advantages and disadvantages of television

advantages and disadvantages of television
advantages and disadvantages of television

English Writing

11 October 2014

Some people comment that in many ways, television has proved to be one of the worst inventions of modern times. All too often, television is harmful because of the shows it broadcasts and the way it is used in the home.

On my part, this comment makes sense and I will argue for it by analyzing television’s harms from two main aspects: its content and the way it is used in the home.

We can not deny that some TV programs aim at educating people and some can really give people spiritual enjoyment. But there are even more entertainment programs, commercials and soap operas from which audience can learn little. What’s worse, television programs may be violent or offensive, which has an obvious negative effect especially on children. TV programs are often easy to understand, which means that people almost stop thinking when they watch TV. Sometimes people may be attracted by TV programs and stay up late, however, even there is nothing interesting to watch, they may not turn off TV at once, so usually they may sit before TV for a long time, forgetting about things they ought to do, and when they stop, thinking about the time wasted on boring TV programs and the work they have to do, they will find it hard to focus their attention and feel more upset and anxious.

People usually put TV in their sitting room or bedroom, and both will affect people’s quality of life as it can easily distract people from what they ought to do. For example, people may ignore the taste of the food they eat when they are absorbed in

an interesting TV program, and children may be unwilling to talk to their parents when they are watching TV. What’s more, people tend to sit before TV for long hours, which will cause obvious physical and physiological effects on them. When people watch TV, they often eat some snacks, and more eating with fewer physical activities may cause them obesity and many other diseases. And as I have mentioned, when we watch TV, we hardly use our brains to think, which lessens our creativity and imagination. In the case of young viewers, after long hours of watching TV, they may lose interest in study and tend to avoid thinking for themselves, which not only causes lower grades but also decreases their ability to handle stress and conflict.

People may spend hours watching TV while gaining little pleasure from it. And watching television not only takes up their time which can be spend on other meaningful activities but also causes negative effects on their mind and body. Considering the harms caused by television, it is fair to say that it is one of the worst inventions of modern times.

