第十四章装配答案
第十四章装配
一、填空
1.按规定的技术要求，将零件或部件进行配合和连接，是指成为半成品或成品的工艺过程成为装配。
2.一般机械产品的装配精度包括零部件间的距离精度、相互位置精度、相对运动精度和接触精度等。
3.保证装配精度的方法主要有互换装配法、分组装配法、修配装配法和调整装配法四种。
4.装配时的精度检验包括几何精度检验和工作精度检验。
5.调整装配法保证装配精度是通过改变调整件的尺寸或位置实现的。
6.常用的可拆卸连接有螺纹连接、键连接和销连接等。
7.螺纹连接件装配的主要技术要求是：有合适、均衡的预紧力，连接后有关零件不发生
变形。螺钉、螺母不产生偏斜和弯曲，以及防松装置可靠。
8.手工修配方法进行键连接时，应以轴槽为基准，锉配键的两侧面，以保证一定的
过盈配合，压入后再以键的侧面为基准，修锉轮毂槽。
9.销连接在机械中主要用来定位、紧固并传递转矩，以及起安全保险作用。
10.带传动张紧力的调整有调整带轮轴间的中心距和使用张紧轮。
11.圆柱齿轮传动机构装配的主要技术要求是：两齿轮间保证严格的传动比，齿轮之间的侧隙和齿面的接触质量符合规定要求，齿宽的错位误差小于规定值。
12.齿轮传动机构装配时，侧隙可用塞尺或百分表直接测量，侧隙较大时可采用压扁软金属丝的方法间接测量。
13.装配滚动轴承时，应保证滚动体不传递装配力。
14.装配推力角轴承时，应采取预紧措施，消除轴承的游隙，使滚动体与滚道的接触面积增大，各滚动体受力均匀，从而使轴承的刚度增大。
15.装配滑动轴承时，应保证轴颈与轴承配合表面接触良好，配合间隙符合规定要求，以及润滑油通道孔位置正确。
二、判断
1.只要所有零件的质量都符合规定的要求，装配出的产品就一定合格。（合格的零件
只有经过正确合理的装配才能获得高质量的产品）（╳）
2.互换装配时，各配合零件可不经修理、选择或调整就能装配出合格的产品。（√）
3.在调整装配过程中，用可动调整法不需要拆卸零件，就可以达到装配精度。（√）
4.用牙形角为600的普通螺纹作紧固连接，螺纹具有自锁作用，所以不需要防松措施。
（但在受到冲击、震动或变载荷作用时可能松动）（╳）
5.成组螺纹连接时，各螺纹件拧紧顺序无要求，一般依次拧紧，既方便，又不会漏拧
螺纹件。（对称拧紧、由里向外）（╳）
6.采用销连接时，被连接零件上的销孔应将零件组合在一起后加工。（√）
7.圆柱销连接的定位精度高于圆锥销连接的定位精度。（低于）（╳）
8.键比键槽容易加工，因此，在单件修配键连接时，都是以轴槽和轮毂槽为基准，锉
配平键来达到装配要求的。（参见填空题8）（╳）
9.为防止松动，重要的螺纹连接应增大拧紧力矩。（设置防松装置）（╳）
10.带传动中，传动带的张紧力过大将造成轴的弯曲变形，并降低传动效率。（√）
11.V带传动中，应使V带与带轮的两侧面和槽底面三面接触，以增大摩擦力。（底面
不能接触）（╳）
12.深沟球轴承的游隙不能调整。（√
13.推力角接触球轴承一般成对使用，装配时须进行预紧。（√）
三、选择
1.修配装配时，预留修配量的修配零件应选择（BC ）
A 容易加工的零件 B. 易于拆卸的 C. 修配面积较小的 D. 结构简单的
2.属于可拆卸连接的有（AD ）
A. 螺纹连接
B. 过盈连接
C. 铆连接
D. 键连接
3. 3.平键连接中，传递转矩是依靠键与键槽的（C ）
A. 上下平面
B. 两端面
C. 两侧面
D.两侧面与底面
4.在装配中保证带轮间相互精度的方法是（C ）法。
A.修配
B. 分组装配
C. 调整
D.完全互换
5.圆柱齿轮啮合的接触斑点如图14－1所示，它表示（B ）
A.齿轮副啮合正常
B. 齿轮副中心距太大
C. 齿轮副中心距太小
D.齿轮副两轴线不平行
6.推力角接触球轴承预紧力的方法有（ABC ）。
A.用两个长度不等的间距套筒分别抵住成对轴承的内外圈
B.将成对轴承的内圈端面磨窄
C.将成对轴承的外圈端面磨窄
D.将成对轴承的内外圈端面同时磨窄。
7.滑动轴承装配时，当轴套压入轴承座后，由于变形常需要进行修正，修正的方法常用
（ACD ）。
A.铰孔
B. 磨孔
C. 刮孔
D.滚压
四、名词解释
1.总装配将若干零件和部件装配成最终产品的装配过程。
2.装配精度机器或部件装配后的实际几何参数与理想几何参数的符合程度。
3.调整装配法装配时改变产品中可调整零件的相对位置或选用合适的调整件以达到
装配精度的方法。
4.轴承的预紧装配时给轴承的内、外圈加一预载荷，使内、外圈产生轴向相对位移，
从而消除轴承的游隙的方法。
五、简述
1.什么是装配？说明装配工作的重要性。
按规定的技术要求，将零件或部件进行配合和连接，使之成为半成品或成品的工艺过程，称为装配。装配工作的质量对产品的质量有很大影响，合格的零、部件只有经过正确、合理的装配，才能获得高质量的产品。
2.保证装配精度的方法有哪几种？说明其适用场合。
a.互换装配法。适用于参与装配的零件较少，产品批量大、零件可以用经济加工
精度制造的场合。
b.分组装配法。使用于大批量生产中装配精度要求高、参与装配的零件数量少且
不便于调整装配的场合。
c.修配装配法。使用于单件、小批量生产，以及装配精度要求高的场合。
d.调整装配法。除必须采用分组装配法的精密配件外，可用于各种装配场合。
3.装配时齿轮副的侧隙如何保证？可用那些方法测量？
装配时，齿轮副的侧隙可通过调整中心距的方法来保证。侧隙的大小可用塞尺或百分表直接测量，侧隙较大的大模数齿轮副，可用压扁软金属丝的方法测量。
4.什么是试装？试装有什么作用？
试装是为保证产品总装配质量而进行的各连接部位的局部试验性装配。
试装时，用调整、更换零件等方法确定试装零件间的相互位置，合适后拆开试装零件并
集成电路封装考试答案
名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联： 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性： 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板： 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 11.气密性封装： 12.是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装： 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试： 16.即温度循环测试。 17.T/S 测试： 18.测试封装体抗热冲击的 能力。 19.TH测试： 20.是测试封装在高温潮湿 环境下的耐久性的实验。 21.PC测试： 22.是对封装体抵抗抗潮湿 环境能力的测试。 23.HTS测试： 24.是测试封装体长时间暴 露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长 时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电 路通断情况。 25.Precon测试： 26.模拟包装、运输等过 程，测试产品的可靠性。 27.金线偏移： 28.集成电路元器件常常因 为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触 从而产生短路，造成元器件的缺陷。 29.再流焊： 30.先将微量的铅锡焊膏印 刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器 件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将 贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传 送带上。 1
