范德瓦尔斯气体方程模拟

范德瓦尔斯气体方程模拟
范德瓦尔斯气体方程模拟

电子科技大学

大物实验报告

姓名:学号:

专业:

实验项目:一、对真实二氧化碳气体p-v性质探究

二、模拟磁滞回线

指导教师:

2013年 1月 2日

一、实验项目名称

对真实二氧化碳气体p-v 性质探究 二、实验原理

一般气体,在密度不太高,压力不太大(与大气压比较)和温度不太低(与室温比较)的实验范围内,遵守玻意耳定律、盖·吕赛克定律和查理定律。我们把在任何情况下都遵守上述三条实验定律的气体称为理想气体。对于质量为m ,摩尔质量为M 的理想气体的物态方程为

m PV RT M

=

R 为普适气体衡量。但真实气体只是在温度不太低,压力不太高的条件下,才能遵守理想气体的状态方程。理想气体的等温线是等轴双曲线,而真实气体的等温线,并非都是等轴双曲线。研究真实气体的等温线,就可了解真实气体偏离理想气体定律的情况,从而对真实气体的性质得到进一步的认识。因此,理想气体方程应用到真实气体,必须考虑到真实气体的特征,予以必要的修正。上世纪以来,许多物理学家先后提出了各种不同的修正意见,建立了各种不同形式的气体状态,其中形式较为简单,物理意义比较清楚的就是范德瓦尔斯方程:

()22v a P V vb vRT V ??

+-= ??

?

式中的b 是考虑到气体分子本身体积的修正量,对于给定的气体,b 是一个

恒量,可由实验来测定,一般约等于1摩尔气体分子本身体积的四倍。另一常数a 是由气体分子间的引力引起,决定于气体的性质,可由实验来测定。对于一定量的气体,其摩尔数M

m v =

三、实验内容

(1)绘制真实气体在不同温度及参数下得p-v 图 (2)学习用mathcad 绘制三维图形 四、实验数据

(1) 真实二氧化碳气体在不同温度下的p —v 图:

(2)绘制三维图---巴拿马草帽

五、实验结论

范德瓦尔斯方程等温线与真实气体的实验等温线作比较,二者都有一条临界等温线。在临界等温线以上,二者比较接近;在温度很高时,二者之间没有区别。在临界等温线以下,二者却有显著的区别。范德瓦尔斯等温线的是一个三次曲线,曲线中有一段的斜率为正,意味着体积愈膨胀,压强越大,因而无法平衡。真实气体的等温线有一个液化过程,也就是说有一个汽液共存区域,在汽液共存区当体积逐渐减小时,压力基本不变,近似为一水平直线。对曲线进行分析,在相同a的情况下,随着b的增加,曲线凹陷程度越大;在b相同的情况,在a等于0.03*10^-5时,曲线最接近理想气体P-V方程。由于气体分子间存在引力,实际气体压强小于理论值。

六、总结与心得体会

在使用mathcad时要学会使用“帮助栏”

一、实验项目名称

模拟磁滞回线

二、实验原理

铁磁物质特征是在外磁场作用下能被强烈磁化,故磁导率μ很高。另一特征是磁滞,即磁化场作用停止后,铁磁质仍保留磁化状态。原点0表示磁化之前铁磁物质处于磁中性状态,即B=H=0,当磁场H从零开始增加时,磁感应强度B随之缓慢上升,继之B随H迅速增长,其后B的增长又趋缓慢,并当H增至H

m

时,

B到达饱和值,0abs称为起始磁化曲线。当磁场从H

m

逐渐减小至零,磁感应强度B并不沿起始磁化曲线恢复到“0”点,而是沿另一条新曲线SR下降,H减小B 相应也减小,但B的变化滞后于H的变化,这现象称为磁滞,磁滞的明显特征是当H=0时,B不为零,而保留剩磁Br。

图1

当磁场反向从0逐渐变至-H

C

时,磁感应强度B消失,说明要消除剩磁,必

须施加反向磁场,H

C

称为矫顽力,它的大小反映铁磁材料保持剩磁状态能力,线段RD称为退磁曲线。

当磁场按H

m →0→H

C

→-H

m

→0→H

C

→H

m

次序变化,相应的磁感应强度B则沿闭

合曲线SRDS′R′D′S变化,这条闭合曲线称为磁滞回线。当铁磁材料处于交变磁场中时,将沿磁滞回线反复被磁化→去磁→反向磁化→反向去磁。在此过程中要消耗额外的能量,并以热的形式从铁磁材料中释放,这种损耗称为磁滞损耗。磁滞损耗与磁滞回线所围面积成正比。

