF
2N4420SI-N40V0.2A0.36W|2N4427SI-N40V0.4A1W175MHz
2N4906SI-P80V5A87.5W>4MHz|2N4920SI-P80V1A30W
2N4923SI-N80V1A30W|2N5038SI-N150V20A140W0.5us
2N5090SI-N55V0.4A4W5mA|2N5109SI-N40V0.5A 2.5W 1.5GHz
2N5116P-FET30V5mA150E Up<4V|2N5154SI-N100V2A10W
2N5179SI-N20V50mA0.2W>1GHz|2N5192SI-N80V4A40W2MHz
2N5240SI-N375V5A100W>2MHz|2N5298SI-N80V4A36W>0.8MHz
2N5308N-DARL40V0.3A0.4W B>7K|2N5320SI-N100V2A10W AFSWITCH
2N5322SI-P100V2A10W AFSWITCH|2N5401SI-P160V0.6A0.31W
2N5416SI-P350V1A10W15MHz|2N5433N-FET25V0.4A0.3W7E
2N5457N-FET25V1mA Up<6V|2N5458N-FET25V 2.9mA UNI
2N5460P-FET40V5mA Up<6V GEN.P|2N5461P-FET40V9mA0.31W
2N5462P-FET40V16mA Up<9V GEN.|2N5484N-FET25V5mA0.31W
2N5485P-FET25V4mA Up<4V|2N5551SI-N180V0.6A0.31W VID.
2N5589SI-N36V0.6A3W175MHz|2N5639N-FET30V10mA310mW
2N5672SI-N150V30A140W0.5us|2N5680SI-P120V1A1W
2N5682SI-N120V1A1W>30MHz|2N5684SI-P80V50A200W
2N5686SI-N80V50A300W>2MHz|2N5770SI-N30V0.05A0.7W>900MHz 2N5771SI-P15V50mA625mW>850MHz|2N5876SI-P80V10A150W>4MHz
2N5878SI-N80V10A150W>4MHz|2N5879SI-N60V10A150W>4MHz
2N5884SI-P80V25A200W AFPOWSW|2N5886SI-N80V25A200W>4MHz
2N6031SI-P140V16A200W1MHz|2N6050P-DARL+D60V12A100W
2N6059SI-N100V12A150W|2N6083SI-N36V5A PQ=30W175MHz
2N6098SI-N70V10A75W AFPOWSWITCH|2N6099SI-N70V10A75W AFPOWSWITCH 2N6109SI-P60V7A40W10MHz|2N6124SI-P45V4A40W
2N6211SI-P275V2A20W20MHz|2N6213SI-P400V2A35W>20MHz
2N6248SI-P110V15A125W>6MHz|2N6284N-DARL100V20A160W B>75
2N6287P-DARL100V20A160W|2N6292SI-N80V7A40W
2N6356N-DARL50V20A150W B>150|2N6422SI-P500V2A35W>10MHz
2N6427N-DARL40V0.5A0.625W|2N6476SI-P130V4A16W5MHz
2N6488SI-N90V15A75W|2N6491SI-P90V15A30W
2N6517SI-N350V0.5A0.625W>40|2N6520SI-P350V0.5A0.625W>40
2N6547SI-N850/400V15A175W|2N6556SI-P100V1A10W>75MHz
2N6609SI-P160V16A150W2MHz|2N6660N-FET60V2A 6.25W3E
2N6661N-FET90V2A 6.2W4E|2N6675SI-N400V15A
2N6678SI-N400V15A|2N6716SI-N60V2A2W50MHz
2N6718SI-N100V2A2W50MHz|2N6725N-DARL60V2A1W B>15K
2N6728SI-P60V2A2W>50MHz|2N697SI-N60V1A0.6W<50MHz
2N7002N-FET60V0.115A0.2W7E5|2N914SI-N40V0.5A<40/40NS SW
2N918SI-N30V50mA0.2W600MHz|2SA1006B SI-P250V 1.5A25W80MHz
2SA1009SI-P350V2A15W|2SA1011SI-P160V 1.5A25W120MHz
2SA1013SI-P160V1A0.9W50MHz|2SA1015SI-P50V0.15A0.4W80MHz
2SA1016SI-P100V0.05A0.4W110MHz|2SA1017SI-P120V50mA0.5W110MHz 2SA1018SI-P250V70mA0.75W>50MHz|2SA1020SI-P50V2A0.9W100MHz
2SA1027SI-P50V0.2A0.25W100MHz|2SA1029SI-P30V0.1A0.2W280MHz
2SA1034SI-P35V50mA0.2W200MHz|2SA1037SI-P50V0.4A140MHz FR
2SA1048SI-P50V0.15A0.2W80MHz|2SA1049SI-P120V0.1A0.2W100MHz 2SA1061SI-P100V6A70W15MHz|2SA1062SI-N120V7A80W15MHz
2SA1065SI-P150V10A120W50MHz|2SA1084SI-P90V0.1A0.4W90MHz
2SA1103SI-P100V7A70W20MHz|2SA1106SI-P140V10A100W20MHz
2SA1110SI-P120V0.5A5W250MHz|2SA1111SI-P150V1A20W200MHz
2SA1112SI-P180V1A20W200MHz|2SA1115SI-P50V0.2A200MHz UNI
2SA1120SI-P35V5A170MHz|2SA1123SI-P150V50mA0.75W200MHz 2SA1124SI-P150V50mA1W200MHz|2SA1127SI-P60V0.1A0.4W200MHz
2SA1141SI-P115V10A100W90MHz|2SA1142SI-P180V0.1A8W180MHz
2SA1145SI-P150V50mA0.8W200MHz|2SA1150SI-P35V0.8A0.3W120MHz