刻蚀简介

刻蚀简介.txt遇事潇洒一点,看世糊涂一点。相亲是经销,恋爱叫直销,抛绣球招亲则为围标。没有准备请不要开始,没有能力请不要承诺。爱情这东西,没得到可能是缺憾,不表白就会有遗憾,可是如果自不量力,就只能抱憾了。本文由bshxl1贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。 等离子刻蚀简介 自 1970 年代以来组件制造首先开始采用等离子刻蚀技术,对于等离子化学新的了解与认知也就蕴育而生。在现今的集成电路制造过程中,必须精确的控制各种材料尺寸至次微米大小且具有极高的再制性,而由于等离子刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成,因此等离子刻蚀便成为集成电路制造过程中的主要技术之一。等离子刻蚀主要应用于集成电路制程中线路图案的定义,通常需搭配光刻胶的使用及微影技术,其中包括了1) 氮化硅(Nitride)蚀刻:应用于定义主动区;2) 多晶硅化物/多晶硅(Polycide/Poly)刻蚀:应用于定义栅极宽度/长度;3) 多晶硅(Poly)刻蚀:应用于定义多晶硅电容及负载用之多晶硅;4) 间隙壁(Spacer)刻蚀:应用于定义 LDD 宽度;5) 接触窗(Contact) 及引线孔(Via)刻蚀:应用于定义接触窗及引线孔的尺寸大小;6) 钨回刻蚀(Etch Back):应用于钨栓塞(W-Plug)的形成;7) 涂布玻璃(SOG)回刻蚀:应用于平坦化制程;8) 金属刻蚀:应用于定义金属线宽及线长;接脚(Bonding Pad)刻蚀等。 9) 影响等离子刻蚀特性好坏的因素包括了:1) 等离子刻蚀系统的型态;2) 等离子刻蚀的参数;3) 前制程相关参数,如光刻胶、待刻蚀薄膜的沉积参数条件、待刻蚀薄膜下层薄膜的型态及表面的平整度等。何谓等离子体?基本上等离子体是由部份解离的气体及等量的带正、负电荷粒子所组成,其中所含的气体具高度的活性,它是利用外加电场的驱动而形成,并且会产生辉光放电(Glow Discharge) 现象。刻蚀用的等离子体中,气体的解离程度很低,通常在 10-5-10-1 之间,在一般的等离子体或活性离子反应器中气体的解离程度约为 10-5-10-4,若解离程度到达 10-3-10-1 则属于高密度等离子体。等离子体形成的原理:等离子体的产生可藉由直流(DC)偏压或交流射频(RF)偏压下的电场形成,如图 1-3 所示,而在等离子体中的电子来源通常有二:一为分子或原子解离后所产生的电子,另一则为离子撞击电极所产生的二次电子(Secondary Electron),在直流(DC)电场下产生的等离子体其电子源主要以二次电子为主,而交流射频(RF)电场下产生的等离子体其电子源则以分子或原子解离后所产生的电子为主。在等离子刻蚀中以直流方式产生辉光放电的缺点包含了:需要较高的功率消耗, 1) 也就是说产生的离子密度低; 2) 须要以离子撞击电极以产生二次电子,如此将会造成电极材料的损耗;3) 所需之电极材料必须为导体。如此一来将不适用于晶圆制程中。在射频放电(RF Discharge)状况下,由于高频操作,使得大部份的电子在半个周期内没有足够的时间移动至正电极,因此这些电子将会在电极间作振荡,并与气体分子产生碰撞。而射频放电所需的振荡频率下限将视电极间的间距、压力、射频电场振幅的大小及气体分子的解离位能等因素而定,而通常振荡频率下限为 50kHz。一般的射频系统所采用的操作频率大都为13.56MHz。相较于直流放电,射频放电具有下列优点:1) 放电的情况可一直持续下去而无需二次电子的发射,当晶圆本身即为电极的一部份时,这点对半导体材料制程就显得十分重要了;由于电子来回的振荡, 2) 因此离子化的机率大为提升,蚀刻速率可因而提升;3) 可在较低的电极电压下操作,以减低电浆对组件所导致之损坏;4) 对于介电质材料同样可以运作。现今所有的等离子体系统皆为射频系统。另外值得一提的是在射频系统中一个重要的参数是供给动力的电极面积与接地电极面积之比。等效电子及离子温度:存在于等离子体中的电场分别施力于带正电荷之离子与代负电荷之电子,F=E*q ,而加速度 a=F/M,由于离子质量远大于电子,因此电子所获得的加速度与速度将远大于离子,以致电子的动能远大于离子,电子与离子间处于一非平衡状态。从气体动力论中,得知 Ekinetic = (3/2) kT,由此可知,等效电子温度远大于等效离子温度,如此可视为“热”电子处于“冷”等