三、实验内容

绘制不同参数的磁滞回线图

四、实验数据

已知:

让w固定为0.3,改变h的值分别为;和,依旧用上述微分方程求解。

五、实验结论

在h不变时,磁滞回线随的增大而变圆,在不变时,磁滞回线随h的增大,圆环的个数减少。磁滞回线同时受和h影响,从磁滞回线可以看出,铁磁质的磁化状态不能由B和H单值决定,还取决于磁化历史。

高中物理 范德瓦尔斯方程与真实气体状态研究

实验七 范德瓦尔斯方程与真实气体状态研究 一、实验目的 1. 测定等温线 2. 范德瓦尔斯方程曲线的描绘 3. 观察物质汽液态相变过程 二、实验原理 一般气体,在密度不太高,压力不太大(与大气压比较)和温度不太低(与室温比较)的实验范围内,遵守玻意耳定律、盖·吕赛克定律和查理定律。我们把在任何情况下都遵守上述三条实验定律的气体称为理想气体。对于质量为m ,摩尔质量为M 的理想气体的物态方程为 m PV RT M = (1) 其中,P 为气体的压强,V 为气体的体积,R 为普适气体衡量,T 为热力学温标,单位是开尔文。但真实气体只是在温度不太低,压力不太高的条件下,才能遵守理想气体的状态方程。理想气体的等温线是等轴双曲线,而真实气体的等温线,并非都是等轴双曲线。研究真实气体的等温线,就可了解真实气体偏离理想气体定律的情况,从而对真实气体的性质得到进一步的认识。因此,理想气体方程应用到真实气体,必须考虑到真实气体的特征,予以必要的修正。上世纪以来,许多物理学家先后提出了各种不同的修正意见,建立了各种不同形式的气体状态,其中形式较为简单,物理意义比较清楚的就是范德瓦尔斯方程: ()22v a P V vb vRT V ??+-= ?? ? (2) 式中的b 是考虑到气体分子本身体积的修正量,对于给定的气体,b 是一个恒量,可由实验来测定,一般约等于1摩尔气体分子本身体积的四倍。另一常数a 是由气体分子间的引力引起,决定于气体的性质,可由实验来测定。对于一定量的气体,其摩尔数M m v = 。 图1 CO 2实验等温线 图2 范德瓦尔斯三次方程

范德瓦尔斯方程等温线与真实气体的实验等温线作比较(见图1),二者都有一条临界等温线。在临界等温线以上,二者比较接近;在温度很高时,二者之间没有区别。在临界等温线以下,二者却有显著的区别。范德瓦尔斯等温线的ABCDE 是一个三次曲线,如图2,曲线中BCD 段的斜率为正,意味着体积愈膨胀,压强越大,因而无法平衡。而AB 和DE 段是亚稳态,只可在谨慎的实验条件下才能实现,但极易失稳。真实气体的等温线有一个液化过程,也就是说有一个汽液共存区域,在汽液共存区当体积逐渐减小时,压力基本不变,近似为一水平直线(图2中ACE ),该线被称为汽液共存线,它不能由范德瓦尔斯方程给出,其高度P 可用相平衡条件求得。范德瓦尔斯方程也可以写成: 22 vRT v a P V vb V =-- (3) 公式右边第一项为动理压强P K ,在V →vb 时,P K →∝,反映了原子的不可入性。第二项为内压强P u ,是负的。在温度不太高时,它叠加到前一项,使P-V 曲线在高密度区出现凹陷。在一般实验中这一段曲线(ABCDE )观察不到。 当温度足够高时,上述凹陷不出现,P-V 等温线呈单调下降(近似为理想气体状态曲线)。在这两种情况之间,存在一条临界等温线,其中有一拐点C (见图1),称之为临界点。在拐点K 处曲线的一阶、二阶导数皆为零。所以应有: ()22320P vRT v a T V V V vb ???=-+= ????- (4) ()22324260P vRT v a T V V V vb ???=-= ??-?? (5) 再由范德瓦尔斯方程可得临界点: 温度 8/27K T a R b = (6) 体积 3K V v b = (7) 压强 2/27K P a b = (8) 如果测绘出等温线,则可以从实验曲线中求得临界温度、临界体积、临界压强。并从 (6)(7)(8)公式中可求出范德瓦尔斯方程中的a 、b 修正值,以及实验气体的摩尔数v 。 三、实验仪器: 1、范德瓦尔斯方程真实气体实验仪, 2、恒温水槽, 3、智能数字压力表。