集成电路封装考试答案
集成电路封装考试答案 https://www.360docs.net/doc/ec2639602.html,work Information Technology Company.2020YEAR
名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯 片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联： 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基 板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性： 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀 和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板： 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复 合材料基板。 11.气密性封装： 12.是指完全能够防止污染物（液体或固 体）的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装： 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试： 16.即温度循环测试。17.T/S 测试： 18.测试封装体抗热冲击的能力。 19.TH测试： 20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久 性的实验。 21.PC测试： 22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测 试。 23.HTS测试： 24.是测试封装体长时间暴露在高温环境 下的耐久性实验。封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。 25.Precon测试： 26.模拟包装、运输等过程，测试产品的 可靠性。 27.金线偏移： 28.集成电路元器件常常因为金线偏移量 过大造成相邻的金线相互接触从而产生短 路，造成元器件的缺陷。 29.再流焊： 30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印 制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。
机械制图复习题答案
机械制图复习题答案 Revised as of 23 November 2020
《机械制图》复习题答案 一、选择题 1、以圆周来定孔的中心，称为孔位圆，下列正确的画法为：（b） ( a ) ( b ) ( c ) ( d ) 如左图所示，其锥度比应为（b）。 ( a ) 1：4 ； ( b ) 1：6 ； ( c ) 1：10 ； ( d ) 1：14 3、下列表面粗糙度符号标注正确的是：（ a ） (a)(b)(c)(d) 4、下列尺寸标注正确的是（ b ） (a)； (b)； (c)； (d) 5、下列螺纹画法正确的是（ b ）。 ( a ) ( b ) ( c ) ( d ) 6、已知主视图和俯视图，选择正确的左视图。（ d ）
⑴⑵⑶⑷ 7. 已知立体的主视图和俯视图，则正确的左视图是( d )。 8、下列三组剖视图，画得正确的是（ c ）。 9、下面四组重合的断面图中，正确的是（ b ）。 10、下面四组移出断面图中正确的是（ c ）。 (a) (b) (c) (d) 11、已知立体的主视图和俯视图，则正确的左视图是( b )。 12、已知立体的主视图和俯视图，则正确的左视图是( d )。 13、如下图所示，其锥度比应为（ d ）。 14、对于下列四组剖视图，判断正确的是（ 4 ） 15、已知立体的主视图和俯视图，则正确的左视图是( b )。 16、图中表面粗糙度符号标注正确的有（ a ）处。 (a)2； (b)3； (c)4； (d)5。 ( a ) ( b ) ( c ) ( d )
17、已知主视图和俯视图，选择正确的左视图。（ c ） 二、作△EFG 与 MNPQ 的交线，并表明可见性。 三、求一般位置平面与投影面垂直面的交线，并判断可见性。 四、求两平面的交线MN ，并判断可见性。 五、求圆柱被截切后的W 面投影（虚线也要画出）。 六、根据所给的两视图补画第三视图，不可见的线画虚线。 七、根据所给的两视图补画第三视图，不可见的线画虚线。 八、标注尺寸（尺寸由图直接量取，并取整数）。 九、标注尺寸（尺寸由图直接量取，并取整数）。 十、标注尺寸（尺寸由图直接量取，并取整数）。 十一、在主视图的位置作A-A 剖视图，并标注剖切符号。 A-A 十二、求作俯视图，虚线也要画出。 十三、在指定位置将机件的主视图画成半剖视图。 十四、根据给出的两个视图，补画全剖的第三个视图。 十五、读零件图(见下一页)，并回答问题。 1．该零件采用了哪些视图哪些剖视图或剖面图 ( a ) ( b ) ( c ) ( d ) n” p” q” m” e” f” g” e’ n’m’ p’q’ g’ Z O f’
微电子封装必备答案