半导体刻蚀技术简介终稿

一、等离子体刻蚀技术的产生: 在积体电路制造过程中,常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案,这些图案主要的形成方式,乃是藉由刻蚀技术,将微光刻后所产生的光阻图案忠实地转印至光阻下的材质上,以形成积体电路的复杂架构。因此蚀刻技术在半导体制造过程中占有极重要的地位。 广义而言,所谓的蚀刻技术,包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部份去除的技术。而其中大略可分为湿式蚀刻与干式蚀刻两种技术。 早期半导体制程中所采用的蚀刻方式为湿式蚀刻,即利用特定的化学溶液将待蚀刻薄膜未被光阻覆盖的部分分解,并转成可溶于此溶液的化合物后加以排除,而达到蚀刻的目的。湿式蚀刻的进行主要是藉由溶液与待蚀刻材质间的化学反应,因此可藉由调配与选取适当的化学溶液,得到所需的蚀刻速率,以及待蚀刻材料与光阻及下层材质良好的蚀刻选择比(选择性)。 然而,随着积体电路中的元件尺寸越做越小,由于化学反应没有方向性,因而湿式蚀刻是各向同性的,此时,当蚀刻溶液做纵向蚀刻时,侧向的蚀刻将同时发生,进而造成咬边现象,导致图案线宽失真。因此湿式蚀刻在次微米元件的制程中已被干式蚀刻所取代。 干式蚀刻通常指利用辉光放电方式,产生包含离子,电子等带电粒子及具有高度化学活性的中性原子与分子及自由基的电浆来进行图案转印的蚀刻技术。 由部份解离的气体及等量的带正,负电荷粒子所组成的等离子体被称为电浆。蚀刻用的电浆中,气体的解离程度很低,其中所含的气体具高度的活性,它是利用外加电场的驱动而形成,并且会产生辉光放电现象。 自1970年代以来元件制造首先开始采用电浆蚀刻技术,对于电浆化学新的了解与认知也就蕴育而生。在现今的积体电路制造过程中,必须精确的控制各种材料尺寸至次微米大小且具有极高的再制性,而由于电浆蚀刻是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成,因此电浆蚀刻便成为积体电路制造过程中的主要技术之一。 影响电浆蚀刻特性好坏的因素包括了:1)电浆蚀刻系统的型态,2)电浆蚀刻的参数; 3)前制程相关参数,如光阻,待蚀刻薄膜之沉积参数条件,待蚀刻薄膜下层薄膜的型态及表面的平整度等。 二、电浆的基本概念: 1、电浆形成的原理: 电浆的产生可藉由直流(DC)的偏压或交流射频(RF)的偏压下的电场形成,而在电浆中的电子来源通常有二:一为分子或原子解离后所产生的电子,另一则为离子撞击电极所产生的二次电子,在直流(DC)的电场下产生的电浆其电子源主要以二次电子为主,而交流射频(RF)的电场下产生的电浆其电子源则以分子或原子解离后所产生的电子为主。 在电浆蚀刻中以直流方式产生辉光放电的缺点包含了:1)需要较高的功率消耗,也就是说产生的离子密度低; 2)须要以离子撞击电极以产生二次电子,如此将会造成电极材料的损耗。三)所需之电极材料必须为导体如此一来将不适用于晶圆制程中。 在射频放电状况下,由于高频操作,使得大部份的电子在半个周期内没有足够的时间移动至正电极,因此这些电子将会在电极间作振荡,并与气体分子产生碰撞。而射频放电所需的振荡频率下限将视电极间的间距,压力,射频电场振幅的大小及气体分子的解离位能等因素而定,而通常振荡频率下限为50kHz的。一般的射频系统所采用的操作频率大都为13.56。 相较于直流放电,射频放电具有下列优点:1)放电的情况可一直持续下去而无需二次电子的发射,当晶圆本身即为电极的一部份时,这点对半导体材料制程就显得十分重要了; 2)由于电子来回的振荡,因此离子化的机率大为提升,蚀刻速率可因而提升; 3)可在较低的电极电压下操作,以减低电浆对元件所导致之损坏; 4)对于介电质材料同样可以运作。

综述报告——刻蚀简介

微加工技术——刻蚀简介 自从半导体诞生以来,很大程度上改变了人类的生产和生活。半导体除了在计算机领域应用之外,还广泛地应用于通信、网络、自动遥控及国防科技领域。本文主要介绍半导体制造工艺中的刻蚀工艺。随着半导体制造大规模集成电路技术的发展,图形加工线条越来越细,硅片尺寸越来越大,对刻蚀工艺的要求也越来高。因此,学习了解刻蚀工艺十分必要。本文将主要从刻蚀简介、刻蚀参数及现象、干法刻蚀和湿法刻蚀四个方面进行论述。 1、刻蚀简介 1.1 刻蚀定义及目的 刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法,有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去,从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。刻蚀的基本目的,是在涂光刻胶(或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形[1]。 刻蚀,通常是在光刻工艺之后进行。通过刻蚀,在光刻工艺之后,将想要的图形留在硅片上。从这一角度而言,刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。在通常的刻蚀过程中,有图形的光刻胶层〔或掩膜层)将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀,可作为掩蔽膜,保护硅片上的部分特殊区域,而未被光刻胶保护的区域,则被选择性的刻蚀掉。其工艺流程示意图如下。

