整流二极管生产项目可行性研究报告

整流二极管生产项目可行性研究报告

报告摘要

可行性研究报告,简称可研,是在制订生产、基建、科研计划的前期,通过全面的调查研究,分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。

2015年《政府工作报告》中首次提出实施“中国制造2025”,坚持创新驱动、智能转型、强化基础、绿色发展,加快从制造大国转向制造强国。此后,“中国制造2025”一直是贯穿国务院工作部署的关键词之一。2015年5月,国务院印发《中国制造2025》,这是我国实施制造强国战略第一个10年的行动纲领。2016年,国务院办公厅发布《关于开展消费品工业“三品”专项行动营造良好市场环境的若干意见》,促进消费品工业迈向中高端。今年7月,李克强总理主持召开国务院常务会议,部署创建“中国制造2025”国家级示范区,加快制造业转型升级。

为了积极响应国家《中国制造2025》和《工业绿色发展规划(2016-2020年)》以及包头关于促进整流二极管产业发展的政策要求,某某有限公司通过科学调研、合理布局,计划在包头新建“整流二极管生产建设项目”;预计总用地面积56614.96平方米(折合约84.88亩),其中:净用地面积

56614.96平方米;项目规划总建筑面积76996.35平方米,计容建筑面积76996.35平方米;根据总体规划设计测算,项目建筑系数72.94%,建筑容积率1.36,建设区域绿化覆盖率6.21%,固定资产投资强度204.54万元/亩。

根据谨慎财务测算,项目总投资19912.85万元,其中:固定资产投资17361.36万元,占项目总投资的87.19%;流动资金2551.49万元,占项目总投资的12.81%。在固定资产投资中建筑工程投资6384.74万元,占项目总投资的32.06%;设备购置费5607.92万元,占项目总投资的28.16%;其它投资费用5368.70万元,占项目总投资的26.96%。

项目建成投入正常运营后主要生产整流二极管产品,根据谨慎财务测算,预期达纲年营业收入20175.00万元,总成本费用16104.46万元,税金及附加70.97万元,利润总额4070.54万元,利税总额4732.96万元,税后净利润3052.90万元,达纲年纳税总额1680.05万元;达纲年投资利润率20.44%,投资利税率23.77%,投资回报率15.33%,全部投资回收期8.02年,提供就业职位350个,达纲年综合节能量22.51吨标准煤/年,项目总节能率26.11%,具有显著的经济效益、社会效益和节能效益。

目录

第一章项目绪论 (7)

一、项目名称及建设性质 (7)

二、项目承办单位 (7)

三、项目建设选址及用地综述 (7)

四、项目土建工程建设指标 (8)

五、设备选型方案 (9)

六、主要能源供应及节能分析 (9)

七、环境保护及清洁生产和安全生产 (10)

八、项目总投资及资金构成 (11)

九、资金筹措方案 (11)

十、项目预期经济效益规划目标 (11)

十一、项目建设进度规划 (12)

十二、综合评价及 (13)

第二章报告编制总体说明 (16)

一、报告编制目的及编制依据 (16)

二、报告编制范围及编制过程 (18)

第三章项目建设背景及必要性 (21)

一、整流二极管产业发展规划背景 (21)

二、项目建设背景 (22)

三、项目建设的必要性 (25)

第四章建设规模和产品规划方案合理性分析 (27)

一、建设规模及主要建设内容 (27)

二、产品规划方案及生产纲领 (28)

第五章项目选址科学性分析 (29)

一、项目建设选址原则 (29)

二、项目建设区概况 (29)

三、项目用地总体要求 (30)

第六章工程设计总体方案 (31)

一、工程地质条件 (31)

二、工程规划设计 (31)

三、建筑设计方案 (33)

四、辅助设计方案 (34)

五、防水和防爆及防腐设计 (35)

六、建筑物防雷保护 (36)

七、主要材料选用标准要求 (36)

八、采用的标准图集 (37)

九、土建工程建设指标 (37)

第七章原辅材料供应及成品管理 (39)

一、原辅材料供应及质量管理 (39)

二、原辅材料采购及管理 (40)

第八章工艺技术设计及设备选型方案 (41)

一、原料及成品路线原则及工艺技术要求 (41)

二、项目工艺技术设计方案 (42)

三、设备选型方案 (42)

第九章环境保护 (45)

一、项目建设区域环境质量现状 (45)

二、运营期废水影响分析及防治对策 (47)

三、运营期固废影响分析及防治对策 (48)

四、综合评价及建议 (49)

第十章节能分析 (51)

一、节能法规及标准 (51)

二、项目所在地能源消费及能源供应条件 (52)

三、能源消费种类和数量分析 (53)

四、项目节能措施 (54)

第十一章组织机构及人力资源配置 (56)

一、法人治理结构 (56)

二、人力资源配置 (56)

第十二章项目实施进度计划 (58)

一、项目建设期总体设计 (58)

二、项目实施保障措施 (58)

第十三章投资估算与资金筹措 (60)

一、项目总投资估算 (60)

二、资金筹措与投资计划 (61)

第十四章经济评价 (62)

一、基本假设及基础参数选取 (62)

二、经济评价财务测算 (63)

三、项目盈利能力分析 (65)

第十五章项目招投标方案 (67)

一、招标依据和范围 (67)

二、招标组织方式及招投标要求 (69)

三、招标委员会的组织设立 (70)

四、项目招投标要求 (71)

五、项目招标方式和招标程序 (73)

六、招标费用及信息发布 (74)

第十六章综合评价 (76)

第一章项目绪论

本章作为可行性研究报告的首章,主要在于综述报告中各章节的主要内容和问题及研究结论,并对项目建设的可行与否提出综合建议。该报告从项目建设的必要性和依据、项目选址、设备选型方案、环境保护、投资方案及资金筹措、建设规模、建设内容、项目建设选址、项目总投资匡算、建设进度初步安排等各个方面对即将展开的项目进行数据详实与合理的分析,为某某有限公司“整流二极管生产建设项目”建设决策和政府部门对该投资项目进行审核提供依据。