微电子封装答案 微电子封装 第一章绪论 1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、9页） 答：特点： （1）微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。 （2）微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。 （3）从陶瓷封装向塑料封装发展。 （4）从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 发展趋势： （1）微电子封装具有的I/O引脚数将更多。 （2）微电子封装应具有更高的电性能和热性能。 （3）微电子封装将更轻、更薄、更小。 （4）微电子封装将更便于安装、使用和返修。 （5）微电子封装的可靠性会更高。 （6）微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。 2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。（P15～18页）答：（1）一级微电子封装技术 把IC芯片封装起来，同时用芯片互连技术连接起来，成为电子元器件或组件。 （2）二级微电子封装技术 这一级封装技术实际上是组装。将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。 （3）三级微电子封装技术 由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成，是一种立体组装技术。 3、微电子封装有哪些功能？（P19页） 答：1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护 4、芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？。（P12页） 答：(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分：芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。 （2）Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分：芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu (3)导电胶粘接法(点浆型) 成分：导电胶（含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。） (4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分：有机树脂基（低应力且要必须去除α粒子） 5、简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能。 答：系统组成部分： 1 机械传动系统 2 运动控制系统 3 图像识别（PR）系统 4 气动/真空系统 5 温控系统 6、和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？答： 名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶
微电子技术前沿复习(带答案的哦)
微电子前沿复习提纲 看一些微电子技术发展的知识 1.请给出下列英文缩写的英文全文，并译出中文： CPLD: Complex Programmable Logic Device复杂可编程逻辑器件 FPGA: Field－Programmable Gate Array 现场可编程门阵列 GAL:generic array logic 通用阵列逻辑 LUT: Look-Up-Table 显示查找表 IP: Intellectual Property 知识产权 SoC: System on Chip 片上系统 2.试述AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理; 试说明为什么 AGC BJT的工作频率范围受限? AGC 即自动增益控制（Automatic Gain Control） ? AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理：当输入增加时，输出会同时增加，我们 可利用双极型晶体管的大注入效应和大电流下的基区扩展--kirk效应，衰减增益， 使放大系数降低，则达到了稳定输出的目的。 ?工作频率范围受限原因： 1) 、自动增益控制特性与频率特性是相矛盾，实现AGC需要基区展宽，而器件 的工作频率与基区宽度的平方成反比，要实现大范围的自动增益控制，要求 宽基区，使得工作频率范围受限。 2) 、实现AGC要求基区大注入,基区掺杂浓度低时，易于发生大注入效应，而基 区掺杂浓度动愈低，器件高频噪声愈差，使得工作频率范围受限。 3.为什么双栅MOSFET具有良好的超高频(UHF)特性？ 双栅MOSFET结构如图： 1) 、双栅MOS的端口 Gl靠近源极，对应的基区宽度短，加高频信号，称信号栅，可以实现超高频。 G2靠近漏极，对应的基区宽度较宽，有良好的AGC性能，加固定偏置或AGC电压，作增益控制栅。 2) 、它通过第二个栅极G2交流接地, 可在第一个栅极G1和漏极D之间起到有效的 静电屏蔽作用, 从而使得栅极与漏极之间的反馈电容(是Miller电容)大大减小，则 提高了频率。 4.为什么硅栅、耐熔金属栅能实现源漏自对准，而铝栅不行？实现
机械制图零件图、装配图题库(有难度)
-------------------------------------密-----------------------封-----------------------线--------------------------------- 班级___________ 考场__________ 姓名______________ 学号_________ 徐工技校2011至2012学年度第二学期 《机械制图》期终考试试题库（零件图、装配图） 一、填空题（每空1分） 第九章 零件图 1. 主视图的投影方向应该能够反映零件的 。（难度：A ） 2. 和 公差简称为形位公差（难度：A ） 3. 尺寸公差带是由 和 两个要素组成。 确定公差带位置， 确定公差带大小。（难度：A ） 4. 配合有 和 两种基准制。配合分成间隙配合 、 和 三类。（难度：A ） 5. 允许尺寸变动的两个 称为极限尺寸。（难度：A ） 6. 极限与配合在零件图上的标注，其中一种形式是在孔或轴的基本尺寸后面注出基本偏差代号和公差等级，这种形式用于 的零件图上。第二种形式是在孔或轴的基本尺寸后面，注出偏差值，这种形式用于 的零件图上。第三种是在孔或轴的基本尺寸后面，既注出基本偏差代号和公差等级，又同时注出上、下偏差数值，这种形式用于 的零件图上。（难度：B ） 7. 形位公差的框格用 线绘制，分成 格或多格 。（难度：A ） 8. 按作用不同，可将基准分为 基准和 基准。（难度：A ） 9. 基孔制的孔（基准孔）的基本偏差代号用 符号表示，其基本偏差值为 。基轴制的轴（基准轴）的基本偏差代号用 符号表示，其基本偏差值为 。（难度：A ） 10. 基本偏差是决定公差带相对零线位置的 。（难度：A ） 11. 外螺纹的规定画法是：大径用 表示；小径用 表示；终止线用 表示。（难度：A ） 12. 当被连接零件之一较厚，不允许被钻成通孔时，可采用 连接。（难度：A ） 13. 剖切平面通过轴和键的轴线或对称面，轴和键均按 形式画出，键的顶面和轮毂键槽的底面有间隙，应画 条线。（难度：A ） 14. Tr40×14(P7)LH-8e-L 的含义_____________________________________________（难度：B ） 15. 