范德瓦耳斯气体的热力学性质3

范德瓦耳斯气体的热力学性质 陈东 2008061144 (黔南民族师范学院物理与电子科学系,贵州都匀 558000) 【摘要】讨论范德瓦尔斯气体的内能、熵、焓和自由能,给出相应的数学表达式,并对相应问题进行讨论。【关键词】范德瓦尔斯气体;内能;熵;焓;自由能;绝热过程;节流过程 Van der Waals gas thermodynamic properties Chen Dong 200806114 ( Qiannan Normal College for Nationalities Department of physics and electronic science, Guizhou Tuyun 558000) [ Abstract ] to discuss Van Der Waals gas internal energy, entropy, enthalpy and free energy, the corresponding mathematical expressions, and the relative problems are discussed. [ Key words ] Van Der Waals gas; energy; entropy; enthalpy; free energy; adiabatic process; throttling process 理想气体是反映各种实际气体在压强趋于零时所共有的极限性质的气体,是一种理想模型。在一般的压强和温度下,可以把实际气体近似地当作理想气体出来,但是在压强太大或温度太低(接近于其液化温度)时,实际气体与理想气体有显著的偏离。为了更精确地描述实际气体的行为,人们提出很多实际气体的状态方程,其中最重要、最有代表性的是范德瓦尔斯方程。 1、范德瓦尔斯气体的状态方程 范德瓦尔斯方程是在理想气体状态方程的基础上修改而得到的半经验方程。理想气体是完全忽略除分子碰撞瞬间外一切分子间的相互作用力的气体,而实际气体就不能忽

基于新型二维范德瓦尔斯异质结材料的第一性原理研究

基于新型二维范德瓦尔斯异质结材料的第一性原理研究 很长一段时间,那些“迷人”但同时“不寻常”的物理预测有时只是用于新奇理论思维实验的模型,以考虑宇宙的起源,甚至只可以 在学生的课程中展示。这可以被称之为’前石墨烯’时代。自从十多年石墨烯被发现以来,二维层状材料因其展现出了许多理论预测的奇特物理和化学现象吸引了研究者们的极大关注,并一直是材料研究的焦点之一。虽然这种材料的制备过程是简单的“一小步”——使用透明胶带进行机械剥离,但石墨烯的诞生所带来技术的进步实际上是科学发展历程中的“一大步”。二维层状材料中的每一层内由共价键结合的无悬挂键的原子结构组成,并且通过范德瓦尔斯相互作用与相邻层弱结合。这使得分离、混合和匹配不同种类的原子层以制备各种类型的范德瓦尔斯异质结变得更加容易,而不受晶格匹配和处理兼容性的限制。利用不同二维金属、半半导体或绝缘体材料叠合所形成的范德瓦尔斯异质结可以用来设计许多电子器件,包括隧道晶体管、晶闸管、柔性电子器件以及包括光电探测器、光伏器件和发光器件的光电器件,这些器件展现出了许多前所未有的特性与独特的功能。然而, 对范德瓦尔斯异质结的研究中依然存在许多问题与机理需要澄清。本论文主要通过采用第一性原理计算等研究方法对范德瓦尔斯异质结 中电子结构、载流子迁移率以及部分力学性能等进行模拟计算研究。本研究的主要内成果如下:1)针对具有一定厚度的薄膜材料体系,对 基于与形变势能理论的载流子计算公式进行了重新的修正推导,同时结合全新开发的大体系第一性原理计算程序RESCU,研究了二维六方