2SA1156SI-P400V0.5A10W POWER|2SA1160SI-P20V2A0.9W150MHz
2SA1163SI-P120V0.1A100MHz|2SA1170SI-P200V17A200W20MHz
2SA1185SI-P50V7A60W100MHz|2SA1186SI-P150V10A100W
2SA1200SI-P150V50mA0.5W120MHz|2SA1201SI-P120V0.8A0.5W120MHz 2SA1206SI-P15V0.05A0.6W|2SA1207SI-P180V70mA0.6W150MHz 2SA1208SI-P180V0.07A0.9W|2SA1209SI-P180V0.14A10W
2SA1210SI-P200V0.14A10W|2SA1213SI-P50V2A0.5W120MHz
2SA1215SI-P160V15A150W50MHz|2SA1216SI-P180V17A200W40MHz
2SA1220A SI-P120V 1.2A20W160MHz|2SA1221SI-P160V0.5A1W45MHz
2SA1225SI-P160V 1.5A15W100MHz|2SA1227A SI-P140V12A120W60MHz
2SA1232SI-P130V10A100W60MHz|2SA1241SI-P50V2A10W100MHz
2SA1242SI-P35V5A1W170MHz|2SA1244SI-P60V5A20W60MHz
2SA1249SI-P180V 1.5A10W120MHz|2SA1261SI-P100V10A60W POWER
2SA1262SI-P60V4A30W15MHz|2SA1264N SI-P120V8A80W30MHz
2SA1265N SI-P140V10A100W30MHz|2SA1266SI-P50V0.15A0.4W POWER
2SA1268SI-N120V0.1A0.3W100MHz|2SA1270SI-P35V0.5A0.5W200MHz 2SA1271SI-P30V0.8A0.6W120MHz|2SA1275SI-P160V1A0.9W20MHz
2SA1282SI-P20V2A0.9W80MHz|2SA1283SI-P60V1A0.9W85MHz
2SA1286SI-P30V 1.5A0.9W90MHz|2SA1287SI-P50V1A0.9W90MHz
2SA1292SI-P80V15A70W100MHz|2SA1293SI-P100V5A30W0.2us
2SA1294SI-P230V15A130W|2SA1295SI-P230V17A200W35MHz
2SA1296SI-P20V2A0.75W120MHz|2SA1298SI-P30V0.8A0.2W120MHz
2SA1300SI-P10V2A0.75W140MHz|2SA1302SI-P200V15A150W25MHz
2SA1303SI-P150V14A125W50MHz|2SA1306SI-P160V 1.5A20W
2SA1306A SI-P180V 1.5A20W100MHz|2SA1307SI-P60V5A20W0.1us
2SA1309SI-P30V0.1A0.3W80MHz|2SA1310SI-P60V0.1A0.3W200MHz 2SA1315SI-P80V2A0.9W0.2us|2SA1316SI-P80V0.1A0.4W50MHz
2SA1317SI-P60V0.2A0.3W200MHz|2SA1318SI-P60V0.2A0.5W200MHz 2SA1319SI-P180V0.7A0.7W120MHz|2SA1321SI-P250V50mA0.9W100MHz 2SA1328SI-P60V12A40W0.3us|2SA1329SI-P80V12A40W0.3us
2SA1345SI-N50V0.1A0.3W250MHz|2SA1346SI-P50V0.1A200MHz
2SA1348SI-P50V0.1A200MHz|2SA1349P-ARRAY80V0.1A0.4W170 2SA1352SI-P200V0.1A5W70MHz|2SA1357SI-P35V5A10W170MHz
2SA1358SI-P120V1A10W120MHz|2SA1359SI-P40V3A10W100MHz
2SA1360SI-P150V50mA5W200MHz|2SA1361SI-P250V50mA80MHz
2SA1370SI-P200V0.1A1W150MHz|2SA1371E SI-P300V0.1A1W150MHz
2SA1376SI-P200V0.1A0.75W120MHz|2SA1380SI-P200V0.1A 1.2W
2SA1381SI-P300V0.1A150MHz|2SA1382SI-P120V2A0.9W0.2us
2SA1383SI-P180V0.1A10W180MHz|2SA1386SI-P160V15A130W40MHz
2SA1387SI-P60V5A25W80MHz|2SA1392SI-P60V0.2A0.4W200MHz 2SA1396SI-P100V10A30W|2SA1399SI-P55V0.4A0.9W150MHz 2SA1400SI-P400V0.5A10W|2SA1403SI-P80V0.5A10W800MHz
2SA1405SI-P120V0.3A8W500MHz|2SA1406SI-P200V0.1A7W400MHz
2SA1407SI-P150V0.1A7W400MHz|2SA1413SI-P600V1A10W26MHz
2SA1428SI-P50V2A1W100MHz|2SA1431SI-P35V5A1W170MHz
2SA1441SI-P100V5A25W<300ns|2SA1443SI-P100V10A30W
2SA1450SI-P100V0.5A0.6W120MHz|2SA1451SI-P60V12A30W70MHz
2SA1460SI-P60V1A1W<40NS|2SA1470SI-P80V7A25W100MHz
2SA1475SI-P120V0.4A15W500MHz|2SA1476SI-P200V0.2A15W400MHz 2SA1477SI-P180V0.14A10W150MHz|2SA1488SI-P60V4A25W15MHz
2SA1489SI-P80V6A60W20MHz|2SA1490SI-P120V8A80W20MHz
2SA1491SI-P140V10A100W20MHz|2SA1494SI-P200V17A200W20MHz
2SA1507SI-P180V 1.5A10W120MHz|2SA1515SI-P40V1A0.3W150MHz
