电子科技大学2010期末数字电子技术考试题A卷-参考答案

电子科技大学2010期末数字电子技术考试题A卷-参考答案
电子科技大学2010期末数字电子技术考试题A卷-参考答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学二零零九至二零一零学年第 二 学期期 末 考试

数字逻辑设计及应用 课程考试题 A 卷(120分钟)考试形式:闭卷 考试日期2010年7月12日

课程成绩构成:平时 20 分, 期中 20 分, 实验 0 分, 期末 60 分

一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计

复核人

签名 得分

签名

一、To fill your answers in the blanks (1’×25)

1. If [X]10= - 110, then [X]two's-complement =[ 10010010 ]2,

[X]one's-complement =[ 10010001 ]2. (Assumed the number system is 8-bit long) 2. Performing the following number system conversions: A. [10101100]2=[ 000111010010 ]2421

B. [1625]10=[

0100100101011000 ]excess-3

C. [ 1010011 ]GRAY =[

10011000 ]8421BCD

3. If ∑=C B A F ,,)6,3,2,1(, then F D ∑=C B A ,,( 1,4,5,6 )=C B A ,,∏(0,2,3,7 ).

4. If the parameters of 74LS-series are defined as follows: V OL max = 0.5 V , V OH min = 2.7 V , V IL max = 0.8 V , V IH min = 2.0 V , then the low-state DC noise margin is 0.3V ,the high-state DC noise margin is 0.7V .

5. Assigning 0 to Low and 1 to High is called positive logic. A CMOS XOR gate in positive logic is called XNOR gate in negative logic.

6. A sequential circuit whose output depends on the state alone is called a Moore machine.

7. To design a "001010" serial sequence generator by shift registers, the shift register should need 4 bit as least.

得 分

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

8. If we use the simplest state assignment method for 130 sates, then we need at least

8state variables.

9. One state transition equation is Q*=JQ'+K'Q. If we use D flip-flop to complete the equation, the D input terminal of D flip-flop should be have the function D= JQ'+K'Q.

10.Which state in Fig. 1 is ambiguous D

11.A CMOS circuit is shown as Fig. 2, its logic function z= A’B’+AB

Fig. 1 Fig. 2

12.If number [A]two's-complement =01101010 and [B]one's-complement =1001, calculate [A-B]two's-complement and indicate whether or not overflow occurs.(Assumed the number system is 8-bit long)

[A-B]two's-complement = 01110000, overflow no

13. If a RAM’s capacity is 16K words × 8 bits, the address inputs should be 14bits; We need 8chips of 8K ?8 bits RAM to form a 16 K ? 32 bits ROM..

14. Which is the XOR gate of the following circuit A .

15.There are 2n-n invalid states in an n-bit ring counter state diagram.

16.An unused CMOS NOR input should be tied to logic Low level or 0 .

17.The function of a DAC is translating the Digital inputs to the same value of analog

outputs.

二、Complete the following truth table of taking a vote by A,B,C, when more than two of A,B,C approve a resolution, the resolution is passed; at the same time, the resolution can’t go through if

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

A don’t agree. For A,B,C, assume 1 is indicated approval, 0 is indicated opposition. For the F, assume 1 is passed, 0 is rejected.(5’)

A B C F

0 0 0

0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1

1

1

三、The circuit to the below realizes a combinational function F of four variables. Fill in the Karnaugh map of the logic function F realized by the multiplexer-based circuit. (6’)

四、(A) Minimize the logic function expression

F = A·B + AC’ +B’·C+BC’+B’D+BD’+ADE(H+G) (5’)

F = A·B + AC’ +B’·C+BC’+B’D+BD’ = A·(B ’C )’ +B’·C+BC’+B’D+BD’

= A +B’·C+BC’+B’D+BD’+C ’D (或= A +B’·C+BC’+B’D+BD’+CD ’)

= A +B’·C+BD’+C ’D (或= A + BC’+B’D +CD ’)

DC BA 00 01 11 10 00 1 1 01 1 1 11 1 1 10

1 1

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

(B) To find the minimum sum of product for F and use NAND-NAND gates to realize it (6’)

=),,,(Z Y X W F Π(1,3,4,6,9,11,12,14)

