orcad_library builder 生成TO220封装(allegro)实例
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Orcad_library builder 生成TO220封装（allegro）实例
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图一界面左边的各项含义已经写出，可以看下各个选项的效果，对比一下就知道了。这些选项的详细操作我在视频中已经演示过，请看视频《orcad_library builder 生成TO220封装（allegro）实例--视频操作》，视频以PNP型达林顿功率三极管TIP147作为实例讲解，我们的QQ群里提供视频下载。
图一为打开软件默认的界面
图一图二为生成封装的操作顺序，以及修改参数保存后的效果
图二
说明：焊盘参数的修改（padtool）这里没做操作，有兴趣的朋友可以试一下修改成你需要的焊盘；引脚的修改（pintool）也没做阐述，请自行学习。
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MOS管封装分析报告
MOS管封装分析报告（含主流厂商封装） 在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。 而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。封装的重要性不言而喻。 MOS管封装分类 按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。 插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。 插入式封装
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。 表面贴装式封装 随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。 1、双列直插式封装(DIP) DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP(Shrink DIP)，即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。 但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差;同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DIP封装逐渐退出了历史舞台。 2、晶体管外形封装(TO)
三极管的封装及引脚识别
三极管的封装及引脚识别 三极管的封装形式是指三极管的外形参数，也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面，三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式；结构方面，三极管的封装为TO×××，×××表示三极管的外形；装配方式有通孔插装（通孔式）、表面安装（贴片式）和直接安装；引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO－92、TO－126、TO－3、TO－220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格，其外形结构和规格分别用字母和数字表示，如TO－162、TO－92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。
图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 （1）B型：B型分为B－1、B－2、…、B－6共6种规格，主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管，其中B－1、B－3型最为常用。引脚排列：管底面对自己，由管键起，按顺时针方向依次为E、B、C、D（接地极）。其封装外形如图2（a）所示。 （2）C型：引脚排列与B型相同，主要用于小功率。其封装外形如图2（b）所示。 （3）D型：外形结构与B型相同。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（c）所示。 （4）E型：引脚排列与D型相同，封装外形如图3（d）所示。 （5）F型：该型分为F－0、F－1～F－4共5种规格，各规格外形相同而尺寸不同，主要用于低频大功率管封装，使用最多的是F－2型封装。引脚排列：管底面对自己，小等腰三角形的庵面朝下，左为E，右为B，两固定孔为C。其封装外形如图2（e）所示。¨ （6）G型：分为G－1～G－6共6种规格，主要用于低频大功率晶体管封装，使用最多的是G－3、G－4型。其中G－1、G－2为圆形引出线，G－3～G－6为扁形引出线。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（f）所示。 2.塑料封装 （1）S－1型、S－2型、S－4型：用于封装小功率三极管，其中以S－1型应用最为普遍。S－1、S－2、S－3型管的封装外形如图2（g）、（h）、（i）所示。引脚排列：平面朝外，半圆形朝内，引脚朝上时从左到右为E、B、C。 （2）S－5型：主要用于大功率三极管。引脚排列：平面朝外，半圆形朝内，引脚朝上时从左到右为E、B、C。S－5型的封装外形如图2（j）所示。 （3）S－6lA、S－6B、S－7、S－8型：主要用于大功率三极管，其中以S－7型最为常用。S－6A 引脚排列：切角面面对自己，引脚朝下，从左到右依次为B、C、E。它们的引脚排列与外形分别如图5.12（k）、（l）、（m）、（n）所示。 （4）常见进口管的外形封装结构：TO－92与部标S－1相似，TO－92L与部标S－4相似，TO126与S－5相似，TO-202与部标S－7相似。
常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.