模数大，齿距 ，齿厚、齿高也随之 ，因而齿轮的承载能力 。（难度：B ） 16. 螺纹的旋向有 和 两种，工程上常用 螺纹。（难度：B ） 17. 单个圆柱齿轮的剖视图中，当剖切平面通过齿轮的轴线时，轮齿一律按 绘制，齿根线画成 线。（难度：B ） 18. 普通平键有 、 和 三种结构类型。（难度：B ） 19. 左旋螺纹要注写 。（难度：A ） 20. 普通平键的标记：键 GB/T1096 18×11×100表示b= mm ，h= mm ，L= mm 的A 型普通平键（A 省略不注）。（难度：B ） 第十章 装配图 1. 在装配图中，当剖切平面通过某些标准产品的组合件，或该组合件已由其他图形表达清楚时，可只画出 。（难度：A ） 2. 装配图中的明细栏画在装配图右下角标题栏的 方，栏内分格线为 线，左边外框线为 线。（难度：A ） 3. 两个零件的接触表面，只用 条共有的轮廓线表示；非接触面画 条轮廓线。（难度：A ） 4. 装配图中的 ，用来表达机器（或部件）的工作原理、装配关系和结构特点。（难度：A ） 5. 在装配图中 尺寸表示机器、部件规格或性能的尺寸。（难度：A ） 6. 在各视图中，同一零件的剖面线方向与间隔必须 。（难度：A ） 7. 装配图中的指引线应自所指引部分的可见轮廓内引出，并在指引线末端画一 。若所指部分不便于画圆点时，可在指引线末端画 ，并指向该部分的轮廓线。（难度：A ） 8. 一张完整的装配图包括以下几项基本内容： 、 、 和标题栏、零件序号、明细栏。（难度：A ） 9. 装配图中零件序号应自下而上，如标题栏上方位置不够时，可将明细栏顺序画在标题栏的
微电子封装复习题
电子封装是指将具有一定功能的集成电路芯片，放置在一个与之相适应的外壳容器中，为芯片提供一个稳定可靠的工作环境；同时，封装也是芯片各个输出、输入端的向外过渡的连接手段，以及起将器件工作所产生的热量向外扩散的作用，从而形成一个完整的整体，并通过一系列的性能测试、筛选和各种环境、气候、机械的试验，来确保器件的质量，使之具有稳定、正常的功能。 从整个封装结构讲，电子封装包括一级封装、二级封装和三级封装。 芯片在引线框架上固定并与引线框架上的管脚或引脚的连接为一级封装； 管脚或引脚与印刷电路板或卡的连接为二级封装； 印刷电路板或卡组装在系统的母板上并保证封装各组件相对位置的固定、密封、以及与外部环境的隔离等为三级封装。 前工程： 从整块硅圆片入手，经过多次重复的制膜、氧化、扩散，包括照相制版和光刻等工序，制成三极管、集成电路等半导体组件卫电极等，开发材料的电子功能，以实现所要求的元器件特性。 后工程： 从由硅圆片切分好的一个一个的芯片入手，进行装片、固定、键合连接、塑料灌封、引出接线端子、按印检查等工序，完成作为器件、部件的封装体，以确保元器件的可靠性并便于与外电路连接。 ?环保和健康的要求 ?国内外立法的要求 ?全球无铅化的强制要求 1、无铅钎料的熔点较高。 比Sn37Pb提高34~44 oC。高的钎焊温度使固/液界面反应加剧。 2 、无铅钎料中Sn含量较高。 （SnAg中96.5% Sn ，SnPb中63%Sn），因为Pb不参与固/液和固/固界面反应，高Sn含量使固/液、固/固界面反应均加速。 3 小尺寸钎料在大电流密度的作用下会导致电迁移的问题。
(1) 无毒化，无铅钎料中不含有毒、有害及易挥发性的元素 (2) 低熔点，无铅钎料的熔点应尽量接近传统的Sn-Pb 共晶钎料的熔点(183℃)，熔化温度间隔愈小愈好。 (3) 润湿性，无铅钎料的润湿铺展性能应达到Sn-Pb 共晶钎料的润湿性，从而易于形成良好的接头。 (4) 力学性能，无铅钎料应具有良好的力学性能，焊点在微电子连接中一个主要作用是机械连接。 (5) 物理性能，作为微电子器件连接用的无铅钎料，应具有良好的导电性、导热性、延伸率，以免电子组件上的焊点部位因过热而造成损伤，从而提高微电子器件的可靠性。 (6) 成本，从Sn-Pb 钎料向无铅钎料转化，必须把成本的增加控制在最低限度。因此应尽量减少稀有金属和贵重金属的含量，以降低成本。 电子元器件封装集成度的迅速提高，芯片尺寸的不断减小以及功率密度的持续增加，使得电子封装过程中的散热、冷却问题越来越不容忽视。而且，芯片功率密度的分布不均会产生所谓的局部热点，采用传统的散热技术已不能满足现有先进电子封装的热设计、管理与控制需求，它不仅限制了芯片功率的增加，还会因过度冷却而带来不必要的能源浪 。电子封装热管理是指对电子设备的耗热元件以及整机或系统采用合理的冷-~IJl 散热技术和结构设计优化，对其温度进行控制，从而保证电子设备或系统正常、可靠地工作。 热阻 由于热导方程与欧姆定律形式上的相似性，可以用类似于电阻的表达式来定义热阻 式中，?T 是温差，q 为芯片产生的热量。 该式适用于各种热传递形式的计算。 1、 具有极高耐热性 2、 具有极高吸湿性 3、 具有低热膨胀性 4、 具有低介电常数特性 电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)制造的重要的材料。电解铜箔生产工序简单，主要工序有三道：溶液生箔、表面处理和产品分切。 q T R th ?=
第10章装配图
后盖前盖螺GB/T71-198垫基螺GB/T70.1-200螺卡材数序名备台职院机电夹紧卡爪1:1 1 2 1. 阅读千斤顶装配图，回答下列问题剖，俯视种零件组成。其表达方法是：
主视图采用了剖和 ) 该装配体的名称叫，共由局部螺旋千斤顶全7图。 图和一个图采用了的方法，另外还有一个件5的局部视图沿结合面处剖切件3的移出断面图 画法。的极限位置；件4横杠采用了 2）主视图上方的双点划线是画法，表示顶垫假想折断规格是尺寸，表示千斤顶的高度行程是尺寸，其中，3）图中尺寸225和275属于是50配合配 合。，该处属于基制的 尺寸，H9表示，h8表示间隙非基准轴的公差带代号孔基准孔的公差带代号基本 运动。运动转变为，其作用是将螺杆的4）件2螺套与件3螺杆为联接，螺纹牙型为螺纹直线旋转矩形 5）千斤顶的顶举重力是，与件7螺钉旋合的螺孔在 时加工。。装配10000螺旋千斤顶是利用螺纹传动来顶举重物的。工作时，将横杠穿在螺杆上部的孔中，旋转横杠4，带动螺杆3旋6）简述螺旋千斤顶的工作原 理： 。转，由于螺套2固定不动，迫使螺杆的旋转运动转变为上下的直线运动，带动顶垫5上下运动，从而顶起物体。 3 2. 阅读钻模装配图，回答下列问题种。种共个零件组成，其中标准件有1) 该钻模是由 对称面重合，故省略了标注。剖，剖切面与机件前后方向的2）主视图采用了剖和局部全。3）件1底座的侧面有个弧形槽，其作 用是，与被钻孔工件的定位尺寸为排屑和给钻头让位。，主要作用是孔，其定位尺寸是。件4钻套的材料是个4）件3钻模板上有定位、导向、耐磨、可换，属于图中双点划线表示画法。假想被加工件制的 5）是件号和件号的 配合尺寸，属于基，n表示的配合，H7表示 孔基准孔的公差带代号非基准轴过渡 。代号，7和6代表 基本偏差代号公差等级6）三个孔钻完后，应先松开，再取出，工件便可拆下。和7）与底座1相邻的零件有