2SA1516SI-P180V12A130W25MHz|2SA1519SI-P50V0.5A0.3W200MHz 2SA1535A SI-P180V1A40W200MHz|2SA1538SI-P120V0.2A8W400MHz
2SA1539SI-P120V0.3A8W400MHz|2SA1540SI-P200V0.1A7W300MHz
2SA1541SI-P200V0.2A7W300MHz|2SA1553SI-P230V15A150W25MHz
2SA1566SI-N120V0.1A0.15W130MHz|2SA1567SI-P50V12A35W40MHz
2SA1568SI-P60V12A40W|2SA1577SI-P32V0.5A0.2W200MHz 2SA1593SI-P120V2A15W120MHz|2SA1601SI-P60V15A45W
2SA1606SI-P180V 1.5A15W100MHz|2SA1615SI-P30V10A15W180MHz
2SA1624SI-P300V0.1A0.5W70MHz|2SA1625SI-P400V0.5A0.75W
2SA1626SI-P400V2A1W0.5/2.7us|2SA1633SI-P150V10A100W20MHz
2SA1643SI-P50V7A275MHz5W|2SA1667SI-P150V2A25W20MHz
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2SC1426SI-N35V0.2A 2.7GHz|2SC1431SI-N110V2A23W80MHz
2SC1432N-DARL30V0.3A0.3W B=40|2SC1439SI-N150V50mA0.5W130MHz 2SC1445SI-N100V6A40W10MHz|2SC1446SI-N300V0.1A10W55MHz
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2SC2055SI-N18V0,3A0,5W|2SC2058SI-N40V0.05A0.25W
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2SC2068SI-N300V0.05A95MHz|2SC2073SI-N150V 1.5A25W4MHz
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2SC2092SI-N75V3A5W27MHz|2SC2094SI-N40V 3.5A PQ>15W175MHz 2SC2097SI-N50V15A PQ=85W|2SC2120SI-N30V0.8A0.6W120MHz
2SC2122SI-N800V10A50W|2SC2166SI-N75V4A12.5W RFPOWER
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2SC2312SI-N60V6A18.5W/27MHz|2SC2314SI-N45V1A5W
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2SC2334SI-N150V7A40W POWER|2SC2335SI-N500V7A40W POWER
2SC2336B SI-N250V 1.5A25W95MHz|2SC2344SI-N180V 1.5A25W120MHz
2SC2347SI-N15V50mA250mW650MHz|2SC2362SI-N120V50mA0.4W130MHz 2SC2363SI-N120V50mA0.5W130MHz|2SC2365SI-N600V6A50W POWER
2SC2369SI-N25V70mA0.25W 4.5GHz|2SC2383SI-N160V1A0.9W100MHz
2SC2389SI-N120V50mA0.3W140MHz|2SC2407SI-N35V0.15A0.16W500MHz 2SC2412SI-N50V0.1A180MHz|2SC2433SI-N120V30A150W80MHz
2SC2440SI-N450V5A40W|2SC2458SI-N50V0.15A0.2W80MHz
2SC2466SI-N30V0.05A 2.2GHz|2SC2482SI-N300V0.1A0.9W50MHz
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2SC2510SI-N55V20A250W(28MHz)|2SC2512SI-N30V50mA900MHz TUNE
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2SC2802SI-N300V0.2A10W80MHz|2SC2808SI-N100V50mA0.5W140MHz 2SC2810SI-N500V7A50W18MHz|2SC2812SI-N55V0.15A0.2W100MHz 2SC2814SI-N30V0.03A320MHz F|2SC2825SI-N80V6A70W B>500
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2SC2928SI-N1500V5A50W|2SC2939SI-N500V10A100W 2.5us
2SC2958SI-N160V0.5A1W|2SC2979SI-N800V3A40W
2SC2987SI-N140V12A120W60MHz|2SC2988SI-N36V0.5A175MHz
2SC2999SI-N20V30mA750MHz|2SC3001SI-N20V3A PQ=7W(175MHz)
2SC3019SI-N35V0.4A0.6W520MHz|2SC3020SI-N35V1A10W
2SC3022SI-N35V7A50W|2SC3026SI-N1700V5A50W POWER
2SC3030N-DARL900V7A80W|2SC3039SI-N500V7A52W
2SC3042SI-N500/400V12A100W|2SC3052F SI-N50V0.2A0.15W200MHz 2SC3063SI-N300V0.1A 1.2W140MHz|2SC30672xSI-N130V50mA0.5W160
2SC3068SI-N30V0.3A Ueb=15V B>8|2SC3071SI-N120V0.2A Ueb=15V B>
2SC3073SI-N30V3A15W100MHz|2SC3074SI-N60V5A20W120MHz
2SC3075SI-N500V0.8A10W1/1.5us|2SC3089SI-N800V7A80W
2SC3101SI-N250V30A200W25MHz|2SC3102SI-N35V18A170W520MHz
