材料物理复习
材料强化
一、决定材料强度的关键因素
1.原子之间的结合力
2. 位错
二、位错类型以及运动
①类型:刃型位错;螺型位错;混合位错
②运动:
滑移:沿着滑移面移动的位错运动
攀移:沿着垂直于滑移面移动的位错运动
三、衡量材料力学性质的参数
①断裂韧性:就是表示含有裂纹的材料所能承受的应力断裂韧性。
材料抵抗裂纹扩展的能力与许多因素有关:
(1)裂纹尺寸a越大,许可应力σ越低。
(2)材料发生塑性变形的能力非常重要。
(3)厚试样的断裂韧性比薄试样的要小。
(4)增加负载速率,像冲击试验那样,往往会减小材料的断裂韧性。
(5)与冲击试验相同,降低温度会减小材料的断裂韧性。
(6)减小晶粒尺寸一般可以改善断裂韧性。
测量:利用含有一个已知尺寸的裂纹的试样,可以测得该裂纹开始扩展并导致材料发生断裂时的临界K值。这个临界应力强度因子定义为材料的断裂韧性Kc。
四、固溶强化&共析强化
(一)固溶强化
金属材料通过形成固溶体合金,可以实现固溶强化的目的。
固溶强化的效果决定因素:
1.溶剂原子和溶质原子的尺寸差别越大,固溶强化的效果越大
2.添加的合金元素越多,固溶强化的效果也越大
固溶强化对材料性质的影响:
①合金的屈服强度,抗拉强度,硬度等会超过纯金属。
②几乎所有的合金的塑性都低于纯金属。但是,铜锌合金的强度和塑性都高于纯铜,这
是一个例外。
③合金的导电率大大低于纯金属。所以不应该用固溶强化的铜合金或铝合金作导线。
④固溶强化能够改善合金的抗蠕变性能。高温环境不会明显损害固溶强化效果。(二)固态相变强化与共析反应
共析反应是固态相变强化的重要手段。
从一个固相S1转变成两个固相S2和S3的反应,如下公式所示: S1 → S2 + S3
固相之间的反应,所以在热处理时,可以先将材料加热到形成固相S1的温度,然后在冷却过程中利用共析反应得到S2和S3两个固相,作为共析反应产物的两个固相可以使合金实现弥散强化。
金属电导
一、金属费米球的概念,为什么金属导电导热,哪部分电子起了作用
特鲁德模型解释:
导热:
二、金属电阻,马基申定则
马基申定则:把固溶体的电阻看成由金属的基本电阻和残余电阻组成。这实际上表明,在一级近似下不同散射机制对电阻的贡献可以加法求和。
式中为与温度有关的金属基本电阻,即溶剂金属(纯金属)的电阻;
为决定于化学缺陷和物理缺陷而与温度无关的残余电阻。化学缺陷为偶然存在的杂质原子以及人工加入的合金元素原子。物理缺陷系空位、间隙原子、位错以及它们的复合体。
超导物理
一、两大属性
①直流零电阻性(完全导电性)
②抗磁性(在内部磁场感应强度为0)
二、与理想导体的区别
理想导体定义为在它里面不存在任何散射电子机制的一种导体。
理想导体也有零电阻效应。但是如果在T>Tc 时,先使这种导体磁化,这时它还没有达到电阻率为零的理想状态,内部可以存在磁场,然后使温度下降到T 半导体物理 一、能带理论,导带;价带;禁带 ①能带的形成:设有N个原子结合成固体,原来单个原子时处于1s能级的2N个电子现在属于整个原子系统(固体)所共有,根据泡利不相容原理,不能有两个或两个以上电子具有完全相同的量子态(n ,l ,ml ,ms),因而就不能再占有一个能级,而是分裂为N个微有不同的分立能级。由于N是一个很大的数,这些分立能级相距很近,看起来几乎是连续的,从而形成一条有一定宽度?E的能带。 从能量的角度看,如果电子只有原子内运动(孤立原子情况),电子的能量取分立的能级;若电子只有共有化运动(自由电子情况),电子的能量连续取值。由于晶体中电子的运动介于自由电子与孤立原子之间,既有共有化运动也有原子内运动,因此,电子的能量取值就表现为由能量的允带和禁带相间组成的能带结构。 上述方法求出的电子能量状态将不再是分立的能级,而是由能量上可以填充的部分(允带)和禁止填充的部分(禁带)相间组成的能带,所以这种理论称为能带论。 ②导带:未填满电子的能带称为导带。 ③价带:由价电子能级分裂而成的能带称为价带。 ④禁带:在能带之间没有可能量子态的能量区域叫禁带。 二、n\p型半导体的判断 n型半导体:如果在硅或锗中添加锑或磷的5价元素,那么锑或磷中的4个价电子参与共价键的结合,富余的那个价电子由于与本身原子的结合较松,很容易激发到导带,因此这种杂质增加了导带中的电子数,从而增加其导电性能。这种提供电子作为载流子的杂质元素称为施主。掺入了施主杂质的非本征半导体以负电荷(电子)作为载流子,所以称为n(negative,表示负电荷的意思)型半导体。 P型半导体:如果在硅或锗中添加的杂质是镓(Ga)等3价元素,结果构成了共价键少一个电子,相应在价带顶部附近产生一个未被电子占据的局部能级。显然,价带中电子受热激发易填入这些能级中去,从而增加了价带中的空穴,增大其导电性。向本征半导体提供空穴作为载流子的杂质元素称为受主。掺入了受主杂质的非本征半导体以正电荷(空穴)作为载流子,所以称为p(positive,表示正电荷的意思)型半导体。 区别n\p型半导体方法:利用示波器显示半导体材料在交流信号时的伏安曲线,在对一个接触电极进行加热的状态下测试半导体材料的电导率,测量半导体材料的霍尔效应的极性等。 三、能带结构图,p-n结,p-n结的整流效应 ①能带结构图 由于固体镁的3p能带与3s能带有重叠,这种重叠使得电子能够激发到3s和3p的重叠能带里的高能级,所以镁具有导电性。 在金刚石的价带和导带之间有一个较大的禁带Eg。很少有电子具有足够的能量,能够从价带跃迁到导带去。所以金刚石的电导率很低。 虽然锗、硅和锡的能带结构与金刚石相似,但这些材料的禁带宽度Eg 较小。实际上,锡的禁带宽度小得使它具有类似导体的导电性。而禁带宽度Eg稍大一点的锗和硅成了典型的半导体。 ② P-n结:不同类型半导体间接触(构成PN结)或半导体与金属接触时,因电子(或空穴)浓度差而产生扩散,在接触处形成位垒,因而这类接触具有单向导电性。 p-n结能级状态图: ③p-n结整流效应 以接触面为界限,n型区域有一个带正电的空间电荷层,在p型区域有一个带负电的空间电荷层,这个空间电荷层产生一个自建电场。逆着自建电场的方向,即p型区域为正电位,n型区域为负电位时(正向偏置电压),消弱势垒区的电场强度,载流子容易流动。而顺着自建电场的方向,即p型区域为负电位,n型区域为正电位时,载流子不容易流动。这就是p-n结整流的原理。 四、①余辉效应;②激光二极管(激光如何产生);③光伏特效应 ①余辉效应:如果荧光材料中含有一些微量杂质,且这些杂质的能级位于禁带内,相当于陷阱能级(Ed),从价带被激发的电子进入导带后,就会掉入这些陷阱能级。因为这些被陷阱能级所捕获的激发电子必须首先脱离陷阱能级进入导带,然后这些电子跃回到价带,才能发出可见光,所以它们被入射光子激发后,需要延迟一段时间才会发光,这样就出现了所谓的余辉现象。 余辉时间取决于这些陷阱能级与导带之间的能级差,即陷阱能级深度。 ②激光二极管(激光如何产生) 对于高浓度掺杂的半导体p-n结,由于杂质浓度很高,n型区内来自杂质能级的载流子电子非常多,费密能级位于导带之中。另外,p型区的价带中的载流子空穴也非常多,p型区的费密能级位于价带之中。当加上正向偏压时,n区向p区注入载流子电子,而p区向n区注入载流子空穴。 激光二极管为高浓度掺杂半导体,平衡时势垒很高,所加正向电压不足以使势垒消失。这些载流子电子和载流子空穴聚集在p-n结附近,形成所谓的激活区。 (激光产生原理)如果处于高能级上的电子数大于处于低能级上的电子数,受激辐射就会超过光吸收,而导致激光的产生。 ③光伏特效应 受光激发后,在n型硅与p型硅结合区域,会产生大量的空穴载流子和电子载流子。一部分电子载流子会移动到能级较低的n型导带,空穴载流子会移动到能级较低的p型价带。n型中负电荷增加,在p型中正电荷增加,形成电流。电荷增加不会无限进行下去,正负电荷分离后,会产生反电位阻止正负电荷进一步积累。反电位与正负电荷移动趋势相互平衡,就是该太阳能电池最大电动势。 