------3分 F= X ’Z ’+XZ -----2分 =( X ’Z ’+XZ)’’=(( X ’Z ’)’(XZ)’)’ ------1分

五、Realize the logic function using one chip of 74LS139 and two NAND gates.(8’)

∑=)6,2(),,(C B A F ∑=)3,2,0(),,(E D C G

F(A,B,C)=C’∑(1,3) ---- 3分 G(C,D,E)=C’∑(0,2,3) ----3分

WX YZ

00 01 11 10 00 1 1 01 1 1 11 1 1 10

1 1

WX YZ

00 01 11 10 00 1 1 01 1 1 11 1 1 10

1 1

WX YZ

00 01 11 10 00 1 1 01 1 1 11 1 1 10

1

1

Function table for a 1/2 74x139

Inputs Outputs G_L B A Y3_L Y2_L Y1_L Y0_L 1 X X 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

-

六、Design a self-correcting modulo-6 counter with D flip-flops. Write out the excitation equations and output equation. Q2Q1Q0 denote the present states, Q2*Q1*Q0* denote the next states, Z denote the output. The state transition/output table is as following.(10’)

Q2Q1Q0Q2*Q1*Q0*Z

000 100 0

100 110 0

110 111 0

111 011 0

011 001 0

001 000 1

激励方程式:D2=Q0’(2分,错-2分)

D1=Q2 (2分,错-2分)

D0=Q1 (2分,错-2分)

修改自启动:D2=Q0 +Q2Q1’(1分,错-1分)

D1=Q2+Q1Q0’(1分,错-1分)

D0=Q1+Q2Q0 (1分,错-1分)

输出方程式:Z=Q1’Q0 (1分,错-1分)

得分

七、Construct a minimal state/output table for a moore sequential machine, that will detect the input sequences: x=101. If x=101 is detected, then Z=1.The input sequences DO NOT overlap one another. The states are denoted with S0~S3.(10’)

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……For example:

X:0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 1 ……Z:0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 ……state/output table

S

X

Z 0 1

S0 S0 S1 0 S1 S2 S1 0 S2 S0 S3 0 S3 S0 S1 1

S*

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

八、Please write out the state/output table and the transition/output table and the excitation/output table of this state machine.(states Q2 Q1=00~11, use the state name A~D )

(10’)

Transition/output table State/output table Excitation/output table

(4分) (3分) (3分)

评分标准:

转移/输出表正确,得4分;每错一处扣0.5分,扣完4分为止;

由转移/输出表得到状态/输出表正确,得3分;每错一处扣0.5分,扣完3分为止;

激励/输出表正确,得3分;每错一处扣0.5分,扣完3分为止。

九、Clocked Synchronous State Machine Design (15’)

74x163 is a synchronous 4-bit binary counter with synchronous CLEAR input and

LOAD input. LD_L=(Q B Q C )', CLR_L=(Q D 'Q B )' in the following circuit. 1. Finish the logic circuit.

2. Draw the state diagram with all states of “Q3Q2Q1Q0” . (“Q3Q2Q1Q0” is the output of 74x163)

3. Write the sequence of Y. Y is the output of 74x151. (Assumed state of 74x163 start in

Q2Q1 X Z 0

1 00 01 11 1 01 00 10 1 10 01 01 0 11 01 01 1

Q2*Q1*

S X

Z 0

1 A B D 1 B A C 1 C B B 0 D B B 1 S* Q2Q1

X Z 0

1 00

01 11 1 01

00 10 1 10

01 01 0 11

01 01 1

D2 D1

得 分

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

Q3Q2Q1Q0=0000.)

COUNTE R

C B A E NT

D CLRN CLK

E NP LDN QA QB QC QD RCO

74163

inst

MULTIP LE XE R

GN

C B A D5D0D1D4D3D2D6D7Y WN

74151

inst1

Q0Q1Q2Q3

01001110Y

CLOCK

001111

解答:

(1) Finish the logic circuit.(见下页图) LD_L=(Q B Q C )', CLR_L=(Q D 'Q B )'--4分 (2) Q3Q2Q1Q0: 清零优先级高于置数 0000—0001—0010—0000 0011—0000