2SC3112SI-N50V0.15A0.4W100MHz|2SC3116SI-N180V0.7A10W120MHz
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2SC3169SI-N500V2A25W>8MHz|2SC3175SI-N400V7A50W40MHz
2SC3178SI-N1200V2A60W|2SC3179SI-N60V4A30W15MHz
2SC3180N SI-N80V6A60W30MHz|2SC3181N SI-N120V8A80W30MHz
2SC3182N SI-N140V10A100W30MHz|2SC3195SI-N30V20mA0.1W550MHz
2SC3199SI-N60V0.15A0.2W130MHz|2SC3200SI-N120V0.1A0.3W100MHz
2SC3202SI-N35V0.5A0.5W300MHz|2SC3203SI-N35V0.8A0.6W120MHz 2SC3205SI-N30V2A1W120MHz|2SC3206SI-N150V0.5A0.8W120MHz 2SC3210SI-N500V10A100W1us|2SC3211SI-N800V5A70W>3MHz
2SC3212SI-N800V7A3W 3.5MHz|2SC3225SI-N40V2A0.9W1us
2SC3231SI-N200V4A40W8MHz|2SC3240SI-N50V25A110W30MHz
2SC3242SI-N20V2A0.9W80MHz|2SC3244E SI-N100V0.5A0.9W130MHz 2SC3245A SI-N150V0.1A0.9W200MHz|2SC3246SI-N30V 1.5A0.9W130MHz 2SC3247SI-N50V1A.9W130MHz B>|2SC3257SI-N250V10A40W1/3.5us 2SC3258SI-N100V5A30W120MHz|2SC3260N-DARL800V3A50W B>10
2SC3262N-DARL800V10A100W|2SC3263SI-N230V15A130W
2SC3264SI-N230V17A200W60MHz|2SC3271SI-N300V1A5W80MHz
2SC3277SI-N500V10A90W20MHz|2SC3279SI-N10V2A0.75W150MHz
2SC3280SI-N160V12A120W30MHz|2SC3281SI-N200V15A150W30MHz
2SC3284SI-N150V14A125W60MHz|2SC3293N-DARL+D50V 1.2A20W180 2SC3297SI-N30V3A15W100MHz|2SC3299SI-N60V5A20W0.1us
2SC3300SI-N100V15A100W|2SC3303SI-N100V5A20W0.2us
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2SC3311SI-N60V0.1A0.3W150MHz|2SC3320SI-N500V15A80W
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2SC3346SI-N80V12A40W0.2us|2SC3355SI-N20V0.1A0.6W 6.5GHz 2SC3356SI-N20V0.1A0.2W7GHz|2SC3377SI-N40V1A0.6W150MHz
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2SJ306P-FET250V3A25W<2E=3|2SJ307P-FET250V6A2W<1E
2SJ353P-FET60V 1.5A1W 2SJ72P-FET25V30MA0.6W Up<2V|2SJ74P-FET25V1mA Up<2V 2SJ77P-FET160V0.5A30W|2SJ79P-FET200V0.5A30W 2SK1010N-FET500V6A80W<1E5|2SK1036N-FET250V1A2W80ns 2SK1057N-FET140V7A100W|2SK1058N-FET160V7A100W1E 2SK107N-FET9V20MA250MW|2SK108N-FET50V20mA0.3W70E 2SK1081N-FET800V7A125W380ns|2SK1082N-FET900V6A125W 2.8E 2SK1101N-FET450V10A50W E65=1|2SK1102N-FET500V10A50W240ns 2SK1113N-FET120V3A20W|2SK1117N-FET600V6A100W 1.25R 2SK1118N-FET600V6A45W 1.25R|2SK1119N-FET100V4A100W 2SK1120N-FET1000V8A150W1E8|2SK117N-FET50V5mA 2SK1170N-FET500V20A120W 2SK1181N-FET500V13A85W0.4E|2SK1190N-FET60V22A35W0E05 2SK1191N-FET60V30A40W0.03E|2SK1198N-FET700V2A35W 3.2E 2SK1213N-FET600V6A125W40/85ns|2SK1217N-FET900V8A100W 2SK1221N-FET250V10A80W0E4|2SK125N-FET25V0.1A0.3W 2SK1257N-FET60V40A45W0.05E|2SK1271N-FET1400V5A240W<4E 2SK1275N-FET900V2A30W7E|2SK1296N-FET60V30A0.024E 2SK1299N-FET100V3A20W0E45|2SK1317N-FET1500V 2.5A100W12E 2SK1338N-FET900V2A50W7E|2SK1341N-FET900V6A100W3E 2SK1342N-FET900V8A100W1E6|2SK1345N-FET60V20A40W 2SK1350N-FET200V15A45W0E14|2SK1351N-FET500V5A40W<1E5 2SK1356N-FET900V3A40W|2SK1357N-FET900V5A125W 2SK1358N-FET900V9A150W 1.4E|2SK1363N-FET900V8A90W 1.4E 2SK1377N-FET500V 5.5A40W|2SK1378N-FET400V10A125W0.55E 2SK1379N-FET60V50A150W 2SK1400N-FET300V7A50W|2SK1404N-FET600V5A35W1E5 2SK1419N-FET60V15A25W 