微米_纳米加工中的聚焦离子束技术
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广东化工
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２００９年第７期
第３６卷总第１９５期微米／纳米加工中的聚焦离子束技术
钱海霞
（深圳大学材料科学与工程系深圳市特种功能材料重点实验室，广东深圳５１８０６０）
【摘要】聚焦离子束系统正成为微细加工领域的有力工具。文章筒述了聚焦离子束系统的组成和工作原理，着重介绍了该系统在离子束刻蚀、
离子束辅助沉积和离子注入等微米／纳米加工领域的应用，并对聚焦离子束技术的特点及未来的发展前景进行了总结和分析。
【关键词】聚焦离子柬；刻蚀；沉积；离子注入；微米，纳米加工
【中图分类号］ＴＱ【文献标ｉ照ｊ］Ａ【文章编号］１００７—１８６６（２００９）０７—００８４—０３
Ｍｉｃｒｏ—?／Ｎａｎｏ?－ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎＵｓｉｎｇＦｏｃｕｓｅｄＩｏｎＢｅａｍＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ＱｉａｎＨａｉｘｉａ
（ＳｈｅｎｚｈｅｎＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｐｅｃｉａｌＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓ，ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，
ＳｈｅｎｚｈｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ５１８０６０，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍ（ＦＩＢ）ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｈａｓｂｃｃｏｍｅｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｌｙｐｏｐｕｌａｒｔｏｏｌｆｏｒｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｖｅｒｙｓｍａｌｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ．Ｉｎｔｈｅｒｅｖｉｅｗ，ｔｈｅＦＩＢｓｙｓｔｅｍａｎｄｉｔｓｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｗｉｔｈｓｏｌｉｄｓｕｒｆａｃｅｗａｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｆｉｒｓｔ．ＴｈｅＦＩＢｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｗａｓｅｘａｍｉｎｅｄｗｉｔｈｅｍｐｈａｓｉｓｏｎｉｔｓａｂｉｌｉｔｙｔｏＣａｌＴｙｏｕｔｉｏｎｍｉｌｌｉｎｇ，ｉｏｎ?ａｓｓｉｓｔｅｄｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎａｎｄｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｃｏｎｃｌｕｄｉｎｇｒｅｍａｒｋｓｗｅｒｅｐｒｏｖｉｄｅｄｗｈｅｒｅｔｈｅｓｔｒｅｎｇｔｈａｎｄｗｅａｋｎｅｓｓｏｆｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ
ｓｔｕｄｉｅｄｗｅｒｅｓｍｍｎａｒｉｚｅｄａｎｄｔｈｅｓｃｏｐｅｓｆｏｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔａｎｄｆｕｔｕｒｅｒｅｓｅａｒｃｈｗｅｒｅｒｅｃｏｍｍｅｎｄｅｄ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍ；ｍｉｌｌｉｎｇ；ｉｏｎ—ａｓｓｉｓｔｅｄｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ；ｍｉｃｒｏ一／ｎａｎｏ—ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
近年来，聚焦离子束技术因其在微米／纳米加工领域的广
阔应用前景而受到广泛关注【ｌＪ。聚焦离子束（ＦＩＢ）技术是把离子
束斑聚焦到：ｉ亚微米甚至纳米级尺寸，通过偏转系统实现微细束