《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版分析
1．集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？ 集成电路的发展过程: ?小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) ?中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) ?大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) ?超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) ?特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) ?巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） 划分集成电路规模的标准 2．超大规模集成电路有哪些优点？ 1. 降低生产成本 VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少. 2.提高工作速度 VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得. 3. 降低功耗 芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降. 4. 简化逻辑电路 芯片内部电路受干扰小,电路可简化. 5.优越的可靠性 采用VLSI后，元件数目和外部的接触点都大为减少，可靠性得到很大提高。 6.体积小重量轻 7.缩短电子产品的设计和组装周期 一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度. 3．简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。 1、形成N阱 2、形成P阱 3、推阱 4、形成场隔离区 5、形成多晶硅栅 6、形成硅化物 7、形成N管源漏区 8、形成P管源漏区 9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装，完成集成电路的制造工艺 4．在VLSI设计中，对互连线的要求和可能的互连线材料是什么？ 互连线的要求 低电阻值：产生的电压降最小；信号传输延时最小（RC时间常数最小化） 与器件之间的接触电阻低 长期可靠工作 可能的互连线材料 金属（低电阻率），多晶硅（中等电阻率），高掺杂区的硅(注入或扩散)（中等电阻率）
集成电路封装考试答案
. 名词解释： 1.集成电路芯片封装： 利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装： 是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 3.芯片互联： 将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 4.可焊接性: 指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 5.可润湿性： 指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 6.印制电路板： 为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 7.气密性封装： 是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。 8.可靠性封装： 是对封装的可靠性相关参数的测试。9.T/C测试： 即温度循环测试。 10.T/S 测试： 测试封装体抗热冲击的能力。 11.TH测试： 是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。 12.PC测试： 是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。 13.HTS测试： 是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长时间放置在高 温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。 14.Precon测试： 模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。 15.金线偏移： 集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。 16.再流焊： 先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制 板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件 分印制板放在再流焊设备的传送带上。
微电子笔试(笔试和面试题)有答案
第一部分：基础篇 （该部分共有试题8题,为必答题，每位应聘者按自己对问题的理解去回答，尽可能多回答你所知道的内容。若不清楚就写不清楚）。 1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。 数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。 模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。 数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。 FPGA是英文Field－Programmable Gate Array的缩写，即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、EPLD 等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。 2、你认为你从事研发工作有哪些特点？ 3、基尔霍夫定理的内容是什么？ 基尔霍夫电流定律:流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。 基尔霍夫电压定律:环路电压的总和为零。