氮化硼包覆的二维硒化铟范德瓦尔斯异质结中的声子散射限制的载 流子迁移率,其中最大的计算体系包含了 2200余个原子。研究表明,相比未包覆的二维硒化铟材料,六方氮化硼的包覆提升了异质结构的弹性劲度系数,影响了其中声子散射的状态,从而解释了实验中观察 到的异质结构载流子迁移率的极大提升。本研究揭示了二维范德瓦尔斯异质结中力学性能的改变对材料中基于声子散射限制的载流子迁 移率的提升有着至关重要的作用,此结论可以适用于其他同类型的二维范德瓦尔斯异质结构中。2)研究了随扭转角度变化的双层扭转黑磷莫列超晶格中的电子结构以及载流子迁移率。研究发现,莫列超晶格结构的形成对体系电子结构有着极大的影响,并导致了实空间中电输运极强的各向异性。莫列超晶格结构中共存的不同高对称堆叠方式可以看做一种周期性存在的杂质,而这种’莫列杂质’引发了电子结构中的平能带以及载流子波函数的实空间局域化分布,进而显著地影响了载流子迁移率。此外,扭转角度的变化改变了莫列杂质大小,进而对局域化分布的波函数交叠程度产生了极大的影响,因此可以有效调控结构体系中的载流子迁移率大小。3)研究了在单轴拉仲应力作用下的理想结构的双层扭转黑磷莫列超晶格中的电子结构变化及断裂失效 过程。研究发现,由于结构体系的各向异性导致了沿不同方向拉仲所呈现的力学性能及电子结构变化的不同。当应力沿手扶椅方向施加时,在结构断裂失效之前(应变约为25%)体系依然可以保持与未拉仲伸状态下差别不大的稳定的空穴载流子有效质量以及直接禁带半导体性质。通过对载流子波函数的实空间分布的研究可以发现,莫列杂质所

范德瓦耳斯

范德瓦尔斯 范德瓦尔斯(Johannes Diderik van der Waals) 1837年11月23日生于荷兰的莱顿,父亲名叫雅各布.范德瓦尔斯,母亲名叫伊丽莎白·范登伯格(Elisa bethvandenBurg)。范德瓦尔斯在家乡结束了初等教育后,成为一名中学教员。虽然他因不懂古典语言而未能参加大学人学考试,但在1862—1865年期间,他利用业余时间在莱顿大学继续学习,并获得了数学和物理学的教师证书。 1864年,范德瓦尔斯任德文特一所中学的教师。1866年到海牙,先当该城一所中学的教师,后任该校校长。 新的立法取消了理工科大学生人学前必须受古典语言教育的规定,使范德瓦尔斯能够参加大学考试。1873年他以《论气态和液态的连续性》这篇论文取得了博士学位,使他立刻进入了第一流物理学家的行列。在这篇论文中,他提出了包括气态和液态的“物态方程”,论证了气液态混合物不仅以连续的方式互相转化,而且事实上它们具有相同的本质。关于范德瓦尔斯第一篇论文中提出的这个结论的重要性,在J.C.麦克斯韦的《自然》一书中有这样的评价:“毫无疑问,范德瓦尔斯的名字将很快出现在第一流的分子科学家的名单中”,“可以肯定,不止一个科学家正在注意学习他的论文所用的…低地荷兰语?”(麦克斯韦可能想说“低地德语”,但这是不对的,因为荷兰语有权自成为一种语言)。后来,他就这个课题和与此有关的课题又写了大量论文,发表在《荷兰皇家科学院学报》和《荷兰年鉴》上,并被译成多种文字。 1876年颁布了新的高等教育法,将阿姆斯特丹古老的雅典语学

院扩充成综合大学,范德瓦尔斯被任命为该校第一名物理学教授。他和同事范托夫(Van… tHoff)、遗传学家休戈·德弗里斯(Hugodevries)使该校声誉大增。尽管各处向他发出盛情的邀请,但他一直忠实地留在该校,直到退休。 范德瓦尔斯对他论文的课题发生兴趣的直接原因,是克劳修斯的论文中将热看成是一种运动现象,使他想对安德鲁斯1869年证明气体存在临界温度时所作的实验寻找一种解释。范德瓦尔斯天才地发现,必须考虑分子的体积和分子间的作用力(现在一般称为范德瓦尔斯力),“才能建立气体和液体的压强、体积、温度之间的关系。 范德瓦尔斯经过艰苦的努力,于1880年发表了第二项重大发现,当时他称之为“对应态定律”。这个定律指出:如果压强表示成临界压强的单调函数,体积表示成临界体积的单调函数,温度表示成临界温度的单调函数,、就可得到适用于所有物质的物态方程的普遍形式,因为在这个方程中,a,b,产这三个常数可用特殊物质的临界值来表示,因此在方程中消失。正是由于在这个定律的指导下进行实验,J.杜瓦才在1898年制成了液态氢,翁纳斯在1908年制成了液态氦。翁纳斯因研究低温和制成液态氦而荣获1910的诺贝尔物理学奖。他在1910年写道:“我们一直把范德瓦尔斯的研究看成是实验取得成功的关键,莱顿的低温实验室是在他的理论影响下发展起来的。十年后,即1890年,关于“二元溶液理论”的第一篇论文在《荷兰年鉴》上刊出,这是范德瓦尔斯的又一项重大成就。他把物态方程和热力学第二定律结合起来,创造了一种图示法,以吉布斯在“非均匀物质的平衡”这篇论文中首次提出的形式用一个面表示他的数学公式。为纪念吉布斯,他把这个面称为“w面”,因为吉布斯用希腊字母w作为自由能的符号,他认为自

