LED电源生产工艺流程

LED电源生产工艺流程
LED电源生产工艺流程

LED电源生产工艺流程

将SMT贴片好的半成品插件

1. 检查PCB板上SMT元件是否有连焊、假焊、少件、多件、极性反等不良

2. 取加工OK的CBB电容/压敏电阻等插件元器件插入PCB板对应的丝印位置上

3. 取PCB板,将PCB板装过炉治具,检查元件是否有插错,漏插,有方向的电解电容,二极管,MOS管是否有插反或漏套磁珠等不良现象;变压器有无浮高. 若有浮高,歪斜之元件须扶正. 有方向的元件:如電解電容,,二極管件不可插反.

过波峰焊

1.将目视压件好的基板放入链条中

2.调试锡炉条件如下:

a:预热一段溫度:110℃-120℃.b: 预热二段溫度:120℃-130℃

c: 预热二段溫度:130℃-140℃.d:助焊剂比重:0.795—0.825

e: 锡炉溫度:260℃±5℃f:输送速度:1000mm/分钟

3.将插件目视压件后的良品以机板插件的方向流入锡炉內;元件必须扶正,不可超出PCB边

緣,以免过波峰时卡板;导致元件损坏, 机板报废.嚴重影響生產.

注意事项

1.锡炉需每四小时进行清理一次锡渣。

2.波峰焊表面需定时进行保养.

3.锡点不能有空焊、连锡、锡洞等不良。要饱满、光滑。

4.锡点透锡度要达到PCB板的80%以上。

接板/取治具

1.取波峰焊流出的PCB板,并将PCB板从治具上取下

2.检查焊锡面,是否有假焊、连焊、空焊、不上锡等不良;如发现有同一不良连续出现3PCS,

要知会锡炉工,调试波峰焊,改善不良

3.检查插件面,检查是否有浮高、少件、错件、极性反等不良

剪脚

1.作业前需先检查PCB板及电子元件是否正确无误。

2.左手拿机板,右手拿剪钳将PCB板放入防护罩中将所有超过标准脚长的引脚剪去。

压件

1.取剪脚OK的PCB板,检查无SMD元件破损、破铜皮等不良

2.目视检查图示方框内元件不可有浮高、歪斜等不良现象,如有不良使用烙铁将不良元件

修正。

补焊

1.取压件OK的PCB板,检查不可有元件浮高

2.检查元件焊点是否符合标准.

3.全面检查锡点面焊锡情况,不可有虚焊,假焊,冷焊,少锡, 未上锡,半边焊包焊,连焊等不良

现象.将焊点不良予以修复

4.将焊点不良予以修复.

洗板

1.取补焊OK的PCB板用铜刷将PCB板上的锡珠清理干净,

2.把PCB板置于洗板盒中,用毛刷沾少许洗板水,将PCB板上的松香等污渍洗掉.

分板

1.取刷板OK的PCB板,检查PCB板上无赃物、锡珠、发白等不良

2.将PCBA板放在专用治具上折去板边.

3.重复另一边就可将PCB板分成单个小板.