欧姆定律: 电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。 4、描述你对集成电路设计流程的认识。 模拟集成电路设计的一般过程： 1.电路设计依据电路功能完成电路的设计。 2.前仿真电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真。 3.版图设计（Layout）依据所设计的电路画版图。一般使用Cadence软件。 4.后仿真对所画的版图进行仿真，并与前仿真比较，若达不到要求需修改或重新设计版图。 5.后续处理将版图文件生成GDSII文件交予Foundry流片。正向设计与反向设计 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University 自顶向下和自底向上设计 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University Top-Down设计 –Top-Down流程在EDA工具支持下逐步成为 IC主要的设计方法 –从确定电路系统的性能指标开始，自系 统级、寄存器传输级、逻辑级直到物理 级逐级细化并逐级验证其功能和性能 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University Top-Down设计关键技术 . 需要开发系统级模型及建立模型库，这些行 为模型与实现工艺无关，仅用于系统级和RTL 级模拟。
第10章 装配图
第十章装配图 表达机器（或部件）的图样称为装配图。机器（或部件）都是由若干零件按一定的相互位置、连接方式、配合性质等装配关系组合而成的装配体。因此，装配图也可以说是表达装配体整体结构的图样。 10.1 装配图的作用和内容 10.1.1装配图及其作用 在设计过程中，一般先根据设计要求画出装配图，用以表达机器（或部件）的工作原理、结构形状、装配关系、传动路线和技术要求等，然后再根据装配图绘制零件图。 在生产过程中，根据零件图加工制造零件，再把合格的零件按装配图的要求组装成机器（或部件）。装配图是指导装配、检验、安装、调试、的技术依据。 在使用和维修过程中，通过装配图了解其使用性能，传动路线和操作方法，以使得操作使用正确、维修保养及时。 因此，装配图是反映设计思想、指导生产、交流技术的重要工具，是生产中的重要技术文件。 10.1.2装配图的内容 一张完整的装配图应包括下列基本内容： 1．一组视图 用一组视图表示机器（或部件）的工作原理和结构特点、零件的相互位置和装配关系和重要零件的结构形状。 图11-1是铣刀头装配图，它用两个视图表达了铣刀头各个零件的装配关系，工作原理和结构特点。 2．必要的尺寸 装配图上只要求注出表示机器（或部件）的规格、性能、装配、检验及安装所需要的一些尺寸。如图11-1中的φ80K7,φ35k6为装配尺寸，155为安装尺寸。 3．技术要求 在装配图中应注出机器（或部件）的装配、安装、检验和运转的技术要求。如图11-1中的文字说明。 4．零件序号、明细栏 在装配图上，应对每个不同的零件（或组件）编写序号，在零件明细表中依次填写零件的序号、名称、件数、材料等内容。 5．标题栏
《集成电路芯片封装技术》考试题
得分评分人 得分评分人 得分 评分人 《集成电路封装与测试技术》考试试卷 班级: 学号 姓名 一 一、填空题（每空格1分 共18分） 1、封装工艺属于集成电路制造工艺的 工序。 2、按照器件与电路板互连方式，封装可分为引脚插入型（PTH ）和 两大类。 3、芯片封装所使用的材料有许多，其中金属主要为 材料。 4、 技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。 5、在芯片贴装工艺中要求：己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘的尺寸要与芯片大小要 。 6、在倒装焊接后的芯片下填充，由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片-基板的中心流动。一个12,7mm 见方的芯片， 分钟可完全充满缝隙，用料大约0,031mL 。 7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于 的毛刺。 8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料，则烧结后的膜是一种介电体，通常可用于制作 。 9、能级之间电位差越大，噪声越 。 10、薄膜电路的顶层材料一般是 。 11、薄膜混合电路中优选 作为导体材料。 12、薄膜工艺比厚膜工艺成本 。 13、导电胶是 与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。 14、绿色和平组织的使命是： 。 15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时，铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点 。 16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板，它通常被归类于 层次的电子封装技术 17、印制电路板通常以 而制成。 18、IC 芯片完成与印制电路板的模块封装后，除了焊接点、指状结合点、开关等位置外，为了使成品表面不会受到外来环境因素，通常要在表面进行 处理。 二、选择题（每题2分 共22分） 1、TAB 技术中使用（ ）线而不使用线，从而改善器件的热耗散性能。 A 、铝 B 、铜 C 、金 D 、银 2、陶瓷封装基板的主要成分有（ ） A 、金属 B 、陶瓷 C 、玻璃 D 、高分子塑料 3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列（DIP ）封装，前者适合于高可靠性的元器件制作，后者适合于低成本元器件大量生产”，这句话说法是（ ）。 A 、 正确 B 、错误 4、在芯片切割工序中，（ ）方法不仅能去除硅片背面研磨损伤，而且能除去芯片引起的微裂和凹槽，大大增强了芯片的抗碎裂能力。 A 、 DBT 法 B 、DBG 法 5、玻璃胶粘贴法比导电胶的贴贴法的粘贴温度要（ ）。 A 、低 B 、高 6、打线键合适用引脚数为（ ） A 、3-257 B 、12-600 C 、6-16000 7、最为常用的封装方式是（ ） A 、塑料封装 B 、金属封装 C 、陶瓷封装 8、插孔式PTH(plated through-hole 镀金属通孔)封装型元器件通常采用（ ）方法进行装配。 A 、波峰焊 B 、回流焊 9、相同成分和电压应力下，长电阻较之短电阻电位漂移要（ ） A 、小 B 、大 10、金属的电阻噪比半导体材料电子噪声（ ） 。 A 、高 B 、低 11、（ ）技术适合于高密度和高频率环境 A 、厚膜技术 B 、薄膜技术
微电子工艺技术-复习要点答案