一、项目名称及建设性质

(一)项目名称

项目名称:整流二极管生产建设项目。

(二)项目建设性质

本期工程项目属于新建工业项目,主要从事整流二极管的研制开发与制造业务。

二、项目承办单位

承办单位名称:某某有限公司。

三、项目建设选址及用地综述

(一)项目建设选址

本期工程项目选址在包头,项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期工程项目建设。

(二)项目用地性质

本期工程项目计划在包头建设,用地性质为建设用地。

(三)项目用地规模

项目拟定建设区域属于工业项目建设占地规划区,建设区总用地面积56614.96平方米(折合约84.88亩),净用地面积56614.96平方米(红线范围折合约84.88亩),土地综合利用率100.00%;项目建设遵循“合理和集约用地”的原则,按照整流二极管行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局,符合整流二极管制造和经营的规划建设要求。

(四)项目用地控制指标

该工程规划建筑系数72.94%,建筑容积率1.36,建设区域绿化覆盖率6.21%,固定资产投资强度204.54万元/亩,建设场区土地综合利用率100.00%;根据测算,本期工程项目建设完全符合《工业项目建设用地控制指标》(国土资发【2008】24号)文件规定的具体要求。

四、项目土建工程建设指标

本期工程项目净用地面积56614.96平方米,建筑物基底占地面积41294.95平方米,总建筑面积76996.35平方米,其中:规划建设主体工程

47805.31平方米,项目规划绿化面积4781.99平方米,土地综合利用面积56614.96平方米。

五、设备选型方案

本期工程项目计划购置生产及检测设备共计138台(套),设备购置费5607.92万元。

六、主要能源供应及节能分析

(一)主要能源供应

1、本期工程项目生产用电为三级负荷,年用电量487626.44千瓦?时,折合59.93吨标准煤。

2、根据测算年总用水量11036.64立方米,折合0.94吨标准煤,主要是生产补给水和办公及生活用水;本期工程项目用水由包头市政管网供给,在项目区内建设的给水管网,采用管径DN250㎜的PE管接入场外预留接口,即可保证项目的日常用水。

(二)项目节能分析

“整流二极管生产建设项目”在设计过程中,对生产工艺、电气设备、建筑等方面采取有效节能措施,年用电量487626.44千瓦?时,年总用水量11036.64立方米,项目年综合总耗能量(当量值)60.87吨标准煤/年。根据测算,与其他备选生产工艺技术相比,达纲年综合节能量22.51吨标准煤/年,项目总节能率26.11%,因此,该项目属于能源利用效果较好的项

目。

七、环境保护及清洁生产和安全生产

(一)环境保护

本期工程项目符合包头发展规划,选用生产工艺技术成熟可靠,符合包头产业结构调整规划和国家的产业发展政策;项目建成投产后,在全面采取各项污染防治措施和加强企业环境管理的前提下,对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施,严格控制在国家规定的排放标准内,所以,本期工程项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。

(二)清洁生产

本期工程项目设计中采用了清洁生产工艺,应用清洁原材料,生产清洁产品,同时采取完善和有效的清洁生产措施,能够切实起到消除和减少污染的作用;因此,本期工程项目建成投产后,各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。

(三)安全生产

本期工程项目采用了先进、成熟、可靠的整流二极管生产技术,在设计中严格执行国家有关劳动安全卫生政策,并根据实际情况采取完善的安全卫生措施,预计本期工程项目在建成后将有效防止火灾、雷电、静电、触电、机械伤害、噪声危害等事故的发生。

本期工程项目主体工程火灾危险类别为丙类,建筑耐火等级为二级;

项目设计中除了各专业严格按照有关规范进行消防措施设计外,还按规范要求设置了各类消防设施,主要包括消防给水管网、消火栓、干粉灭火器等,因此,本期工程项目消防系统具有较高的安全可靠性。

八、项目总投资及资金构成

按照《投资项目可行性研究指南》的要求,本期工程项目总投资包括固定资产投资和流动资金两部分,根据谨慎财务测算,本期工程项目预计总投资19912.85万元,其中:固定资产投资17361.36万元,占项目总投资的87.19%;流动资金2551.49万元,占项目总投资的12.81%。

九、资金筹措方案

该项目投资均由企业自筹。

十、项目预期经济效益规划目标

(一)达纲年经济效益目标值

1、项目达纲年预期营业收入(SP):20175.00万元(含税)。

2、年总成本费用(TC):16104.46万元。

3、税金及附加:70.97万元。

4、达纲年利税总额:4732.96万元。

5、项目达纲年利润总额(PFO):4070.54万元。

6、项目达纲年净利润(NP):3052.90万元。

7、项目达纲年纳税总额:1680.05万元。

(二)达纲年收益增益目标

1、达纲年投资利润率:20.44%。

2、达纲年投资利税率:23.77%。

3、达纲年投资回报率:15.33%。

(三)经济效益评价目标

1、全部投资回收期(所得税后)(Pt):8.02年(含建设期)。

2、产投资回收期:8.02年。

十一、项目建设进度规划

“整流二极管生产建设项目”按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期工程项目建设期限规划12个月,即从2018年8月开始至2021年8月正式投产止,包含:项目建设前期准备工作、勘察设计、土建施工、设备采购安装和调试、人员培训及竣工验收等工作阶段。目前,某某有限公司已经完成前期的各项准备工作,包括:市场调研、建设规模确定、项目选址、用地预审、资金筹措等项事宜,现在正在办理项目备案工作。

本期工程项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间,自2018年8月开始进行项目备案、环境影响评价、节能评估、安全评价、土建施工、设备安装调试、试生产到竣工验收,至2021年8月正式投产止;项目申报、土建工程等前期筹备工作从2018年