场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应
全系列MOS管型号参数封装资料
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料 场效应管分类型号简介封装 DISCRETE MOS FET2N700060V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET2N700260V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9540TO-220 DISCRETE
封装引脚资料
1、标准电阻:RES1、RES2; 封装:AXIAL-0、3到AXIAL-1、0 ,一般用AXIAL0、4 两端口可变电阻:RES3、RES4; 封装:AXIAL-0、3到AXIAL-1、0 三端口可变电阻:RESISTOR TAPPED,POT1,POT2; 封装:VR1-VR5 2、电容:CAP(无极性电容)、ELECTRO1或ELECTRO2(极性电容)、可变电容CAPVAR 封装:无极性电容为RAD-0、1到RAD-0、4,一般用RAD0、1 有极性电容为RB、2/、4到RB、5/1、0、一般<100uF用 用RB、2/、4,100uF-470uF用RB、3/、6,,>470uF用RB、5/1、0 3、二极管:DIODE(普通二极管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二极管)、DUIDE TUNNEL(隧道二极管)DIODE VARCTOR(变容二极管)ZENER1~3(稳压二极管) 封装:DIODE0、4与DIODE 0、7;(注意做PCB时别忘了将封装DIODE得端口改为A、K) ,一般用DIODE0、4 4、三极管:NPN,NPN1与PNP,PNP1; 引脚封装:TO18、TO92A(普通三极管) TO220H(大功率三极管) TO3(大功率达林顿管) 以上得封装为三角形结构。
T0-226为直线形,我们常用得9013、9014管脚排列就是直线型得,所以一般三极管都采用TO-126啦！ 5、场效应管:JFETN(N沟道结型场效应管),JFETP(P沟道结型场效应管)MOSFETN(N沟道增强型管)MOSFETP(P沟道增强型管) 引脚封装形式与三极管同。 6、电感:INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2(普通电感),封装:1005(2) INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4(可变电感) 8、整流桥原理图中常用得名称为BRIDGE1与BRIDGE2,引脚封装形式为D系列,如D-37,D-38,D-44, D-46,D-70,D-71,等。 9、单排多针插座原理图中常用得名称为CON系列,从CON1到CON60, 引脚封装形式为SIP系列,从SIP-2到SIP-20。 10、双列直插元件原理图中常用得名称为根据功能得不同而不同,引脚封装形式DIP系列,不如40管脚得单片机封装为DIP40。 11、串并口类原理图中常用得名称为DB系列,引脚封装形式为DB与MD系列。 12、石英晶体振荡器:CRYSTAL; 封装:XTAL1,晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 13、发光二极管:LED;封装用DIODE0、4得封装。 14、可控硅:SCR,封装:TO126H;保险丝:FUSE1,封装:FUSE1、
最常用的各类封装含义
1.BGA：球栅阵列封装 Ball Grid Array 球形栅格阵列 说明：为什么说是球栅，下图是横截面图，很直观的 看出引脚轮廓是球形； 栅格阵列封装，引脚大致分布如下图： 就上图来说，四行四列引脚不是非要排满，如下图（引脚五行五列）左右的区别：实物图： 实物图： （a）（b） 2.CBGA：陶瓷球栅阵列封装（基板是陶瓷） Ceramic Ball Grid Array 陶瓷的球形栅格阵列 说明：引脚分布图和实物图都可参考上一说明。 https://www.360docs.net/doc/ed7695545.html,GA：陶瓷圆柱栅格阵列封装（基板是陶瓷）Ceramic Column Grid Array 陶瓷的圆柱栅格阵列
说明：都是栅格阵列封装，不同就在于引脚形状，横截面如图： 引脚是圆柱状。 4.PBGA：塑料球栅阵列封装（塑料焊球阵列封装）Plastic Ball Grid Array 塑料的球形栅格阵列 说明：引脚分布图和实物图都可参考BGA封装的说明。CBGA和PBGA不同之处就在于它们的基板材质不同，一个是陶瓷，一个是塑料。 5.TBGA：载带球栅阵列封装 Tape Ball Grid Array 带子球形栅格阵列 说明：引脚分布图和实物图都可参考BGA封装的说明。不同之处在于它的基板为带状软质的1或2层的PCB电路板。 6.MicroBGA：缩微型球状引脚栅格阵列封装 Micro Ball Grid Array 微小的球形栅格阵列 说明：M i croBGA封装的显存采用晶元嵌入式底部引线封装技术，具有体积小，连线短，耗电低，速度快，散热好的特点。 7.CSP：芯片尺寸封装 Chip Scale Package 芯片比例,尺寸包裹,封装 说明：CSP封装，是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA 的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。 8.PGA：插针栅格阵列封装（陈列引脚封装） Pin Grid Array 针栅格阵列 说明：陈列引脚封装PGA为插装型封装，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。如图所示：
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
USB 连接器引脚定义及封装尺寸