2SK1460N-FET900V 3.5A40W2E8|2SK1461N-FET900V5A120W 2SK1462N-FET900V8A150W|2SK1502N-FET900V7A120W2E 2SK1507N-FET600V9A50W240ns|2SK152N-FET15V9.5mA Up<2V 2SK1529N-FET180V10A120W|2SK1530N-FET200V12A150W 2SK1531N-FET500V15A150W E45|2SK1537N-FET900V5A100W290ns 2SK1544N-FET500V25A200W0.2E|2SK161N-FET18V0.01A0.2W 2SK1612N-FET900V3A50W40/140ns|2SK163N-FET50V0.03A0.4W 2SK1637N-FET600V4A35W<2E4|2SK1643N-FET900V5A125W 2.8E 2SK1653N-FET60V45A45W 2SK1917M N-FET250V10A50W 2SK1940N-FET600V12A125W 2SK2038N-FET800V5A125W2E2|2SK2039N-FET900V5A150W<2E5 2SK2043N-FET600V2A2W4E3|2SK2056N-FET800V4A40W 2.4E 2SK2078N-FET800V9A150W<1E2|2SK2083N-FET900V5A70W3E6 2SK212N-FET20V0.6mA0.2W|2SK2134N-FET200V13A70W 2SK2136N-FET200V20A75W 2SK2141N-FET600V6A35W 1.1E|2SK216N-FET200V0.5A30W 2SK2161N-FET200V9A25W0.35E|2SK223N-FET80V 1.2mA0.4W 2SK2333N-FET700V6A50W<2E|2SK2352N-FET600V6A45W<1E25 2SK240N-FET40V 2.6mA Up<1.5V|2SK241N-FET20V FM/VHF 2SK246N-FET50V1,2mA Up<6V|2SK2485N-FET900V6A100W 2.8E 2SK2545N-FET600V6A40W 1.25E|2SK2561N-FET600V9A80W 1.2E 常用场效应管和晶体管参数大全 2010年03月04日 10:13 .elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6) 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应 常用晶体管参数表 索引晶体管型号反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V 0.05A 0.4W * 1GHZ NPN 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN 2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN 2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N 2N3440 450V 1A 1W * * NPN 2N3773 160V 16A 150W * * NPN 2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP 2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN 2N5685 60V 50A 300W * * NPN 2N6277 180V 50A 300W * * NPN 2N6678 650V 15A 175W * * NPN 2SA 2SA1009 350V 2A 15W ** PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W ** PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP 2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP 2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP 2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1216 180V 17A 200W * * PNP 2SA1265 140V 10A 30W ** PNP 2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1295 230V 17A 200W * * PNP 2SA1299 50V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP 2SA1301 200V 10A 100W * * PNP 2SA1302 200V 15A 150W * * PNP 2SA1304 150V 1.5A 25W ** PNP 2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1358 120V 1A 10W *120MHZ PNP 2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP 场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数） 本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。 在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 1．"型号"栏 表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。2．"厂家"栏 为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。） 