0100—0101—0110—0000 0111—0000

Function table for a 74x163

Inputs

Current State Next state Output CLR_L LD_L ENT ENP Q D Q C Q B Q A Q D * Q C * Q B * Q A * RCO 0 X X X X X X X 0 0 0 0 0 1 0 X X X X X X D C B A 0 1 1 0 X X X X X Q D Q C Q B Q A 0 1 1 X 0 X X X X Q D Q C Q B Q A 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 …………. ………….. 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……1000—1001—1010—1011--1100—1101—1110--1100

1111—1100 -------7分

(3)Y=010******* -------4分

模拟电子技术期中考试题及答案

2013-2014学年第(2)学期期中考试答案 课程代码0471003/3122200 课程名称模拟电子技术A/模拟电子技术 教师签字 一、选择及填空题:(共52分,每空2分) 1.在某放大电路中,测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为-1.2mA、-0.03mA、1.23mA。 由此可判断电极①是 C ,电极②是__B __,电极③是_A ___(A.发射极,B.基极,C.集电极); 该晶体管的类型是_ A ___(A.PNP型,B.NPN型);该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___(A.40 , B.100,C.400)。 2.写出图示各电路的输出电压值(设二极管导通电压V U D 7.0 =),= 1 O U 1.3V ,= 2 O U 0v 。 3.已知下面图(a)所示电路的幅频响应特性如图(b)所示。影响f L大小的因素是 C ,影响f H大小 的因素是 A 。(A.晶体管极间电容,B.晶体管的非线性特性,C.耦合电容) H L O C R b R c +V CC u i ( a )( b ) . A u 20lg u o 题号一 (52分) 二.1 (18分) 二.2 (14分) 二.3 (16分) 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名

R b +V CC C 2 R L C 1 u i u o 12 23 6u C E V 60μA 40μA 50μA 30μA 514 4 8 =10μA I B 20μA 2 6 10 VT R c Q i C mA 当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 B (A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9) 倍。当f = f L 时,o U 与i U 相位关系是 C (A. 45? B. -90? C. -135?)。 4.有一放大电路对一电压信号进行放大,当输出端开路时输出电压是5V ;接入2k 负载后,输出电压降为 4V ,这说明放大电路的输出电阻为 0.5K 。 5.为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。 (1).电压放大倍数u A >10,并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。 (2).电压放大倍数u A >10,并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。 (3).电压放大倍数u A ≈1,输入电阻i R >100k Ω的电路是 B 。 C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( a )C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( b )C 2 C 1 R b1 R b2 L R e R c ( c ) +12V +12V +12V C 3 u i u i u i u o u o u o 6.放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示,直流负载线和Q 点也标在图上(设U BEQ =0.7V )。 (1)电源电压V CC= 12 V ,c R = 2 Ωk ,b R = 377 Ωk ;最大不失真输出电压幅值=om U 4.5 V ;; 为获得更大的不失真输出电压,b R 应 减小(增大、减小) (2)若Ω=K R 6L ,画出交流负载线,要标出关键点的数值;(2分) 7. 欲将方波电压转换成三角波电压,应选用哪种运算电路 B 。 A.比例运算电路 B.积分运算电路