第四章晶圆制造 1．CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。 答：1、溶硅2、引晶3、收颈4、放肩5、等径生长6、收晶。CZ法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化（需要注意的是熔硅的时间不宜过长）。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。 FZ法：即悬浮区融法。将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。 CZ法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶。 FZ法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较CZ法高。②无需坩埚、石墨托，污染少③高纯度、高电阻率、低氧、低碳④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。 MCZ：改进直拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀性 2．晶圆的制造步骤【填空】 答：1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蚀 5、化学机械抛光 3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】 答：111和100. 4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。 答：在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。 5. 氢离子注入键合SOI晶圆的方法 答：1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。2、注入一定的H形成富含H的薄膜。3、晶圆A翻转并和晶圆B键合，在热反应中晶圆A的H脱离A和B键合。4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆 6. 列出三种外延硅的原材料，三种外延硅掺杂物【填空】 7、名词解释：CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOI、HOT(混合晶向)、应变硅 答：CZ法：直拉单晶制造法。FZ法：悬浮区融法。SOI：在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT：使用选择性外延技术，可以在晶圆上实现110和100混合晶向材料。应变硅：通过向单晶硅施加应力，硅的晶格原子将会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。 第五章热处理工艺 1. 列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？
集成电路封装与测试复习题 - 答案
一、填空题 1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。 2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。 3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。 4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。 5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。 6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。 7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。 8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。 9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、
光刻工艺。 10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。 11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。 12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。 13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。 14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。 15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、 丝网印刷、钢模板印刷三种。 16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。 二、名词解释 1、芯片的引线键合技术(3种) 是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上
微电子封装技术作业(一)
第一次作业 1 写出下列缩写的英文全称和中文名称 DIP: Double In-line Package, 双列直插式组装 BGA: ball grid array, 球状矩阵排列 QFP: Quad flat Pack, 四方扁平排列 WLP: Wafer Level Package, 晶圆级封装 CSP: Chip Scale Package, 芯片级封装 LGA: Land grid array, 焊盘网格阵列 PLCC: Plastic Leaded Chip Carrier, 塑料芯片载体 SOP: Standard Operation Procedure, 标准操作程序 PGA: pin grid array, 引脚阵列封装 MCM: multiple chip module, 多片模块 SIP: System in a Package, 系统封装 COB: Chip on Board, 板上芯片 DCA: Direct Chip Attach, 芯片直接贴装，同COB MEMS: Micro-electromechanical Systems, 微电子机械系统 2 简述芯片封装实现的四种主要功能，除此之外LED封装功能。 芯片功能 （1）信号分配;(2)电源分配；（3）热耗散：使结温处于控制范围之内；（4）防护：对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护 LED器件 （2）LED器件：光转化、取光和一次配光。 3 微电子封装技术的划分层次和各层次得到的相应封装产品类别。 微电子封装技术的技术层次 第一层次：零级封装-芯片互连级（CLP） 第二层次：一级封装SCM 与MCM（Single/Multi Chip Module） 第三层次：二级封装组装成SubsystemCOB（Chip on Board）和元器件安装在基板上 第三层次：三级微电子封装，电子整机系统构建 相对应的产品如图（1）所示：