8月开始实施,待资金到位后开始正式动工建设。

十二、综合评价及

1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求,符合包头及包头整流二极管行业布局和结构调整政策;项目的建设对促进包头整流二极管产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。

2、“整流二极管生产建设项目”属于《产业结构调整指导目录(2011年本)》(2013年修正)鼓励类发展项目,符合国家产业发展政策导向;项目的实施有利于加速我国整流二极管的国产化进程,推动整流二极管制造产业调整和行业振兴;有助于提高某某有限公司自主创新能力,增强企业的核心竞争力;因此,本期工程项目的实施是必要的。

3、某某有限公司为适应国内外市场需求,拟建“整流二极管生产建设项目”,本期工程项目的建设能够有力促进包头经济发展,为社会提供就业职位350个,达纲年纳税总额1680.05万元,可以促进包头区域经济的繁荣发展和社会稳定,为地方财政收入做出积极的贡献,由此可见,本期工程项目的实施具有显著的社会效益。

4、项目拟建设在包头内,工程选址符合包头土地利用总体规划,保证项目用地要求,而且项目建设区域交通运输便利,可利用现有公用工程设施,水、电、气等能源供应有保障。

5、项目场址周围大气、土壤、植物等自然环境状况良好,无水源地、自然保护区、文物景观等环境敏感点;某某有限公司对建设期和生产经营过程中产生的“三废”进行综合治理达标排放,对环境影响程度较小,职工劳动安全卫生措施有保障。

6、本期工程项目采用国内先进的生产、环境、检测控制装备,对节约能源、环境保护、生产优质整流二极管均可得到有力支撑,成熟的工艺技术及先进的生产设备为项目的实施提供了强力的技术保障,同时,生产过程符合环境保护、清洁生产、节能减排等标准要求。

7、项目配套条件成熟。本期工程项目在包头内组织实施,实施地周边道路四通八达,原料及产品运输方便,项目建设区域内配套建有完善的水、电、气、通讯工程设施等有利条件。

8、根据谨慎财务测算,本期工程项目达纲年投资利润率20.44%,投资利税率23.77%,全部投资回报率15.33%,全部投资回收期8.02年(含建设期12个月),固定资产投资回收期8.02年(含建设期),因此,本期工程项目经营非常安全,说明项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。

9、本期工程项目利用现有土地,计划总建筑面积76996.35平方米(计容建筑面积76996.35平方米);购置先进的技术装备共计138台(套),项目建设规模合理、经济技术实施方案可行。

10、本期工程项目通过对主要生产工艺和设备从投资经济性和先进性两方面进行综合比较、分析,选用的设备均具有当今国内外先进水平,具

有生产效率高、性能稳定可靠等优点。

11、本期工程项目总投资19912.85万元,其中:固定资产投资17361.36万元,,流动资金2551.49万元;经测算分析,项目建成投产后达纲年营业收入20175.00万元,总成本费用16104.46万元,年利税总额4732.96万元,其中:税后净利润3052.90万元;纳税总额1680.05万元,其中:增值税591.45万元,税金及附加70.97万元,年缴纳企业所得税1017.63万元;年利润总额4070.54万元,全部投资回收期8.02年,固定资产投资回收期8.02年,本期工程项目可以取得较好的经济效益。

综上所述,通过本章上述所做的技术、经济、环境保护、安全等方面分析结果表明,“整流二极管生产建设项目”技术上可行、经济上合理;本报告认为:该项目所提供的整流二极管市场前景良好,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良,经济效益突出且财务比率好,有利于第三方投资或融资及招商引资;因此,本期工程项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。

第二章报告编制总体说明

依据国家有关项目建设的法律、法规、技术规范和包头等当地政府的有关政策、规定文件的要求,对本期工程项目的投资建设进行了全面、详细的研究分析论证,结合包头的自然条件、资源条件、基础设施条件和建设环境要求,依据某某有限公司对本期工程项目总体规划设想方案,认真编制《整流二极管生产建设项目可行性研究报告》,现将报告编制情况说明如下。

一、报告编制目的及编制依据

(一)报告编制目的

本报告编制的目的是对“整流二极管生产建设项目”进行技术可靠性、经济合理性及实施可能性的方案分析和论证,在此基础上选用科学合理、技术先进、投资费用省、运行成本低的建设方案,最终使得某某有限公司建设项目所产生的经济效益和社会效益达到协调、和谐统一。

(二)报告编制依据

1、《某某有限公司整流二极管生产建设项目可行性研究报告》编制委托书。

2、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划》。

3、《中华人民共和国土地管理法》。

4、《中华人民共和国环境保护法》。

5、《中华人民共和国安全生产法》。

6、《限制用地项目目录(2012年本)》。

7、《禁止用地项目目录(2012年本)》。

8、《产业结构调整指导目录(2011年本)》(2013年修正)。

9、《投资项目可行性研究指南(试用版)》。

10、《建设项目经济评价方法与参数(第三版)》。

11、《建设项目经济评价细则》(2010年本)。

12、《建设项目可行性研究报告编制内容深度规定》。

13、《国民经济行业分类》(GB/T4754-2002)。

14、《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》。

15、《工业项目建设用地控制指标》(国土资发【2008】24号)

16、《包头工业和信息化发展“十三五”规划》。

17、《包头技术改造投资导向目录(2016-2018年)》。

18、《包头“十三五”战略性新兴产业暨高技术产业发展专项规划》。

19、《包头“十三五”发展总体规划》。

20、《包头工业项目规划设计条件》。

21、国家现行的有关法律、法规、产业发展政策及相关设计规范、标准和规定等。

22、某某有限公司提供的《项目投资计划书》以及与本期工程项目有关的工艺技术资料、财务数据等基础资料。

23、某某有限公司现场勘察及市场调查收集的有关资料。

24、报告编制人员调查收集包头的社会经济、交通运输及自然条件等资料。

25、某某有限公司提供的其他与项目相关的基础数据以及对《整流二极管生产建设项目可行性研究报告》的具体要求等。

二、报告编制范围及编制过程

(一)报告编制范围

1、项目建设背景和必要性分析:依据国家产业发展政策、整流二极管行业“十三五”发展规划、地方经济发展状况和产业发展趋势,同时,根据某某有限公司已经具体的资源条件、建设条件并结合企业发展战略,阐述本期工程项目建设的背景及必要性。