石墨烯及范德瓦尔斯异质结的分子束外延生长

目录 摘要 (i) ABSTRACT ......................................................................................................... i i 第一章绪论 (1) 1.1 二维材料 (1) 1.2 范德瓦尔斯异质结 (3) 1.3 本论文的研究思路 (4) 第二章实验仪器与原理 (6) 2.1 超高真空技术(UHV) (6) 2.2 分子束外延(MBE) (8) 2.3 扫描隧道显微镜(STM) (9) 2.4 X射线光电子能谱仪(XPS) (11) 第三章石墨烯的外延生长研究 (12) 3.1 Ru(0001)基底上石墨烯的外延生长 (12) 3.2 6H-SiC(0001)基底上石墨烯的外延生长 (16) 第四章二维材料及范德瓦尔斯异质结的分子束外延生长 (19) 4.1 Graphene/SiC基底上Bi2Se3的MBE生长 (20) 4.2 Graphene/SiC基底上Bi2Te3的MBE生长 (25) 4.3 Graphene/SiC基底上MoSe2的MBE生长 (27) 4.4 Graphene/SiC基底上MoTe2的MBE生长 (31) 第五章结论与展望 (37) 5.1 本论文主要工作 (37) 5.2 后续研究展望 (37) 致谢 (39) 参考文献 (40) 作者在学期间取得的学术成果 (45)

图目录 图1.1 二维材料家族 (1) 图1.2 部分常见二维材料的带隙[8] (1) 图1.3 部分常见二维材料的晶格结构[2,51] (2) 图1.4 范德瓦尔斯异质结[1] (3) 图1.5 定向图样再生长过程示意图[16] (4) 图1.6 定点转移过程示意图[17] (4) 图2.1 超高真空分子束外延—X射线光电子能谱—扫描隧道显微镜系统 (6) 图2.2 机械泵、分子泵、离子泵和钛泵 (7) 图2.3 MBE示意图 (8) 图2.4 RHEED示意图 (8) 图2.5 薄膜生长的过程[26] (9) 图2.6 STM结构及原理示意图 (10) 图2.7 XPS示意图 (11) 图3.1 外延石墨烯的STM图像及其(12×11)模型 (13) 图3.2 改变扫描偏压引起的石墨烯摩尔条纹变化 (14) 图3.3 连续多个循环氩刻、退火处理后样品不同位置的STM图像 (15) 图3.4 外延石墨烯的RHEED条纹与STM图像 (16) 图3.5 多层石墨烯交界处原子分辨的STM图像 (17) 图3.6 单双层石墨烯交界处的STM图像与示意图[40] (18) 图4.1 Bi-Se的二元合金相图 (20) 图4.2 Si(111)表面生长Bi薄膜的RHEED条纹 (21) 图4.3 Si(111)-7×7重构及生长40min Bi薄膜后STM图像 (22) 图4.4 Si(111)表面Bi薄膜两种相的示意图[65] (22) 图4.5 MBE生长Bi2Se3的RHEED条纹与STM形貌 (23) 图4.6 退火后的Bi2Se3薄膜表面 (24) 图4.7 原子分辨的STM图像 (24) 图4.8 Bi2Se3的XPS谱 (25) 图4.9 Bi-Te的二元合金相图 (26) 图4.10 Bi2Te3的RHEED条纹与STM图像 (26) 图4.11 Bi2Te3的XPS谱 (27) 图4.12 Mo-Se的二元合金相图 (28) 图4.13 MBE生长MoSe2的RHEED条纹与STM形貌 (28)