加工的新技术。与其他高能粒子束流相比，离子束具有较大的
质量，能够以很高的能量和较短的波长直接把图案转移到较硬
的基体材料上。因为离子束与材料作用过程中不发生散射，所
以图案的尺寸主要由束斑直径及离子束和材料的作用机理决
定。在半导体集成电路的生产开发中，ＦＩＢ已经成为一个不可
或缺的工具，被广泛应用于掩模修整、电路修改和失效分析等
领域１２“。ＦＩＢ正在成为制造高质量、高精度纳米结构的有力手
段【５．６】。
文章首先介绍了ＦＩＢ系统及其工作原理，然后结合笔者
所做工作介绍了ＦＩＢ技术的三种基本加工手段：刻蚀、离子
辅助沉积和离子注入，最后指出了聚焦离子束（ＦＩＢ）技术的特
点和发展趋势。
１聚焦离子束系统
ＦＩＢ系统主要由离子源、离子束聚焦／扫描系统和样品台
组成。ＦＩＢ系统的结构示意图如图ｌ所示。在离子柱顶端的液态金属离子源上加强电场获得带正电荷的离子，通过位于柱体中的静电透镜、八极偏转装置将离子束聚焦成很小的离子束斑，轰击位于样品台的样品。
图１聚焦离子束系统的结构示意图
Ｆｉｇ．１Ｓｃｈｅｍａｔｉｃｉｍａｇｅｏｆｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｓｙｓｔｅｍ
ＦＩＢ的发展是由离子源的发展所决定的。离子源为ＦＩＢ系统提供稳定的、可聚焦的离子束，其尺寸大小直接影响ＦＩＢ
【收稿日期】２００９．０１—１２
【基金项目】深圳大学科研基金资助面上项目（２００９２０）
【作者简介１钱海ｉ霞（１９７６－），女，湖北十堰人，博士，讲师，主要研究方向为高能束流与材料的作用机理。
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广东化工
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系统的分辨率。表征离子源的主要参数为亮度、源尺寸、稳定性和寿命等。目前ＦＩＢ系统常用的是液态金属离子源（ＬＭＩＳ），液态金属离子源包括Ａｕ、Ｃｓ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｇａ等。由于Ｇａ＋离子源具有低熔点（￣３０℃、低蒸汽压、高亮度（１０６Ａ／（ｃｍ２－ｓＯ、长寿命（～１５００ｈ）及高稳定性，是目前最广泛使用的离子源¨Ｊ。
目前世界上生产ＦＩＢ设备的主要厂商有ＦＡｉ、ＦＥＩ、Ｈｉｍｃｈｉ、ＪＥＯＬ、Ｓｅｉｋｏ和ＮＡＮＯＦＡＢ等。ＦＩＢ系统中主要可调节参数有电压、电流、离子束入射角、离子剂量、辐照时间等。以ＦＥＩＱｕａｎｔａ３Ｄ２００系统为例，最大电压为３０ｋＶ，最大电流密度是５８Ａ／ｅｍ２，最小束斑直径为７衄，离子束的入射角度和辐照剂量可连续调节。
离子束轰击固体材料表面，与材料中电子和原子发生作用并将部分能量传递给样品材料中的电子和原子，固体近表面的原子获得足够大的能量而最终逸出固体表面产生溅射；收集离子束轰击样品过程中产生的二次电子或二次离子，还可以在离子束加工过程中实时获得加工表面的显微形貌。离子束流与材料的作用原理决定了聚焦离子束具有刻蚀、沉积和离子注入等功能。２聚焦离子束系统的应用
２．１离子刻蚀
由于离子具有较大质量，经加速聚焦后轰击材料表面会发生溅射，通过逐点扫描的方式可以对材料表面进行徼区刻蚀。刻蚀深度由束流大小、刻蚀面积和刻蚀时间等参数决定，刻蚀的形状由离子束的扫描范围决定。周期性微纳米结构的加工有两种解决方案：一种是改变束斑与束斑之问的霞叠度，使能量分布不均匀并在空间具有周期性，从而制备出规则纳米结构ｐＪ．另一种是通过引入位图Ｉ冬ｊ形对加工过程进行控制从而得到与位图相同的结构一Ｊ。后种方法的原理是图形的颜色与离子束斑在每一扫描点的驻留时问存在对应关系，即不同颜色的区域有不同的离子剂量（刻蚀深度）。在图２（ａ）所示的黑自位图中，白色区域具有设定的驻留时间，而离子束斑在黑色区域的驻留时间为零，即黑色区域不发生刻蚀。控制扫描的面积和离子剂量可以得到任意周期的柱体阵列结构。图２（ｂ）显示了通过改变束斑间的重叠度得到周期为６００ｎｌＴｌ的光栅，而图２（ｃ）则是采用位图制备出的周期为２４０ｎｌｌｑ的纳米阵列。采用位图的方式还可以在材料表面加工出任意形状的结构。
图２（ａ）黑白位图；（ｂ）周期为６００ｎｍ的光栅结构；（ｃ）周期２４０ｎｍ的纳米结构阵列
Ｆｉｇ．２（ａ）Ｂｌａｃｋａｎｄｗｈｉｔｅｂｉｔｍａｐｆｉｌｅ；（ｂ）Ｇｒａｔｉｎｇｓｗｉｔｈａｐｅｄｏｄｏｆ６００ｒｔｍ；（ｃ）Ｎａｎｏｐｉｌｌａｒｓｗｉｔｈａｐｅｒｉｏｄｏｆ２４０ｎｒｎ
为了提高离子束刻蚀的速率和离子束刻蚀对不同材料的选择性，通常在刻蚀过程中用气体注入系统加入一定量的刻蚀气体以增强刻蚀。其基本原理就是用高能离子束将惰性的辅助刻蚀气体分子（如卤化物气体）变成活性原子、离子和自由基，这些活性基团与样品材料发生化学反应生成挥发性物质，脱离样品后被真空系统抽走，从而实现快速刻蚀。该技术的最大特点是可以大幅度提高刻蚀速率、刻蚀对材料的选择性和结构侧壁的垂直性等。