所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下： ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司 场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE 用场效应管参数大全 宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小] 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3 2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201PMOS n 2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB 2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W 2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15 常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机 . 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针 型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 实验五 用图示仪测量二极管、三极管的直流参数 晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中，都要检测其性能。晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线，进而可测量各种直流参数。 晶体管直流参数测试仪很多 ，XJ-4810型晶体管特性图示仪是最常用的 一种。本实验的目的是了解XJ-4810型特性图示仪原理，掌握其使用方法，并用这种仪器进行晶体管直流参数测试及芯片检测，分析晶体管质量，分析晶体管质量，找出失效原因，作为进一步改进器件性能的依据。 一、实验目的： 1．熟悉晶体二极管、三极管的主要参数。 2．学习使用万用表判断三级管极性和管脚的方法。 3．学习使用XJ-4810型晶体管特性图示仪测量晶体管的方法。 4．熟悉XJ-4810型晶体管特性图示仪。 二、实验仪器： XJ-4810型晶体管特性图示仪、万用表。 三、实验原理 1．晶体二极管主要参数： （1）最大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由手册查得。 （2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为最大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。 （3）最大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的最大反向电压。可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V (BR) 后，取其1∕2即是。 （4）反向电流I R ：二极管未击穿时的反向电流值。 （5）最高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。 （6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。由晶体管特性图示仪测得。 2．稳压二极管主要参数： （1）稳定电压V Z ：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。 （2）稳定电流I Z ：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。 （3）动态电阻r Z ：稳压管两端的电压V Z 和流过稳压管的电流I 的变化量之比，可用电压表、电流表共同测得，或用晶体管特性图示仪测得，用下式计算： I V r Z Z ??= （4）额定功耗P Z ：由生产厂规定，可由特性手册中查到。 3．晶体三极管主要参数： （1）直流电流放大系数-β：可用电流表或晶体管特性图示仪测得集电极电流I C 和基极电流I B 后算出，也可用数字万用表的H FE 档测得。计算公式： B C B CE C I I I I I ≈-=-0β 式中I CE0是三极管的穿透电流。 （2）穿透电流I CE0 ：基极开路时的I C 值，此值反映了三极管的热稳定性，越小越好。 （3）交流电流放大系数β ：I C 与I B 的变化量之比。可由晶体管特性图示仪测得ΔI C 和ΔI B 后根据下式计算： B C I I ??=β 该参数也可表为h fe 。两者略有区别：β是指对应实际工作条件时的ΔI C 与ΔI B 之比，而h fe 是指在给定条件下（一般由生产厂给定）的ΔI C 与ΔI B 之比。β与h fe 的值基本相等，所以在使用时常常不予区别。 （4）反向击穿电压BV CE0 ：基极开路时，C 、E 之间的击穿电压。也可表示为 U （BR ）CE0 。使用晶体管特性图示仪测量十分方便。测量时应注意集电极功耗电阻应取10K 以上，避免击穿时集电极电流过大，使被测三极管因功耗过大烧毁。 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB Diode 肖特基二极管 (Schottky Diode) Symbol Para m eter V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V R DC Blocking Voltage 反向直流电压 V R(RMS)RMS Reverse Voltage 反向电压有效值 I F(AV)Average Rectified Forward Current 正向平均电流 Current 反向电流 I R Reverse I FSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流 Voltage 正向直流电压V F Forward C j Typical Junction Capactiance 结电容 Dissipation 耗散功率P D Power T j Operating Junction Temperature 工作结温 T stg Storage Temperature Range 存储温度 R th(j-a)Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻 Pin二极管 (Pin Diode) Symbol Para m eter V R Continuous reverse voltage 反向直流电压 I F Continuous forward current 正向直流电流 voltage 正向电压V F Forward current 反向电流 I R Reverse capacitance 二极管电容 C d diode r d diode