范德瓦尔斯力

范德瓦尔斯力van der Waals force 也称范德华力 Contents 指外电子曾已饱和的中性原子(如惰性气体原子)或中性分子之间的相互作用力,其本质是由于电荷分布的涨落,引起原子或分子极化,从而在它们之间产生吸引力(电偶极子-电偶极子相互作用),可分为三种情况: 1.极性分子具有电偶极矩,通常这些偶极矩杂乱无章地排列,因而极性分子是电中性的,但只要这些偶极矩排列恰当,极性分子之间就会产生吸引力,这时电偶极子间的静电力也称葛生(Keesen)力。 2.无极分子中正负电荷系的中心重合,分子不具有电偶极矩,但当极性分子靠近它时,可使正、负电荷分开,产生诱导电偶极矩,从而在极性分子和无极性分子之间产生吸引力,也称诱导力,或德拜(Debye)力。 3.原子或无极分子中正负电荷系的中心重合,但由于量子涨落效应,某一瞬间正、负电荷中心不重合,呈现瞬时的电偶极矩,而瞬时电偶极矩又会在邻近的原子或分子中产生吸引力,也称色散力,或伦敦(London)力。 值得注意的是范德瓦尔斯力虽然是静电力,但却是量子力学效应,使用量子力学可计算出其与距离的6次方成反比[1]。即:列纳德-琼斯势:

短程排斥力是由于泡利不相容原理导致的,由于分子间都是满壳层的,因此两分子(或原子)相互靠近必会占据相同的电子轨道,这被泡利不相容原理所禁止。 范德瓦尔斯力是原子或分子间电偶极子-电偶极子相互作用:静电力、诱导力和色散力的统称。与共价键、离子键、金属键相比,范德瓦尔斯力要弱得多,因此也称弱力。如氩的范德瓦尔斯键的结合能是:0.088eV/原子。范德瓦尔斯力也弱于氢键。 参考 1.徐龙道等编《物理学词典》,科学出版社:pp319 2.C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 7th edition: pp60 References 1.C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 7th edition: pp60

范德瓦尔斯力作用机制

范德瓦尔斯力的动力学机制 范德瓦尔斯力的动力学机制 范德瓦尔斯力是存在于中性分子或原子之间的一种弱的电性吸引力。它是分子间相互结合的主要原因,并且其中的色散力是惰性气体在低温下能液化甚至固化的重要原因。下面是我从网上及资料和文献中查到的一些关于范德瓦尔斯力的动力学机制的资料。 范德瓦尔斯力的主要来源有三种作用机制:(1)、极性分子具有永久的电偶极矩,通常这些偶极矩杂乱无章地排列,因而极性分子是电中性的,但在极性分子晶体中这些偶极矩呈现规则排列,极性分子之间就会产生静电吸引力,称为葛生力又称“取向力”,它的大小与分子的极性变形性温度有关。极性分子的偶极矩愈大,取向力愈大;温度愈高,取向力愈小。(2)、无极分子中正负电荷系的中心重合,分子不具有电偶极矩,但当极性分子靠近它时,可使正、负电荷分开,产生诱导电偶极矩,从而在极性分子和无极性分子之间产生吸引力,称诱导力或德拜力。(3)、一对非极性分子本身由于电子的概率运动,可以相互配合产生一对方向相反的瞬时偶极矩,这一对瞬时偶极矩相互作用,称为“色散力”。这种机制是范德华力的主要来源,1930年由F.W.伦敦首先根据量子力学原理给出解释,因此也称为“伦敦力”。

对于上述三中机制共性是:永远存在于分子之间,属于是近程力且力的作用很小.无方向性和饱和性. 经常是色散力为主。 简单起见,将上述色散作用势推导出来:用带点粒子的线性谐振子代表瞬时偶极矩,r 为两个谐振子平衡点(正电荷所处的位置)之间的距离,1x 与2x 为带负电荷的质点在震动过程中离开平衡点的瞬时位移。这两个振子的能量分别为 21212121121212121kx p m kx mv E +=+= 2 2 22222222 1212121kx p m kx mv E +=+= 其中k 为振子的力常数,1p 与2p 为它们的动量。当r 很大时,两振子间无相互作用力,系统的总能量为21E E +,此时振子的震动频率为m k πν21 0=;但当r 不很大时,振子间的相互作用能为 ??????+---+-+= 21212012111141 x r x r x x r r e u πε 当1x r >>、2x 时,上式可以展开并只取第一项而略去高次小的项,则系统的总能量可以写为 1221u E E E ++= () 3 02 122 2212221222r x x e x x k m p p πε- +++= 由于电场E 的作用,使振子产生一位移x ,且kx E =,k 为恢复常数。产生的瞬时偶极矩E ex α=,α为极化系数。由此可得2e k =α,代入上式并引入新坐标 ()2112 1 x x +=ζ ()2122 1 x x -= ζ 可得 22222211212 1212121ξξk p m k p m E +++= 可见,引入新坐标后,系统的能量可以表示为两个独立振子的能量之和,系