五、金属与半导体的接触:①整流接触;②欧姆接触 ①整流接触 n型半导体与金属接触的情况 假设ФM>ФS 如果加上偏压,使金属与负极连接,半导体与正极连接,电子在此偏压的作用下从金属流向半导体,要越过一个很大的势垒。故此时为反向偏压,电流很小。如果使金属与正极连接,半导体与负极连接,电子在此偏压下从半导体流向金属,要越过的势垒较小,此时为正向偏压,电流较大。所以这样的金属与半导体接触状态具有整流效应。 ②欧姆接触 当n型半导体与金属接触,且ФM <ФS时 此时金属的费密能级较高,电子从金属流向半导体,使金属表面带正电。半导体表面因积累电子而带负电,半导体内部电子增多而费密能级上升。当半导体和金属的费密能级相等时,电子停止流动,达到平衡状态。半导体表面能带向下弯曲,金属与半导体界面没有势垒。无论所加的偏压极性如何,电子都可以自由通过界面,此时的半导体与金属的接触状态称为欧姆接触。 当p型半导体与金属接触,且ФM>ФS时,也形成欧姆接触。 电介质物理 基本概念: ①电介质是在电场作用下具有极化能力并在其中长期存在电场的一种物质。 ②电介质具有极化能力和其中能够长期存在电场的性质是电介质的基本属性。 ③电介质体内一般没有自由电荷,具有良好的绝缘性能。 ④电介质又可称为绝缘材料(insulating material)或绝缘体(insulator) ⑤分为极性电介质&非极性电介质 一、极化,分子极化的来源 分子极化的来源: ①电子位移极化:由于电场的作用,构成它的原子、离子中的电子云将发生畸变,使电子云与原子核发生相对位移,在电场和恢复力的作用下,原子具有了一定的电偶极矩,这种电极化常被称为电子的位移极化Pe。 ②离子极化:由于电场的作用,分子中正负离子发生相对位移(键间角或离子间距的改变),因而产生感应电矩。这种电极化称为离子的位移极化。 ③偶极矩的转向极化:若分子具有固有电矩,而在外电场作用下,电矩的转向所产生的电 极化,称为转向极化Pd。 二、电子电导,离子电导 (1)离子电导: 各种离子型载流子在电场作用下的运动是一种在热激活下越过势垒的定向漂移。 大部分电介质的离子电导是线性的,传导电流正比于所加的电压,符合欧姆定律。 ①本征缺陷载流子 离子晶体中,束缚在晶格结点上的正、负离子在一般情况下是不能参与导电的。只有少量因热缺陷而产生的,脱离格点的填隙离子及空格点的正负离子才能够在电场的作用下作定向运动,参与导电过程。离子晶体中的热缺陷主要有肖特基(Shottky)缺陷和弗兰克尔(Frenkel)缺陷两种。 ②杂质缺陷载流子 实际电介质材料中总是不可避免地存在着杂质的。有时候,为了改进材料的某些性质还有意地添加各种类型的杂质,称为掺杂改性。 杂质离子在晶格中产生点缺陷,破坏了晶格内部势场分布,从而使得晶格中的载流子易于在电场的作用下运动,增大电介质的电导。 复合缺陷在热离解后对于材料的电导有贡献,因此影响材料电导率随温度的变化。 晶体中杂质缺陷载流子的数量主要取决于材料的化学纯度以及掺杂量,与温度无关。 ③质子 质子是含有氢键物体中所特有的一种载流子。在特殊情况下,质子可以在玻璃、聚合物等无定形物体中传导电流。质子电导与物体所吸附的水分有很大关系,并且对物体的表面电导影响很大。促进电导率。 (2)电子电导: 电介质的电子电导主要是由杂质本身以及由杂质形成的各种缺陷,特别是俘获了电子或空穴的各种复合缺陷在电场作用下发生电离造成的。此外,由外部电极注入材料内部的电子所产生的影响也是不可忽视的。 可动电子与空穴,在电介质内部参与电流传导过程时,可以分成两种运动类型:漂移运动和跳跃运动。 电子电导的另一个重要特点是电流传导的非线性关系。由于普尔-弗兰克尔效应和肖特基效应,在不十分高的电场下,参与电流传导的载流电子数与所加的电场有关。这就使得电流随电压的增加比欧姆定律所预期的来得快。 ①非本征载流子:电介质中参与电流传导的可动电子和空穴主要是由杂质引入的,杂质对于材料电子结构的影响取决于基质和杂质本身的电子结构,对于金属氧化物来说,如果基质和杂质本身的禁带都很宽,而且杂质并没有在晶格中产生点缺陷(相当于等价代换),那么掺杂不会使材料的电子结构发生明显的改变。 ②注入载流子:肖特基注入和隧道注入是最主要的载流子注入机制。 (3)表面电导:电介质的体积电导在很大程度上反映了材料本身的特征。电介质的表面电导则不仅与介质材料本身的性质有关,而且在更大程度上取决于材料表面的湿润、氧化和沾污状态。 三、电介质的击穿 概念:固体电介质的击穿就是在电场作用下伴随着热、化学、力等的作用而丧失其绝缘性能的现象. 特点: ①固体介质的击穿强度比气体和液体介质高 ②固体通常总是在气体或液体环境媒质中 ③固体介质的击穿一般是破坏性的,击穿后在试样留下贯穿的孔道、裂纹等不可恢复的伤痕(1)电击穿 当固体电介质承受的电压超过一定的数值VB时,就使其中相当大的电流通过,使介质丧失绝缘性能,这个过程就是电击穿。 产生机制:碰撞电离理论;雪崩理论;隧道击穿(导致晶体击穿的原因是由于隧道电流的增加,晶体局部温度提高,致使晶体局部熔融而破坏。) (2)热击穿 当固体电介质在电场作用下,由电导和介质损耗所产生的热量超过试样通过传导、对流和辐射所能散发的热量时,试样中的热平衡就被破坏,试样温度不断上升,最终造成介质永久性的热破坏,这就是热击穿。 (3)局部放电击穿 局部放电就是在电场作用下,在电介质局部区域中所发生的放电现象,这种放电没有电极之间形成贯穿的通道,整个试样并没有被击穿。局部放电将导致介质的击穿和老化。 一些因素对固体电介质击穿场强的影响: ①固体介质的击穿场强往往取决于材料的均匀性; ②大部分材料在交变电场下的击穿场强低于直流下的击穿场强。在高频下由于局部放电的加剧,使得击穿场强下降得更历害,并且材料的介电常数越大,击穿场强下降得越多; ③无机电介质在高频下的击穿往往具有热的特征,发生纯粹电击穿的情况并不多见; ④在室温附近,高分子电介的击穿场强往往比陶瓷等无机材料要大,并且极大性高聚物的击穿场强常常要比非极性的大; ⑤在软化温度附近,热塑性高聚物的击穿场强急剧下降 铁电物理 一、自发极化 如果晶胞本身的正、负电荷中心不相重合,即晶胞具有极性,那么,由于晶体构造的周期性和重复性,晶胞的固有电矩便会沿着同一方向排列整齐,使晶体处在高度的极化状态下,由于这种极化状态是外场为零时自发地建立起来的,因此称为自发极化。 二、具有铁电的晶体可以分为两大类 具有铁一类是以磷酸二氢钾为代表的,具有氢键,它们从顺电相到铁电相的过渡是无序到有序的相变 另一类则以钛酸钡为代表的,从顺电相到铁电相的过渡,是由于其中两个子晶格发生相对位移 三、居里点、过渡点的区别 当温度高于某一临界温度Tc时,晶体的铁电性消失,而且晶格结构也发生转变,这一温度是铁电体的居里点。 如果晶体具有两个或多个铁电相时,表征顺电相与铁电相之间的一个相变温度才是居里点,而把铁电体发生相变时的温度统称为过渡温度或转变温度。由于极化的非线性,铁电体的介电系数不是常数,而是依赖于外加电场的。铁电体在过渡温度附近介电系数具有很大的值,数量级达到104~105。 四、铁电体电滞回线 铁电体的自发极化在外电场作用下的重行定向并不是连续发生的,而是在外电场超过某一临界场强时发生的。这就使得极化强度P滞后于外加电场E。当电场发生周期性变化时,P 和E 之间便形成电滞回线关系 假设客观存在铁电体在外电场为零时,晶体中的各电畴互相补偿,晶体对外的宏观极化强度为零,晶体的状态处在图上的O点 O点经A点达到B点: 沿着晶体某一可能产生自发极化的方向加上电场,当电场超过电畴反转的临界电场时(图上的A点),与外场方向不一致的反平行畴与正交畴中便有许多新畴产生。随着新畴的不断产生和90°畴壁的侧向移动,与电场方向不一致的畴逐渐消失,沿着电场方向的电畴逐渐扩大,直到晶体中所有电畴均转向外电场方向,整个晶体变成一个单一的极化畴 这时所有电畴均沿着外场取向,达到了饱和状态。电场继续增加时,极化强度已不可能由于畴的转向而大幅度地增加,只能像普通电介质一样,通过电子和离子的位移极化沿着直线BC稍稍增加 到达C点后,如果减少外电场,极化强度沿着CB缓缓下降。