forward resistance 二极管正向电阻P tot total power dissipation 总的功率损耗Temperature 结温T j Junction temperature 存储温度T stg storage TVS二极管 (TVS Diode) Symbol Para m eter I PP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流 voltage 钳位电压V C Clampling I R Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流 voltage 击穿电压V(BR) Breakdown V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V F Forward voltage 正向电压 current 正向电流 I F Forward current 测试电流 I T Test 型号材料管脚用途参数 3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W 4405/R9524 2E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.36 2S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W 2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.5 2S J122P M O S G D S高速功放开关60V10A50W60/100n S0.15 2S J136P M O S G D S高速功放开关60V12A40W70/165n S0.3 2S J143P M O S G D S功放开关60V16A35W90/180n S0.035 2S J172P M O S G D S激励60V10A40W73/275n S0.18 2S J175P M O S G D S激励60V10A25W73/275n S0.18 2S J177P M O S G D S激励60V20A35W140/580n S0.085 2S J201P M O S n 2S J306P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S J312P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S K30N J S D G低放音频50V0.5m A0.1W0.5d B 2S K30A N J S D G低放低噪音频50V0.3-6.5m A0.1W0.5d B 2S K108N J S G D音频激励开关50V1-12m A0.3W701D B 2S K118N J S G D音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5d B 2S K168N J G S D高频放大30V0.01A0.2W100M H z1.7d B 2S K192N J D S G高频低噪放大18V12-24m A0.2W100M H z1.8d B 2S K193N J G S D高频低噪放大20V0.5-8m A0.25W100M H z3d B 2S K214N M O S G S D高频高速开关160V0.5A30W 2S K241N M O S D S G高频放大20V0.03A0.2W100M H z1.7d B 2S K304N J G S D音频功放30V0.6-12m A0.15W 2S K385N M O S G D S高速开关400V10A120W100/140n S0.6 2S K386N M O S G D S高速开关450V10A120W100/140n S0.7 2S K413N M O S G D S高速功放开关140V8A100W0.5(2S J118) 2S K423N M O S S D G高速开关100V0.5A0.9W4.5 2S K428N M O S G D S高速开关60V10A50W45/65N S0.15 2S K447N M O S S D G高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2S K511N M O S S D G高速功放开关250V0.3A8W5.0 2S K534N M O S G D S高速开关800V5A100W4.0 2S K539N M O S G D S开关900V5A150W2.5 2S K560N M O S G D S高速开关500V15A100W0.4 2S K623N M O S G D S高速开关250V20A120W0.15 2S K727N M O S G D S电源开关900V5A125W110/420n S2.5 HIFI常用晶体管参数（音响） GT20D101/GT20D201 (东芝250V20A180W) K1530/J201 (东芝200v12A200W) K1529/J200 (东芝180V10A150W) K1058/J162 (日立160V7A100W) K405/J115 (东芝160V8A100W) K133/J48 (日立金封120V7A100W) K413/J118 (日立140V8A100W) A1186/C2837 (三肯150V10A100W) A1694/C4467 (三肯160V8A80W) A1695/C4468 (三肯140V10A100W) A1215/C2921 (三肯160V15A150W) A1216/C2922 (三肯180V17A200W) A1295/C3264 (三肯230V17A200W) A1494/C3858 (三肯200V17A200W) A1492/C3856 (三肯180V15A130W) A1491/C3855 (三肯140V10A100W) A1301/C3280 (东芝160V12A120W) A1516/C3907 (东芝180V12A130W) A1941/C5198 (东芝140V10A100W) A1943/C5200 (东芝230V15A150W) A1264/C3181 (东芝120V8A80W) A1265/C3182 (东芝140V10A100W) A1633/C4278 (罗姆150V10A100W) A1075/C2525* (120V12A120W) B688/D718 (东芝120V8A80W) B817/D1047 (三洋160V12A100W) MJ15024/15025 (摩托罗拉250V16A250W) MP1620/MN2488 