USB 3.0采用的双总线结构，在速率上已经达到4.8Gbps，所以称为Super speed，在USB 3.0的LOGO上显示为SS，由于接口变化太大，再加上把USB 3.0协议集成到相关芯片组肯定也需要时间，所以USB 3.0的普及应该至少再需三年以上。 说明： 本文插图及封装尺寸来源，USB 3.0-final.pdf（Date:November/12/2008），USB 3.0协议可在USB官方下载到。 USB 3.0中定义的连接器包括（本文不包含连接线缆）： USB 3.0 A型插头和插座 USB 3.0 B型插头和插座 USB 3.0 Powered-B型插头和插座 USB 3.0 Micro-B型插头和插座 USB 3.0 Micro-A型插头 USB 3.0 Micro-AB型插座 1、USB 3.0 A型USB插头（plug）和插座（receptacle） 引脚顺序（左侧为Plug，右侧为Receptacle）： 引脚定义： 封装尺寸（单PIN Receptacle）：
2、USB 3.0 B型USB插头（plug）和插座（receptacle） 引脚顺序（左侧为Plug，右侧为Receptacle，注意箭头所指斜口向上，USB端口朝向自己）： 引脚定义： 封装尺寸（单PIN Receptacle）： 3、USB 3.0 Powered-B型USB插头（plug）和插座（receptacle）
引脚顺序（左侧为Plug，右侧为Receptacle，注意宽边在上，USB端口朝向自己）： 引脚定义： 封装尺寸（Receptacle）： 4、USB 3.0 Micro USB插头和插座 USB 3.0 Micro USB插头和插座变化相当大，而官方的协议文档中，涉及该部分的插图仍然存在模糊情况，这里不再抓图，前面文章介绍过Micro USB接口主要是用于蜂窝电话和便携设备的，体积相比Mini-USB更小。 Micro USB插头和插座分为三种： USB 3.0 Micro-B型插头和插座 USB 3.0 Micro-A型插头 USB 3.0 Micro-AB型插座 USB 3.0 Micro-B连接器引脚定义：
MOS管封装
MOS管外部封装-标准封装形式概览 下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。按照“封装形式+要点介绍+相关图片”的方式进行如下说明。 TO（Transistor Out-line）封装 1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。 2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称 之为D2PAK。 TO封装的进展 D-PAK(TO-252)封装 SOT（Small Out-Line Transistor）封装
SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。 SOT封装 常用的四端引脚SOT-89 MOSFET SOP（Small Out-Line Package）封装 1、SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。 2、SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。 3、SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。 4、SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。
_《元器件》MOS管封装说明
板卡稳压器 显卡帝详解MOSFET封装技术 MOS管简介 MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在板卡上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位。 MOS管的作用是什么 MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。目前板卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要作用是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近。MOS管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。 MOS管封装形式 MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB 方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB 上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。 常见的插入式封装MOSFET 典型的表面贴装式封装MOSFET
随着技术的革新与进步，主板和显卡的PCB板采用直插式封装的MOSFET越来越少了，而多改用表面贴装式封装的MOSFET。故而本文中重点讨论表面贴装式封装MOSFET，并从MOS管外部封装技术、MOS管内部封装改进技术、整合式DrMOS、MOSFET发展趋势和MOSFET实例讲解等进行详细介绍。 MOS管外部封装-标准封装形式概览 MOS管外部封装-标准封装形式概览 下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。按照“封装形式+要点介绍+相关图片”的方式进行如下说明。 TO（Transistor Out-line）封装 1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。 2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。 TO封装的进展
各个引脚的封装