当外电场下降到零时,极化强度并不沿着原路返回零点,而是大体保持着在强电场下的状态,并有少数最不稳定的区域分裂出反向电畴 晶体极化强度沿着CB下降到D点,这时的剩余极化强度为Pr 。剩余极化强度Pr比自发极化强度Ps小。 为了从电滞回线上获得Ps的数值,需要把电滞回线的饱和支CB外推到电场为零时在极化轴上的截距E点(OE)。 剩余极化全部去除所需的反向电场强度称为矫顽电场强度。电场继续在反方向上增加时,极 化强度经点到达G点使所有电畴都在反方向上定向。 当反向电场重新下降并改变其方向时,则和前面的过程相似,经由GH返回到C点,完成整个电滞回线CDGHC。电场每变化一周,上述循环发生一次 五、铁电体物理效应 ①压电效应 对于不存在对称中心的晶体,加在晶体上的外力除了使晶体发生形变以外,同时,还将改变晶体的极化状态,在晶体内部建立电场,这种由于机械力的作用而使介质发生极化的现象称为正压电效应。反之,如果把外电场加在这种晶体,改变其极化状态,晶体的形状也将发生变化,这就是逆压电效应。二者统称为压电效应。 压电振子及其参数 若压电振子是具有固有振动频率fr的弹性体,当施加于压电振子上的激励信号频率等于fr 时,压电振子由于逆压电效应产生机械谐振,这种机械谐振又借助正压电效应而输出电信号。 ②电致伸缩 任何电介质在外电场E 的作用下都会出现应力,这种应力的大小与E 的二次项成线性关系,称这种效应为电致伸缩。 电致伸缩效应与压电效应的区别在于:前者是二次效应,在任何电介质中均存在;而后者是一次效应,只可能出现于没有中心对称的电介质中。 对于压电体,在外电场作用下一次的压电效应和二次的电致伸缩效应同时出现。一般说来,一次效应比二次效应显著。 电致伸缩是一种非线性效应。 ③热释电效应 如果晶体是在机械夹持状态下加热的,即晶体的体积和外形被强制地保持不变,这时所观察到的热释电效应为第一类热释电效应。 如果晶体在机械自由状态下加热,那么晶体将因受热膨胀而产生应变,这种应变将通过压电效应产生电位移而叠加在第一类效应上,这种由于热膨胀通过压电效应耦合而产生的附加热释电效应称为第二类热释电效应。 自由晶体受热时的热释电效应是第一类效应和第二类效应之和。 在非均匀加热,晶体内部会出现温度和应力梯度。应力梯度通过压电效应的耦合也将引入附加的热释电效应,称为第三类热释电效应。 低维材料 一、薄膜形成 ①过程:具有一定能量的原子被吸附→形成小原子团→临界核→小岛→大岛→岛结合→沟道薄膜→连续薄膜。 ②薄膜形成的四个阶段:临界核的形成;岛的长大与接合;沟道薄膜的形成和连续膜的形成 二、表面结构 从热力学能量理论分析,薄膜为使其总能量达到最低,应该保持尽可能小的表面积。实际的薄膜相当大的偏离理想的平面,由于沉积过程中入射原子的无规则性,薄膜表面有一定粗糙度。 磁性物理 一、磁性的来源 物质的磁性来源于材料的电子结构。电子磁矩的相互作用决定了磁性材料的类型和磁性能。 二、磁畴:类型,作用,动力 ①概念:根据现代理论,铁磁质相邻原子的电子之间存在很强的“交换耦合作用”,使得在无外磁场作用时,电子自旋磁矩能在小区域内自发地平行排列,形成自发磁化达到饱和状态的微小区域。这些区域称为“磁畴”。 ②畴壁类型:相邻两个片状畴的磁矩夹角为180°时,它们的边界称为180°畴壁;片状畴与三角畴(又称封闭畴)之间磁矩相互垂直,它们的边界称为90°畴壁。在每一个磁畴内,磁矩平行或反平行地有序排列,产生自发磁化。而不同磁畴的自发磁化矢量则是随机排列。 ③作用:用磁畴理论可以解释铁磁质的磁化过程、磁滞现象、磁滞损耗以及居里点。 ④动力:退磁场能是铁磁体分成畴的动力。 三、原子磁矩的来源 原子的磁矩来源于电子和原子核,原子核的磁矩很小,所以主要来源于电子磁矩。 四、原子、离子磁矩的计算 原子的总磁矩是电子轨道磁矩与自旋磁矩的总和。 LS偶合的自由原子的磁矩为: 式中g称为朗德(Lande)因子;J为原子总角量数;L为原子总轨道角量子数;S为原子总自旋量子数 经典自由电子理论推导 推导各向同(异)性材料的体膨胀系数和线膨胀系数的关系 二、计算题 在500单晶硅中掺有的硼,设杂质全部电离球该材料的电阻率,(设u= ,硅密度2.33g/cm^3,硼原子量为10.8) 假设X射线用铝材屏蔽,如果要是95%的X射线能量不能透过,则铝材的厚度至少要多少?铝的吸收系数为0.42cm-1 三、名词解释 马基申定则:总的电阻包括金属的基本电阻和溶质浓度引起的电阻(与温度无关)。 本征半导体:纯净的无结构缺陷的半导体单晶 介质损耗:电介质在电场作用下,单位时间内因发热而消耗的能量成为电介质的介质损耗磁化:任何物质处于磁场中,均会使其所占有的空间的磁场发生变化,这是由于磁场的作用使物质表现出一定的磁性,该现象称为磁化(单位体积的磁矩称为磁化强度)本征磁矩:原子中电子的轨道磁矩和自旋磁矩构成的原子固有磁矩称为本征磁矩 自发磁化:在铁磁物质内部存在着很强的与外磁场无关的“分子场”,在这种分子场作用下,原子磁矩趋于同向平行排列,即自发的磁化至饱和, 磁畴:居里点下,铁磁体自发磁化成若干个小区域,称为磁畴 磁晶各向异性:在单晶体的不同晶向上,磁性能是不同的,称为~ 形状各向异性:不同形状的试样磁化行为是不同的,该现象称为~ 磁致伸缩:铁磁体在磁场中被磁化时,其形状和尺寸都会发生变化这种现象称为~ 技术磁化:在外磁场作用下铁磁体从完全退磁状态磁化至饱和状态的内部变化过程 双光束干涉:两束光相遇后,在光叠加区,光强重新分布,出现明暗相间,稳定的干涉条纹(条件:频率相同振动方向一致,并且有固定的相位关系) 衍射:光波遇到障碍物时,在一定程度上能绕过障碍物进入几何阴影区。 色散:材料的折射率随入射光的波长而变化 折射率的色散:材料的折射率随入射光的频率减小而减小的性质 双折射:由一束入射光折射后分成两束光的现象。符合折射率的是寻常光,不然是非常光二向色性:晶体结构的各向异性不仅能产生折射率的各向异性(双折射),而且能产生吸收率的各向异性 四、问答题 1.经典自由电子理论与量子自由电子理论异同 同:金属晶体中,正离子形成的电场是均匀的,价电子是自由的, 异:经典理论认为没有施加外电场时,自由电子沿各个方向运动的几率相同,不产生电流? 量子理论认为每个原子的内层电子基本保持着单个原子时的能量状态,所有价电子有不同的能级。 2.评价电介质的主要电学性能指标有哪些? 介电常数、耐电常数、损耗因数、体电阻率和表面电阻率、前三个属于介电性,后者导电性3.电介质的极化基本形式 电子式极化、离子式极化、偶极子极化、空间电荷极化 华工材物化复试笔试题 2010年 1、一个人海中溺水,救生员离海有一距离,救生员在水中、陆地上的速度不一样,找一最快路线。 2 、列举生活常见的发光显示器,并说明主要特征。 有机发光显示器(OLED,Organic Light Emitting Display)是一种利用有机半导体材料制成的、用直流电压驱动的薄膜发光器件,OLED显示技术与传统的LCD 显示方式不同,无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。而且OLED显示屏幕可以做得更轻更薄,可视角度更大,并且能够显著节省电能。OLED的工作原理十分简单,有机材料ITO 透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压的驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层,电子和空穴相遇形成激子,使发光分子激发而发出可见光。根据使用的有机材料不同,OLED又分为高分子OLED和小分子OLED,二者的差异主要表现在器件制备工艺上:小分子器件主要采用真空热蒸发工艺;高分子器件则采用旋转涂覆或喷涂印刷工艺。 特点: 1.薄膜化的全固态器件,无真空腔,无液态成份; 2. 高亮度,可达300 cd/m2以上; 3.宽视角,上下、左右的视角宽度超高170度; 4.