各种硅片不良的解决方案
断线善后处理
首先做好断线记录（断线时间、机台号、部位、切深）留好线头
一.查明断线原因及断线情况.
二.急时上报，未经同意，不得私自处理。
三.处理流程：
1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割.
2.切深≦60mm中部或进线端断线，以30mm/min直接升起，迅速
布线，8000流量砂浆冲洗，冲片时在线网上铺上无尘纸，
冲开粘在一起的片子后，迅速把晶棒降到距线网2mm处，然后以10mm/min的进给认真仔细的“认刀”。3.中部或进线端断线，切深在50mm---80mm之间的，以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,，停止。线速调到2m/s，以2%走线1cm，以调平线网，停止。打开砂浆8000流量均匀冲片子。把晶棒两侧的线网小心的剪掉（剪时要用手捏着）,留出3-4厘米的线头,另一端不剪.(进线端有线网的一定要保留该部分线网,以便重新布线.剪两侧线网时一定要用手或其他夹紧物,夹紧预留的线网头.)布线网,重新切割。4进线端或中部断线切深超过80mm的视情况能认刀的就认刀否则就反切或直接拉线正向切割。
4.进线端断线，第一次断线，切深在80mm.1换掉放线轮，用一个
空的收线轮来代替。以低于原2N（左19和右21）的张力，切割线方向改为:右，其他参数不变,手动2m/s的线速走1m,不要开砂浆。
2把晶棒提升至30---40mm处，重新对接焊线，焊线时要焊接均匀，
焊接点的点径要和线径相同。经15N的线速走线300——400米，改张力为自动切割的张力，每秒1米，不开沙浆，走到出线端5米时，把张力改为15N，待线头在收线轮上绕2——3圈，改回原来的张力。把晶棒压到断线位置误差在0.05mm，打开砂浆。以1m/s 速度的20%，走上1m，经班长确认无误后进行切割。
5.经上环节中必须处理好线网（其中包括，碎片、胶条、沙浆颗粒）
在升晶棒前，把胶条去掉，上升速度为每分钟10mm,上升过程中如夹线，不可用手去摸，只能用手动轻微探摁一下，把线网走平。
6.认线前5m/s的速度走线100m，在不松开张力的情况下，停止走
线，然后以10mm/min认刀，要一次性认进。
7.反向切割设置修改：进给降低1个百分点，线速降低1M/S，流
量增加300KG/H。
8.线头编号方法:年+月+日+机台号+第几次断线数.例
如:080501-20-01
9.请工序稽查人员按照此标准做巡检
崩边问题
问题点：粘胶面崩边
异常现象：脱胶后，在方棒两头的硅片粘胶面呈现边沿发亮，
硅层呈线式脱落崩边, 及距粘胶面0.1mm处线式崩边。脱胶和清洗
时观察不到崩边，检验时能发现崩边。
原因分析：
一.开方进给不稳，外圆刀锯转速不稳，刀锯金刚砂层质量不好，造成刀痕过重，方棒表面刀纹不平，凹凸起伏，隐型损伤（指的是锯开方）线开方损伤可忽略
二.方棒温度低，胶在凝固时的高温反应热，破坏了粘胶面的硅层结构
三.硅片预冲洗水温低于XX度，脱胶水温低于XX度，胶层未完全软化时员工就用手把硅片用力作倒。
四.由于采用的是小槽距大线径，不可避免会在出刀时造成硅片向阻力小的一方的倾斜，方
棒两头的硅片受到的阻力最
小，造成两个棒
子四个头部近32毫米长度内的硅片出现崩边。
五.粘接剂太硬（不便说出硬度系数），在钢线出硅棒粘胶面的瞬间，破坏了硅层。
预防措施：
一.脱胶，经过控制脱胶的规范操作，即使前道工序已经对方棒表面产生不良影响，经过优化粘胶方式和手法，也要把损失降低到最
低点。在目前的设备配置前提下，严格要求脱胶工“45~50 度温水，浸泡25分钟”
联系设备部，做硅片隔条，降低硅片倒伏时的倾度。
二.严格控制方棒超声池的水温在40度，超声到粘胶的时间间隔控制在2小时内，粘胶房的温度控制在25度，湿度不超过50%。
三.对开方机进行一次进给和转速校正，开方后的方棒经打磨后再滚圆。并请设备部做出设备三级维护计划书。做定期维护保养
四.“分线网”硅片切割：方棒两头各留出2mm不切割，减少切割过程中硅片向两侧“分叉”
另外一种办法：做一个可调试挡板系统，挡住
方棒两头，防止硅片“分叉”崩边。
五，采用线开方和磨面机，有条件的最好腐蚀一下。更换粘接力强但硬度适中的粘接剂
善后处理：磨砂玻璃和1700#碳化硅按一定的水分比例选择某种手势，力度，角度磨掉在边长要求范围内的崩边（标准作业指导书）
硅片厚薄不均预防措施
一.T V偏大或偏小：根据客户要求片厚，计算出
最佳成本/质量的槽距，钢线，碳化硅，砂浆密度。
二.TTV》15um的硅片占比超过0.62%，属于
异常。对于一次切割的单位，应增加导向条（部位不提供），两次切割的单位最好把导轮（主辊）槽距改一下或第二次切割时砂浆流量增大500公斤/小时（5l/min）或多更换20公斤砂浆。
三.硅片的进刀处的进线端（角）偏薄或偏厚，
应修改进刀时的砂浆流量
四：同一个硅片的厚度呈大-小-大-小分布的，应调整切割工艺程序。进给，线速，流量应均匀同步变化。
五，跳线引起的某刀硅片厚度异常，同一个片
的厚度异常，不同片子的厚度偏差等，因通过加过滤网/过滤袋/振荡过滤器和切割前仔细过滤，没有跳线来消除。
线痕5m1e分析
花污片分析：
一.切割液掺有次氯酸,特别是回收液.对硅片腐蚀特别严重.(请品管部门分析切割液的成分)
2.预冲洗的水压,水质,流量,角度,冲洗时间等,总之预冲洗要硅片表面无明显赃污,才能进入脱胶
3.脱胶时尽量全泡,水温50-60℃,加3%的草酸或柠檬酸或乳酸,自然倒伏.
4.脱胶完毕后,25~30℃纯水中超声10分钟,超声功率在2000w左右水要循环.
5.清洗剂(不同厂家)大部们都是重量比为5%的比例,温度设为60℃,超声5分钟.
6.关键是员工有没有执行和我们提供的设备工具能否满足需要.\
7.如果是个老厂,突然出现花污片了一般要在辅料上找问题(切割液清洗剂回收砂等.)