1、BGA(ballgridarray) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为3 1mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。 该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC和GPAC)。 2、BQFP(quadflatpackagewithbumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(buttjointpingridarray) 表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cer dip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料
场效应管分类 型号 简介 封装常用三极管型号及参数(1) DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应 MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应 MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应 MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应 MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应 MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应 MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应
80C51引脚封装及功能
80C51引脚封装及功能 80C51、80C52、89C51和89C52引脚图总线型 80C52是80C51的增强型，有以下几点不同 片内ROM字节数：从4K增加到8K； 片内RAM字节数：从128增加到256； 定时/计数器从2个增加到3个； 中断源由5个增加到6个。
非总线型
P0、P1、P2、P3口的电平与CMOS和TTL电平兼容。 P0口的每一位口线可以驱动8个LSTTL负载。在作为通用I/O口时，由于输出驱动电路是开漏方式，由集电极开路（OC门）电路或漏极开路电路驱动时需外接上拉电阻；当作为地址/数据总线使用时，口线输出不是开漏的，无须外接上拉电阻。 P1、P2、P3口的每一位能驱动4个LSTTL负载。它们的输出驱动电路设有内部上拉电阻，所以可以方便地由集电极开路（OC门）电路或漏极开路电路所驱动，而无须外接上拉电阻。 当CPU不对P3口进行字节或位寻址时，内部硬件自动将口锁存器的Q端置1。这时，P3口作为第二功能使用。 P3.0 ：RXD（串行口输入）； P3.1 ：TXD（串行口输出）； P3.2 ：外部中断0输入； P3.3 ：外部中断1输入； P3.4 ：T0（定时器0的外部输入）； P3.5 ：T1（定时器1的外部输出）； P3.6 ：（片外数据存储器“写”选通控制输出）； P3.7 ：（片外数据存储器“读”选通控制输出）。 EA/VPP : 访问程序存储器控制信号，当其为低电平时，对ROM的读操作限定在外部的程序存储器，当其为高电平时，对ROM的读操作是从内部存储器开始的，并可延至外部程序存储器。 ALE/PROG : 编程脉冲
MOS管封装
将主板MOSFET看透，看明白，让你更了解主板 主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。这是因为随着MOSFET技术的进展，大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET以及多芯片DrMOS开始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用户的眼球。本文将对主板采用的MOSFET 器件的封装规格和封装技术作简要介绍。 MOSFET芯片制作完成后，需要封装才可以使用。所谓封装就是给MOSFET芯片加一个外壳，这个外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。 芯片的材料、工艺是MOSFET性能品质的决定性因素，MOSFET厂商自然注重芯片内核结构、密度以及工艺的改进，以提高MOSFET的性能。这些技术改进将付出很高的成本。 MOSFET的封装形式 封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。所以芯片的封装技术是非常重要的。 以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。 典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等等。 电脑主板一般不采用直插式封装的MOSFET，本文不讨论直插式封装的MOSFET。 一般来说，“芯片封装”有2层含义，一个是封装外形规格，一个是封装技术。对于封装外形规格来说，国际上有芯片封装标准，规定了统一的封装形状和尺寸。封装技术是芯片厂商采用的封装材料和技术工艺，各芯片厂商都有各自的技术，并为自己的技术注册商标名称，所以有些封装技术的商标名称不同，但其技术形式基本相同。我们先从标准的封装外形规格说起。 标准封装规格TO封装 TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。 TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。 D-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。
MOSFET的封装技术图解大全
