TVS二极管SA选型手册(规格书)

西门子伺服电机选型手册

西门子伺服电机选择手册，SINAMICS S120是一种集V/F、矢量控制和伺服控制于一体的新型驱动控制系统。普通异步电动机不能控制转矩，也不能控制三相异步电动机。 S120系列驱动与伺服电机选型手册第1部分：典型结构的多轴驱动控制单元电机模块与通用直流母线电源模块。带起动机（或scout）和SIMATIC manager软件或s7-300400的书本式柜式PC典型配置图，SIMOTION O/D/P 24 V DL说明：1：主控制模块cu320 2：电源模块SIM 或ALM+24 V电源3：单轴电机模块4：两轴电机模块234电源线终端模块驱动Cliq编码器反馈信号线选项板电抗器功率滤波器传感器模块无编码器电机运动控制，带drivc Cliq接口西门子（中国）自动化传动集团有限公司生产机械SINAMICS S120系列，选自《S120驱动与伺服电机选型手册》第1章多轴传动概述。Sinamics120是一种集V/F、矢量控制和伺服控制于一体的新型驱动控制系统。它不仅可以控制普通的三相异步电动机，还可以控制步进电动机、转矩电动机和直线电动机。其强大的定位功能将实现进给轴的绝对和相对定位。2007年6月发布的DCC（drive control chart）功能将实现逻辑、计算和简单处理功能。SINAMICS S120产品包括：用于普通直流母线的DCAC逆变器和用于单轴的ACAC逆变器。具有公共直流母

线的DC/AC逆变器也称为多轴驱动。它的结构是电源模块和机器模块分开。电源模块将三个交流电整流成540V或600DC，并将电机模块（一个或多个）连接到直流母线。特别适用于多轴控制，特别适用于造纸、包装、纺织、印刷、钢铁等行业。优点是电机轴间能量共享，接线方便简单●单轴控制交流变频器，俗称单轴交流传动，其结构是功率模块和电机模块的组合，特别适合单轴速度和定位控制。本书第一部分包括第1至4章，主要介绍多轴交流传动。第二部分包括第五章至第八章，主要介绍单轴交流传动。第三部分包括第九章，主要介绍电机电缆和信号电缆。第四部分包括第10章，介绍了同步和异步伺服电机的指令数据。第五部分，包括第11章，简要介绍了运动控制系统的指令数据。这本书中的技术资料基本上是英文的。详情请参阅英文原文。西门子（中国）有限公司自动化与传动集团运动控制部生产的机械系列S120系列，源自《S120驱动与伺服电机选型手册》第二章。功率模块是我们通常所说的整流器或整流器/反馈单元。它将三相交流电整流成直流电，并为每个抑制模块（通常称为逆变器）供电。具有反馈功能的模块还可以向电网提供直流电。根据是否有反馈功能和反馈方式，将功率模块分为以下三类：基本线路模块：整流单元，但无反馈功能。智

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称：10A15 ?主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装：TO-220F ?脚位长度：6-12mm ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名：FCH20A15 ?型号简称：20A15 ?主要参数：20A 150V ?产品封装：TO-220F ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

DSS36二极管规格书(常州星海)

DSS32 THRU DSS310 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current - 3.0 Ampere Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body Terminals : Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : Any Weight :0.0007 ounce, 0.02 grams FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 Metal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiency High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension DSS32D32SYMBOLS UNITS DSS310 D310 201420V RRM V RMS V DC I (AV)I FSM V F 3.080.0 0.70Operating junction temperature range Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =100 C I R 0.5 T J T STG Storage temperature range DSS33D33DSS35D35DSS34D34DSS36D36DSS38D38DSS37D37DSS39 D3******* 40284050355060426080568010070100 704970906390VOLTS VOLTS VOLTS Amp Amps Volts C mA C -65 to +150 -65 to +125 -65 to +150 20.010.00.55 0.850.52SOD-123FL Dimensions in millimeters

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

BAT54WS贴片肖特基二极管规格书

BAT54WS SCHOTTKY DIODE Case : Molded plastic body Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity : Polarity symbols marked on case Marking : L9 FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS 21100200300600200625125 -65 to +150 30 Low forward voltage drop Fast switching time Surface mount package ideally suited for automatic insertion Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @T A =25C SYMBOLS UNITS V R DC Blocking voltage Average rectified output current Forward continuous current Repetitive peak forward current Forward surge current Power dissipation Termal resistance,junction to ambient air Junction temperature Storage temperature Non-Repetitive peak reverse voltage R ΘJA T j T STG LIMITS I FRM Pd A =25C PARAMETER I FSM I FM V RM I O V mA mA mA mA mW K/W C C V SOD-323 Dimensions in millimeters and (inches)