２．２离子注入
高能离子在与材料原子的相互作用过程中，离子的能量逐渐减小并最终留在材料内部，这种现象称为离子注入。利用ＦＩＢ可以对特定的区域甚至点进行无掩模离子注入，并且能够精确控制注入的深度和剂量。比如，利用合金液态金属离子源（如ＡｕＳｉＢｅ、ＣｏＮｅ）ＦＩＢ系统（配有质量分析器）可以选择不同的离子（如Ａｕ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｓ、Ｇａ、Ｉｎ等离子）注入到同一样品，从而在一定范围内形成特定的掺杂或具有特定物化性质的薄膜。研究发现，当镓离子注入浓度足够大时，注入区域在特定的蚀刻剂如ＫＯＨ中或反应离子刻蚀中蚀刻速率将显著下降【ｌ…，因而离子注入区域在后续的刻蚀加工中扮演着掩模的角色。利用聚焦离子束注入和湿法刻蚀或干法刻蚀的结合，可以在特定区域高效地加工出纳米结构。图３（ａ）表示由位图控制的Ｇａ＋注入剂量为１．５９ｘ１０”ｉｏｎｓ／ｃｍ２的表面，经４０ｓ反应离子刻蚀后材料表面呈现出高度为１００ｎｍ的纳米锥体阵列（图３（ｂ）。图３（ｃ）表示由位图控制的Ｇａ＋注入剂量为Ｉ．５９×１０”ｉｏｎｓ／ｃｍ２时表面已经有深度为４ｎｍ的刻蚀坑阵列，这些刻蚀坑在后续的反应离子刻蚀中起到掩模的作用，经４０ｓ反应离子刻蚀后材料表面呈现出高度为８１０
ｌｌｌｎ的纳米锥体阵列，如图３（ｄ）所示。
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第３６卷总第１９５期
图３（ａ）Ｇａ＋注入剂量为１．５９Ｘ１０”ｉｏｎｓ／ｃｍ２的表面；（ｂ）深度反应离子刻蚀（ＤＲＩＥ）４０ｓ；（Ｃ）Ｇａ＋注入剂量为１．５９Ｘ１０”ｉｏｎｓ／ｃｍ２
的表面和（ｄ）深度反应离子刻蚀４０Ｓ
Ｆｉｇ．３（ａ）Ａｒｅａｉｍｐｌａｎｔｅｄｗｉｔｈｉｏｎｄｏｓｅｏｆｌ．５９ｘ１０。５ｉｏｎｓ／ｃｍ２；（ｂ）ＡｆｔｅｒＤＲＩＥｆｏｒ４０ｓ；（ｃ）Ａｒｅａｉｍｐｌａｎｔｅｄｗｉｔｈｉｏｎｄｏｓｅｏｆｌ．５９ｘ１０１６
ｉｏｎｓ／ｃｍ２；（ｄ）ＡｆｔｅｒＤＲＩＥｆｏｒ４０Ｓ
２．３离子束辅助沉积
ＦＩＢ能够无掩模沉积金属和绝缘材料。通过样品室中安装的气体注入系统将金属有机物气体喷涂到样品上待沉积区域，高能离子束的轰击导致有机物发生分解，分解产物中的固体成分（如Ｐｔ、Ｓｉ０２）沉积到表面，而可挥发的气体部分被真空系统抽走。当离子束按照一定的Ｉ鲁ｊ形进行扫描时就可形成特定的微结构。图４表示利用位图在硅片上沉积的Ｐｔ阵列。
图４Ｓｉ片上沉积的１０Ｘ１０Ｐｔ阵列
Ｆｉｇ．４１０ｘ１０ＰｔａｒｒａｙｓｄｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎＳｉｗａｆｅｒ
沉积速率与有机物分解速率和溅射速率有关。当离子束流较小时，随着束流的增大，金属有机气体的分解速率加快，薄膜的沉积速率也相应加快。在合适的束流下所有气体被完全分解利用，此时，沉积速率达到最大值。若离子束流继续增大，与气体反应后多余的束流会对已沉积的区域产生溅射作用，使沉积速率逐渐减小。
３结论
ＦＩＢ具有离子刻蚀、离子注入和薄膜沉积功能。ＦＩＢ加工对材料几乎无选择性，定位准确，分辨率很高（町以达到数个纳米量级），且可实现无掩模加工。ＦＩＢ系统在微米／纳米技术中得到广泛应用，特别是在显微分析、精细加工和三维微结构直接精确成型方面最为突出。但ＦＩＢ系统的主要缺点是加工速率低。随着液态金属离子源亮度和束斑稳定性的不断提高，ＦＩＢ系统将是未来微米／纳米加工技术的主流工具，应用将更加广泛。
参考文献
［１】ＡｍｐｅｒｅＡＴ．Ｒｅｃｅｎｔｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓｉｎｎａｎｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｓ［Ｊ】．Ｓｍａｌｌ，２００５，１：９２４?９３９．
【２］ＳｔｅｗａｒｔＤＫ，ＤｏｙｌｅＡＦ，ＪｒＪＤ，ｅｔａｌ．Ｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆｎｅｗｍａｔｅｒｉａｌｓ：ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｌｍｓｆｏｒｄｅｖｉｃｅｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎａｎｄｍａｓｋｒｅｐａｉｒ，ａｎｄＴａｆｉｌｍｓｆｏｒＸ－ｍｙｍａｓｋｒｅｐａｉｒ［Ｊ】．Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，１９９５，２４３７：２７６－２８３．