MOSFET的封装技术图解大全 主板MOSFET的封装技术图解大全 主板的供电一直是厂商和用户关注的焦点，视线从供电相数开始向MOSFET器件转移。这是因为随着MOSFET技术的进展，大电流、小封装、低功耗的单芯片MOSFET 以及多芯片DrMOS开始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用户的眼球。本文将对主板采用的MOSFET器件的封装规格和封装技术作简要介绍。 MOSFET芯片制作完成后，需要封装才可以使用。所谓封装就是给MOSFET芯片加一个外壳，这个外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。 芯片的材料、工艺是MOSFET性能品质的决定性因素，MOSFET厂商自然注重芯片内核结构、密度以及工艺的改进，以提高MOSFET的性能。这些技术改进将付出很高的成本。 封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。所以芯片的封装技术是非常重要的。 以安装在PCB的方式区分，功率MOSFET的封装形式有插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）二大类。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB 的安装孔焊接在PCB上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。 常见的直插式封装如双列直插式封装（DIP），晶体管外形封装（TO），插针网格阵列封装（PGA）等。 典型的表面贴装式如晶体管外形封装（D-PAK），小外形晶体管封装（SOT），小外形封装（SOP），方形扁平封装（QFP），塑封有引线芯片载体（PLCC）等等。
芯片封装类型图解
集成电路封装形式介绍(图解） BGA BGFP132 CLCC CPGA DIP EBGA 680L FBGA FDIP FQFP 100L JLCC BGA160L LCC
LDCC LGA LQFP LQFP100L Metal Qual100L PBGA217L PCDIP PLCC PPGA PQFP QFP SBA 192L TQFP100L TSBGA217L TSOP
CSP SIP:单列直插式封装.该类型的引脚在芯片单侧排列,引脚节距等特征和DIP基本相同.ZIP:Z型引脚直插式封装.该类型的引脚也在芯片单侧排列,只是引脚比SIP粗短些,节距等特征也和DIP基本相同. S-DIP:收缩双列直插式封装.该类型的引脚在芯片两侧排列,引脚节距为1.778mm,芯片集成度高于DIP. SK-DIP:窄型双列直插式封装.除了芯片的宽度是DIP的1/2以外,其它特征和DIP相同.PGA:针栅阵列插入式封装.封装底面垂直阵列布置引脚插脚,如同针栅.插脚节距为2.54mm或1.27mm,插脚数可多达数百脚. 用于高速的且大规模和超大规模集成电路. SOP:小外型封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,字母L状.引脚节距为 1.27mm. MSP:微方型封装.表面贴装型封装的一种,又叫QFI等,引脚端子从封装的四个侧面引出,呈I字形向下方延伸,没有向外突出的部分,实装占用面积小,引脚节距为1.27mm. QFP:四方扁平封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈L字形,引脚节距为 1.0mm,0.8mm,0.65mm,0.5mm,0.4mm,0.3mm,引脚可达300脚以上. SVP:表面安装型垂直封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的一个侧面引出,引脚在中间部位弯成直角,弯曲引脚的端部和PCB键合,为垂直安装的封装.实装占有面积很小.引脚节距为0.65mm,0.5mm. LCCC:无引线陶瓷封装载体.在陶瓷基板的四个侧面都设有电极焊盘而无引脚的表面贴装型封装.用于高 速,高频集成电路封装. PLCC:无引线塑料封装载体.一种塑料封装的LCC.也用于高速,高频集成电路封装. SOJ:小外形J引脚封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈J字形,引脚节距为 1.27mm. BGA:球栅阵列封装.表面贴装型封装的一种,在PCB的背面布置二维阵列的球形端子,而不采用针脚引脚. 焊球的节距通常为1.5mm,1.0mm,0.8mm,和PGA相比,不会出现针脚变形问题. CSP:芯片级封装.一种超小型表面贴装型封装,其引脚也是球形端子,节距为0.8mm,0.65mm,0.5mm等. TCP:带载封装.在形成布线的绝缘带上搭载裸芯片,并和布线相连接的封装.和其他表面贴装型封装相比,芯片更薄,引脚节距更小,达0.25mm,而引脚数可达500针以上. 介绍：
半导体集成电路 常见封装缩写解释
半导体集成电路常见封装缩写解释 1. DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见Cerdip)。 BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写， 即球栅阵列封装。 SOP小型外引脚封装Small Outline Package J SSOP收缩型小外形封装Shrink Small Outline Package P 与SOP的区别：近似小外形封装,但宽度要比小外形封装更窄,可节省组装面积的新型封装。 2. DIP(dual tape carrier PACkage) 同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。 QTCP(quad tape carrier PACkage) 四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。 COB(chip on board) 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。 JLCC(J-leaded chip carrier) J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。 QTP(quad tape carrier PACkage) 四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用的名称(见TCP)。 SO(small out-line) SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。