《数字电子技术》考试试卷及参考答案

课程名称:《数字电子技术》 (本卷满分100分,考试时间120分钟) 一、填空题(本大题共11题,每空2分,共32分) 1. (90.7)10=( )8421BCD =( )余3 码。 2. 满足输入全为1,输出才为0的逻辑关系有 。 3. 1位数值比较器,比较结果为A>B 时,输出F= 。 4. 74148是8线-3线优先编码器,编码输入7I 的优先级别最高,0I 优先级别最低。当使能 端有效,6I =5I =0,其余编码输入端为1时,编码输出2F 1F 0F = 。 5. TTL 与非门多余输入端的处理方法是 。 6. TTL 与非门的灌电流负载发生在输出 电平情况下,负载电流越大,则 输出电平越高。 7. TTL 三态门的三种可能的输出状态分别是 、 和 。 8. 时序电路一般由 和 两部分组成。 9. 要存储16位二进制信息需要 个触发器。 10. 有一个移位寄存器,高位在左边,低位在右边,欲将存放在该移位寄存器中的二进制数 乘上十进制数8,则需将该移位寄存器中的数左移 位,需要 个移位脉冲。 11. TTL 电路如图所示,输出端表达式为P 2= 。 二、选择题(本大题共5题,每小题2分,共10分) 1. 触发器的1状态指的是Q 和Q 分别为( )。 A.0,0 B.1,1 C.0,1 D.1,0 2. 下列触发器中对输入信号有约束条件的是( )。 A.基本RS 触发器 B.主从JK 触发器 C.边沿D 触发器 D.T 触发器 3. 以下关于时序逻辑电路的描述不正确的是( )。 A. 电路在任意时刻的输出与该时刻的输入信号有关 B. 输出与电路的原状态有关 C. 仅仅由逻辑门电路组成的电路不是时序逻辑电路 D. 含有从输出到输入的反馈回路 4. 同步计数器和异步计数器比较,同步计数器的显著优点是( )。 A.工作速度高 B.触发器利用率高 C.电路简单 D 不受CP 时钟控制. 5. 在下列电路中,不属于时序逻辑电路的是( )。 A.计数器 B.寄存器 C.全加器 D.分频器 三、计算题(本大题共2题,共13分) 1. (8分)用卡诺图化简函数F(A,B,C,D)=∑m (5,6,8,10)+∑d (0,1,2,4,13,14,15), 写出其最简与-或表达式和或-与表达式。 2. (5分)函数)(C B B A Y ⊕⊕=,求反函数并化为最简与或式。 四、分析设计题(本大题共4题,共45分) 1. (10分)8选1数据选择器74HC151实现逻辑函数Y ,请写出Y 的逻辑表达式。 2. (10分)某同学参加四门课程考试,规定(1)课程A 及格得1分,不及格为0分;(2)课 程B 及格得2分,不及格为0分;(3)课程C 及格得4分,不及格为0分;(4)课程D 及格为5分,不及格为0分。若总得分大于8分(含8分),则可结业。试用与非门实现上述逻辑要求。 3. (15分)试分析下图所示时序电路的逻辑功能。

电工电子技术期末考试试题及答案汇总

成绩统计表 专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 请将选择题答案填入下表: 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。A、未通电状态B、通电状态C、根据情况确定状态4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数 B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数

C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。A.频率失真B、相位失真C、波形过零时出现的失真D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻(b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 ∞ 9.单稳态触发器的输出状态有(a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。

A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2=6V,R1=12Ω,R2=6Ω,R3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R3中的电流I3。(10分) a I3 b 2.如图所示R-L串联电路,R=280Ω,R L=20Ω,L=1.65H,电源电压U=220V,电源频率为50H Z。(10分)

电力电子技术期末考试试题及答案(1)

电力电子技术试题 第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为 __开关损耗 __。 3.电力电子器件组成的系统,一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 _保护电路 __。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通,承受反相电压截止 _。 6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为, UDSM_大于 __Ubo。 11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。 14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。 15.IGBT 的开启电压 UGE(th )随温度升高而 _略有下降 __,开关速度 __小于__电力 MOSFET。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在 1/2 或1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系数,在1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。

模拟电子技术期末考试试卷及答案

《模拟电子技术》期末考试卷 一、填空题(20 分) 1、二极管最主要的特性是 。 2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为 、 。 3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有 、 、 。 4、负反馈放大电路中的四种组态为 、 、 、 。 5、正弦波振荡电路的振荡条件为 、 。 二、选择题(20分) 1、P 型半导体中的多数载流子是 ,N 型半导体中的多数载流子是 。A 、电子 B 、空穴 C 、正离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体载流子的浓度。A 、大于 B 、小于 C 、等于 3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ,反向电流 。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 4、如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的 约为 ( )。 A .1500 .80 C 5、RC 串并联网络在f=f 0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性 三、判断题(10分)(对的打“√”,错的打“×”) 1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。( ) 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。( ) 3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( ) 4、负反馈越深,电路的性能越稳定。( ) 5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( ) 四、简答题:( 25分) 1.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =。 V 2 V 1

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型 ¥+ -+R S u o R L u i R F (b) R 1 R 2 R 4 R 5 R 3 u i + -+v cc -+ V 1 V 2 u o C 1 +- 3、 电路下图所示:请将图中左右两部分正确连接起来,使之能够产生正弦波振荡 五、计算题(25分) 1、电路如下图所示,试求出电路A U 、R i 、和R 0的表达式。