2、市场供需分析:根据我国整流二极管行业市场需求的变化趋势,分析本期工程项目整流二极管的发展前景,论证整流二极管的国内外市场需求并确定项目的目标市场、价格定位,以此分析市场风险,确定风险防范措施等。

3、项目建设方案:根据整流二极管市场分析并结合某某有限公司资金、技术和经济实力确定项目的生产纲领和建设规模;分析选择项目的技术工艺并配置生产设备,同时,分析原辅材料消耗及供应情况是否合理。

4、项目工程方案:初步了解项目建设区域范围、面积、工程地质状

况、外围基础设施等条件,对项目建设条件进行分析,提出项目工程建设方案,内容包括:场址选择、总图布置、土建工程、辅助工程、配套公用工程、环境保护工程及安全卫生、消防工程等。

5、项目节能、环境保护与安全卫生:针对项目的特点,分析本期工程项目能源消费情况,计算能源消费量并提出节能措施;分析项目的环境污染、安全卫生情况,提出建设与运营过程中拟采取的环境保护和安全防护措施。

6、项目组织管理和实施进度计划:根据项目实际情况,提出项目组织、建设管理、竣工验收、经营管理等初步方案;结合项目特点提出合理的总体及分年度实施进度计划。

7、项目投资估算:根据项目工程量及投资估算指标,按照国家和包头及包头的有关规定,对拟建工程投资进行初步估算,编制项目总投资表,按工程建设费用、工程建设其他费用、预备费、建设期固定资产借款利息等列出投资总额的构成情况,并提出各单项工程投资估算值以及与之相关的测算值。

8、资金筹措方案:根据项目建设进度及某某有限公司能够提供的资本金等情况,提出建设项目资金筹措方案,编制建设投资估算筹措表和分年度资金使用计划表。

9、项目经济效益分析:根据项目的经营特点,对项目进行定量的财务分析,测算项目投产期、达纲年营业收入和总成本费用,计算项目财务

效益指标,结合融资方案进行偿债能力分析,并开展项目不确定性分析等。

整流二极管工艺问题

整流二极管工艺问题 整流二极管工艺问题 关于“二极管反向击穿电压飘动”的问题,很多同行都发表了自己的看法。本人经过几个月废寝忘食的摸索,发现酸洗中使用的氨水可能会造成反向击穿电压飘动。我们这里用的酸洗工艺,第一道是混酸,第二道是磷酸+双氧水,第三道是氨水+双氧水。然后发现用过氨水以后,很难将芯 片表面和铜引线上的氨水去除,所有有可能造成芯片表面污染,在塑封后固化以后出现击穿电压蠕变或者说飘动的不良品。- X" R. ~/ H Y8 c$ H* w3 X 整流二极管工艺问题 1. 损伤磨片不可避免地产生10微米以上的损伤层;喷砂形成的损伤可能更大!这些损伤会导致硅片易碎,并会形成扩散沟道。对于较大的机械损伤,在腐蚀过程中非但消除不了,反而会更加扩大,使表面耐压大大下降。切割的损伤对芯片耐压的影响非常大。切割硅片表面的损伤层包括镶嵌层和应力层两部分,晶片表面是镶嵌层,下层为具有较严重损伤的损伤层和应力层。它们的厚度为15~25μm,这 是对于整个切片平均值而言

3. 金属杂质重金属杂质会使少子寿命大大降低,它们在PN结内会引起较大的漏电流,严重的甚至使电压降为零。重金属多积于单晶尾部,可予以切除。另外在扩散后可以利用磷硅玻璃或硼硅玻璃于950—1050 ℃进行1小时的吸收,但吸收对碱金属(钠、钾)和碱土金属(钙、镁)离子作用不大。 4. 磷扩散由于浓度很高,高温时会在硅中引起很大的位错,加上硅单晶本身的位错,会使磷沿着位错较大或较集中的地方扩进更深,空间电荷区展宽时易形成局部的穿通。所以磷扩散的浓度不宜太高。要防止磷硼扩散产生合金点导致基区宽度变窄。 5. 如雪崩击穿发生在PN结的某一小部分,则迅速增大的电流集中在这一区域,就会因热量集中而烧毁。这种破坏性的击穿称为热击穿,热击穿不可逆。这大多是因为PN结表面不平坦或有残余的机械损伤造成的。 6. 表面离子沾污负电荷排斥电子吸引空穴,形成P型反型层沟道,因而使漏电流增大;而正电荷吸引电子排斥空

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晶体二极管及整流电路试题(一) 姓名学号 一、填空 1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导 体。 3、如图,这是材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V 后,二极管开始导通,这个电压称为 电压。正常导通后,此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时, 即称为电压时,反向电流会急剧 增大,该现象为。若反向电压 继续增大,容易发生现象。其中 稳压管一般工作在区。

4、二极管的伏安特性指和关系,当正向电压超过_____后,二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。 6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、____ ___、 _ 和,二极管的主要特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大,则说明二极管的 性能越好。 9、整流是指_______________________________________,单相整流电路分、和电路。 10、有一直流负载R L =9Ω,需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路,应选用型二极管只。