快响应特性,响应速度为微秒级,是液晶显示器响应速度的1000倍; 5.易于实现全彩色; 6.直流驱动,10V以下,用电池即可驱动; 7.低功耗; 8.工艺比较简单,低成本; 9.分辨率;10.温度特性,在-40℃~70℃范围内都可正常工作。 3 、发光二极管原理,光电二极管的原理 (1)发光二极管(LED)由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管,当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光。 它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关 (2)光电二极管(Photo-Diode,PD)是将光信号变成电信号的半导体器件,由 期末复习题 一、填空(20) 1.一长30cm的圆杆,直径4mm,承受5000N的轴向拉力。如直径拉成3.8 mm,且体积保持不变,在此拉力下名义应力值为,名义应变值为。 2.克劳修斯—莫索蒂方程建立了宏观量介电常数与微观量极化率之间的关系。 3.固体材料的热膨胀本质是点阵结构中质点间平均距离随温度升高而增大。 4.格波间相互作用力愈强,也就是声子间碰撞几率愈大,相应的平均自由程愈小,热导率也就愈 介电常数一致,虚部表示了电介质中能量损耗的大小。 .当磁化强度M为负值时,固体表现为抗磁性。8.电子磁矩由电子的轨道磁矩和自旋磁矩组成。 9.无机非金属材料中的载流子主要是电子和离子。 10.广义虎克定律适用于各向异性的非均匀材料。 ?(1-m)2x。11.设某一玻璃的光反射损失为m,如果连续透过x块平板玻璃,则透过部分应为 I 12.对于中心穿透裂纹的大而薄的板,其几何形状因子。 13.设电介质中带电质点的电荷量q,在电场作用下极化后,正电荷与负电荷的位移矢量为l,则此偶极矩为 ql 。 14.裂纹扩展的动力是物体内储存的弹性应变能的降低大于等于由于开裂形成两个新表面所需的表面能。 15.Griffith微裂纹理论认为,断裂并不是两部分晶体同时沿整个界面拉断,而是裂纹扩展的结果。16.考虑散热的影响,材料允许承受的最大温度差可用第二热应力因子表示。 17.当温度不太高时,固体材料中的热导形式主要是声子热导。 18.在应力分量的表示方法中,应力分量σ,τ的下标第一个字母表示方向,第二个字母表示应力作用的方向。 19.电滞回线的存在是判定晶体为铁电体的重要根据。 20.原子磁矩的来源是电子的轨道磁矩、自旋磁矩和原子核的磁矩。而物质的磁性主要由电子的自旋磁矩引起。 21. 按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。 22.复合体中热膨胀滞后现象产生的原因是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。 23.晶体发生塑性变形的方式主要有滑移和孪生。 24.铁电体是具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。 25.自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用。 二、名词解释(20) 自发极化:极化并非由外电场所引起,而是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。 断裂能:是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性 能等。 《材料物理性能》教学大纲 教学内容: 绪论(1 学时) 《材料物理性能》课程的性质,任务和内容,以及在材料科学与工程技术中的作用. 基本要求: 了解本课程的学习内容,性质和作用. 第一章无机材料的受力形变(3 学时) 1. 应力,应变的基本概念 2. 塑性变形塑性变形的基本理论滑移 3. 高温蠕变高温蠕变的基本概念高温蠕 变的三种理论 第二章基本要求: 了解:应力,应变的基本概念,塑性变形的基本概念,高温蠕变的基本概念. 熟悉:掌握广义的虎克定律,塑性变形的微观机理,滑移的基本形态及与能量的关系.高温蠕变的原因及其基本理论. 重点: 滑移的基本形态,滑移面与材料性能的关系,高温蠕变的基本理论. 难点: 广义的虎克定律,塑性变形的基本理论. 第二章无机材料的脆性断裂与强度(6 学时) 1.理论结合强度理论结合强度的基本概念及其计算 2.实际结合强度实际结合强度的基本概念 3. 理论结合强度与实际结合强度的差别及产生的原因位错的基本概念,位错的运动裂纹的扩展及扩展的基本理论 4.Griffith 微裂纹理论 Griffith 微裂纹理论的基本概 念及基本理论,裂纹扩展的条件 基本要求: 了解:理论结合强度的基本概念及其计算;实际结合强度的基本概念;位错的基本概念,位错的运动;裂纹的扩展及扩展的基本理论;Griffith 微裂纹理论的基本概念及基本理论,裂纹扩展的条件熟悉:理论结合强度和实际结合强度的基本概念;位错的基本概念,位错的运动;裂纹的扩展及扩展的基本理论;Griffith 微裂纹理论的基本概念及基本理论,裂纹扩展的条件. 重点: 裂纹的扩展及扩展的基本理论;Griffith 微裂纹理论的基本概念及基本理论,裂纹扩展的条件难点: Griffith 微裂纹理论的 基本概念及基本理论 第三章无机材料的热学性能(7 学时) 1. 晶体的点阵振动一维单原子及双原子的振动的基本理论 2. 热容热容的基本概念热容的经验定律和经典理论热容的爱因斯坦模型热容的德拜模型 3.热膨胀热膨胀的基本概念热膨胀的基 材料物理与化学专业博士研究生培养方案 一、培养目标及学习年限: 本专业培养德、智、体全面发展的材料物理与化学方面的高级专门人才。要求学生遵守中华人民共和国宪法和法律,具有为科学事业献身的精神、良好的品德和科学修养、健康的身体和良好的心理素质;在本学科掌握坚实宽广的基础理论和系统深入的专业知识,掌握一至两门外国语,具有独立从事科学研究、教学或独立负担专业技术工作的能力,在材料物理与化学或相关科学领域的研究或应用上做出创造性成果,成为为社会主义建设服务的高级科学专门人才。 学习年限按中山大学《学位与研究生教育工作手册》有关规定执行。 二、研究方向: 1、光电薄膜材料与器件; 2、光电纳米材料与技术; 3、一维纳米材料与纳米结构研究; 4、功能纳米材料的合成与物性表征; 5、纳米材料与技术在生物医学中的应用; 6、高分子材料物理与化学; 7、无机材料物理与化学; 8、功能高分子材料; 9、低维材料与量子器件;10、光子学与光电子材料;11、有机光电功能材料;12、燃料电池及关键材料研究;13、新型电池材料;14、材料微观结构表征理论与方法。 三、课程设置及学分要求 (二)、硕博连读生、直博生:必修课21学分,指选课不少于7学分,总学分不少于40学 四、培养必修环节要求 按《中山大学学位与研究生教育工作手册》和《物理科学与工程技术学院研究生培养管理条例》有关规定执行。 五、学位论文工作及发表论文要求 按《物理科学与工程技术学院研究生培养管理条例》有关规定执行。 六、必读和选读书目 七、培养质量要求和保障措施 培养材料物理与化学专业高素质的专业人才,要求学生掌握本学科坚实宽广的基础理论和系统深入的专业知识,具有独立从事科学研究、教学或独立负担专业技术工作的能力,在材料物理与化学或相关科学领域的研究或应用上做出创造性成果,成为为社会主义建设服务的高级科学专门人才。 优秀的导师团队是培养博士研究生的基本保障,可以给博士研究生悉心指导,帮助其选择合理的研究方向和学位论文课题;本专业良好的科研背景可为博士研究生提供良好的学习、研究条件;此外,学院鼓励、支持博士研究生参与国内外的学术交流活动,提供良好的学术氛围。 1. 影响弹性模量的因素包括:原子结构、温度、相变。 2. 随有温度升高弹性模量不一定会下降。