器件的ESD失效现象

器件的ESD失效现象

ESD失效

彷真人体带8000V 静电放电

放电3 次

放大3000 倍

器件的ESD损坏机理 热熔化

介质击穿

ESD引发EOS

ESD损坏特征 对微电路中的一段线路做ESD实验发现：

200V~400V时线路的阻抗没有发现变化

600V时

微电路的性能指标稍有下降，但仍能通过测试。

800V~900V

出现了局部熔断和孔洞，线路阻抗发生了明显变化

1000V

线路断路，器件被完全损坏。

ESD损伤实验

ESD损坏特征

隐蔽性：人体感知的静电放电电压2-3kV

潜在性：损伤后性能没有明显的下降

随机性：从一个元件产生以后，一直到它损坏以前的所有过程

复杂性：分析困难，掩盖了失效的真正原因