数字电子技术考试题及答案

太原科技大学 数字电子技术 课程试卷 B 卷 一、单选题(20分,每小题1分)请将本题答案全部写在下表中 1、8421BCD 码10000001转化为十六进制数是( )。 A 、15 B 、51 C 、81 D 、18 2、n 位二进制数的反码或其原码,表示的十进制数是( )。 A 、21n - B 、2n C 、1 2n - D 、2n 3、TTL 与非门多余输入端的处理是( )。 A 、接低电平 B 、任意 C 、 通过 100W 电阻接地 D 、通过 100k W 电阻接地 4、OD 非门在输入为低电平(输出端悬空)情况下,输出为( )状态。 A 、高电平 B 、低电平 C 、开路 D 、不确定 5、与()Y A B A =e e 相等的逻辑函数为( )。 A 、Y B = B 、Y A = C 、Y A B =? D 、Y A B =e 6、下列(,,)F A B C 函数的真值表中1Y =最少的为( )。 A 、Y C = B 、Y AB C = C 、Y AB C =+ D 、Y BC C =+ 7、( )是组合逻辑电路的特点。 A 、输出仅取决于该时刻的输入 B 、后级门的输出连接前级门的输入 C 、具有存储功能 D 、由触发器构成 8、半加器的两个加数为A 和B ,( )是进位输出的表达式。 A 、AB B 、A B + C 、AB D 、AB 9、欲使JK 触发器1 n Q Q +=,J 和K 取值正确的是( )。 A 、,J Q K Q == B 、J K Q == C 、0J K == D 、,1J Q K == 10、字数为128的ROM 存储器存储容量为1204位,字长为( )位,地址线为( )根。 A 、8,8 B 、8,7 C 、4,7 D 、4,8 11、一个四位二进制减法计数器初始状态为0110,经过101个脉冲有效沿触发后,它的输出是 ( )。 A 、0000 B 、0001 C 、0011 D 、0010 12、要用1K×8的RAM 扩展成8K×16的RAM ,需选用( )译码器。 A 、 3线-8线 B 、2线-4线 C 、1线-2线 D 、4线-16线

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

《电子技术应用》期中考试试卷

一、 选择题(本题共5小题,每小题2分,共10分) 1、下列符号中表示发光二极管的为( )。 A B C D 2、硅管正偏导通时,其管压降约为( )。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时,工作于( )状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用,c 、b 、e 三个电极的电位必须符合:( ) A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题((本题共5小题,每空2分,共20分) 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体,掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极,N 区接电源 极,称正向偏置,二极 管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是:发射结加 电压,集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管,如果基极电流从10微安变化到22微安 时,集电极电流从1毫安变为2.2毫安,则该三极管的β约为 。 三、计算题(本题共5小题,共70分) 1、二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电 路的输出电压AB U 。(设二极管为硅管,导通压降为0.7V ) (15分) 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=,基极电流A I B μ40=,求集电极电流C I 的数值。 (10分)

电子技术期末考试试卷及答案

2、射极输出器电路中,输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是( )。 (a ) 两者反相,输出电压大于输出电压 (b ) 两者同相,输出电压近似等于输入电压 (c ) 两者相位差90 ,且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号,多级放大器级与级之间必须采 用( )。 (a ) 阻容耦合 (b ) 变压器耦合 (c ) 直接耦合 汁侶吗llTFF (咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅(签字) 试做教师(签字) 系、室土任(签字) )匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填 入括号内(本大题共16小题,总32分) 1、 电 路如图 所 示, 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通,D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止, D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件,则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i

⑻L i、C i组成的电路 (b)L、C组成的电路 (c)L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示,为了获得频率可调的输出电压,则应该调节的电阻是()。 ⑻R i (b)R F(c)R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于()。 ⑻放大状态(b)开关状态(c)击穿状态 7、数字电路中的工作信号为()。 ⑻随时间连续变化的电信号(b)脉冲信号(c)直流信号 8、逻辑电路如图所示,分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时,输出Q是“1”的瞬间为()。 ⑻t i (b) t2 (c) t3