锡面QC

1.取分板OK的PCB板,检查板边有无破损全面检查锡点面焊锡情况,不可有虚焊, 假焊,

冷焊,少锡,未上锡, 半边焊,包焊,连焊,元件脚高于2.5mm等不良现象,重点检查MOS 管处PCB是否有损坏现象。

元件面QC

1.取锡面检查OK的PCB板,检查锡面SMD元件、插孔元件锡点是否饱满

2.检查PCB板插件面是否有高件、错件、少件、锡珠。

3.插件料和PCB板是否有损坏。

初测

1.测试前工程人员或QC组长设置好电源、测试架、示波器、负载等相关的仪器设备,并

用鳄鱼夹连接产品

2.按机架面板左测试键,系统会进行对1、3路自动测试,按右测试键,系统会进行对2、

4路自动测试;在测试过程中若有不良品,系统会自动报警5声并且会显示不了现象,如果测试通过,系统显示屏上会显示左或右通过。

3.系统测试如有不良显示,则按复位键将系统进行手动复位,否则不能正常测试

点胶

1.取测试OK的PCB板用胶瓶给电解电容、工字电感、电线底部点白胶。

2.点胶后将产品装箱。

老化

1.装产品前,请务必关闭产品供电开关(3P),以防触电危险。

2.所选择的机种名称及供给产品的电源电压必须与订单要求一致,否则将损坏产品。

3.负载模式为“LED-LED模式”适用于LED驱动电源类产品。

4.确定产品供给的电源电压正确后,方可开启产品供电开关(3P),确认以上无误后, 点

击《开始》按钮,可进行老化测试。

5.老化过程中每隔30分钟要检查一次,将不良状况记录在老化报表上。

6.在设备正常运行完成后,下产品前,请务必关闭产品供电开关(3P),以防触电危险。

7.当设备运行中,出现异常,如系统崩溃、电脑死机、软件死机、软件非正常停止退出等

等异常现象,请务必关闭设备电源开关(2P),然后按该手册说明再次开启测试老化系统进行正常操作。

8.下架前要确认产品为良品才能下线,不良品先挑选出来作好不良标识放于指定不良盒

内。

9.上下架产品时必须轻拿请放,下产品时不能直接用手拉出线材,必须用手压开输入输出

接座取出线材。

10.老化时间:4小时(功率≥60W路灯电源老化12小时),环境温度:45±5℃。

复测

同初测

组装

产品说明书及工艺描述

附件G 出口食品生产企业产品说明书 填写说明:1.产品名称应采用能反映产品真实属性的专用名称; 2.所用原、辅料应填写 配料清单;3.产品特性指水分活度a w, pH等;4.产品规格指内、外包装的材料及包装形式;5.保存方式指贮藏温度及其他贮藏条件; 6.预期用途指产品预期使用者和使用方法(如 即食或进一步加工处理后食用等);7.产品卫生质量标准包括国际标准、国家标准、进口国标准、行业标准、企业标准的标准名称和标准编号。 附件3 出口食品生产企业生产加工工艺 产品名称

保温 保温是巧克力生产的重要工 序。保温的作用在于控制可可脂在 不同的温度下相态的转换,从而达 到调质的作用。 保温的温度一般控制在45 C 60 C 浇摸 冷凝冲摸 涂层 浇模用的巧克力料要严格控制 温度和粘度。温度过高会破坏已经 形成稳定晶型的可可脂晶型。使成 品质构松散,缺乏收缩特性,难于 脱模,在贮存中易出现花斑或发暗 现象。温度过低,物料粘稠,浇模 时定量分配困难, 且物料内汽泡难 以排除,制品易出现蜂窝。所以在 成型过程中,物料应始终保持准确 的温度,并要求保持在最小的温差 范围内。 浇摸后的巧克力要求及时送 螺旋速冻机冷凝。 从速冻机出来的巧克力,经 传送带运到冲模机,气压冲模 涂衣成型的巧克力称为夹心巧克 力,多是根据夹心而命名的。如花 生夹心巧克力、杏仁夹心巧克力 等。对涂衣成型工艺有下列要求: (1)制心子和对心子的要求:心 子的性质和香味要能与巧克力外衣 和谐地结合,具体要求是口感柔 软,易溶化,不粘滞糊口以及不会 引起形态变化、渗透穿孔、胀缩破 裂、酸败变质、虫驻和霉变等。涂 衣时心子和温度一般要低于外衣温 度5C左右。 (2)制外衣和对外衣的要求: 涂衣用的巧克力料中的可可脂要 室内温度控制在18C?22 r 冷库温度W -18 C ;库内外温差 般不超过10C。 控制气压 心子浆温度》外衣浆温度5C ; 浆料 温度一般控制在40C?55C

LED灯生产工艺流程

LED灯生产工艺流程

§1 LED制造流程概述 LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长;中游的芯片、电极制作、切割和测试分选;下游的产品封装。 图 2.1 LED 制造流程图 上游 晶片:单晶棒(砷化镓、磷化镓)单晶片衬底在衬底上生长外延层外延片 成品:单晶片、外延片 中游 制程:金属蒸镀光罩腐蚀热处理(正负电极制作)切割测试分选 成品:芯片 下游

§2 LED 芯片生产工艺 LED 照明能够应用到高亮度领域归功于 LED 芯片生产技术的不断提高,包括单 颗 晶片的功率和亮度的提高。 LED 上游生产技术是 LED 行业的核心技术,目前在该 技术领先的国家主要日本、美国、韩国,还有我国台湾,而我国大陆在 LED 上游生 产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。 图 2.2 蓝光外延片微结构 图 生产出高亮度 LED 芯片,一直是世界各国全力投入研制的目标,也是 LED 发的 方向。目前,利用大功率芯片生产出来的白光 1WL ED 流明值已经达能到 150lm 之高。 LED 上游技术的发展将使 LED 灯具的生产成本越来越低,更显 LED 照明的优势。以 下 以蓝光 LED 为例介绍其外延片生产工艺如下: 首先在衬低上制作氮化鎵 (GaN )基的 外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉 (MOCVD 中) 完成的。准备 好制作 GaN 基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以 逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底 , 以及 GaAs 、 AlN 、 ZnO 等材料。 MOCVD 是利用气相反应物 ( 前驱物 )及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的 NH3在衬底表 面 进行反应 ,将所需的产物沉积在衬底表面。 通过控制温度、 压力、反应物浓度和种 P 型 GaN 负极 P 型 AlGaN InGaN 量子阱( well ) N 型 InGaN N 型 AlGaN N 型 GaN P 型 GaN GaN 缓冲层( buffer ) 蓝宝石衬底( subatrate ) 正极

LED芯片的制造工艺流程简介

LED芯片的制造工艺流程简介 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test andFi nal Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需