范德瓦尔斯气体方程模拟

电子科技大学 大物实验报告 姓名:学号: 专业: 实验项目:一、对真实二氧化碳气体p-v性质探究 二、模拟磁滞回线 指导教师: 2013年 1月 2日

一、实验项目名称 对真实二氧化碳气体p-v 性质探究 二、实验原理 一般气体,在密度不太高,压力不太大(与大气压比较)和温度不太低(与室温比较)的实验范围内,遵守玻意耳定律、盖·吕赛克定律和查理定律。我们把在任何情况下都遵守上述三条实验定律的气体称为理想气体。对于质量为m ,摩尔质量为M 的理想气体的物态方程为 m PV RT M = R 为普适气体衡量。但真实气体只是在温度不太低,压力不太高的条件下,才能遵守理想气体的状态方程。理想气体的等温线是等轴双曲线,而真实气体的等温线,并非都是等轴双曲线。研究真实气体的等温线,就可了解真实气体偏离理想气体定律的情况,从而对真实气体的性质得到进一步的认识。因此,理想气体方程应用到真实气体,必须考虑到真实气体的特征,予以必要的修正。上世纪以来,许多物理学家先后提出了各种不同的修正意见,建立了各种不同形式的气体状态,其中形式较为简单,物理意义比较清楚的就是范德瓦尔斯方程: ()22v a P V vb vRT V ?? +-= ?? ? 式中的b 是考虑到气体分子本身体积的修正量,对于给定的气体,b 是一个 恒量,可由实验来测定,一般约等于1摩尔气体分子本身体积的四倍。另一常数a 是由气体分子间的引力引起,决定于气体的性质,可由实验来测定。对于一定量的气体,其摩尔数M m v = 。 三、实验内容 (1)绘制真实气体在不同温度及参数下得p-v 图 (2)学习用mathcad 绘制三维图形 四、实验数据 (1) 真实二氧化碳气体在不同温度下的p —v 图:

范德华方程

范德华方程 范德华方程范德华方程是范德瓦耳斯方程的另一种翻译,简称范氏方程,是荷兰物理学家范德瓦耳斯(van der Waals,又译“范德华”、“凡德瓦耳”)于1873年提出的一种实际气体状态方程。 1范德华方程 范德华方程是范德瓦耳斯方程的另一种翻译,简称范氏方程,是荷兰物理学家范德瓦耳斯(van der Waals,又译“范德华”、“凡德瓦耳”)于1873年提出的一种实际气体状态方程。范氏方程是对理想气体状态方程的一种改进,特点在于将被理想气体模型所忽略的的气体分子自身大小和分子之间的相互作用力考虑进来,以便更好地描述气体的宏观物理性质。 2适用范围 范氏方程对气-液临界温度以上流体性质的描写优于理想气体方程。对温度稍低于临界温度的液体和低压气体也有较合理的描述。 但是,当描述对象处于状态参量空间(P,V,T)中气液相变区(即正在发生气液转变)时,对于固定的温度,气相的压强恒为所在温度下的饱和蒸气压,即不再随体积V(严格地说应该是单位质量气体占用的体积,即比容)变化而变化,所以这种情况下范氏方程不再适用。 3与理想气体方程模拟结果的比较 3.1低压状况 在气体压强不太高的情况下,以下事实成立: 排斥体积b 的影响相对V 而言极小,可以忽略;以二氧化碳(CO2)为例,在标准状况(0°C,1标准大气压)下,一摩尔CO2体积V 为22414 cm3,而相应的b= 43 cm3,比V 小3个数量级; 分子间的距离足够大,a/V2 项完全可以视为0;譬如在一大气压下二氧化碳气体的a/V2 值只有7‰。 所以此时理想气体方程是范氏方程(也是对实际气体行为的)的一个良好近似。 分别用理想气体方程和范德瓦耳斯方程模拟的二氧化碳气体70°C时的p-V等温线