如低碳钢温度一直升到铁素体转变为 奥氏体相变点,弹性模量单调下降,但超过相变点,弹性校模量会突然上升,然后又呈单调下降趋势。这是在由于在相变点因为相变的发生,膨胀系数急剧减小,使得弹性模量突然降低所致。 3. 不同材料的弹性模量差别很大,主要是因为材料具有不同的结合键和键能。 4. 弹性系数Ks 的大小实质上代表了对原子间弹性位移的抵抗力,即原子结合 力。对于一定的材料它是个常数。 弹性系数Ks 和弹性模量E 之间的关系:它们都代表原子之间的结合力。因为建立的模型不同,没有定量关系。(☆) 5. 材料的断裂强度:a E th /γσ= 材料断裂强度的粗略估计:10/E th =σ 6. 杜隆-珀替定律局限性:不能说明低温下,热容随温度的降低而减小,在接近 绝对零度时,热容按T 的三次方趋近与零的试验结果。 7. 德拜温度意义: ① 原子热振动的特征在两个温度区域存在着本质差别,就是由德拜温 度θD 来划分这两个温度区域: 在低θD 的温度区间,电阻率与温度的5次方成正比。 在高于θD 的温度区间,电阻率与温度成正比。 ② 德拜温度------晶体具有的固定特征值。 ③ 德拜理论表明:当把热容视为(T/θD )的两数时,对所有的物质都具有 相同的关系曲线。德拜温度表征了热容对温度的依赖性。本质上, 徳拜温度反应物质内部原子间结合力的物理量。 8. 固体材料热膨胀机理: (1) 固体材料的热膨胀本质,归结为点阵结构中质点间平均距离随温度升 高而增大。 (2) 晶体中各种热缺陷的形成造成局部点阵的畸变和膨胀。随着温度升 高,热缺陷浓度呈指数增加,这方面影响较重要。 9. 导热系数与导温系数的含义: 材料最终稳定的温度梯度分布取决于热导率,热导率越高,温度梯度越小;而趋向于稳定的速度,则取决于热扩散率,热扩散率越高,趋向于稳定的速度越快。 即:热导率大,稳定后的温度梯度小,热扩散率大,更快的达到“稳定后的温度梯度”(☆) 10. 热稳定性是指材料承受温度的急剧变化而不致破坏的能力,故又称为抗热震 性。 热稳定性破坏(即抗热振性)的类型有两种:抗热冲击断裂性和抗热冲击损伤性。 11. 提高材料抗热冲击断裂性能的措施 ①提高材料强度σ,减小弹性模量E ,σ/E 增大,即提高了材料柔韧性,这样可吸收较多的应变能而不致于开裂。晶粒较细,晶界缺陷小,气孔少且分散者,强度较高,抗热冲击断裂性较好。 材料力学期末复习题 判断题 1、强度是构件抵抗破坏的能力。() 2、刚度是构件抵抗变形的能力。() 3、均匀性假设认为,材料内部各点的应变相同。() 4、稳定性是构件抵抗变形的能力。() 5、对于拉伸曲线上没有屈服平台的合金塑性材料,工程上规定2.0σ作为名义屈服极限,此时相对应的应变为2.0%=ε。() 6、工程上将延伸率δ≥10%的材料称为塑性材料。() 7、任何温度改变都会在结构中引起应变与应力。() 8、理论应力集中因数只与构件外形有关。() 9、任何情况下材料的弹性模量E都等于应力和应变的比值。 () 10、求解超静定问题,需要综合考察结构的平衡、变形协调和物理三个方面。() 11、未知力个数多于独立的平衡方程数目,则仅由平衡方程无法确定全部未知力,这类问题称为超静定问题。() 12、矩形截面杆扭转变形时横截面上凸角处切应力为零。() 13、由切应力互等定理可知:相互垂直平面上的切应力总是大小相等。() 14、矩形截面梁横截面上最大切应力maxτ出现在中性轴各点。 () 15、两梁的材料、长度、截面形状和尺寸完全相同,若它们的挠曲线相同,则受力相同。() 16、材料、长度、截面形状和尺寸完全相同的两根梁,当载荷相同,其变形和位移也相同。() 17、主应力是过一点处不同方向截面上正应力的极值。() 18、第四强度理论用于塑性材料的强度计算。() 19、第一强度理论只用于脆性材料的强度计算。() 20、有效应力集中因数只与构件外形有关。() 绪论 1.各向同性假设认为,材料内部各点的()是相同的。 (A)力学性质;(B)外力;(C)变形;(D)位移。 2.根据小变形条件,可以认为 ( )。 (A)构件不变形;(B)构件不变形; (C)构件仅发生弹性变形;(D)构件的变形远小于其原始尺寸。 二、计算题: 1.梁结构尺寸、受力如图所示,不计梁重,已知q=10kN/m,M=10kN·m,求A、B、C处的约束力。 2.铸铁T梁的载荷及横截面尺寸如图所示,C为截面形心。已知I z=60125000mm4,y C=157.5mm,材料许用压应力[σc]=160MPa,许用拉应力[σt]=40MPa。试求:①画梁的剪力图、弯矩图。②按正应力强度条件校核梁的强度。 3.传动轴如图所示。已知F r=2KN,F t=5KN,M=1KN·m,l=600mm,齿轮直径D=400mm,轴的[σ]=100MPa。试求:①力偶M的大小;②作AB轴各基本变形的力图。③用第三强度理论设计轴AB 的直径d。 4.图示外伸梁由铸铁制成,截面形状如图示。已知I z=4500cm4,y1=7.14cm,y2=12.86cm,材料许用压应力[σc]=120MPa,许用拉应力[σt]=35MPa,a=1m。试求:①画梁的剪力图、弯矩图。②按正应力强度条件确定梁截荷P。 5.如图6所示,钢制直角拐轴,已知铅垂力F1,水平力F2,实心轴AB的直径d,长度l,拐臂的长度a。试求:①作AB轴各基本变形的力图。②计算AB轴危险点的第三强度理论相当应力。 6.图所示结构,载荷P=50KkN,AB杆的直径d=40mm,长度l=1000mm,两端铰支。已知材料E=200GPa,σp=200MPa,σs=235MPa,a=304MPa,b=1.12MPa,稳定安全系数n st=2.0,[σ]=140MPa。试校核AB杆是否安全。 7.铸铁梁如图5,单位为mm,已知I z=10180cm4,材料许用压应力[σc]=160MPa,许用拉应力[σt]=40MPa,试求:①画梁的剪力图、弯矩图。②按正应力强度条件确定梁截荷P。 8.图所示直径d=100mm的圆轴受轴向力F=700kN与力偶M=6kN·m的作用。已知M=200GPa,μ=0.3,[σ]=140MPa。试求:①作图示圆轴表面点的应力状态图。②求圆轴表面点图示方向的正应变。③按第四强度理论校核圆轴强度。 9.图所示结构中,q=20kN/m,柱的截面为圆形d=80mm,材料为Q235钢。已知材料E=200GPa,σp=200MPa,σs=235MPa,a=304MPa,b=1.12MPa,稳定安全系数n st=3.0,[σ]=140MPa。试校核柱BC是否安全。 材料物理性能考试重点、复习题 精品资料 1.格波:在晶格中存在着角频率为ω的平面波,是晶格中的所有原子以相同频率振动而 形成的波,或某一个原子在平衡附近的振动以波的形式在晶体中传播形成的波 2.色散关系:频率和波矢的关系 3.声子:晶格振动中的独立简谐振子的能量量子 4.热容:是分子或原子热运动的能量随温度而变化的物理量,其定义是物体温度升高1K 所需要增加的能量。 5.两个关于晶体热容的经验定律:一是元素的热容定律----杜隆-珀替定律:恒压下元素的 原子热容为25J/(K*mol);另一个是化合物的热容定律-----奈曼-柯普定律:化合物分子热容等于构成此化合物各元素原子热容之和。 6.热膨胀:物体的体积或长度随温度的升高而增大的现象称为热膨胀 7.固体材料热膨胀机理:材料的热膨胀是由于原子间距增大的结果,而原子间距是指晶 格结点上原子振动的平衡位置间的距离。材料温度一定时,原子虽然振动,但它平衡位置保持不变,材料就不会因温度升高而发生膨胀;而温度升高时,会导致原子间距增大。 8.温度对热导率的影响:在温度不太高时,材料中主要以声子热导为主,决定热导率的因 素有材料的热容C、声子的平均速度V和声子的平均自由程L,其中v通常可以看作常数,只有在温度较高时,介质的弹性模量下降导致V减小。材料声子热容C在低温下与温度T3成正比。声子平均自由程V随温度的变化类似于气体分子运动中的情况,随温度升高而降低。实验表明在低温下L值的变化不大,其上限为晶粒的线度,下限为晶格间距。