8.更换时一定要用标准容器，更换量视故硅片规格和数量而定
我们这次碰到的结果发现花污提取物中含有超过3%Fe ，由于在线切过程中大量带进Fe 的只会是刚线本身的磨损，所以可以看出，硅片经过脱胶清洗之后，仍然残留Fe,就是残余砂浆在作祟。Fe 本身在切割液环境中是出于还原气氛，所以相对稳定，但是在脱胶的时候，接触的是60度左右的水，这是一个氧化的环境，金属氧化物非常容易与残余的碳氢键形成
共价物粘附于硅表面，难以清洗。
一种是将整轴钢线进多次切割，每次为单向切割，这种工艺我们使用在NTC机型上；
一种是一段线进行多次切割，这种工艺我们使用在MBDS264机型上。
钢线有两个参数，一个是椭圆度，一个是磨损量。
你可以从这两个方面考虑，钢线经过一次切割后会磨损变形，这是多次切割就会对硅片表面造成影响。
单向切割表面粗糙度一般在5微米内，双向切割表面粗糙度会增加3——5倍。
线网断线：
我的定义：拉伸强度超出了钢线的极限拉伸强度，造成拉伸断裂。
分析问题的方法：人、机、料、法、环。
人、机、法、环：广度较大，我不做分析。
料：硅料、浆料
硅料：分单晶和多晶。切割过程中，我认为硅棒对钢线的作用主要是力的作用，径向的压力（工件平台始终向下运动），摩擦力（阻碍钢线横向移动）；
浆料：切割过程中，我认为浆料对钢线的伤害是很大的，也存在很多不确定因素。主要表现为磨损，降低钢线的极限拉升强度。
综上，硅棒对钢线的作用力越大，浆料对钢线的磨损越严重（极限拉伸强度越小），钢线越易断线。
注：多晶比单晶易断线，因为多晶存在晶界，晶界的组成很复杂，由于硬度等关系，对钢线的作用力是变化，瞬间超出极限拉伸强度的可能性较大。
浆料中杂质较多，颗粒不均匀，钢线断线的几率也会提高
断线主要分布在
1、收放线部分。
1-1、滑轮磨损过大或被割穿，这个时候也许不会断线！但是钢线会缠在滑轮上！所以滑轮品质的稳定性非常重要。
1-2、钢丝的磨损过大也容易引起收线端断线。
1-3、象楼上的兄弟所定义：拉伸强度超出了钢线的极限拉伸强度，造成拉伸断裂。所以滑轮的材质要选对，不能太硬。
利用软件系统记录每一次切片的详细数据，比如说：整个切片过程中机器的各种参数及其变化曲线、浆料信息、以及前段工艺中有关硅块结晶情况等等。将这些数据与切片的结果关联起来，做成一个庞大的数据库。这个数据库，就是宝贵的专家经验。
接着这样做：
系统自动比对前段工艺中的硅块的品质信息，线切机最近的运行状态，钢线的使用次数、磨损量，装载的浆料的成分品质信息、回收次数等等。然后找出以前的切片中与之最匹配、切片效果最佳的配方设定点，线速、线弓大小、力度等等。
钢线。如果钢线的椭圆度差的话，也会出现线痕。比如片子上整体比较干净，但是在某个高度时出现单道线痕，而且是所有片子在同一个高度出现。
在切割过程中，大家经常会遇到各种问题，谨就大家经常认为是碳化硅微粉造成的影响以及
硅片表面线痕问题探讨如下：
1. 硅片表面偶尔出现单一的一条阴刻线（凹槽）或一条阳刻线（凸出），并不是由于碳化硅微粉的大颗粒造成的，而是单晶硅、多晶硅在拉制或浇筑过程中出现的硬质点造成线网波动形成的；
2. 硅片表面在同一位置带有线痕，很乱且不规则，我认为是导轮或机床震动过大或者是多晶硅铸锭的大块硬质点造成的；
3. 重启机床后第一刀出现线痕——机床残留水分或液体，造成砂浆粘度低，钢线粘附碳化硅微粉量下降，切削能力降低。
4. 调整新工艺、更换新型耗材后出现线痕：
①砂、液比例不合适，或液体粘度太大，造成砂浆粘度太大或太小，砂浆难以进入线缝或碳化硅含量较低。
②碳化硅切割能力差，无法与切割速度相适应。
③钢线圆度不好，进入锯缝砂浆量不稳定。
④钢线的张力太大或太小，造成钢线携带砂浆能力差或线弓太小砂浆无法正常进入锯缝。
⑤钢线速度过快或过慢，造成砂浆无法粘附或切割效率下降，影响切割效果。
⑥各参数适配性差。
5. 硅片切割到某一段出现偏薄或偏厚的废片，分界非常明显，一般是由于跳线引起的，跳线的原因：
①导轮使用时间太长，严重磨损引起的跳线。
②砂浆的杂质进入线槽引起的跳线。
③导轮表面脏污。
④晶棒端面从切割开始到切割结束依次变长，造成钢线受侧向力而跳出槽外。
⑤晶棒存在硬质点，造成钢线偏移距离过大跳出槽外。
线痕业内在拣片工序大致可分以下几类：（由轻到重）
1。摩擦线痕：清洗后由片子相互摩擦产生，可能是由于清洗不净或表层脱离引起
2。亮线痕：钢线摩擦硅片产生的白色线痕，就是你说的线印
3。突起状线痕，也就是常说的线痕：应该是由于跳线或切削力不足或晶体硬质点引起的4。轻微划伤，轻而短的未贯串的划伤：大颗粒或碎硅片引起的短划伤
5。划痕，贯串整个片子较深的划伤，易从划伤处产生裂片：单晶较少出现，多晶主要由硬质点、晶界或微晶引起
硅片解决方案
各种硅片不良的解决方案 一。断线：如何让预防断线；断线后如何处理（M&B。NTC HCT）把损失降低到最少二。硅片崩边。线式崩边点式崩边倒角崩边 三。厚薄不均：一个角偏薄，厚薄不均 四。线痕：密集线痕亮线线痕 五。花污片：脱胶造成的花污片清洗造成的花污片 接下来将对以上五种关键不良做从5M1E6个方面做详细的分析预防善后等 具体是什么参数比如0.10钢线要求瞬间破断力多少？1200# 1500# 2000#碳化硅的颗粒圆形度粒径大小要求黏度张力要求多少等 大家去按照这个方向去找对策做计划（P），做好可量化的点检表（D），主管亲自抓班长去督导（C），总结检查的结果进行处理，成功的经验加以肯定并适当推广、标准化；失败的教训加以总结，以免重现，未解决的问题放到下一个PDCA循环（A）。 这个虽然写的是M&B264的原因分析，但是从标准化管理角度来说，应该还是具有普遍意义的哦 断线善后处理首先做好断线记录（断线时间、机台号、部位、切深）留好线头 1. 查明断线原因及断线情况. 2. 及时上报，未经同意，不得私自处理。 3. 处理流程：1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割. 2.切深≦60mm中部或进线端断线，以30mm/min直接升起，迅速布线，8000流量砂浆冲洗，冲片时在线网上铺上无尘纸， 冲开粘在一起的片子后，迅速把晶棒降到距线网2mm处，然后 以10mm/min的进给认真仔细的“认刀”。3.中部或进线端断线，切深在50mm---80mm之间的，以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,，停止。线速调到2m/s，以2%走线1cm，以调平线网，停止。打开砂浆8000流量均匀冲片子。把晶棒两侧的线网小心的剪掉（剪时要用手捏着）,留出3-4厘米的线头,另一端不剪.(进线端有线网的一定要保留该部分线网,以便重新布线.剪两侧线网时一定要用手或其他夹紧物,夹紧预留的线网头.)布线网,重新切割。4进线端或中部断线切深超过80mm的视情况能认刀的就认刀否则就反切或直接拉线正向切割。 4.进线端断线，第一次断线，切深在80mm.1换掉放线轮，用一个空的收线轮来代替。以低于原2N（左19和右21）的张力，切割线方向改为:右，其他参数不变,手动2m/s的线速走1m,不要开砂浆。2把晶棒提升至30---40mm处，重新对接焊线，焊线时要焊接均匀，焊接点的点径要和线径相同。经15N的线速走线300——400米，改张力为自动切割的张力，每秒1米，不开沙浆，走到出线端5米时，把张力改为15N，待线头在收线轮上绕2——3圈，改回原来的张力。把晶棒压到断线位置误差在0.05mm，打开砂浆。以1m/s速度的20%，走上1m，经班长确认无误后进行切割。 5.经上环节中必须处理好线网（其中包括，碎片、胶条、沙浆颗粒）在升晶棒前，把胶条去