《电子技术》期中考试试卷

2012~2013年第二学期《电子技术》期中考试试卷 总分:100分时量:60分钟 班级:姓名:学号: 一、填空题(37×1分=37分) 1、能够将变成的电路称为整流电路,能够将变成比较平滑的的电路称为滤波电路。 2、PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极;PN 结反偏时,P区接电源的极,N区接电源的极。 3、硅二极管的正向压降约为V,锗二极管的正向压降约为V。 4、利用半导体二极管的特性,将变成的过程称做整流。 5、交流电经过变成脉动直流电后,仍有变化,滤波电路能够脉动直流电中的成分。 6、半导体三极管有两个PN结,即结和结;有三个电极,即极、 极和极,分别用、、和表示。 7、晶体管有型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。 8、半导体三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即区、区和区。 9、放大电路设置静态工作点的目的是。 10、在纯净的硅晶体中掺入三价元素,就成为型半导体,它的多数载流子量是,少数载流子是。 二、选择题(6×4分=21分) 1、在纯净半导体硅中,掺入微量的()价元素就成了N型半导体。 A. 三价 B. 四价 C. 五价 2、性能良好的二极管正向电阻()反向电阻。A. 大于 B. 等于 C. 小于 D. 不确定 3、稳压二级管的稳压性能是利用二极管的()特性实现的。 A. 单向导电 B.反向击穿 C.正向导通 D.反向截止 4、整流的目的是()。 A. 将高频变为低频 B. 将低频变为高频 C. 将正弦波变为方波 D. 将交流变为直流 5、整流电路后面接入滤波电路的目的是()。 A. 去除直流电中的脉动成份 B. 将高频变成低频 C. 将正弦交流信号变成矩形脉冲 D. 将直流电变成交流电 6、三极管的发射结正偏、集电路反偏时,三极管处于()。 A. 放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 三、判断题(5×2分=10分) 1、PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止。() 2、在P型半导体中,多数载流子是电子。() 3、二极管加反向电压不一琯是导通状态。() 4、稳压二极管是工作在反向击穿状态。() 5、单相半波整流电路的特点是:电路简单、成本低,输出电压高、脉动小。() 四、综合题(14分+15分=29分) 1、试画出单相半波整流的电路图,并说明它的整流过程。 2、请画出共射放大电路的原理图,并写出静态工作点的计算公式。(I BQ、I CQ、V CEQ)

数字电子技术模拟考试试题及答案

数字电子技术模拟考试试 题及答案 Last revision on 21 December 2020

《数字电子技术》模拟试题 一、填空题(每题2分,共20分) 1、十六进制数97,对应的十进制数为 (1) 。 2、“至少有一个输入为0时,输出为 (2) ”描述的是与运算的规则。 3、 (3) 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: (4) 、 (5) 和 (6) 运算。 5、两二进制数相加时,不考虑低位的进位信号是 (7) 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 (8) 电平。 7、RAM 的三组信号线包括: (9) 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时,先比较 (10) 位。 二、单项选择题(每个3分,共15分) 1、图1的国标逻辑符号中 (11) 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 (12) 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中,不正确的是_ (13)____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___(14)___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1,S2两个状态,条件 (15) 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同

1、证明:B A B A A +=+(4分) 2、某逻辑函数的真值表如表1所示,画出卡诺图。(6分) 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题(20分) 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1)列出其时钟方程:(2分) CP1= ;CP0= 。 2)列出其驱动方程:(4分) J1= ;K1= ;J0= ;K0= 。 3)列出其输出方程:(1分) Z = 4)求次态方程:(4分) =+11n Q ;=+10n Q 5)作状态表及状态图(9分) Z

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

电工电子技术2_期末考试复习资料

一、选择题。 1、由555集成定时器构成的多谐振荡器的功能是( )。 (a )输出一定频率的矩形波 (b )将变化缓慢的信号变为矩形波 (c )输出一定频率的正弦波 2、自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置,此装置之所 以能输出信号是因为( )。 (a )有外加输入信号 (b )满足了自激振荡条件 (c )先施加输入信号激励振荡起来,后去掉输入信号 3、整流电路中,设整流电流平均值为I o ,则流过每只二极管的电流平均值I D =I o 的电路是( )。 (a )单相桥式整流电路 (b )单相半波整流电路 (c )单相全波整流电路 4、在二极管桥式整流电容滤波电路中,若有一个二极管接反,将造成( )。 (a )半波整流 (b )短路、损坏元件 (c )断路、不能工作 5、时序逻辑电路与组合逻辑电路的主要区别是( )。 (a )时序电路只能计数,而组合电路只能寄存 (b )时序电路没有记忆功能,组合电路则有 (c )时序电路具有记忆功能,组合电路则没有 6、振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压,是依靠了振荡器中的 ( )。 (a )选频环节 (b )正反馈环节 (c )基本放大电路环节 7、N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。 (a )带负电 (b )带正电 (c )不带电 8、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是( )。 (a )基本RS 触发器 (b )可控RS 触发器 (c )D 触发器 (d )JK 触发 器 9、已知逻辑状态表如下,则输出Y 的逻辑式为( )。 (a )BC A Y += (b )BC A Y += (c )C B A Y += 10(a )集电极 (b )发射极 (c )基极 11、一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为A u ,反馈系数为F ,能够稳定振荡 的幅值条件是( )。 (a )1u >F A (b )1u