SAP15N/SAP15P (三肯160V15A150W) 中功率音响配对管 K2013/J313 (东芝180V1A25W) K214/J77 (日立160V0.5A30W) A1837/C4793 (东芝230V1A20W) A1859/C4883 (三肯150V2A20W) A1930/C5171 (东芝180V2A20W) A1306/C3298 (东芝160V1.5A20W) A1360/C3423 (东芝150V15mA5W) B649/D669 (日立160V1.5A20W) 2SC2275/2SA985 (160v 1.5A 25w) 小功率音响配对管 K170/J74 (东芝40V400mW) K246/J103 (东芝50V14mA300mW) A872/C1775 (日立120V0.05A0.3W) |常用三极管参数表 下表是常用三极管的一些参数以及替换型号器件型号电压电流代换型号 3DG9011 50V 2N4124 CS9011 JE9011 9011 50V LM9011 SS9011 9012 40V LM9012 9012(HH) 40V SS9012 9012LT1 40V A1298 3DG9013 40V CS9013 JE9013 & 9013 40V LM9013 9013(HH) 40V SS9013 9013LT1 40V C3265 3DG9014 50V CS9014 JE9014 9014 50V LM9014 SS9014 9014LT1 50V C1623 9015 50V LM9015 SS9015 TEC9015 50V BC557 2N3906 TEC9015A 50V BC557 2N3906 TEC9015B 50V BC557 2N3906 [ TEC9015C 50V BC557 2N3906 3DG9016 30V JE9016 9016 30V SS9016 TEC9016 40V BF240 BF254 BF594 8050 40V SS8050 8050LT1 40V KA3265 ED8050 50V BC337 SDT85501 60V 10A 3DK104C SDT85502 80V 10A 3DK104C SDT85503 100V 10A 3DK104D ~ SDT85504 140V 10A 3DK104E SDT85505 170V 10A 3DK104F SDT85506 60V 10A 3DK104C SDT85507 80V 10A 3DK104C SDT85508 100V 10A 3DK104D SDT85509 140V 10A 3DK104E ED8550 50V BC337 8550 40V LM8550 SS8550 8550LT1 40V KA3265 2SA1015 50V BC177 BC204 BC212 BC213 BC251 BC257 BC307 BC512 BC557 CG1015 CG673 ￥ 一）晶体管的结构特性 1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP型晶体管的发射极箭头朝内，NPN型晶体管的发射极箭头朝外。 2．三极管各个电极的作用及电流分配晶体管三个电极的电极的作用如下： 发射极（E极）用来发射电子； 基极（B极）用来控制E极发射电子的数量； 集电极（C极）用业收集电子。 晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC 3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。 晶体管的基本工作条件是发射结（B、E极之间）要加上较低的正向电压（即正向偏置电压），集电结（B、C极之间）要加上较高的反向电压（即反向偏置电压）。晶体管各极所加电压的极性见图5-5。 晶体管发射结的正向偏置电压约等于PN结电压，即硅管为0.6~0.7V，锗管为0.2~0.3V。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。 4．晶体管的工作状态晶体管有截止、导通和饱和三种状态。 在晶体管不具备工作条件时，它处截止状态，内阻很大，各极电流几乎为0。 当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电压时，晶体管导通，其内阻变小，各电极均有工作电流产生（IE=IB+IC）。适当增大其发射结的正向偏置电压、使基极电流IB增大时，集电极电流IC和发射极电流IE也会随之增大。 当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值（硅管等于或略高于0.7V，锗管等于或略高于0.3V0时，晶体管将从导通放大状态进入饱和状态，此时集电极电流IC将处于较大的恒定状态，且已不受基极电流IB控制。晶体管的导通内阻很小（相当于开关被接通），集电极与发射极之间的电压低于发射结电压，集电结也由反偏状态变为正偏状态。 （二）高频晶体管 高频晶体管（指特征频率大于30MHZ的晶体管）可分为高频小功率晶体管和高频大功率晶体管。 常用的国产高频小功率晶体管有3AG1~3AG4、3AG11~3AG14、3CG3、3CG14、3CG21、3CG9012、3CG9015、3DG6、3DG8、3DG12、3DG130、3DG9011、3DG9013、3DG9014、3DG9043等型号，部分国产高频小功率晶体管的主要参数见表5-1。 常用的进口高频小功率晶体管有2N5551、2N5401、BC148、BC158、BC328、BC548、BC558、9011~9015、S9011~S9015、TEC9011~TEC9015、2SA1015、2SC1815、2SA562、2SC1959、2SA673、2SC1213等型号。表5-2是各管的主要参数。 2．高频中、大功率晶体管高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。 常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A~3DA87E、3DA88A~3DA88E、3DA93A~3DA93D、3DA151A~3DG151D、3DA1~3DA5、3DA100~3DA108、3DA14A~3DA14D、3DA30A~3DA30D、3DG152A~3DG152J、3CA1~3CA9等型号。表5-3是各管的主要参数。 常用的进口高频中、大功率晶体管有2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、常用场效应管和晶体管参数大全
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