【３］ＡｌｅｘＡＶ，ＬａｒｒｙＲ，ＱｉｎｗＴ，Ｃｔａ１．ＦＩＢｆａｉｌｕｒｅａｎａｌｙｓｉｓｏｆｍｅｍｏｒｙａｒｒａｙｓ［Ｊ］．ＭｉｃｒｏｅｌｅｅｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００４，７５：３－１１．
［４］ＥｈｒｅｎｆｒｉｅｄＺ，ＥｃｋｈａｒｄＬ，ＥｎｇｅｌｍａｒｍＨＪ，ｅｔａ１．Ｐｈｙｓｉｃａｌｆａｉｌｕｒｅａｎａｌｙｓｉｓｉｎｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｉｎｄｕｓｔｒｙ－－－ｃｈａｌｌｅｎｇｅｓｏｆｔｈｅｃｏｐｐｅｒｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｐｒｏｅｅｓｓ［Ｊ】．ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅｉｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，２００３，５：４５７－４６４．【５］ＫｈｉｚｒｏｅｖＳ，ＬａｖｒｅｎｏｖＡ，ＡｍｏｓＮ，ｅｔａ１．Ｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍａｓａｎａｎｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｔｏｏｌｆｏｒｒａｐｉｄｐｒｏｔｏｔｙｐｉｎｇｏｆｎａｎｏｍａｇｎｅｔｉｃｄｅｖｉｃｅｓ［Ｊ】．ＭｉｃｒｏｓｃＭｉｃｒｏａｎａｌ，２００６，１２（２）：１２８?１２９．
【６］ＡｌｌａｍｅｈＳＭ，ＹａｎＮ，ＳｏｂｏｙｅｊｏＷＯ．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓｏｆｓｅｌｆ－ａｓｓｅｍｂｌｅｄｎａｎｏｓｃａｌｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｂｙｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎ—ｂｅａｍｉｎｄｕｃｅｄｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．ＳｃｒｉｐｍＭａｔｅｒｉａｌｉａ，２００４，５０：９１５－９１９．
［７］ＧｉａｎｎｕｚｚｉＬＡ，ＳｔｅｖｉｅＦＡ．ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔＯＦｏｃｕｓｅｄＩｏｎＢｅａｍｓ［Ｍ】．ＮｅｗＹ０ｒｋ：Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，２００５：１７８．
【８］ＦｕＹＱ，ＢｒｙａｎＮ，ＺｈｏｕＷ．Ｑｕａｓｉ—ｄｉｒｅｃｔｗｒｉｔｉｎｇｏｆｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅｓｔｎｌｅｔｕｒｅｓｗｉｔｈａｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｆＪ］．ＯｐｔｉｃｓＥｘｐｒｅｓｓ，２００４，１２（９）：１８０３—１８０９．【９］ＺｈｏｕＷ，ＱｉａｎＨＸ，ＷａｎｇＬＭ．Ｍａｓｋｌｅｓｓｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｈｉｇｈｌｙ?ｏｒｄｅｒｅｄｐｅｒｉｏｄｉｃｎａｎｏｐｉｌｌａｒｓｕｓｉｎｇＦＩＢａｎｄｂｉｔｍａｐｃｏｎｔｒｏｌ［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ＆Ｍｉｃｒｏａｎａｌｙｓｉｓ，２００５，１Ｉ（Ｓ２）：８２２?８２３．
【ＩＯ］ＱｉａｎＨＸ，ＺｈｏｕＷ，ＭｉａｃＪＭ，ｅｔａｌ．ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆＳｉｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃｓａｎｄＭｉｃｒｏｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００８，１８（３）：０３５００３．
（本文文献格式：钱海霞．微米／纳米Ｊｊｎ－ｒｅ尸的聚焦离子束技术
【Ｊ】．广东化工，２００９，３６（７）：８４—８６）
微米/纳米加工中的聚焦离子束技术
作者：钱海霞， Qian Haixia