二极管种类及应用

二极管 一、二极管的种类 二极管有多种类型:按材料分,有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等;按制作工艺可分为面接触二极管和点接触二极管;按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等;接构类型来分,又可分为半导体结型二极管,金属半导体接触二极管等;按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。下面以用途为例,介绍不同种类二极管的特性。 1.整流二极管 整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电,它是利用二极管的单向导电特性工作的。 因为整流二极管正向工作电流较大,工艺上多采用面接触结构。南于这种结构的二极管结电容较大,因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。 整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装,以利于散热;额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。另外,由于T艺技术的不断提高,也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装,在使用中应予以区别。 由于整流电路通常为桥式整流电路(如图1所示),故一些生产厂家将4个整流二极管封 装在一起,这种冗件通常称为整流桥或者整流全桥(简称全桥)。常见整流二极管的外形如图2所示。 选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向丁作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管(例如l N 系列、2CZ系列、RLR系列等)即可。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、

常用整流二极管型号9页

M7 整流二极管 2010-03-18 15:04 整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件,整流二极管具有明显的单向导电性,是一种大面积的功率器件,结电容大,工作频率较低,一般在几十千赫兹,反向电压从25V到3000V. 硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好,通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造,这种器件结面积大,能通过较大电流(通常可以达到数千安),但工作频率不高,一般在几十千赫兹以下,整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流二极管的选用 整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。 选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N系列、2CZ系列、RLR系列等。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管(例如RU系列、EU系列、V 系列、1SR系列等)或选择快恢复二极管。 整流二极管的常用参数

(1)最大平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 (2)最高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4007的VR为1OOOV (3)最大反向电流IR:它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。 (4)击穿电压VR:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。 (5)最高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 (6)反向恢复时间tre:指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 (7)零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二

第1章 晶体二极管和二极管整流电路

第1章 晶体二极管和 二极管整流电路 教学重点 1.了解半导体的基本知识:本征半导体、掺杂半导体;掌握PN 结的基本特性。 2.理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 3.了解几种常用的二极管:硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等。 4.掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作原理与性能特点;了解电容滤波电路的工作原理。 5.了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。 教学难点 1.PN 结的单向导电特性。 2.整流电路和滤波电路的工作原理。 3.硅稳压管稳压电路的稳压过程。 学时分配 1.1 晶体二极管 1.1.1 晶体二极管的单向导电特性 ???体三极管等器件:晶体二极管、晶 等、变压器、电感电容、 元件:电阻电子元器件T)()()()(L C R

1.晶体二极管 (1) 外形 如图1.1.1(a )所示,晶体二极管由密封的管体和两条正、负电极引线所组成。管体外壳的标记通常表示正极。 (2) 图形、文字符号 如图1.1.1(b )所示,晶体二极管的图形由三角形和竖杠所组成。其中,三角形表示正极,竖杠表示负极。V 为晶体二极管的文字符号。 2.晶体二极管的单向导电性 动画 晶体二极管的单向导电性 (1) 正极电位>负极电位,二极管导通; (2) 正极电位<负极电位,二极管截止。 即二极管正偏导通,反偏截止。这一导电特性称为二极管的单向导电性。 [例1.1.1] 图1.1.3所示电路中,当开关S 闭合后,H 1、H 2两个指示灯,哪一个可能发光? 解 由电路图可知,开关S 闭合后,只有二极管V 1 正极电位高于负极电位,即处于正向导通状态,所以H 1指示灯发光。 1.1.2 PN 结 二极管由半导体材料制成。 动画 PN 结 1.半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si )或锗(Ge )半导体。 半导体中,能够运载电荷的的粒子有两种: —载流子—均可运载电荷量的正电空穴:带与自由电子等自由电子:带负电???? ?? 载流子:在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴,统称载流子。如图1.1.4所示。 2.本征半导体 不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或本征锗。 本征半导体电导率低,为提高导电性能,需掺杂,形成杂质半导体。 3.杂质半导体 为了提高半导体的导电性能,在本征半导体(4价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同,可分两种: 图1.1.4 半导体的两种载流子 图1.1.3 [例1.1.1]电路图 图1.1.1 晶体二极管的外形和符号

发光二极管资料

发光二极管资料 一、生产工艺 1. 工艺: a)清洗:采用超声波清洗PCB或LED支架,并烘干。 b)装架:在LED管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺晶台上,在显微镜下用刺晶笔 将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上,随后进行烧结使银胶固化。 c)压焊:用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上,以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的,一般采用铝丝焊机。(制作白光TOP-LED需要金线焊机) d)封装:通过点胶,用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶,对固化后胶体形状有严格要求,这直接关系到背光源成品 的出光亮度。这道工序还将承担点荧光粉(白光LED的任务。 e)焊接:如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED,则在装配工艺之前,需要将LED焊接到PCB板上。 f)切膜:用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g)装配:根据图纸要求,将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h)测试:检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。 包装:将成品按要求包装、入库。 二、封装工艺 1. LED 的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上,同时保护好LED芯片,并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED 封装形式 LED封装形式可以说是五花八门,主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸,散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED TOP-LED、Side-LED 、SMD-LED、High-Power-LED 等。 3. LED 封装工艺流程 4.封装工艺说明 1. 芯片检验 镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill ) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2. 扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3. 点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于GaAs SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石 绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片,采用绝缘胶来固定芯片。) 工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求,银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 4. 备胶