集成电路版图复习课答案总结(最终版)
1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义 ⑴集成度(Integration Level)：以一个IC芯片所包含的元件(晶 体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。 ⑵特征尺寸 (Feature Size) /（Critical Dimension）：特征尺 寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极 所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和 的一半。 ⑶晶片直径(Wafer Diameter)：当前的主流晶圆的尺寸为12吋(300mm)，正在向18吋(450mm)晶圆迈进。 ⑷芯片面积(Chip Area)：随着集成度的提高，每芯片所包含的晶 体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。 ⑸封装（Package）：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部 接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯 片用的外壳。 2、简述集成电路发展的摩尔定律。 2集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 3、集成电路常用的材料有哪些？ 集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs 以 及InP 等；绝缘体材料，如SiO2、SiON 和Si3N4 等；金属材料， 如铝、金、钨以及铜等。
4、集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点。 双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）。优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。 CMOS集成电路：主要由NMOS、PMOS构成CMOS电路，功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 BiCMOS集成电路：同时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为BiCMOS集成电路，综合了双极和CMOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 5、解释基本概念: 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延 微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。 集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。 集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。
集成电路封装测试题 期末2017
1、引线键合技术的分类及结构特点？ 答： 1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压 焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引 力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。 2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量， 通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅 杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。于是，劈刀 就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜）表面迅 速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。这种形变也破坏了Al层界面的氧 化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固 的焊接。 3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。这是由于它操作方 便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。现代的金丝球焊机往往 还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。可实 现微机控制下的高速自动化焊接。因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、 小功率晶体管的焊接。 2、载带自动焊的分类及结构特点？ 答：TAB按其结构和形状可分为 Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um， Cu-PI双层带 Cu-粘接剂-PI三层带 Cu-PI-Cu双金属 3、载带自动焊的关键技术有哪些？ 答：TAB的关键技术主要包括三个部分： 一是芯片凸点的制作技术； 二是TAB载带的制作技术； 三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ） 4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？ 答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点； 电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。先整体形成UBM 层并用作电镀的导电层，然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。电镀形成了厚的凸点。 印刷焊料凸点：焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上，然后经过回流而形成凸点钉头焊料凸点：这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。可用Au 丝线或者Pb 基的丝线。 化学凸点：化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。