1.2 刻蚀的分类 从工艺上分类的话,在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。 干法刻蚀,是利用气态中产生的等离子体,通过经光刻而开出的掩蔽层窗口,与暴露于等离子体中的硅片行物理和化学反应,刻蚀掉硅片上暴露的表面材料的一种工艺技术法[1]。该工艺技术的突出优点在于,是各向异性刻蚀(侧向腐蚀速度远远小于纵向腐蚀速度,侧向几乎不被腐蚀),因此可以获得极其精确的特征图形。超大规模集成电路的发展,要求微细化加工工艺能够严格的控制加工尺寸,要求在硅片上完成极其精确的图形转移。任何偏离工艺要求的图形或尺寸,都可能直接影响产品性能或品质,给生产带来无法弥补的损害。由于干法刻蚀技术在图形转移上的突出表现,己成为亚微米尺寸下器件刻蚀的最主要工艺方法。在特征图形的制作上,已基本取代了湿法腐蚀技术。 对于湿法腐蚀,就是用液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学的方式去除硅片表面的材料。当然,在通过湿法腐蚀获得特征图形时,也要通过经光刻开出的掩膜层窗口,腐蚀掉露出的表面材料。但从控制图形形状和尺寸的准确性角度而言,由于湿法刻蚀是各向同性刻蚀(侧向与纵向腐蚀速度相同),在形成特征图形方面,湿法腐蚀一般只被用于尺寸较大的情况(大于3微米)。由于这一特点,湿法腐蚀远远没有干法刻蚀的应用广泛。但由于它的高选择比和批量制作模式,湿法腐蚀仍被广泛应用在腐蚀层间膜、去除干法刻蚀残留物和颗粒等工艺步骤中。干法刻蚀和湿法刻蚀的区别可以见如下示意图。 (a)湿法刻蚀的各向同性刻蚀剖面(b)干法刻蚀的各向异性刻蚀剖面从刻蚀材料上来分类的话,刻蚀主要可分为金属刻蚀、介质刻蚀、硅(多晶硅)刻蚀。

硅的干法刻蚀简介

https://www.360docs.net/doc/c98537407.html, → 着硅珊MOS器件的出现,多晶硅渐渐成为先进器件材料的主力军。除了用作MOS栅 极之外多晶硅还广泛应用于DRAM的深沟槽电容极扳填充,闪存工艺中的位线和字线。这些工艺的实现都离不开硅的干法刻蚀技术其中还包括浅槽隔离的单晶硅刻蚀和金属硅化物的刻蚀。为了满足越来越苛刻的要求,业界趋向于采用较低的射频能量并能产生低压和高密度的等离子体来实现硅的干法刻蚀。感应耦合等离子刻蚀技术(ICP)被广泛应用于硅及金属硅化物刻蚀,具有极大技术优势和前景。它比典型的电容耦合(CCP)等离子刻蚀技术高出10 ̄20倍。此外,其对离子浓度和能量的独立控制扩大了刻蚀工艺窗口及性能。 硅栅(Poly Gate)的干法刻 蚀: 随着晶体管尺寸的不断缩小对硅栅的刻蚀就越具有挑战性。这种挑战体现在对关键尺寸(CD)及其均匀性的控制,即对栅氧化层选择比的提高,对剖面轮廓的一致性控制以及减少等离子导致的损伤。 因为受到光刻线宽的限制,为达到最后的CD 线宽要求往往需要先对光阻进行缩小处理,然后进一步往下刻蚀。BARC打开后,再以光阻为阻挡层将TEOS 打开。 接着把剩余的光阻去除,再以TEOS作为阻挡层对硅栅进行刻蚀。