在极低温度时,声子平均自由程接近或达到其上限值—晶粒的直径;声子的热容C则与T3成正比;在此范围内光子热导可以忽略不计,因此晶体的热导率与温度的三次方成正比例关系。在较低温度时,声子的平均自由程L随温度升高而减小,声子的热容C仍与T3成正比,光子热导仍然极小,可以忽略不计,此时与L相比C对声子热导率的影响更大,因此在此范围内热导率仍然随温度升高而增大,但变化率减小。 在较高温度下,声子的平均自由程L随温度升高继续减小,而声子热容C趋近于常数,材料的热导率由L随温度升高而减小决定。随着温度升高,声子的平均自由程逐渐趋近于其最小值,声子热容为常数,光子平均自由程有所增大,故此光子热导逐步提高,因此高温下热导率随温度升高而增大。一般来说,对于晶体材料,在常用温度范围内,热导率随温度的上升为下降。 9.影响热导率的因素:1)温度的影响,一般来说,晶体材料在常用温度范围内,热导率随 温度的上升而下降。2)显微结构的影响。3)化学组成的影响。4)复合材料的热导率 10.热稳定性:是指材料承受温度的急剧变化而不致破坏的能力,所以又称为抗热震性。 11.常用热分析方法:1)普通热分析法2)差热分析3)差示扫描量热法4)热重法 12.光折射:当光依次通过两种不同介质时,光的行进方向要发生改变,这种现象称为折 射 13.光的散射:材料中如果有光学性能不均匀的结构,例如含有透明小粒子、光性能不同 的晶界相、气孔或其他夹杂物,都会引起一部分光束偏离原来的传播方向而向四面八方散开来,这种现象称为光的散射。 14.吸收:光通过物质传播时,会引起物质的价电子跃迁或使原子振动,从而使光能的一 部分转变为热能,导致光能的衰减的现象 15.弹性散射:光的波长(或光子能量)在散射前后不发生变化的,称为弹性散射 16.按照瑞利定律,微小粒子对波长的散射不如短波有效,在可见光的短波侧λ=400nm 处,紫光的散射强度要比长波侧λ=720nm出红光的散射强度大约大10倍 17.色散:材料的折射率随入射光的频率的减小(或波长的增加)而减小的性质,称为材仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢2 材料物理性能思考题 第一章:材料电学性能 1如何评价材料的导电能力?如何界定超导、导体、半导体和绝缘体材料? 2 经典导电理论的主要内容是什么?它如何解释欧姆定律?它有哪些局限性? 3 自由电子近似下的量子导电理论如何看待自由电子的能量和运动行为? 4 根据自由电子近似下的量子导电理论解释:准连续能级、能级的简并状态、 简并度、能态密度、k空间、等幅平面波和能级密度函数。 5 自由电子近似下的等能面为什么是球面?倒易空间的倒易节点数与不含自旋 的能态数是何关系?为什么自由电子的波矢量是一个倒易矢量? 6 自由电子在允许能级的分布遵循何种分布规律?何为费米面和费米能级?何 为有效电子?价电子与有效电子有何关系?如何根据价电子浓度确定原子的费米半径? 7 自由电子的平均能量与温度有何种关系?温度如何影响费米能级?根据自由 电子近似下的量子导电理论,试分析温度如何影响材料的导电性。 8 自由电子近似下的量子导电理论与经典导电理论在欧姆定律的微观解释方面 有何异同点? 9 何为能带理论?它与近自由电子近似和紧束缚近似下的量子导电理论有何关 系? 10 孤立原子相互靠近时,为什么会发生能级分裂和形成能带?禁带的形成规律 是什么?何为材料的能带结构? 11 在布里渊区的界面附近,费米面和能级密度函数有何变化规律?哪些条件下 会发生禁带重叠或禁带消失现象?试分析禁带的产生原因。 12 在能带理论中,自由电子的能量和运动行为与自由电子近似下有何不同? 13 自由电子的能态或能量与其运动速度和加速度有何关系?何为电子的有效质 量?其物理本质是什么? 14 试分析、阐述导体、半导体(本征、掺杂)和绝缘体的能带结构特点。 15 能带论对欧姆定律的微观解释与自由电子近似下的量子导电理论有何异同 点? 16 解释原胞、基矢、基元和布里渊区的含义 1.微观粒子的波粒二象性 在量子力学里,微观粒子在不同条件下分别表现出波动或粒子的性质。这种量子行为称为波粒二象性。 2.波函数及其物理意义 微观粒子具有波动性,是一种具有统计规律的几率波,它决定电子在空间某处出现的几率,在t 时刻,几率波应是空间位置(x,y,z,t)的函数。此函数 称波函数。其模的平方代表粒子在该处出现的概率。 表示t 时刻、 (x 、y 、z )处、单位体积内发现粒子的几率。 3.自由电子的能级密度 能级密度即状态密度。 dN 为E 到E+dE 范围内总的状态数。代表单位能量范围内所能容纳的电子数。 4.费米能级 在0K 时,能量小于或等于费米能的能级全部被电子占满,能量大于费米能级的全部为空。故费米能是0K 时金属基态系统电子所占有的能级最高的能量。 5.晶体能带理论 假定固体中原子核不动,并设想每个电子是在固定的原子核的势场及其他电子的平均势场中运动,称单电子近似。用单电子近似法处理晶体中电子能谱的理论,称能带理论。 6.导体,绝缘体,半导体的能带结构 根据能带理论,晶体中并非所有电子,也并非所有的价电子都参与导电,只有导带中的电子或价带顶部的空穴才能参与导电。从下图可以看出,导体中导带和价带之间没有禁区,电子进入导带不需要能量,因而导电电子的浓度很 大。在绝缘体中价带和导期隔着一个宽的禁带E g ,电子由价带到导带需要外界供给能量,使电子激发,实现电子由价带到导带的跃迁,因而通常导带中导电电子浓度很小。半导体和绝缘体有相类似的能带结构,只是半导体的禁带较窄(E g 小) ,电子跃迁比较容易 1.电导率 是表示物质传输电流能力强弱的一种测量值。当施加电压于导体的两 端 时,其电荷载子会呈现朝某方向流动的行为,因而产生电流。电导率 是以欧姆定律定义为电流密度 和电场强度 的比率: κ=1/ρ 2.金属—电阻率与温度的关系 金属材料随温度升高,离子热振动的振幅增大,电子就愈易受到散射,当电子波通过一个理想品体点阵时(0K),它将不受散射;只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方,电子被才受到散射(不相干散射),这就是金属产生电阻的根本原因。由于温度引起的离子运动(热振动)振幅的变化(通常用振幅的均方值表示),以及晶体中异类原于、位错、点缺陷等都会使理想晶体点阵的周期性遭到破坏。这样,电子波在这些地方发生散射而产生电阻,降低导电性。 金属电阻率在不同温度范围与温度变化关系不同。一般认为纯金属在整个温度区间产生电阻机制是电子-声子(离子)散射。在极低温度下,电子-电子散射构成了电阻产生的主要机制。金属融化,金属原子规则阵列被破坏,从而增强了对电子的散射,电阻增加。 3.离子电导理论 离子电导是带有电荷的离子载流子在电场作用下的定向移动。一类是晶体点阵的基本离子,因热振动而离开晶格,形成热缺陷,离子或空位在电场作用下成为导电载流子,参加导电,即本征导电。另一类参加导电的载流子主要是杂质。 离子尺寸,质量都远大于电子,其运动方式是从一个平衡位置跳跃到另一个平衡位置。离子导电是离子在电场作用下的扩散。其扩散路径畅通,离子扩散系数就高,故导电率高。 4.快离子导体(最佳离子导体,超离子导体) 具有离子导电的固体物质称固体电解质。有些 学院概况 西安建筑科技大学材料与矿资学院,其前身可追溯到1956年在建筑工艺系开设的“混凝土及建筑制品工艺”专业。学院师资力量雄厚,目前共有教职工147人,其中中国工程院院士1人,教授及教授级高级工程师16人,副教授及高级工程师34人,设有陕西省“三秦学者”岗位,此外还聘有一大批国内外材料学科的专家学者为学院兼职教授。 学院目前拥有材料科学与工程、矿业工程和安全科学与工程三个一级学科,拥有材料科学与工程一级学科博士点,材料物理与化学、材料学、建筑材料、资源循环科学与工程4个二级博士点,硕士学位授予权覆盖学院全部专业。学院设有材料科学与工程博士后科研流动站。 