威世二极管规格书

SMBJ5.0 thru SMBJ188CA Vishay General Semiconductor Document Number: 88392For technical questions within your region, please contact one of the following:https://www.360docs.net/doc/c715195969.html, Surface Mount T RANS Z ORB ? Transient Voltage Suppressors FEATURES ?Low profile package ?Ideal for automated placement ?Glass passivated chip junction ? ?cycle): 0.01 % ?Excellent clamping capability ?Very fast response time ?Low incremental surge resistance ?Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ?Solder dip 260 °C, 40 s ?Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC TYPICAL APPLICATIONS Use in sensitive electronics protection against voltage transients induced by inductive load switching and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer, computer, industrial, automotive and telecommunication. MECHANICAL DATA Case: DO-214AA (SMBJ) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/automotive grade (AEC Q101 qualified) Terminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3suffix meets JESD 201 class 2 whisker test Polarity: For uni-directional types the band denotes cathode end, no marking on bi-directional types DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS For bi-directional devices use C or CA suffix (e.g. SMBJ10CA). Electrical characteristics apply in both directions. PRIMARY CHARACTERISTICS V WM 5.0 V to 188 V P PPM 600 W I FSM (uni-directional only) 100 A T J max. 150 °C DO-214AA (SMB J-Bend) Notes: (1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T A = 25 °C per Fig. 2(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform (1)(2) (Fig. 1) P PPM 600 W Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform (1) I PPM See next table A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only (2) I FSM 100 A Operating junction and storage temperature range T J , T STG - 55 to + 150 °C

ES1JL二极管规格书(常州星海)

SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 600 Volts Forward Current - 1.0 Ampere Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip Terminals : Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : Any Weight :0.0007 ounce, 0.02 grams Glass passivated device Ideal for surface mouted applications FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS ES1BL SYMBOLS UNITS Metallurgically bonded construction High temperature soldering guaranteed: 260 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension Low reverse leakage 10070100400280400150105150600420600 VOLTS VOLTS VOLTS Amp Amps Volts V RRM V RMS V DC I (AV) I FSM V F 1.0 25.0 1.25 Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =100 C I R 5.0100.0A μRatings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. ES1AL THRU ES1JL ES1CL ES1DL ES1EL ES1JL EB EC ED EE EJ EG ES1GL Maximum reverse recovery time (NOTE 1)Typical junction capacitance (NOTE 2) C J pF ELECTRONICS CO.,LTD. STAR SEA Operating junction and storage temperature range Note:R θJA T J ,T STG 8510-55 to +150 C Typical thermal resistance (NOTE 3)K/W 2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.1.Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A. 3.PCB mounted on 0.2*0.2" (5.0*5.0mm) coppeer pad area. 35ns 503550EA ES1AL trr 200140200 3002103000.95 1.7 SOD-123FL Dimensions in millimeters

西门子选型手册

西门子选型手册 16ES7?212-1AB23-0XB0CPU（8I/6O）晶体管输出 26ES7?212-1BB23-0XB0CPU??(8I/6O）?继电器输出 36ES7?212-1AB23-0XB8CPU（8I/6O）晶体管输出?CN 46ES7?212-1BB23-0XB8CPU??(8I/6O）?继电器输出?CN 56ES7?214-1AD23-0XB0CPU（14I/10O）晶体管输出 66ES7?214-1AD23-0XB8CPU（14I/10O）晶体管输出?CN 76ES7?214-1BD23-0XB0CPU（14I/10O）继电器输出 86ES7?214-1BD23-0XB8CPU（14I/10O）继电器输出??CN 96ES7?214-2AD23-0XB0CPU224XP（14DI/10DO，2AI,1AO）?晶体管输出? 106ES7?214-2BD23-0XB0CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）继电器输出116ES7?214-2AD23-0XB8CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）晶体管输出126ES7?214-2BD23-0XB8CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）继电器输出136ES7?216-2AD23-0XB0CPU??(?24I/16O?)?晶体管输出 146ES7?216-2BD23-0XB0CPU（24I/16O）继电器输出 156ES7?216-2AD23-0XB8CPU??(?24I/16O?)?晶体管输出?CN 166ES7?216-2BD23-0XB8CPU（24I/16O）继电器输出?CN 176ES7?221-1BF22-0XA08点24VDC输入 186ES7?221-1BF22-0XA88点24VDC输入?CN 196ES7?221-1BH22-0XA016点24VDC输入 206ES7?221-1BH22-0XA816点24VDC输入?CN 216ES7?222-1HF22-0XA08点继电器输出

防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)