数字电子技术 期末考试试题

数字电子技术期末考试试题 期末考试试题 课程名称《数字电子技术》适用专业自动化、测控考试时间 ( 120 )分钟 一、填空题(22分每空2分) A,0,A,1,1、 , 。 2、JK触发器的特性方程为: 。 3、单稳态触发器中,两个状态一个为态,另一个为态.多谐振荡器两个状态都为 态,施密特触发器两个状态都为态. 4、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的有关,而与无 关。 5、某数/模转换器的输入为8位二进制数字信号(~D),输出为D0~25.5V的模拟电压。若数字信70号的最低位是“1”其余各位是“0”,则输出的模拟电压为。 6、一个四选一数据选择器,其地址输入端有个。二、化简题(15分每小题5分) 用卡诺图化简逻辑函数,必须在卡诺图上画出卡诺圈 1) Y(A,B,C,D)=?m(0,1,2,3,4,5,6,7,13,15) 2)L(A,B,C,D),m(0,13,14,15),d(1,2,3,9,10,11) ,, 利用代数法化简逻辑函数,必须写出化简过程 __________________________________________________ 3) F(A,B,C),AB,ABC,A(B,AB) 三、画图题(10分每题5分) 据输入波形画输出波形或状态端波形(触发器的初始状态为0). 1、

2、 四、分析题(17分) 1、分析下图,并写出输出逻辑关系表达式,要有分析过程(6分) 2、电路如图所示,分析该电路,画出完全的时序图,并说明电路的逻辑功能,要有分析过程(11分) 五、设计题(28分) 1、用红、黄、绿三个指示灯表示三台设备的工作情况:绿灯亮表示全部正常;红灯亮表示有一台不 正常;黄灯亮表示两台不正常;红、黄灯全亮表示三台都不正常。列出控制电路真值表,要求用 74LS138和适当的与非门实现此电路(20分)

电工电子技术期末考试试题及答案

专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数

B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。 A.频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻( b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 -+∞ + u O u i 9.单稳态触发器的输出状态有( a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2 =6V,R 1 =12Ω,R 2 =6 Ω,R 3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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数字电子技术基础期末考试试卷及答案

数字电子技术基础期末考试试卷及答案 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】

数字电子技术基础试题(一) 一、填空题 : (每空1分,共10分) 1. 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为:、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题: (选择一个正确的答案填入括号内,每题3分,共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0,找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是:(C )图。 2.下列几种TTL电路中,输出端可实现线与功能的电路是( D)。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门

3.对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方法是(D )。 A、通过大电阻接地(>Ω) B、悬空 C、通过小电阻接地(<1KΩ) B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的(A )。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路(C )。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6.下列几种A/D转换器中,转换速度最快的是(A )。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7.某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示,则该电路为( C)。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8.要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用(C )。

电工电子技术期末考试试卷及答案

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1,全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0,全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1,相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中,电流、电压随时间按正弦规律变化的,称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V,则此电压的最大值为 311V ,频率为 50HZ ,初相位为 0 。 16、在如图所示的电路,已知I1 = 1A,I2 = 3A ,I5 =4.5A,则I3 = 4 A,

I4 = 0.5 A,则I6 = 3.5 A。 17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极,发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时,其输入特性与二极管类似,但其输出特性 较为复杂,可分为放大区外,还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题(每小题2分,共10分) 1、如图所示电路中,电压表的内阻Rv为20KΩ,则电压表的指示为( B )。 20KΩ 20KΩ A.5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中,当负载为对称且三角型连接时,线电流与相电流的 相位关系是( D )。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是( C )。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中,若电阻从2Ω变到10Ω,则电流i( C )。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定

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