学院下设粉体工程研究所、高温陶瓷研究所、建筑工程材料研究所、材料科学研究所、劳动安全卫生研究所和矿物资源工程研究所6个具有教学、科研和技术服务等职能的实体研究所。拥有国家干法水泥回转窑预热预分解技术研究推广中心、教育部生态水泥工程中心、国家与地方联合生态建筑材料工程技术中心、陕西省(13115)生态水泥、混凝土工程技术研究中心、陕西省新型干法水泥工程研究中心、陕西省水泥新技术推广中心、国家建材设计甲级资质、矿山设计乙级资质和陕西省建筑工程材料质量检测中心。莱钢集团、陕西尧柏集团、陕西声威集团、河南海格尔集团、济南新峨嵋、北京新奥混凝土集团有限公司等企业在我院设立了工程技术研究中心。 近年来,学院在科学研究方面取得了丰硕的成果,形成了新型干法水泥工艺理论与技术、粉体工程、新型超细粉磨技术、工业废弃物资源化、高强与高性能混凝土、陶瓷基复合材料制备技术和新型功能耐火材料研制等研究方向。发表高水平学术论文960余篇,其中三大检索收录330篇,出版专著7部,教材35部。先后获得国家科技进步二等奖1项、国家发明四等奖1项、省部级奖20余项,获国家发明专利180项,年均科研经费3000万元。与德国亚琛工业大学、澳大利亚新南威尔士大学、挪威科技大学等国外知名大学建立了友好合作关系。 学院以独特的地理条件、行业渊源,立足西部,面向全国,为国家培养了一大批新型水泥工艺及装备、耐火材料、工业废弃物资源化、高强与高性能混凝土方面的专门人才,解决了大量的工程技术关键问题,为国家经济建设和陕西地方 期末复习题参考答案 一、填空 1.一长30cm的圆杆,直径4mm,承受5000N的轴向拉力。如直径拉成3.8 mm,且体积保持不变,在此拉力下名义应力值为,名义应变值为。 2.克劳修斯—莫索蒂方程建立了宏观量介电常数与微观量极化率之间的关系。 3.固体材料的热膨胀本质是点阵结构中质点间平均距离随温度升高而增大。 4.格波间相互作用力愈强,也就是声子间碰撞几率愈大,相应的平均自由程愈小,热导率也就愈低。 5.电介质材料中的压电性、铁电性与热释电性是由于相应压电体、铁电体和热释电体都是不具有对称中心的晶体。 6.复介电常数由实部和虚部这两部分组成,实部与通常应用的介电常数一致,虚部表示了电介质中能量损耗的大小。 7.无机非金属材料中的载流子主要是电子和离子。 8.广义虎克定律适用于各向异性的非均匀材料。 ?(1-m)2x。9.设某一玻璃的光反射损失为m,如果连续透过x块平板玻璃,则透过部分应为 I 10.对于中心穿透裂纹的大而薄的板,其几何形状因子Y= 。 11.设电介质中带电质点的电荷量q,在电场作用下极化后,正电荷与负电荷的位移矢量为l,则此偶极矩为 ql 。 12.裂纹扩展的动力是物体内储存的弹性应变能的降低大于等于由于开裂形成两个新表面所需的表面能。 13.Griffith微裂纹理论认为,断裂并不是两部分晶体同时沿整个界面拉断,而是裂纹扩展的结果。14.考虑散热的影响,材料允许承受的最大温度差可用第二热应力因子表示。 15.当温度不太高时,固体材料中的热导形式主要是声子热导。 16.在应力分量的表示方法中,应力分量σ,τ的下标第一个字母表示方向,第二个字母表示应力作用的方向。 17.电滞回线的存在是判定晶体为铁电体的重要根据。 18.原子磁矩的来源是电子的轨道磁矩、自旋磁矩和原子核的磁矩。而物质的磁性主要由电子的自旋磁矩引起。 19. 按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。 20.复合体中热膨胀滞后现象产生的原因是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。 21.晶体发生塑性变形的方式主要有滑移和孪生。 22.铁电体是具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。 23.自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用。 二、名词解释 自发极化:极化并非由外电场所引起,而是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。 断裂能:是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性 能等。 滞弹性:当应力作用于实际固体时,固体形变的产生与消除需要一定的时间,这种与时间有关的弹性称为滞弹性。 格波:处于格点上的原子的热振动可描述成类似于机械波传播的结果,这种波称为格波,格波的一个 《材料物理性能》课程教学大纲 一、课程名称(中英文) 中文名称:材料物理性能 英文名称:Properties of Material Physics 二、课程代码及性质 课程代码: 0801151 课程性质:学科专业基础课程, 必修课 三、学时与学分 总学时:32(理论学时:32学时;实践学时:0学时) 学分:2 四、先修课程 大学物理、材料科学基础、热处理原理与工艺 五、授课对象 本课程面向材料科学与工程专业、功能材料专业开设 六、课程教学目的(对学生知识、能力、素质培养的贡献和作用) 本课程的教学目的: 1. 系统掌握材料物理性能方向的专业知识,具备应用这些知识分析、解决材料科学与工程专业中的功能材料选择和应用技术复杂问题的能力; 2. 掌握各种物理性能的本质,具备独立进行物理性能分析和测量的能力; 3. 理解不同类型物理性能与材料的不同层次的结构和组织之间的对应关系,具备基于材料成分、结构设计开发新型功能材料的能力;同时,具备基于材料物理性能的研究,实现对材料结构和相变(结构变化)的表征的能力; 4.了解功能材料及制备和应用技术的发展前沿,掌握其发展特点与动向。 七、教学重点与难点: 教学重点: 材料物理性能中的电学性能、介电性能、热学性能、光学性能和磁学性能基于材料成分、结构和组织微观本质。 教学难点: 材料物理性能中的电学性能、介电性能、热学性能、光学性能和磁学性能的微观机理和宏观性能内在联系的定量描述,以及各种性能之间的逻辑关系。 八、教学方法与手段: 教学方法: (1)以课堂讲授为主,阐述该课程的基本内容,保证主要教学内容的完成; (2)安排适量的课堂讨论环节,使学生通过课下的资料查阅而掌握基本的专业资料获取方法、途径、整理归纳和讲演能力。 教学手段: (1)运用现代教学工具,在课堂上通过PPT讲授方式,实现图文并茂,形象直观; (2)收集典型功能材料应用实物,在课堂上进行针对性讲授。 九、教学内容与学时安排 (1)总体安排 教学内容与学时的总体安排,如表2所示。 (2)具体内容 各章节的具体内容如下: 第一章材料物理性能概论(2学时) 1.1材料的分类 1.2材料物理性能本构关系 1.3材料物理性能的研究方法及描述 1.4数值分析方法在材料物理性能研究中的应用 1.5功能材料的性能、应用与发展 第二章材料的电学性能(6学时) 2.1 概念和原理 2.2 导体、绝缘体和半导体的能带 2.3 金属的导电性 2.4 离子导体 2.5 半导体的电学性能 2.6 超导电性 材料物理 第四章材料强化 比较材料强化的方法 加工硬化 适用材料:位错能够滑移的塑性材料 原理:塑性变形时由于位错增殖,提高材料密度,使位错间相互作用力增大,使对位错进行滑移的阻力也增大,起到强化作用 加工技术:冷加工(低温下使金属发生形变),轧制、锻造、冲压、拉拔等。冷加工既经济又方便,可用退火消除冷加工产生塑性变形;通过控制变形量控制加工硬化的程度。(通过每次增加一点应力以使金属发生塑性形变从而提高到屈服强度的方式,高温下失去强化效果) 随变形强度↑→强硬度↑→塑韧性↓的现象 性能变化:抗张强度、屈服强度和硬度有所增加,但是塑性和金属形变的总的性能下降,同时物理性能如电导率、密度等也都有所下降。 固溶强化 通过形成固溶体合金,可是实现固溶强化的目的。(高温不明显损害固溶强化效果) 原理:溶质原子进入溶剂,造成晶格畸变,从而使位错滑移困难,基体的变形抗力随之提高(有些固溶体会出现明显的屈服点和应变时效现象)。 