常用二极管参数

常用整流二极管 型号VRM/Io IFSM/ VF /Ir 封装用途说明1A5 600V/1.0A 25A/1.1V/5uA[T25] D2.6X3.2d0.65 1A6 800V/1.0A 25A/1.1V/5uA[T25] D2.6X3.2d0.65 6A8 800V/6.0A 400A/1.1V/10uA[T60] D9.1X9.1d1.3 1N4002 100V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4004 400V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4006 800V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4007 1000V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N5398 800V/1.5A 50A/1.4V/5uA[T70] D3.6X7.6d0.9 1N5399 1000V/1.5A 50A/1.4V/5uA[T70] D3.6X7.6d0.9 1N5402 200V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5406 600V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5407 800V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5408 1000V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 RL153 200V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL155 600V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL156 800V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL203 200V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL205 600V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL206 800V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL207 1000V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RM11C 1000V/1.2A 100A/0.92V/10uA D4.0X7.2d0.78 MR750 50V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR751 100V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR752 200V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR754 400V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR756 600V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR760 1000V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 常用整流二极管(全桥) 型号VRM/Io IFSM/ VF /Ir 封装用途说明RBV-406 600V/*4A 80A/1.10V/10uA 25X15X3.6 RBV-606 600V/*6A 150A/1.05V/10uA 30X20X3.6 RBV-1306 600V/*13A 80A/1.20V/10uA 30X20X3.6 RBV-1506 600V/*15A 200A/1.05V/50uA 30X20X3.6 RBV-2506 600V/*25A 350A/1.05V/50uA 30X20X3.6 常用肖特基整流二极管SBD 型号VRM/Io IFSM/ VF Trr1/Trr2 封装用途说明EK06 60V/0.7A 10A/0.62V 100nS D2.7X5.0d0.6 SK/高速 EK14 40V/1.5A 40A/0.55V 200nS D4.0X7.2d0.78 SK/低速 D3S6M 60V/3.0A 80A/0.58V 130p SB340 40V/3.0A 80A/0.74V 180p SB360 60V/3.0A 80A/0.74V 180p SR260 60V/2.0A 50A/0.70V 170p MBR1645 45V/16A 150A/0.65V <10nS TO220 超高速

二极管的介绍

二极管符号 二极管(国标) 二极管的判别及参数 1.简述 半导体是一种具有特殊性质的物质,它不像导体一 样能够完全导电,又不像绝缘体那样不能导电,它介于 两者之间,所以称为半导体。半导体最重要的两种元素 是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。我们常听说的美国硅 谷,就是因为起先那里有好多家半导体厂商。 二极管 应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前,人们 热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播,这种矿 石后来就被做成了晶体二极管。 二极管最明显的性质就是它的单向导电特性,就是说电流只能从一边过去,却不能从另一边过来(从正极流向负极)。我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量,红表笔接二极管的负极,黑表笔接二极管的正极时,表针会动,说明它能够导电;然后将黑表笔接二极管负极,红表笔接二极管正极,这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点,说明导电不良(万用表里面,黑表笔接的是内部电池的正极)。 常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。像它的名字,二极管有两个电极,并且分为正负极,一般把极性标示在二极管的外壳上。大多数用一个不同颜色的环来表示负极,有的直接标上“-”号。大功率二极管多采用金属封装,并且有个螺帽以便固定在散热器上。 2.半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别

一般情况下,二极管有色点的一端为正极,如2AP1~2AP7,2AP11~2AP17等。如果是透 明玻璃壳二极管,可直接看出极性,即内部连触丝的一头是正极,连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极,如IN4000系列。 无标记的二极管,则可用万用表电阻档来判别正、负极,万用表电阻档示意图见图T304。根据二 极管正向电阻小,反向电阻大的特点,将万用表拨到电阻档(一般用R×100或R×1k档。不要用R×1或R×10k档,因为R×1档使用的电流太大, 容易烧坏管子,而R×10k挡使用的电压太高, 可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相 接,测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次,与黑表笔相接得一端为二极管的正极。同理,在所测得较大阻值的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小,说明管子内部短路;若正、反向电阻均很大,则说明管子内部开路。在这两种情况下,管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为Array 300~500 Ω,硅管为1 kΩ或更大些。锗管反向电 阻为几十千欧,硅管反向电阻在500 kΩ以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。点接触二极管的工作频率高,不能承受较高的电压和通过较大的电流,多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大,但适用的频率较低,多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。选用整流二极管时,既要考虑正向电压,也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时,要求工作频率高,正向电阻小,以保证较高的工作效率,特性曲线要好,避免引起过大的失真。 3.半导体分立元器件命名方法

1N系列常用整流二极管的主要参数

1N 系列常用整流二极管的主要参数
反向工作 峰值电压 URM/V 额定正向 整流电流 整流电流 IF/A 正向不重 复浪涌峰 值电流 IFSM/A 正向 压降 UF/V 反向 电流 IR/uA 工作 频率 f/KHZ 外形 封装
型 号
1N4000 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N5100 1N5101 1N5102 1N5103 1N5104 1N5105 1N5106 1N5107 1N5108 1N5200 1N5201 1N5202 1N5203 1N5204 1N5205 1N5206 1N5207 1N5208 1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
25 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000
1
30
≤1
<5
3
DO-41
1.5
75
≤1
<5
3
DO-15
2
100
≤1
<10
3
3
150
≤0.8
<10
3
DO-27
常用二极管参数: 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,

整流二极管工艺问题

上次在这里发了个帖子,关于“二极管反向击穿电压飘动”的问题,很多同行都发表了自己的看法。小弟经过几个月废寝忘食的摸索,发现酸洗中使用的氨水可能会造成反向击穿电压飘动。我们这里用的酸洗工艺,第一道是混酸,第二道是磷酸+双氧水,第三道是氨水+双氧水。然后发现用过氨水以后,很难将芯片表面和铜引线上的氨水去除,所有有可能造成芯片表面污染,在塑封后固化以后出现击穿电压蠕变或者说飘动的不良品。 希望大家一起来谈谈各自的看法,以及如何解决这一问题 整流二极管工艺问题 1. 损伤磨片不可避免地产生10微米以上的损伤层;喷砂形成的损伤可能更大!这些损伤会导致硅片易碎,并会形成扩散沟道。对于较大的机械损伤,在腐蚀过程中非但消除不了,反而会更加扩大,使表面耐压大大下降。切割的损伤对芯片耐压的影响非常大。切割硅片表面的损伤层包括镶嵌层和应力层两部分,晶片表面是镶嵌层,下层为具有较严重损伤的损伤层和应力层。它们的厚度为15~25μm,这是对于整个切片平均值而言 2. 应力来源:硅片之间的相互摩擦和挤压、金属镊子的夹取、硅片和石英舟的热失配、快速升降温导致的硅片边缘温度变化比中心快、腐蚀时产生的高温、重掺杂时原子直径的失配、芯片和极片的热膨胀系数不同……应力易导致硅片破碎和翘曲。 3. 金属杂质重金属杂质会使少子寿命大大降低,它们在PN结内会引起较大的漏电流,严重的甚至使电压降为零。重金属多积于单晶尾部,可予以切除。另外在扩散后可以利用磷硅玻璃或硼硅玻璃于950— 1050 ℃进行1小时的吸收,但吸收对碱金属(钠、钾)和碱土金属(钙、镁)离子作用不大。 4. 磷扩散由于浓度很高,高温时会在硅中引起很大的位错,加上硅单晶本身的位错,会使磷沿着位错较大或较集中的地方扩进更深,空间电荷区展宽时易形成局部的穿通。所以磷扩散的浓度不宜太高。要防止磷硼扩散产生合金点导致基区宽度变窄。 5. 如雪崩击穿发生在PN结的某一小部分,则迅速增大的电流集中在这一区域,就会因热量集中而烧毁。这种破坏性的击穿称为热击穿,热击穿不可逆。这大多是因为PN结表面不平坦或有残余的机械损伤造成的。 6. 表面离子沾污负电荷排斥电子吸引空穴,形成P型反型层沟道,因