不良资产管理制度(修订版)
不良资产管理制度 第一章总则 第一条为保证股份公司资产的安全、完整，提高资产质量，避免资产风险，真实反映资产实际状况，严格加强对不良资产的规范管理，特制订本制度。 第二条不良资产是指在生产经营过程中因各种原因形成的过期的、不适用或不需用，应当清理报废及盘亏或预计可能造成损失的各项资产。 第三条不良资产具体包括以下类型： 1、逾期应收账款； 2、超储积压、不适用或不需用的呆滞物料和废料； 3、超储积压的各种型号的产品、等外品和残次成品； 4、不适用、不需用或损毁报废且未提足折旧的固定资产； 5、费用未摊销完而不需用、不适用或提前报废的各种模具； 6、盘亏的资产或其他类型的不良资产； 第四条本制度适用于股份公司本部及各下属经营单位。 下载附件教育市场推广方案 2010年4月22日这几天一直在培训核心竞争力什么不仅个人思
第二章不良资产确认及损失计提标准 第五条不良资产确认标准 1、逾期应收账款确认标准：内销应收账款以发货日为准，出口应收账款从报关日起计算账龄，超过销售合同或销售协议规定期限的应收而未收回的货款。 2、不良存货确认标准：（1）不良物料：采购入库超过1个月（战略储备物质除外）及不需用、不适用的物料；（2）不良产成品：存放超过6个月（淡季备货除外）及不适销对路正品、等外品和残次品； 3、不良固定资产确认标准：不需用或因故停用需转入清理且未提足折旧的各类固定资产。 4、不良模具确认标准：所有权归本公司（含帐内及帐外模具）因工艺更改或产品更新等原因而不需用、不适用的模具和未摊销完提前报废、毁损的模具。 5、不良无形资产及其他资产确认标准：不再使用或失去使用价值的无形资产及其他资产。 第六条不良资产损失准备按以下标准纳入责任制考核 1、损失计提标准如下： 下载附件教育市场推广方案 2010年4月22日这几天一直在培训核心竞争力什么不仅个人思
扩散工艺常见质量问题及分析
扩散工艺常见质量问题及分析 一、硅片表面不良 1、表面合金点。形成表面合金点的主要原因是表面浓度过高。 （1）预淀积时携带源的气体流量过大。如CVD预淀积时源的浓度过高，液态源预淀积时通源的气体流量过大或在通气时发生气体流量过冲； （2）源温过高，使扩散源的蒸气压过大； （3）源的纯度不高，含有杂质或水份； （4）预淀积时扩散温度过高，时间太长； 为了改善高浓度扩散的表面，常在浓度较高的预淀积气氛中加一点氯气，防止合金点产生。 2、表面黑点或白雾。这是扩散工艺中经常出现的表面问题。一般在显微镜下观察是密布的小黑点，在聚光灯下看是或浓或淡的白雾。产生的原因主要有： （1）硅片表面清洗不良，有残留的酸性水汽； （2）纯水或化学试剂过滤孔径过大，使纯水或化学试剂中含有大量的悬浮小颗粒（肉眼观察不到）； （3）预淀积气氛中含有水分； （4）扩散N2中含有水分； （5）硅片在扩散前暴露在空气中时间过长，表面吸附酸性气氛； 3、表面凸起物。主要是由较大粒径的颗粒污染经过高温处理后形成的。如灰尘、头屑、纤维等落在硅片表面，或石英管内的粉尘、硅屑等在进出舟时溅到硅片表面。表面凸起物一般在日光灯下用肉眼可以看到。 4、表面氧化层颜色不一致。通常是用CVD预淀积时氧化层厚度不均匀；有时也可能是扩散时气体管路泄漏引起气氛紊乱；气体还有杂质，使扩散过程中生长的氧化层不均匀，造成氧化层表面发花； 5、硅片表面滑移线或硅片弯曲。这是硅片在高温下的热应力引起的，一般是由进出舟速度过快，硅片间隔太小，石英舟开槽不合适等引起的。 6、硅片表面划伤，边缘缺损，或硅片开裂等，通常是由操作不当造成的。也有石英舟制作不良（放片子的槽不在同一平面上或槽开的太窄，卡片子）的因素。 二、漏电流大 漏电流大在集成电路失效的诸因素中通常占据第一位。造成集成电路漏电流大的原因很多，几乎涉及到所有的工序。主要有： （1）表面沾污（主要是重金属离子和碱金属离子）引起的表面漏电； （2）Si－SiO2界面的正电荷，如钠离子、氧空位，界面态等引起的表面沟道效应，在p型区形成反型层或耗尽层，造成电路漏电流偏大； （3）氧化层的缺陷（如针孔等）破坏了氧化层在杂质扩散时的掩蔽作用和氧化层在电路中的绝缘作用而导致漏电； （4）硅片（包括外延层）的缺陷引起杂质扩散时产生管道击穿； （5）隔离再扩散深度和浓度不够，造成隔离岛间漏电流大（严重时为穿通）；
硅材料基础知识
导体：导体是很容易导电的物质，电阻率约为10-6-10-8Ωcm, 绝缘体：极不容易或根本不导电的一类物质。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，目前已知的半导体材料有几百种，适合工业化的重要半导体材料有：硅、锗、砷化镓、硫化镉，电阻率介于10-5-1010Ω（少量固体物质如砷、锑、铋，不具备半导体基本特性，叫做半金属。 冶金级硅（工业硅）：将自然级自然界的SI02矿石冶炼成元素硅的第一步，冶金级硅分为两类：1、供钢铁工业用的工业硅，硅含量约为75%。2、供制备半导体硅用，硅含量在99.7%-99.9%，它常用作制备半导体级多晶硅的原料。 多晶硅：1、改良西门子法，2、硅烷法，3、粒状硅法。 改良西门子法：多晶硅生产的西门子工艺，在11000C左右德高纯度硅芯上还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。过程：1、原料硅破碎；2、筛分（80目）——沸腾氯化制成液态的SIHCL3——粗馏提纯——精馏提纯——氢还原——棒状多晶硅——破碎——洁净分装。 硅烷法：原料破碎——筛分——硅烷生成——沉积多晶硅——棒状多晶——破碎、包装。单晶硅：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体，纯度要求达到99.9999%甚至达到99.9999999%用于制造半导体器件、太阳能电池等。 区域熔炼法：制备高纯度、高阻单晶的方法。 切克劳斯基法（直拉法）：制作大规模集成电路、普通二极管和太阳能电池单晶的使用方法。