效果:溶质、溶剂原子尺寸差别越大,固溶强化效果越好(差别大的尺寸的溶质原子进入溶剂后,造成晶格畸变大,位错滑移越困难);添加的合金元素越多,固溶强化效果越好。加工技术:形成固溶体合金 性能变化:合金的屈服强度、抗拉强度、硬度等会超过纯金属;几乎所有合金的塑性都低于纯金属,铜锌合金除外;合金的电导率大大低于纯金属;改善合金的抗蠕变性能。 弥散强化 将多相组织混合在一起所获得的材料强化效应。(特别适应高温材料) 原理:添加合金元素的量大于固溶度,析出新相形成两相合金,两相界面上的原子排列无晶格完整性,阻碍位错的滑移,从而实现材料强化。 加工技术:通过使金属间化合物在塑性基体中弥散分布或共晶反应能够获得弥散强化的材料。 固态相变强化 通过控制固态相变来强化材料的方法,可以多次采用;而通过控制凝固过程实现材料强化的方法,只能在材料冶炼制备中采用一次。 原理:通过控制第二相或析出物的析出获得所需的强化性能。 加工技术:利用时效强化、共析反应或非平衡态的马氏体相变等固态相变来强化材料。 分别说明材料的强度、刚性、延性和韧性的意义和平价方法。 强度指构件或零部件在确定的外力作用下不发生破裂或过量的塑性形变的能力,是衡量构件或零部件本身承载能力的重要指标。按外力作用性质不同主要有屈服强度、抗拉强度、抗弯强度等,可通过拉伸试验、弯曲试验和冲击实验所测得的相应数据评价。 刚性是指构件或零部件在确定的外力作用下,其弹性变形的能力,用产生单位应变所需的力或力矩来度量。可通过测量材料的弹性模量E来评价,E越大,材料刚性越大。 延性指材料截面积的减少量或伸长的百分率,反映了材料发生塑性形变而不断裂的能力。可通过拉伸试验测定材料的伸长率来评价,工程上一般认为δ≥5%为韧性材料,反之为脆性材 1、试说明下列磁学参量的定义和概念:磁化强度、矫顽力、饱和磁化强度、磁导率、磁化率、剩余磁感应强度、磁各向异性常数、饱和磁致伸缩系数。 a、磁化强度:一个物体在外磁场中被磁化的程度,用单位体积内磁矩的多少来衡量,成为磁化强度M b、矫顽力Hc:一个试样磁化至饱和,如果要μ=0或B=0,则必须加上一个反向磁场Hc,成为矫顽力。 c、饱和磁化强度:磁化曲线中随着磁化场的增加,磁化强度M或磁感强度B开始增加较缓慢,然后迅速增加,再转而缓慢地增加,最后磁化至饱和。Ms成为饱和磁化强度,Bs成为饱和磁感应强度。 d、磁导率:μ=B/H,表征磁性介质的物理量,μ称为磁导率。 e、磁化率:从宏观上来看,物体在磁场中被磁化的程度与磁化场的磁场强度有关。 M=χ·H,χ称为单位体积磁化率。 f、剩余磁感应强度:将一个试样磁化至饱和,然后慢慢地减少H,则M也将减少,但M并不按照磁化曲线反方向进行,而是按另一条曲线改变,当H减少到零时,M=Mr或Br=4πMr。(Mr、Br分别为剩余磁化强度和剩余磁感应强度) g、磁滞消耗:磁滞回线所包围的面积表征磁化一周时所消耗的功,称为磁滞损耗Q(J/m3) h、磁晶各向异性常数:磁化强度矢量沿不同晶轴方向的能量差代表磁晶各向异性能,用Ek表示。磁晶各向异性能是磁化矢量方向的函数。 i、饱和磁致伸缩系数:随着外磁场的增强,致磁体的磁化强度增强,这时|λ|也随之增大。当H=Hs时,磁化强度M达到饱和值,此时λ=λs,称为饱和磁致伸缩所致。 2、计算Gd3+和Cr3+的自由离子磁矩?Gd3+的离子磁矩比Cr3+离子磁矩高的原因是什么? Gd3+有7个未成对电子,Cr3+ 3个未成对电子. 所以, Gd3+的离子磁矩为7μB, Cr3+的离子磁矩为3μB. 3、过渡族金属晶体中的原子(或离子)磁矩比它们各自的自由离子磁矩低的原因是什么? 4、试绘图说明抗磁性、顺磁性、铁磁性物质在外场B=0的磁行为。 材料物理与化学 080501 (一级学科:材料科学与工程) 本学科1998年获得硕士学位授予权,以研究材料中的物理化学过程为主,注重基础理论的培养,并与应用研究相结合,培养学生的独立工作能力为主。主要研究方向有: 1.低维材料合成化学:主要从事零维,一维和二维纳米材料的新方法、新材料合成的研究,特别是材料合成过程中的化学问题。二维材料开展液相电化学沉积技术的基础及应用研究。一维纳米材料的研究着重于半导体化合物纳米管纳米带的制备及应用的研究,如III-V和II-VI化合物半导体纳米管及纳米带的制备方法及器件应用的研究。零维纳米材料的研究则在化合物半导体纳米粉末的制备及与高分子复合材料制备技术及其应用方面开展研究,特别是一些新型制备方法的研究。 2.生物医用材料的物理与化学:生物医用材料是指对人体进行诊断、治疗和置换损坏的组织或器官以及增强其功能的材料,其作用不能为药物所替代。主要采用高分子合成化学的方法来制备新型可降解高分子材料,以获得在功能上与天然大分子接近,在力学与加工性能上又具有合成高分子材料特性的生物医用材料,并研究作为人体组织修复和替代材料、美容整形填充材料、药物控释载体材料等的使用。 3.材料界面物理与化学及高分子材料合成技术:主要研究自由基活性/可控聚合反应,新型光学活性高分子,高分子自组装与性能研究。 4.材料微结构与材料物理:针对国防先进材料,研究材料形成过程、结构演变规律及其物理与化学机理。通过对材料的微结构研究,揭示材料的形成热力学与动力学机制,研究材料微结构与性能的关系,建立典型材料(隐身材料、热透波材料、防热材料及其他特殊电磁功能材料)的结构与性能表征的研究新方法与测试技术。 一、培养目标 掌握坚实的材料物理化学基础理论和系统的材料物理化学专门知识,具有从事科学研究或担负专门技术的能力,能够胜任材料物理化学相关的教学科研工作。 二、课程设置 运动的合成与分解【知识回顾】 1. 物体做曲线运动的条件? 2. 怎样区分合运动与分运动? 3. 合运动和分运动之间具有怎样的关系? 【课堂探究】 一. 两个直线运动的合运动的性质判断 1. 两个匀速直线运动的合运动可能是什么运动? ⑴同一直线时: ⑵互成角度时: 2. 一个匀速直线运动和一个匀变速直线运动的合运动可能是什么运动? ⑴同一直线时: ⑵互成角度时: 3. 两个匀变速直线运动的合运动可能是什么运动? ⑴同一直线时: ⑵互成角度时: 总结归纳:怎样判断两个直线运动的合运动的性质? 练习1.关于运动的合成,下列说法正确的有 A.两个直线运动的合运动一定是直线运动 B.初速度为零的两个匀加速直线运动的合运动一定是匀加速直线运动C.一个匀速直线运动和一个匀加速直线运动的合运动一定不是直线运动D.两个匀速直线运动的合运动也可能是曲线运动 二. 绳头末端物体速度分解 例题:如图所示,在河岸上用绳拉船,拉绳的速度是V,当绳与水平方向 夹角为θ时,船的速度为多大? 总结:怎样分解合运动? 拓展:若匀速拉绳,则船怎样运动?(加速、减速、匀速) V,绳子跟水平方向的练习2.如图所示,一辆汽车由绳子通过滑轮提升一重物,若汽车通过B点时的速度为 B 夹角为α,问此时被提升的重物的速度为多大? 三、小船过河问题 例题:某河宽d=100m,水流速度V1=3m/s,船在静水中的出速度是V2=4m/s,求; ⑴要使船渡河时间最短,船应怎样渡河?最短时间是多少?船经过的位移多大?到达对岸何处? ⑵要使船航行距离最短,船应怎样渡河?渡河时间多长? ⑶(选做)若小船在静水中的速度是3m/s,水流速度是4m/s,则小船能否垂直过河?渡河的最短航程是多少? 练习3. 小船在静水速度为v,今小船要渡过一条河流,渡河时小船垂直对岸划行,若小船划行至河中间时,河水流速忽然增大,则渡河时间与预定时间相比,将 A.增长B.不变C.缩短D.无法确定 平抛运动 一:平抛运动的基本计算题类型 1、一个物体从某一确定的高度以v0 的初速度水平抛出,已知它落地时的速度为v1,那么它的运动时间是()A.B. C.D. 2、作平抛运动的物体,在水平方向通过的最大距离取决于( )材料物理性能复习重点
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