常用二极管型号及参数大全

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0

DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15

《晶体二极管及二极管整流电路》试题

《晶体二极管及二极管整流电路》试题 一、判断题(每空2分,共36分) 1 1. N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。() 2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。() 3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。() 4. 二极管是线性器件。() 5. 二极管处于导通状态,呈现很大的电阻,在电路中相当于开关的断开特性。() 6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。() 7. PN结的单向导电性,就是PN结正向偏置时截止,反向偏置时导通。() 8. 二极管两端加反向电压时,反向电流不随反向电压变化而变化,这时二极管的状态为截止。() 9. 二极管只要工作在反向击穿区,就一定会被击穿损坏。() 10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。() 11. 所谓理想二极管,就是当其正向偏置时,结电阻为零,等效成开关闭合;当其反向偏置时,结电阻为无穷大,等效成开关断开。() 12. 使用稳压管时应阳极接高电位,阴极接低电位。 13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围,二极管将会发生热击穿,所以,与其配合的电阻往往起到限流的作用。() 14. 整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。() 15. 用两只二极管就可实现单相全波整流,而单相桥式整流电路却用了四只二极管,这样做虽然多用了两只二极管,但降低了二极管承受的反向电压。() 16. 在电容滤波整流电路中,滤波电容可以随意选择( ) 17. 在电容滤波整流电路中,电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。() 18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。() 二、单选题(每空2分,共32分) 1. 本征半导体是()。 A. 掺杂半导体 B. 纯净半导体 C. P型半导体 D. N型半导体

IN系列常用整流二极管的主要参数

IN系列常用整流二极管的主要参数 型号反向工作峰值 电压URM/V 额定正向整流 电流I F /A 正向不重复浪涌峰 值电流I F SM/A 正向压降 U F /V 反向电流 I R /uA 工作频率 f/KHZ 外形封装 1N4000 25 1 30 ≤1 <5 3 DO-41 1N4001 50 1 30 ≤1 <5 3 DO-41 1N4002 100 1 30 ≤1 <5 3 DO-41 1N4003 200 1 30 ≤1 <5 3 DO-41 1N4004 400 1 30 ≤1 <5 3 DO-41 1N4005 600 1 30 ≤1 <5 3 DO-41 1N4006 800 1 30 ≤1 <5 3 DO-15 1N4007 1000 1 30 ≤1 <5 3 DO-15 1N5100 50 1.5 75 ≤1 <5 3 DO-15 1N5101 100 1.5 75 ≤1 <5 3 DO-15 1N5102 200 1.5 75 ≤1 <5 3 DO-15 1N5103 300 1.5 75 ≤1 <5 3 DO-15 1N5104 400 1.5 75 ≤1 <5 3 DO-15 1N5105 500 1.5 75 ≤1 <5 3 DO-15 1N5106 600 1.5 75 ≤1 <5 3 DO-15 1N5107 800 1.5 75 ≤1 <5 3 DO-15 1N5108 1000 1.5 75 ≤1 <5 3 DO-15 1N5200 50 2 100 ≤1 <10 3 DO-15 1N5201 100 2 100 ≤1 <10 3 DO-15 1N5202 200 2 100 ≤1 <10 3 DO-15 1N5203 300 2 100 ≤1 <10 3 DO-15 1N5204 400 2 100 ≤1 <10 3 DO-15 1N5205 500 2 100 ≤1 <10 3 DO-15 1N5206 600 2 100 ≤1 <10 3 DO-15 1N5207 800 2 100 ≤1 <10 3 DO-15 1N5208 1000 2 100 ≤1 <10 3 DO-15 1N5400 50 3 150 ≤0.8 <10 3 DO-27 1N5401 100 3 150 ≤0.8 <10 3 DO-27 1N5402 200 3 150 ≤0.8 <10 3 DO-27 1N5403 300 3 150 ≤0.8 <10 3 DO-27 1N5404 400 3 150 ≤0.8 <10 3 DO-27 1N5405 500 3 150 ≤0.8 <10 3 DO-27 1N5406 600 3 150 ≤0.8 <10 3 DO-27 1N5407 800 3 150 ≤0.8 <10 3 DO-27 1N5408 1000 3 150 ≤0.8 <10 3 DO-27

(完整版)整流二极管

整流二极管 整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件,整流二极管具有明显的单向导电性,是一种大面积的功率器件,结电容大,工作频率较低,一般在几十千赫兹,反向电压从25V到3000V. 硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好,通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造,这种器件结面积大,能通过较大电流(通常可以达到数千安),但工作频率不高,一般在几十千赫兹以下,整流二极管主要用于各种低频整流电路。 整流二极管的常用参数 (1)最大平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。 (2)最高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4007的VR为1OOOV (3)最大反向电流IR:它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。 (4)击穿电压VR:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。 (5)最高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。 (6)反向恢复时间tre:指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 (7)零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA,而在100°C时IR则变为小于500uA。 整流二极管的选用 整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。 选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs (1)快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