硅棒外径滚磨：将单晶滚磨陈完全等径的单晶锭。 硅切片：硅切片是将单晶硅原锭加工成硅圆片的过程（内圆切片机刀口厚度在300-350um，片厚300-400um。线切机刀口厚度不大于200u，片最薄可达200-250u.）. 硅磨片：一般是双面磨，用金刚砂作原料，去除厚度在50-100u，用磨片的方法去除硅片表面的划痕，污渍和图形，提高硅片表面平整度。用内圆切片机加工的硅片一般都需要进行研磨。 倒角：将硅切片的边沿毛刺、崩边等倒掉。 抛光片：大规模集成电路使用的硅片。 硅材料电性能的三个显著特点： 1、对温度的变化十分灵敏，当温度提高时，电阻率将大幅度下降。 2、微量杂志的存在对电子的影响十分显著，纯硅中加入百万分之一的硼，电阻率就会 从2.14*103下降至4*10-3Ω。 3、半导体材料的电阻率在受到光照时会改变其数值大小。 本征硅：绝对纯净没有缺陷的硅晶体称作本征硅，本征硅中导电的电子和空穴都会由于其价键破裂而产生。体内电子和空穴浓度相等。 N型硅：在纯硅中掺入V族元素（如、磷、砷等），能够提供自由电子的杂质统称为施主杂质，掺入施主杂质的硅叫N型硅。以电子为多数载流子的半导体。 P型硅：在纯硅中掺入III型元素（如硼）以后，具有接受电子的杂质成为受主杂质，掺入受阻杂质的硅叫做P型硅。以空穴为多数载流子的半导体。 单晶：一块晶体如果从头到尾按照同一种排列重复下去叫做单晶体， 多晶：许多微小单晶颗粒杂乱的排列在一起称为多晶体。 晶体中的缺陷：点缺陷、线缺陷、面缺陷、孪晶、旋涡、杂质条纹、堆垛层错、氧化层错、滑移线等 电阻率： 高能粒子探测器：要求几千乃至上万Ω的FZ单晶。
硅片不良片判定
不合格樣品參考圖片/定義 Chips 缺口/崩邊No V-type sharp chip Length of edge chip ≦ 5mm, Depth ≦ 0.5mm, No. of chip ≦ 3 ICOS PV Wafer Inspector Saw mark 切割線痕≦ 15μm (Depth) 1. 目視檢驗 2. 使用SJ-201量測 Crack and pin holes 裂痕與針狀列口None 不可有 ICOS Microcrack Inspector Micro-crack Inclusions Surface Cleanliness 表面潔淨度 As cut and cleaned, No stains, scratch, contamination, watermark and fingerprints 表面須清洗乾淨, 無可 見斑點, 玷汙及化學殘 留物Contaminations ICOS PV Wafer Inspector Standard Wafer Specification 外觀 檢驗項目檢驗規格檢驗工具 Micro-crack, pitting holes and inclusions 內部微裂痕, 凹陷與內含物Non-penetrating, None penetrating micro crack, inclusions and holes 不可有 ICOS Microcrack Inspector 2F-11, No.32, Jiajheng 9th St., Jhubei City, Hsinchu County 302, Taiwan R.O.C. Page 1 of 3
最全金融企业不良资产批量转让的管理办法完整版.doc
金融企业不良资产批量转让管理办法 第一章总则 第一条为盘活金融企业不良资产，增强抵御风险能力，促进金融支持经济发展，防范国有资产流失，根据国家有关法律法规，制定本办法。 第二条本办法所称金融企业，是指在中华人民共和国境内依法设立的国有及国有控股商业银行、政策性银行、信托投资公司、财务公司、城市信用社、农村信用社以及中国银行业监督管理委员会（以下简称银监会）依法监督管理的其他国有及国有控股金融企业（金融资产管理公司除外）。 其他中资金融企业参照本办法执行。 第三条本办法所称资产管理公司，是指具有健全公司治理、内部管理控制机制，并有5年以上不良资产管理和处置经验，公司注册资本金100亿元（含）以上，取得银监会核发的金融许可证的公司，以及各省、自治区、直辖市人民政府依法设立或授权的资产管理或经营公司。 各省级人民政府原则上只可设立或授权一家资产管理或经营公司，核准设立或授权文件同时抄送财政部和银监会。上述资产管理或经营公司只能参与本省（区、市）范围内不良资产的批量转让工作，其购入的不良资产应采取债务重组的方式进行处置，不
得对外转让。 批量转让是指金融企业对一定规模的不良资产（10户／项以上）进行组包，定向转让给资产管理公司的行为。 ——谢辉律师注：即10户以上不良资产处置（批量）的一级市场只能针对特定主体，而10户以下的处置（非批量）可以向社会投资者转让。 第四条金融企业应进一步完善公司治理和内控制度，不断提高风险管理能力，建立损失补偿机制，及时提足相关风险准备。第五条金融企业应对批量处置的不良资产及时认定责任人，对相关责任人进行严肃处理，并将处理情况报同级财政部门和银监会或属地银监局。 第六条不良资产批量转让工作应坚持依法合规、公开透明、竞争择优、价值最大化原则。 （一）依法合规原则。转让资产范围、程序严格遵守国家法律法规和政策规定，严禁违法违规行为。 （二）公开透明原则。转让行为要公开、公平、公正，及时充分披露相关信息，避免暗箱操作，防范道德风险。 （三）竞争择优原则。要优先选择招标、竞价、拍卖等公开转让方式，充分竞争，避免非理性竞价。 （四）价值最大化原则。转让方式和交易结构应科学合理，提高效率，降低成本，实现处置回收价值最大化。
太阳电池常见问题
1.脏片是怎样造成的？ 原因：前清洗下料端、扩散上下料端员工手套脏污或PVC手套破裂，有汗液沾到硅片。 2.麻点怎样造成的？ 原因：环境中粉尘较多，硅片清洗后放置时间过长；碱槽结晶盐过多，喷淋被堵；手套脏污；出料口滚轮脏污 3.油污是怎样造成的？ 原因：来料问题；药液问题，一般怀疑是碱槽冷凝管破裂，造成碱槽污染 4.过刻是怎样造成的？ 原因：排风不稳定;翻液；循环流量过大；气泡炸裂，一般是液位太低，引流管存在气泡；滚轮不平； 5.黑边是怎样造成的？ 原因：HNO3、H2SO4含量高，溶液力大，硅片边缘反应剧烈； 6.药残是怎样造成的？ 原因：后清洗酸槽或碱槽浓度异常，导致酸液或碱液残留； 7.蓝斑是怎样造成的？ 原因：机器叠片，硅片表面酸、水残留，经过扩散后被氧化成蓝色 8.多孔硅是怎样造成的？ 原因：碱槽浓度低，多孔硅没有被完全清洗干净