防护电路设计 1.防护电路中的元器件 1.1过压防护器件 1.1.1钳位型过压防护器件 ①压敏电阻 MOV电路符号 压敏电阻英文varistor或MOV，它以氧化锌为基料，加入多种添加剂，经过混料造粒， 压制成坯体，高温烧结，两面印烧银电极，焊接引出端，最后包封等工序而制成。 优点是价格便宜，通流量大，响应速度快，缺点是寄生电容大，不适合用在高频电路中。 压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中，起过电压保护、防雷、抑制浪涌电 流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 压敏电压的选择：交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍，直流电路选取为 工作电压的1.8-2倍。 由于压敏制作时可能存在微小缺陷，或者当承受不同电流冲击，造成管芯的压敏电阻体 分布不均，一些部位电阻会降低，导致漏电流增加，最终导致薄弱点微融化，最终导致 老化。所以一般串接热熔点来避免。 压敏可串并联使用。 ②TVS TVS电路符号 TVS是一种限压型的过压保护器，它将过高的电压钳制至一个安全范围，藉以保护后 面的电路，有着比其它保护元件更快的反应时间，这使TVS可用在防护lighting、 switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。 特点：可分为单双向，响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、 并且经过多次瞬变电压后，性能不下降，可靠性高，体积小、易于安装。缺点是能承受 的浪涌电流较小，且功率大的寄生电容也大，低电容的功率较小。适用于细保护或者二 级保护。

选型注意，单双向，电压，功率，电容都要考虑到。 单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性 1.1.2开关型过压防护器具 ①气体放电管 GDT电路符号 气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件，一般分两电极和三电极两种结构。其基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与气体放电管并联的其它器件得到保护。可分为二极和三极两种。 陶瓷气体放电管具有通流量大（KA级），漏电流小，寄生电容小等优点，缺点是其响应速度慢（μs级），动作电压精度低，有续流现象。适用于粗保护或者初级保护。 选型方法：min（UDC）≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量，1.15是电源波动系数。 特性曲线

发光二极管产品规格书(精)

发光二极管产品规格书 发光二极管产品规格书 型号 : H2B01ARD04 注意谨防静电! 制作核准顾客 Page 1 of 4 Created with novaPDF Printer (https://www.360docs.net/doc/c715195969.html,). Please register to remove this message. H2B01ARD04 文件编号: BF-2005-03-040 产品特征 直径为3mm圆型 高亮红色,低功耗 外观为有色散射 产品应用 各类仪表指示光源 小区域 产品外型图 注: 所有的尺寸单位为毫米(mm),公差为 0.20mm 产品指南 光强Iv(mcd)@20mA 型号发光颜色芯片材料胶体颜色 Min. Typ. Max. 半功率角度 2θ1/2 H2B01ARD04 红色 ALGaAs 有色散射 40 60 --- 60 注: 中心轴亮度50%时单边的发光角度为θ1/2, 2θ1/2=θ1/2+θ1/2 Page 2 of 4 Created with novaPDF Printer (https://www.360docs.net/doc/c715195969.html,). Please register to remove this message. H2B01ARD04 文件编号: BF-2005-03-040 最大限度性能参数(Ta=25℃) 项目符号最大限度单位 功率消耗 PD 80 mW 峰值正向电流 1/10占空比 0.1ms 脉宽 IFP 100 mA 正向电流 IF 20 mA 反向电压 VR 5 V 工作温度 Topr -25℃～+80℃ 储存温度 Tstg -25℃～+100℃ 焊接温度Tsol 260℃下5秒

肖特基二极管电路特性

万联芯城销售ST,ON,TI等多家国际品牌原装进口肖特基二极管。肖特基二极管价格优秀，质量有保证。万联芯城专为终端工厂企业提供一站式电子元器件报价业务，与全国近5000家企业达成战略合作伙伴关系。点击进入万联芯城 点击进入万联芯城

我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对

于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A 的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

肖特基二极管应用选择

肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介：

DSR1M二极管规格书(常州星海)

SUFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Ampere Case : JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip Terminals : S olderable per MIL-STD-750,Method 2026 Polarity : Color band denotes cathode end Mounting Position : Any Weight :0.006 ounce, 0.02 grams Glass passivated device Ideal for surface mouted applications FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Metallurgically bonded construction High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension Low reverse leakage Note: 3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mounted ELECTRONICS CO.,LTD. LING JIE STAR SEA Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. DSR1A THRU DSR1M 2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 1.Averaged over any 20ms period. DSR1B SYMBOLS 10070100400280400200140200 600420600800560800 V RRM V RMS V DC I (AV) I FSM V F 1.0 25.01.1Operating junction and storage temperature range Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current at T A =65 C (NOTE 1) Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A Maximum DC reverse current T A =25 C at rated DC blocking voltage T A =125 C Typical junction capacitance (NOTE 2)I R 10.050.0R θJA C J T J ,T STG 1804-55 to +150 Typical thermal resistance (NOTE 3) UNITS VOLTS VOLTS VOLTS Amp Amps Volts pF C A μK/W DSR1D DSR1G DSR1J DSR1K S1B S1D S1G S1J S1K T L =25 C 503550S1A DSR1A 10007001000 DSR1M S1M SOD-123FL Dimensions in millimeters

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060

30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045

MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050

肖特基二极管作用及型号

肖特基二极管 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B →A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管作用