为了保护栅极氧化层不被损伤,通常要把硅栅的刻蚀分成几个步骤:主刻蚀、着陆刻蚀和过刻蚀。主刻蚀通常有比较高的刻蚀率但对氧化硅的选择比较小。通过主刻蚀可基本决定硅栅的剖面 硅的干法刻蚀简介 应用材料中国,葛强 轮廓和关键尺寸。着陆刻蚀通常对栅极氧化层有比较高的选择比以确保栅极氧化层不被损伤。一旦触及到栅极氧化层后就必须转成对氧化硅选择比更高的过刻蚀步骤以确保把残余的硅清除干净而不损伤到栅极氧化层。 CL2,HBr,HCL是硅栅刻蚀的主要气体,CL2和硅反应生成挥发性的SiCl4而HBr和硅反应生成的SiBr4 同样具有挥发性。通常会在这些主刻蚀气体中加入小流量的氧气,一方面是为了在侧壁生成氧化硅从而增加对侧壁的保护;另一方面也提高了对栅极氧化层的选择比。在标准的ICP双耦合刻蚀腔体中,HBr-O2的组合通常能达到大于100:1的选择比。为了避免伤及栅极氧化层,任何带F基的气体如CF4,SF6,NF3都不能在过刻蚀的步骤中使用。 浅沟槽(STI)的干法刻蚀: 在0.25um和以下的技术节点中,浅沟槽隔离技术被广泛应用。 因为它在减小表面积的同时提供更加有效的隔离。作为沟槽硅刻蚀的阻挡层可以直接用光阻但更多是采用氮化硅作为硅刻蚀的阻挡层。先用光阻作为氮化硅刻蚀的阻挡层,然后用氧等离子体将剩余的光阻除去,最后以氮化硅为阻挡层完成浅沟槽的刻蚀。 浅沟槽刻蚀的难点在于沟槽深度的匀度小于100仯 饩拖嗟庇谛∮?.25% 的均匀性。随着硅片尺寸的增加要达到这样的要求就必须严格控制氮化过刻蚀、BT刻蚀和浅槽刻蚀的均匀性,每一步都会对最后的结果产生影响。其次为了满足沟槽隔离氧化物的填充要求,剖面轮廓的控制也是非常重要的环节。因 随 为太垂直的轮廓不利于HDPCVD的沉积,所以通常会要求适当的倾斜度。另外随着工艺尺寸的缩小,要求达到更高的深宽比使得剖面轮廓控制和深度均匀性控制受到更大的挑战.。当然CD 的均匀性和剩余氮化硅的均匀性也是重要的技术指标。 CL2和HBr依然是浅沟槽的刻蚀的主要气体,再配合小流量的氧气和氮气来产生氮氧化硅形成侧壁钝化层从而达到理想的刻蚀剖面轮廓。氦气和氩气通常用作辅助稀释的作用。 另外浅槽底部轮廓同样影响到氧化物的填充。采用CL2 做为主刻蚀的气体容易形成比较直的剖面轮廓和凸型的底部轮廓。采用HBr 作为主刻蚀气体能得到比较斜的剖面轮廓和凹形的底部轮廓。 在实际生产中经常会遇到硅刻蚀的反应物没有被及时的清洗从而导致产品被污染的现象。这是因为硅片完成刻蚀离开反应腔时,在硅片的表面还有大量的Cl 和Br 残留。 它们具有较强的挥发 性。当硅片暴露在空气中,空气中的水汽和CL、Br形成HCL和 HBr。这些酸性物质会腐蚀和它们接触的表面形成一定程度的污染。为了防止这样的现象发生可以采用O2等离子清除表面的残留,或者利用腔体净化功能减少污染源。另外还应尽量减少硅片暴露在空气中的时间,尽快洗去表面污染物。 随着关键尺寸的不断缩小和硅片尺寸的扩大。先进的300mm 硅刻蚀工艺腔体的气体和温度多采用内圈和外圈独立的控制以满足苛刻的工艺要求。可变的腔体尺寸也是业界的方向之一。腔体内环境的控制和不同硅片的一致性控制也是生产中最常遇到的问题。