9.滚轮印是怎样造成的？ 原因：硅片上有药液残留或者是其他玷污；ACD处滚轮脏污； 10.P ECVD后硅片表面有白色斑点或斑块是怎样造成的？ 原因：扩散隔离不严，将蓝色点、麻点片流到PE；后清洗酸碱槽浓度存在问题，导致药残；PSG未去除干净；碱槽结晶盐或碎片挡住喷淋口； 11.为什么进入车间之前要进行风淋 原因：生产电池片对车间部空气洁净度要求高，为避免员工进出带入微尘污染，故而需对员工进行风淋，一般风淋时间在10-20秒之间； 12.为什么要穿戴无尘服，口罩及乳 原因：防止车间污染，保持良好洁净度便于电池片高效生产； 13.清洗机台为什么要换药？ 14.原因：药液使用到一定程度，药性下降不利于正常生产，工艺制程会有问题。 15.一般多久换一次药 原因：根据生产片数换药，制绒30万片就要换药，刻蚀在80-100万换药； 16.为什么清洗机台部都是塑料结构没有金属呢？ 原因：金属会与机台药液反应，使得金属离子导入，污染电
半导体IC清洗技术
半导体IC清洗技术 李仁 （中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京 101601） 摘要：介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法, 并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。 关键词：湿法清洗；RCA清洗；稀释化学法；IMEC清洗法；单晶片清洗；干法清洗 中图分类号：TN305.97 文献标识码：B 文章编号：1003-353X(2003)09-0044-04 1前言 半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。 2污染物杂质的分类 IC制程中需要一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程总是在人的参与下在净化室中进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。 2.1 颗粒 颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。通常颗粒粘附在硅表面，影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析，其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。
国有企业不良资产处置暂行办法
关于印发《湖南省省属国有企业不良资产处置暂行办法》的 通知 湘国资〔〕号 各省直有关厅局、行管办，各省属企业： 为规范省属国有企业改革中不良资产处置管理，现将《湖南省省属国有企业不良资产处置暂行办法》印发给你们，请认真遵照执行。 湖南省人民政府国有资产监督管理委员会 湖南省财政厅 二○○五年一月二十三日 湖南省省属国有企业不良资产 第一章总则 第一条为进一步规范省属国有企业不良资产申报、核销、移交、处置等行为，提高国有资产质量，防止国有资产流失，实现国有资产保值增值，根据国家、省有关法律法规和财 务会计制度，制定本办法。 第二条本办法所称不良资产，是指企业盘亏、报废、毁损的固定资产、在建工程及存 货等实物资产，不能收回的债权、股权、其他权益资产及虚盈实亏的账面资产。 第三条企业由于以下情形而清查全部资产的，清查的不良资产可以核销所有者权益： （一）企业合并或者分立； （二）实施公司制改建； （三）非公司制企业整体出售； （四）根据有关规定清产核资； （五）依法清理整顿或者变更管理关系； （六）其他依法改变企业组织形式的行为等。 第四条对不良资产所对应的资产损失确认及核销，按照国务院国资委《关于印发国有企业资产损失认定工作规则的通知》（国资评价〔〕号）、《关于印发国有企业清产核资资金核实工作规定的通知》（国资评价〔〕号）和财政部《关于国有企业执行＜企业会计制度＞有关财务政策问题的通知》（财企〔〕号）、《关于建立健全企业应收款项管理制度的通知》（财企〔〕〕号）、《企业资产损失财务处理暂行办法》（财企〔〕号）等有关规定执行。 第二章不良资产申报与核销 第五条企业不良资产核销申报的程序。列入省国资委监管范围的省属国有企业，不良资产核销由监管企业母公司初审；未列入省国资委监管范围的省属国有企业，不良资产核销 由企业主管部门初审。企业母公司或企业主管部门初审后，上报省国资委审批。 第六条企业不良资产核销申请报告及相关材料如下： （一）申请核销报告主要内容为： 、企业基本情况简介；
半导体硅材料基础知识.1
微秒是10-6秒）。所谓非平衡载流子是指当半导体中载流子的产生与复合处于平衡状态时，由于受某种外界条件的作用，如受到光线照射时而新增加的电子——空穴对，这部分新增加的载流子叫作非平衡载流子。 对于P型硅而言：新增加的电子叫作非平衡少数载流子；而新增加的空穴叫作非平衡 多数载流子。 对于N型硅而言：新增加的空穴叫作非平衡少数载流子；而新增加的电子叫作非平衡 多数载流子。 当光照停止后，这些非平衡载流子并不是立即全部消失，而是逐渐被复合而消失，它们存在的平均时间就叫作非平衡载流子的寿命。 非平衡载流子的寿命长短反映了半导体材料的内在质量，如晶体结构的完整性、所含杂质以及缺陷的多少，因为硅晶体的缺陷和杂质往往是非平衡载流子的复合中心。 少子寿命是一个重要的参数，用于高能粒子探测器的FZ硅的电阻率高达上万Ωcm，少子寿命上千微秒；用于IC工业的CZ硅的电阻率一般在5—30Ωcm 范围内，少子寿命值多要求在100μs以上；用于晶体管的CZ硅的电阻率一般 在30—100Ωcm，少子寿命也在100μs以上；而用于太阳能电池CZ硅片的电 阻率在0.5—6Ωcm，少子寿命应≥10μs。 5. 氧化量：指硅材料中氧原子的浓度。 太阳能电池要求硅中氧含量＜5×1018原子个数/cm3。 6. 碳含量：指硅材料中碳原子的浓度。 太阳能电池要求硅中碳含量＜5×1017原子个数/cm3。 7、晶体缺陷 另外：对于IC用硅片而言还要求检测： 微缺陷种类及其均匀性； 电阻率均匀性； 氧、碳含量的均匀性； 硅片的总厚度变化TTV； 硅片的局部平整度LTV等等参数。 一、我公司在采购中常见的几种硅材料 1.Cell：称为电池片，常常是电池片厂家外销的产品，它实际是一个单元电池。 2.Wafer：这通常指的是硅片，可能是圆片，也可能是方片。 圆片包括：硅切片，硅磨片、硅抛光片、图形片、污渍片、缺损片。 3.Ingot：常常指的是单晶硅锭，且是圆柱形的硅锭，也有用指多晶硅铸锭的。 4.Polysilicon：通常是指多晶硅料，它又分为棒料、块料、碎料。 5.碳头料(goods with carbon)：通常指多晶硅棒的下部接近石墨头的部分 6.横梁料(beam)：通常是指多晶硅棒最上部的横梁，由于其处在硅棒上部，靠近炉 顶部，且过热（生成温度超过1100℃），也常是金属杂质较多的部分，常不 适合于IC工业，而作为太阳电池材料。 7.头尾料（top and tail）：这是指拉制单晶锭的头部和尾部的部分，它由于电阻率 范围不在IC适用范围内，杂质浓度高（如尾料），或缺陷密度大（如头部料） 而被切下报废，但可作太阳电池的原料。 8.埚底料（Pot scrap）：这是指CZ单晶拉制结束后残留于石英埚底部的余料，常用 作太阳电池片的原料。