范德瓦尔斯方程与真实气体状态试验

范德瓦耳斯(Van der Walls)方程与真实气体状态实验 在近代工程技术和科学研究中,经常需要处理高压或低温条件下的气体问题,例如在现代化的大型蒸汽涡轮机中,为了提高效率,都采用高压下的高温蒸汽作为工作物质;又如化学工程中的气体合成,以及许多尖端材料和产品的加工制造,也都需要在高压的条件下进行。所以学习真实气体的物态方程及其压力、体积、温度关系的测绘方法十分必要并有意义。 实验原理: 一般气体,在密度不太高,压力不太大(与大气压比较)和温度不太低(与室温比较)的实验范围内,遵守玻意耳定律、盖?吕萨克定律和查理定律。我们把在任何情况下都遵守上述三条实验定律的气体称为理想气体。对于质量为m,摩尔质量为M 的理想气体的物态方程为 RT M m PV = (1) 但真实气体只是在温度不太低,压力不太高的条件下,才能遵守理想气体的状态方程。理想气体的等温线是等轴双曲线,而真实气体的等温线,并非都是等轴双曲线。研究真实气体的等温线,就可了解真实气体偏离理想气体定律的情况,从而对真实气体的性质得到进一步的认识。因此,理想气体状态方程应用到真实气体,必须考虑到真实气体的特征,予以必要的修正。上世纪以来,许多物理学家先后提出了各种不同的修正意见,建立了各种不同形式的气体状态方程,其中形式较为简单,物理意义比较清楚的就是范德瓦耳斯方程。范德瓦耳斯方程为 RT b V V a P ννν =?+))((22 (2) 式中是考虑到气体分子本身体积的修正量,对于给定的气体,是一个恒量,可由实验来测定,一般约等于1摩尔气体分子本身体积的四倍。另一常数是由气体分子间的引力引起,决定于气体的性 质,可由实验来测定。对于一定量气体,其摩尔数b b a M m =ν 。 图1:CO 2实验等温线 图2: 范德瓦耳斯三次方程图 范德瓦耳斯方程等温线与真实气体的实验等温线作比较(见图1),二者都有一条临界等温线。在临界等温线以上,二者比较接近;在温度很高时,二者之间没有区别,在临界等温线以下,却有显著的区别。

范德华 范德华方程

范德华 (J.D.vanderwaals1837—1923)荷兰物理学家。青年时代家境贫寒,无力入学读书。在工作之余,刻若钻研,自学成才,1874年他的论文“论液态和气态的连续性”引起了学术界的关注。并获得了莱顿大学的博士学位。经过研究,他认识到如果假定气体分子不占有体积,而且分子之间不存在引力,则可从气体分子运动论得出理想气体的状态方程,但是,这两项假定不符合事实。1881年,他给这个方程引入两个参量,分别表示分子的大小和引力,得出一个更准确的方程即范德华方程。他还研究了毛细作用,对附着力进行了计算。他在研究物质三态(气、液、固)相互转化的条件时,推导出临界点的计算公式,计算结果与实验结果相符。 1877—1910年任阿姆斯特丹大学教授。1910年因研究气态和液态方程获诺贝尔物理学奖。原子间和分子间的吸引力被命名为范德华力。1873年他最先假设了这种力,以研究关于真实气体的理论 范德华方程 范德华方程是范德瓦耳斯方程的另一种翻译,简称范氏方程,是荷兰物理学家范德瓦耳斯(van der Waals,又译“范德华”、“凡德瓦耳”)于1873年提出的一种实际气体状态方程。范氏方程是对理想气体状态方程的一种改进,特点在于将被理想气体模型所忽略的的气体分子自身大小和分子之间的相互作用力考虑进来,以便更好地描述气体的宏观物理性质。 范德华方程式具体形式为 更常用的形式为(N=摩尔数) 式中 p为气体的压强a'为度量分子间重力的唯象参数b'为单个分子本身包含的体积v为每个分子平均占有的空间大小(即气体的体积除以总分子数量); k为波兹曼常数T绝对温度在第二个方程式里

V为总体积a为度量分子间重力的参数b为1摩尔分子本身包含的体积之和b= NAb', R为普适气体常数NA为阿伏加德罗常数. 下表列出了部分气体的a,b的值 范德华方程常用的形式(N=摩尔数) 在一般形式的范氏方程中,常数a和b 因气体/流体种类而异,但我们可以通过改变方程的形式,得到一种适用于所有气体/流体的普适形式。 按照下面的方式定义约减变量(亦称折合变量,就是把变量转换成其无量纲形式),其中下标R 表示约减变量,下标C 表示原变量的临界值:pR=p/pC,vR=v/vC, Tr=T/Tc式中pC=a/27b2,vC=3b,kTc=8a/27b 用约减变量代替原变量,范氏方程形式变为如图所示 这就是范氏方程的不变形式,即这一形式不会因应用流体种类改变而改变。 上述方程的不变性质亦称对应态原理

相关文档
最新文档