最新《晶体二极管整流电路》说课稿

《晶体二极管整流电路》说课稿 宿城区职教中心王翠荣 一、教材分析: 1.地位和作用:本节内容选自陈其纯编著的《电子线路》§1.2内容,此内容既是第一章的重点和难点,也是整个教材的重点,教材的第一节介绍了晶体二极管的结构与特性,而整流电路正是晶体二极管单向导电性的具体应用。同时,该内容也是后面滤波、稳压电路的基础。因此,本节课的内容就显得尤为重要。 2.学生现状:所任班的学生,为电子专业二年级的学生,与平行班相比,学生学习习惯总体较好,相关的课程《电工基础》刚学完,由于《电子线路》这门专业课本身的特点,入门难,学生又是刚开始学,学生在学习过程中普遍感到困难,有少数学生学习较被动,还未 掌握好一定的学习方法。 3.学习目标及确立依据 (1)学习目标 (2)确立依据:首先根据现行教学大纲的要求,电路组成、整流工作原理及整流电路的计算是学生必须掌握的内容,由此确立了学习目标的知识目标。而根据学生的现状,学生虽有一定的学习能力,但学习方式仍较被动,还处于一种简单的记忆、接受和模仿的阶段,为了使学生的学习方式有所改变,引导学生主动参与、独立思考,学会合作探究、与人交流,从而提高学生主动获取新知识、分析和解决问题的能力,故确立了学习目标能力目标。 4.教学重点与难点:根据大纲及学生的实际情况确立了本节课的重点和难点。整流电路工作原理的分析需要学生在理解二极管的单向导电性的基础上,根据电位的高低判断二极管的状态,从而准确画出整流电流通路,此为分析电压和电流波形、计算负载上电压和电流及二极管选择的关键所在。而这又需要学生有一定的运用知识的能力,故工作原理的分析既 是难点也是重点。 二、教学设计理论基础及研究重点: 1.教学设计理论基础:(1)建构主义的教学理论,更加强调学习者的主观认识,更加重视建立有利于学习者主动探索知识的情境,始终保持教师与学生、学生与学生之间有效的互动过程。(2)根据探究教学理论,学生学习应在教师指导下运用探究的方法学习,让学生能够主动获取知识,从而发展学生的能力,培养学生的创新精神和实践能力。 2.研究重点与教学模式及方法:本节课采用的是“达标式问题情景的创设”的教学模式,该模式的关键是如何创设问题情境,故研究重点是问题情境的创设。《电子线路》课由于其理论性强,抽象不易理解,学生普遍感到难学,为了分解难点,创设便于学生学习的问题情境,通过一个个问题的解决,激发学生的求知欲望和学习兴趣,引导学生进入探索、认识、解决问题的情境,从而提高学生的自主学习的能力,加强学生的创新意识。 本节课采用启发讲授、实验演示、讨论、练习等教学方法。 三、教学过程的设计: (一)复习导入 设计了3个复习练习,通过复习题,让学生掌握二极管伏安特性,这既是上节课的重点内容,也是本节课学生学习的基础;而整流电路正是晶体二极管单向导电性的具体应用。由 此自然引入新课。 (二)新课内容 1、电路将电路直接呈现给学生,并让学生进行比较单相半波、变压器中心抽头式整 流电路,桥式电路。

二极管简介

YF.liao SMC二极管培训资料 目录 二极管简单介绍 A、一般整流二极管 B、高速整流二极管: ①FRD(Fast Recovery Diode:高速恢复二极管) ②HED(High Efficiency Diode:高速高效整流二极管) ③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管) C、定压二极管(齐纳二极管) 二极管的基本特性 利用PN接合的少数载子的注入和扩散现象,只能一个方向(正向)上流通电流。如果在PN接合二极管的N型半导体加上负压、在P型半导体加上正电压,就可使电流流通。我们将该电流的流动方向叫做正向。如果外加正、负压与上述反方向的电压,则几乎不会流通电流。我们将该方向叫做反向。如果提高PN接合二极管的反向电压,则电流在某个电压值会急剧增加。我们将该电流叫做击穿电流。此时的电压值对电流而言基本上为定值。 二极管的特性曲线和图形记号、结构 下图表示二极管的特性曲线和图形记号、结构图。

A一般整流二极管 二极管在一般的应用上,有利用电流只在一个方向上流通的功能的交流电压主的整流电路。 典型的2μs 恢复时间 B1)高速恢复二极管(FRD:Fast Recovery Diode) 高速恢复二极管在结构上和一般整流二极管基本相同,但它是一种有白金、金等掺杂物质扩散在Si结晶中,增加了电子和空穴的再结合中心,关闭后少数载子会立刻被消灭的二极管。因此可以提高二极管的反向恢复特性(反向恢复时间:trr),实现高速动作。 开关时间120 to 500 ns

2)高效二极管(HED:High Efficiency Diode) 高效二极管比上述FRD速度更快,损失更低(正向电压较低),因此它使用外延晶圆,在利用导电调制效果(参考PIN二极管)来降低正向电阻的同时,通过追加重金属扩散,能在不损坏正向特性的情况下,提高反向恢复特性。HED用于比FRD更为高速的开关电路。 开关时间35—100纳秒 PN接合之间夹着本征半导体(I型),外加正向电压的话,P型半导体和N型半导体会向本征半导体注入很多空穴、以及相同密度度的电子,从而降低比电阻。这种现象叫“导电调制效果”。PIN二极管正向流通直流电流的话,在导电调制效果下会显示出较低的电阻值,但外加反向直流电压的话,I层的空乏层会扩大,结果会显示出非常小的电容值。利用这种特性,可作为高频带的开关与共振电路的频段开关和减衰器。

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