注塑产品不良原因分析及解决方案
注塑成型品质改善原因分析 未射饱(缺料) 1.射出压力不足； 2.保压压力不足； 3.射出时间不足； 4.加料(储料)不足； 5.射料分段位置太小； 6.射出终点位置太小； 7.射出速度不够快； 8.射嘴﹑料管温度不够； 9.模具温度不够；10.原料烘干温度﹑时间不足；11.注塑周期太快，预热不足；12.原料搅拌不均匀；(背压不足，转速不够) 13.原料流动性不足(产品壁太薄)；14.模具排气不足；15.模具进料不均匀；16.冷料井设计不合理；17.冷料口太小，方向不合理；18.模穴內塑胶流向不合理；19.模具冷卻不均匀；20.注塑机油路不精确﹑不够快速；21.电热系統不稳定，不精确；22.射嘴漏料,有异物卡住；23.料管內壁﹑螺杆磨损，配合不良； 毛边(飞边) 1.射出压力和压力太大； 2.锁模高压不够； 3.背压太大； 4.射出和保压时间太长； 5.储料延迟和冷却时间太长； 6.停机太长，未射出热料； 7.射出压.保压速度太快； 8.螺杆转速太快,塑胶剪切，磨擦过热； 9.料管温度太高.流延；10.模温太高﹑模腔冷却不均匀；11.注塑行程调试不合理；12.保压切换点，射出终点太大； 13.模具裝配组合不严密；14.合模有异物,调模位置不足；15.锁模机构不平行﹑精确；16.顶针润滑﹑保养不足；17.滑块﹑斜导柱配合压不到位；18.模腔镶件未压到位，撐出模面；19.进料口设计分布不均匀合理；20.产品设计导致某处內壁太薄和结尾处太远；21.小镶件组合方式不合理,易发生变形；22.镶件因生产中磨损﹑变形﹑圆角；23.镶件未设计稳固性﹑未抱合，加固；24.模腔內排气槽太深； 气泡(气疮) 1.射出﹑保压压力不足； 2.背压太小﹑原料不够扎实； 3.射出速度太快； 4.储料速度太快； 5.料管温度太高, 模具温度太低； 6.材料烘干温度﹑时间不足； 7.射退太多； 8.注塑周期太长(预热时间增加)； 9.加料位置不足，射出终点太小； 10.前﹑后松退位置太长；11.机器油压不稳定；12.料管﹑螺杆压缩比不够；13.原料下料﹑搅拌不均匀； 14.料管逆流,有死角；15.模具进料口太小﹑模穴內流动不够快速；16.冷料井设计不当,冷料进入模穴；17.模具冷卻不当,模仁温度太高； 18.产品设计內壁太厚,內应力不均匀；19.原料添加剂不当,易分解析出；
不良资产处置管理办法
不良资产处置管理 办法
不良资产处理管理办法 第一章总则 第一条为提高本公司业务管理水平，规范不良资产管理行为，提高不良资产处理效率，确保不良资产回收价值最大化，根据相关政策规定制定本办法。 第二条本办法所称不良资产，是指我公司按照信贷资产质量五级分类管理办法标准划分的次级类、可疑类、损失类资产（包括小贷业务、担保业务、投资业务及其它信贷业务）。 第三条不良资产管理是根据不良资产的内在特性，经过科学管理方法与流程，对不良资产实行全面管理与最佳处理。 第四条不良资产管理应遵循以下原则： （一）真实性原则。不良资产分类、认定、调查、估值、减值准备计提与使用、处理清收、损失问责应实事求是，准确反映。 （二）依法合规原则。不良资产管理与处理全过程，均需严格按照相关法律法规和政策制度规定执行，规范操作。 （三）处理减损原则。不良资产形成后，应采取措施防止不良资产价值贬损，及时清收，转化和处理，实现不良资产回收最大化。 （四）损失补偿原则。按照损失程度对不良资产提取风险拨备，并及时处理与消化处理损失。 （五）责任追究原则。对发生的不良资产，应进行责任认定
和追究。 第二章不良资产认定 第五条不良资产认定按照公司《信贷资产质量五级分类管理办法》相关规定执行。小贷业务或担保业务虽未到期、或虽然到期但仍处于“关注”形态，业务部门、风控部门及公司总经理认为存在很大风险的，均可提前发起不良资产认定程序。 第六条存在下列情况之一的，风控部必须提交风控会议审议审批：不良资产欲认定为正常类、关注类的；风控部门与业务部门对分类结果有异议的；有权审批人（总经理）认为有必要调整形态而提交集体审议的。 第三章不良资产估值与预案处理 第七条不良资产经公司风审讨论会认定，并由总经理签批后，由分管业务的副总经理牵头，在3个工作日内完成不良资产估值工作。不良资产估值实行回避制度，原业务调查人员不得参与不良资产估值。参加不良资产估值的人员由总经理指定，且不少于两人。不良资产估值也可委托专业评估机构进行。 第八条不良资产估值前业务部应完成尽职调查。尽职调查应对不良资产客户的基本情况、客户资产及抵（质）押情况、客户负债及我公司贷款情况及担保人情况、或担保业务标的情况及反担保措施情况、影响受偿的其它因素和不良资产处理可能出现的结果等进行
硅片清洗原理与方法介绍
硅片清洗原理与方法介绍 1引言 硅片经过切片、倒角、研磨、表面处理、抛光、外延等不同工序加工后，表面已经受到严重的沾污，清洗的目的就是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染。 2硅片清洗的常用方法与技术 在半导体器件生产中，大约有20％的工序和硅片清洗有关，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采用各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。 由于晶盟现有的清洗设备均为Wet-bench类型，因此本文重点对湿法化学清洗的基本原理、常用方法及其它与之密切相关的技术手段等进行论述 3．1湿法化学清洗 化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，或伴以超声、加热、抽真空等物理措施，使杂质从被清除物体的表面脱附（解吸），然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位，因此有必要首先对湿法化学清洗及与之相关的技术进行全面的介绍。 3．1．1常用化学试剂、洗液的性质 常用化学试剂及洗液的去污能力，对于湿法化学清洗的清洗效率有决定性的影响，根据硅片清洗目的和要求选择适当的试剂和洗液是湿法化学清洗的首要步骤。