第二章干法刻蚀的介绍

第二章干法刻蚀的介绍 2. 1刻蚀、干法刻蚀和湿法腐蚀 2. 1 .1关于刻蚀 刻蚀,是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的,是在涂胶(或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形[1]。 刻蚀,通常是在光刻工艺之后进行。我们通常通过刻蚀,在光刻工艺之后,将想要的图形留在硅片上。从这一角度而言,刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。在通常的刻蚀过程中,有图形的光刻胶层〔或掩膜层)将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀,可作为掩蔽膜,保护硅片上的部分特殊区域,而未被光刻胶保护的区域,则被选择性的刻蚀掉。 2.1.2干法刻蚀与湿法刻蚀 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。 干法刻蚀,是利用气态中产生的等离子体,通过经光刻而开出的掩蔽层窗口,与暴露于等离子体中的硅片行物理和化学反应,刻蚀掉硅片上暴露的表面材料的一种工艺技术法[1]。该工艺技术的突出优点在于,可以获得极其精确的特征图形。超大规模集成电路的发展,要求微细化加工工艺能够严格的控制加工尺寸,要求在硅片上完成极其精确的图形转移。任何偏离工艺要求的图形或尺寸,都可能直接影响产品性能或品质,给生产带来无法弥补的损害。由于干法刻蚀技术在图形轶移上的突出表现,己成为亚微米尺寸下器件刻蚀的最主要工艺方法。在特征图形的制作上,已基本取代了湿法腐蚀技术。 对于湿法腐蚀,就是用液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学的方式去除硅片表面的材料。当然,在通过湿法腐蚀获得特征图形时,也要通过经光刻开出的掩膜层窗口,腐蚀掉露出的表面材料。但从控制图形形状和尺寸的准确性角度而言,在形成特征图形方面,湿法腐蚀一般只被用于尺寸较大的情况(大于3微米)。由于这一特点,湿法腐蚀远远没有干法刻蚀的应用广泛。但由于它的高选择比和批量制作模式,湿法腐蚀仍被广泛应用在腐蚀层间膜、去除干法刻蚀残留物和颗粒等工艺步骤中。 2. 2干法刻蚀的原理 2. 2. 1干法刻蚀中的等离子体 干法刻蚀工艺是利用气体中阴阳粒子解离后的等离子体来进行刻蚀的。所谓的等离子体,宇宙中99%的物质,均处于等子状态。其中包含了中性的粒子、离子和电子,它们混合在一起,表现为电中性。在干法刻蚀中,气体中的分子和原子,通过外部能量的激发,形成震荡,使质量较轻的电子脱离原子的轨道与相邻的分子或原子碰撞,释放出其他电子,在这样的反复过程中,最终形成气体离子与自由活性激团。而干法刻蚀,则利用了气体等离子体中的自由活性激团与离子,与被刻蚀表面进行反应,以此形成最终的特征图形[2]。 2.2.2干法刻蚀的特征 干法刻蚀与湿法腐蚀工艺利用药液处理的原理不同,干法刻蚀在刻蚀表面材料时,既存在化学反应又存在物理反应。因此在刻蚀特性上既表现出化学的等方性,又表现出物理的异方性。 所谓等方性,是指纵横两个方向上均存在刻蚀。而异方性,则指单一纵向上的刻蚀。2.2. 3干法刻蚀过程 我们可以了解到干法刻蚀的主要过程。反应腔体内气体等离子体中的离子,在反应腔体的扁压作用下,对被刻蚀的表面进行轰击,形成损伤层,从而加速了等离子中的自由活性激团在其表面的反应,经反应后产生的反应生成物,一部分被分子泵从腔体排气口排出,一部分则在刻蚀的侧壁上形成淀积层。干法刻蚀就是在自由活性激团与表面反应和反应生成物不断淀积的过程中完成的。离子轰击体现了干法刻蚀的异方性,而由于侧壁的淀积,则很好的

刻蚀简介

刻蚀 刻蚀,英文为Etch,它是半导体制造工艺,微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀,实际上狭义理解就是光刻腐蚀,先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展;广义上来讲,刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称,成为微加工制造的一种普适叫法。 刻蚀方法 刻蚀最简单最常用分类是:干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见,它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。 湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程,是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是: 湿法虎穴刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用:磨片、抛光、清洗、腐蚀 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低 缺点是:钻刻严重、对图形的控制性较差,不能用于小的特征尺寸;会产生大量的化学废液 干法刻蚀种类很多,光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是:各向异性好,选择比高,可控性、灵活性、重复性好,细线条操作安全,易实现自动化,无化学废液,处理过程未引入污染,洁净度高。缺点是:成本高,设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式,下游式,桶式),纯物理过程(如离子铣),物理化学过程,常用的有反应离子刻蚀RIE,离子束辅助自由基刻蚀ICP。 刻蚀方式很多,一般有:溅射与离子束铣蚀,等离子刻蚀(Plasma Etching),高压等离子刻蚀,高密度等离子体(HDP)刻蚀,反应离子刻蚀(RIE)。另外,化学机械抛光CMP,剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。 蚀刻(Etching) 蚀刻的机制,按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个蚀刻,包含反应物接近、生成物离开的扩散效应,以及化学反应两部份。整个蚀刻的时间,等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长,整个蚀刻之快慢也卡在该者,故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类蚀刻之分。 1、湿蚀刻 最普遍、也是设备成本最低的蚀刻方法,其设备如图2-10所示。其影响被蚀刻物之蚀刻速率(etching rate) 的因素有三:蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌(stirring) 之有无。定性而言,增加蚀刻温度与加入搅拌,均能有效提高蚀刻速率;但浓度之影响则较不明确。举

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