作者单位：深圳大学,材料科学与工程系,深圳市特种功能材料重点实验室,广东,深圳,518060
刊名：
广东化工
英文刊名：GUANGDONG CHEMICAL INDUSTRY
年，卷(期)：2009,36(7)
参考文献(10条)
1.Ampere A T Recent developments m nanofabrication using focused ion bcoms[外文期刊] 2005(10)
2.Stewart D K;Doyle A F;Jr J D Focused ion beam deposition of new materials: dielectric films for device modification and mask repair, and Ta films for x-my mask repair[外文期刊] 1995
3.Alex A V;Larry R;Qin W T FIB failure analysis of memory arrays 2004
4.Ehrenfried Z;Eckhard L;Engelmann H J Physical failure analysis in semiconductor industry--challenges of the copper interconnect process 2003
5.Khizroev S;Lavrenov A;Amos N Focused ion beam as a nanofabrication tool for rapid prototyping of nanomagnetic devices[外文期刊] 2006(02)
6.Allameh S M;Yao N;Soboyejo W O Synthesis of self-assembled nanoscale structures by focused ion-beam induced deposition[外文期刊] 2004
7.Giannuzzi L A;Stevie F A Introduction to Focused Ion Beams 2005
8.Fu Y Q;Bryan N;Zhou W Quasi-direct writing of diffractive structures with a focused ion beam[外文期刊] 2004(09)
9.Zhou W;Qian H X;Wang L M Maskless fabrication of highly-ordered periodic nanopillars using FIB and bitmap control 2005(z2)
10.Qian H X;Zhou W;Miao J M Fabrication of Si microstroctures using focused ion beam implantation and reactive ion etching[外文期刊] 2008(03)
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3.张继成.唐永建.吴卫东.ZHANG Jicheng.TANG Yongjian.WU Weidong聚焦离子束系统在微米/纳米加工技术中的应用[期刊论文]-材料导报2006,20(z2)
4.马向国.刘同娟.顾文琪.MA Xiang-guo.LIU Tong-juan.GU Wenqi聚焦离子束技术及其在微纳加工技术中的应用[期刊论文]-真空2007,44(6)
5.余维斌.黄坤火.柯大华聚焦离子束(Focused Ion Beam)原理与其在半导体工业之应用[期刊论文]-电子工业专用设备2003,32(5)
6.江素华.谢进.王家楫.JIANG Su-hua.XIE Jin.WANG Jia-ji新一代微分析及微加工手段--聚焦离子束系统[期刊论文]-电子工业专用设备2000,29(4)
7.章晓文.林晓玲.陈嫒FIB的工作原理及其应用[期刊论文]-电子产品可靠性与环境试验2009,27(z1)
8.刘立建.谢进.王家楫聚焦离子束(FIB)技术及其在微电子领域中的应用[期刊论文]-半导体技术2001,26(2)
9.魏恩浩.徐平.王荣明.商广义.姚骏恩.WEI En-hao.XU Ping.WANG Rong-ming.SHANG Guang-yi.YAO Jun-en聚焦离子束在光纤探针制备技术中的应用[期刊论文]-电子显微学报2009,28(6)
文]-电子显微学报2008,27(3)
本文链接：https://www.360docs.net/doc/de14913085.html,/Periodical_gdhg200907032.aspx