表一、用以清除particle、metal、organic、nature-oxide的适当化学液 3．1．2溶液浸泡法 溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。 选用不同的溶液来浸泡硅片可以达到清除不同类型表面污染杂质的目的。如采用有机溶剂浸泡来达到去除有机污染的目的，采用1号液（即SC1，包含H2O2、NH3OH化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除有机、无机和金属离子的目的，采用2号液（即SC2，包含HCL、H2O2化学试剂以及H2O）浸泡来达到清除AL、Fe、Na等金属离子的目的。 单纯的溶液浸泡法其效率往往不尽人意，所以在采用SC1浸泡的同时往往还辅以加热、超声或兆声波、摇摆等物理措施。
硅片薄厚片问题
一、概况 切片工序是制备太阳能硅片的一道重要工序，太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒，同时工作台位置缓慢下降，由于碳化硅的硬度大于多晶硅（晶体硅的莫氏硬度为6.5，碳化硅的莫氏硬度为9.5），依靠碳化硅的棱角不断地对硅块进行磨削，起到切割作用。薄厚片是衡量硅片品质的一个很重要的指标。薄厚片的存在会影响硅片合格率及电池片的生产工艺，因此这对硅片品质提出了更加严格的要求。 二、硅片厚度产生偏差的原理 硅片的切割过程是在导轮上完成的，钢线在导轮上缠绕形成相互平行的均匀线网，并以10-15m/s的速度运动，砂浆经浆料嘴均匀地流到线网，砂浆中的碳化硅由于悬浮液的悬浮作用裹覆在钢线上，对硅块进行切割。但是随着切割的进行，钢线和碳化硅都会出现不同程度地磨损，钢线的椭圆度增大，携砂能力下降，同时碳化硅的圆度变大，平均粒径减小，切割能力也有所降低，因此，通常在平行工作台运动的方向，硅片入刀点厚度小于出刀点厚度；而和硅块运动方向垂直的方向上，硅片入线侧厚度小于出线侧厚度。硅片厚度有一定的偏差范围，对于180μm厚度的硅片，其偏差范围为±20μm，超过此范围则成为不良品--薄厚片。从根本上讲，薄厚片的产生都是由于各种问题导致线网抖动而造成的。 三、薄厚片原因分析 薄厚片可分为两大类： （1）TV（ThicknessVariation厚度偏差），主要指硅片与硅片之间相同位置之间的厚度偏差，通常存在于同一锯硅片中。 （2）TTV（TotalThicknessVariation整体厚度偏差），指同一片硅片上最厚位置与最薄位置之间的偏差。薄厚片根据其在硅片内的分布位置可以分为四类：整片薄厚（TV）；入刀点薄厚（TTV）；硅片中部至出刀点薄厚（TTV）；单片薄厚不均（TTV）。其产生原因分析如下： (1)整片薄厚： a.导轮槽距不均匀。硅片厚度=槽距-钢线直径-4倍的（碳化硅）D50，根据所需的硅片厚度要求，可以计算出最佳槽距。此外由于在切割过程中，钢线会磨损，钢线直径变小，且端口由圆形变为椭圆形，因此导轮槽距需要根据线损情况进行补偿，以保证硅片厚度均匀。 b.切割前未设好零点。正确设置零点的方法是（以HCT机床为例）：将晶棒装载入机床后，手动降工作台使四条晶棒的导向条刚刚接触线网并点击触摸屏主界面设零点按钮，然后慢速将工作台升至-1.5mm位置真正设零点并命名切割编号。如果零点位置设置不当，导向条接触到线网，则在切割开始后钢线由于受摩擦力作用张力不稳，导致从入刀开始即产生整片薄厚。 c.导向条与硅块之间留有缝隙，切割开始后，随着钢线的运行，部分碎导向条被带入线网，钢线错位，由于钢线在切割过程中会瞬间定位，这样就造成硅片整片薄厚的现象。 d.导轮槽磨损严重。导轮涂层为聚氨酯材料，切割一定刀数后导轮槽根部磨损严重，导轮槽切偏，切割过程中钢线在导轮槽内由于左右晃动导致产生整片薄厚。 解决措施： a.导轮开槽后检查槽距是否均匀，且要根据线损情况对导轮槽距进行补偿。
硅片线痕分析
硅片线痕分析 分类：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下： 1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。 表现形式：（1）线痕上有可见黑点，即杂质点。 （2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。 （3）以上两种特征都有。 （4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。 改善方法：（1）改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。 （2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。 其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中 出现“切不动”现象。如未及时发现处理，可导致断 线而产生更大的损失。 2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。 表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。 改善方法：（1）针对大颗粒SIC（2.5~3D50），加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC先进行试用，然后再进行正常使用。 （2）导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PEG水分含量超标（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游离C（<0.03%）以及<2μm微粉超标。 其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。 3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。 表现形式：（1）硅片整面密集线痕。
硅片清洗及原理
硅片清洗及原理 硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。 清洗的作用 1.在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。 2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高。 3.硅片中杂质离子会影响P-N 结的性能，引起P-N 结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N 结的性能。 4.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。 清洗的原理 要了解清洗的原理，首先必须了解杂质的类型，杂质分为三类：一类是分子型杂质，包括加工中的一些有机物；二类是离子型杂质，包括腐蚀过程中的钠离子、氯离子、氟离子等；三是原子型杂质，如金、铁、铜和铬等一些重金属杂质。目前最常用的清洗方法有：化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。 1.目前的化学清洗步骤有两种： （1）有机溶剂（甲苯、丙酮、酒精等）→去离子水→无机酸（盐酸、硫酸、硝酸、王水）→氢氟酸→去离子水 （2）碱性过氧化氢溶液→去离子水→酸性过氧化氢溶液→去离子水 下面讨论各种步骤中试剂的作用。 a.有机溶剂在清洗中的作用 用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗过程中，甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蜡等有机物杂质。所利用的原理是“相似相溶”。 b.无机酸在清洗中的作用 硅片中的杂质如镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质，只能用无机酸除去。有关的反应如下：
硅片检测
1618845313 一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。 二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。 四、去磷硅玻璃 该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 五、等离子刻蚀 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空
硅片清洗的方法
硅片清洗的方法 一、硅片清洗的重要性 硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤，而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。 现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术，常见的有：湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技术、气相清洗、非浸润液体喷射法、硅片在线真空清洗技术、RCA标准清洗、等离子体清洗、原位水冲洗法等。这些方法和技术现已广泛应用于硅片加工和器件制造中的硅片清洗。 表面沾污指硅表面上沉积有粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化物等的一种或几种。超纯表面定义为没有沾污的表面, 或者是超出检测量极限的表面。 二、硅片的表面状态与洁净度问题： 硅片的真实表面由于暴露在环境气氛中发生氧化及吸附，其表面往往有一层很薄的自然氧化层，厚度为几个埃、几十个埃甚至上百埃。真实的硅片表面是内表面和外表面的总合，内表面是硅与自然氧化层的界面，。外表面是自然氧化层与环境气氛的界面，它也存在一些表面能级，并吸附一些污染杂质原子，而且不同程度地受到内表面能级的影响，可以与内表面交换电荷，外表面的吸附现象是复杂的。 完好的硅片清洗总是去除沾污在硅片表面的微粒和有害膜层，代之以氧化物的、氯化物的或其它挥发元素(或分子)的连续无害膜层，即具有原子均质的膜层。硅片表面达到原子均质的程度越高．洁净度越高。 三、硅片表面沾污杂质的来源和分类： 在硅片加工及器件制造过程中，所有与硅片接麓的外部媒介都是硅片沾污杂质的可能来源。这主要包括以下几方面：硅片加工成型过程中的污染，环境污染，水造成的污染，试剂带来的污染，工业气体造成的污染，工艺本身造成的污染，人体造成的污染等。
硅片清洗技术详解
硅片清洗主要内容讲解 1、清洗的基本概念和目的。 硅片加工的目的是为器件生产制作一个清洁完美符合要求的使用表面，所谓清洗，就是清洗硅片的表面，去除附着在硅片上的污染物。 2、硅片清洗室的管理与维护； （1）人员流动的管理和清洁室的作业人数。 （2）清洗室内物品器具的管理。 （3）清洗室内其它影响清洗质量因素的管理维护。如；空气过滤系统、防静电处理、温度与湿度系统等！ 3、硅片表面沾污的类型； （！）有机杂质沾污；如；胶黏剂、石蜡、油脂等。 （2）颗粒类型杂质沾污；一般来自加工中磨料和环境中的尘粒。 （3）金属杂质沾污；由生产加工的设备引起的金属杂质沾污。 4、硅片清洗处理方法分类； 硅片清洗处理方法分为湿法清洗和干法清洗两大类。而湿法清洗又分为化学清洗和物理清洗两种方法。 化学清洗——利用各种化学试剂对各种杂质的腐蚀、溶解、氧化及络合等作用去除硅片表面的沾污。 物理清洗——硅片的物理清洗法主要指的是利用超声波和兆声波清洗方法。 5、化学清洗的各种试剂的性质应用和分级； （1）有机溶剂清洗；有机溶剂能去除硅片表面的有机杂质沾污。主要溶液有；甲苯、丙酮、乙醇等。根据其性质须在使用甲苯、丙酮后在使用乙醇进行处理，最后在用水冲洗。（2）无机酸及氧化还原清洗；无机酸试剂主要为；盐酸（HCI）、硝酸（HNO3）、硫酸（H2SO4）、氢氟酸（HF）以及过氧化氢（H2O2）—双氧水。其中过氧化氢主要用于氧化还原清洗。 其它试剂按其本省性质进行应用清洗。硅片金属清洗主要是利用了它们的强酸性、强腐蚀性、强氧化性的特性从而达到去除表面金属沾污的目的。 （3）化学清洗的分级主要分为优级纯、分析纯和化学纯三个级别。视清洗的种类和场合进行合理选择。通常硅片切割片和研磨片的清洗可以使用分析纯试剂，抛光片须用优级纯试剂。具体试剂分类有国家规定标准。 6、超声波清洗原理、结构和应用要素； 原理—提供高频率的震荡波在溶剂中产生气泡和空化效应，利用液体中气泡破裂所产生的冲击来波达到清洗目地。 结构—系统主要有超声电源、清洗槽和换能器三个基本单元组成。电源用来产生高频率震荡信号，换能器将其转换成高频率机械震荡波，也就是超声波。清洗槽是放清洗液 和工作的容器。 要素—1、超声频率；频率越低产生的空化效应越强但方向性差。频率高后方向性强但空化效应弱，所产生的气泡冲击力就弱。造成清洗就弱。超声波清洗只能去除≥0.4um 的颗粒。兆声波能去除≥0.2um的颗粒。 2、超声波功率密度；密度越高空化效应越强，速度越快，清洗效果越好。但对于精 密、表面光洁度甚高的工件长时间清洗会对物体表面产生“空化”腐蚀。 3、超声波清洗介质；是指采用超声波清洗时的溶液，也就是清洗液。一般用于超声 清洗的有化学溶剂清洗液和水基清洗液两种。现在清洗工艺为了更好的效果一般采 用两者按比例相结合的方式清洗。 4、超声波清洗温度；因各种清洗剂中的化学成分不同，其分子最佳清洗的温度也不