4D产品简介与制作工艺

4D产品简介及制作工艺 概述 DLG 、DEM、DOM 、DRG各自作为一种产品历史已经很悠久了。由于受到计算机的发展的限制,主要受到计算机处理速度和硬盘容量的限制,发展的并不十分迅速。90年代计算机技术的飞速发展,给“4D”技术带来了勃勃生机。 在我国国家测绘总局97年10月在召开了“4D生产工作会议”,会议成立技术组,设备组,资料组。11月在召开了“98年数字产品规模化生产管理工作座谈会”。会议主要围绕4D产品的生产进行。从资料的准备,设备的购置,软件的确定,技术规定的制定进行了详细的讨论。98年开始在测绘局,测绘局,测绘局,测绘局等进行数字产品规模化生产。主要以七大江河防洪区域及洪水威胁区、地质勘探为主进行DOM,DEM的生产工作。 一、数字线划地图 数字线划地图(DLG) 数字线划地图(Digital Line Graphic 简称DLG)是现有地形图上基础地理要素的矢量数据集,且保存要素间空间关系和相关的属性信息。 数字高程模型 数字高程模型(DEM) 数字高程模型(Digital Elevation Model 简称DEM)是在高斯投影平面上规则格网点平面坐标(X,Y)及其高程(Z)的数据集。 数字正射影像图 数字正射影像图(Digital Orthophoto Map 简称DOM)是利用数字高程模型对扫描处理的数字化的航空相片/遥感相片(单片/彩色),经逐象元进行纠正,再按影像镶嵌,根据图幅围裁剪生成的影像数据。一般带有公里格网、图廓/外整饰和注记的平面图。 数字栅格地图 数字栅格地图(DRG) 数字栅格地图(Digital Raster Graphic 简称DRG)是纸质地形图的数字化产品。每幅图经扫描、纠正、图幅处理及数据压缩处理后,形成在容、几何精度和色彩上与地形图保持一致的栅格文件。 二、4D产品的特性 DLG 数据量小,便于分层,能快速的生成专题地图所以也称 字矢量专题信息(Digital Thematic Informatiom 简称 DTI)。 基本容:地物、地貌、属性信息、元数据。 数据格式: dwg/dxf、e00、dgn 获取方法:扫描矢量化野外获取摄影测量方法 常用软件:Geoway、Autocad、Arcinfo、Microstation DEM DEM的水平间距可随地貌类型不同而改变。根

LED灯具生产执行标准

LED灯具生产执行标准 1.目的 本标准规定LED灯具制作的过程控制要求,确保在安全生产的前提下做出符合客户要求的 产品产品。 2.范围 本规定实用用车间所有LED灯具生产过程。 3.职责 1.技术部负责本规定的制作和修订。 2.生产部负责本标准的执行,并对生产过程中发现不足问题及时反馈给工程部。 3.品质部负责对生产部对本标准执行过程的监督。 4.仓储部门负责生产备料及进销存的统计。 5.资材部门负责原材料的采购与追踪。 4.具体执行标准 4.1.来料检验 4.1.1.外壳 4.1.1.1.外观:颜色与订单要求一致,外观无掉漆,刮花,划痕,变形,破损等外观不良。 4.1.1.2.机械:尺寸结构,灯壳型号,特殊要求处理与采购订单要求一致,灯壳机械孔位, 部件便于生产操作。 4.1.1.3.包装:包装良好,如果指定包装的一定要确保符合我司采购标准。 4.1.1.4配件:配件齐全,无不良现象。 备注:所有不符合要求的原材料一律不许流入生产线。 4.2.电源模块 4.2.1外购成品电源:电源参数(输入电压,输出电压,电流,电源品牌,防水等级,输

入输出线材等)符合订单产品要求。 4.2.2外购半成品电源模块:检验特定元器件品牌参数(电解电容:黑金刚,450V/100UF; 线圈:全铜线圈加屏蔽;压敏电阻:容量20D;散热片:厚度3MM;线材:输入: 3*0.75平方*1M,输出:2*0.5平方*30mm),电性能符合我司规定参数范围。 4.3.铝基板 4. 3.1:外观:表面油墨平整,无凸起,气泡,漏油等不良现象,喷锡均匀,无氧化现象。 4.3.2:机械参数:铝基板尺寸,孔位与我司图纸一致。 4.3.3:厚度:基板厚度与我司相应规格灯具要求厚度一致(具体参见我司基板明细资料)。 4.3.4:导热系数:导热系数与我司相应规格灯具要求一致(具体参见我司基板明细资料)。 4.4.光源 4.1:光源规格型号:确认厂家,色温,光通量,VF值,IF值,焊盘极性。 4.2:生产日期:所有来料光源或者库存光源超过一个月储存时间,外发加工和生产贴片 时一定要120°烘烤至少12H。 4.5.包装 4.5.1:材质:纸箱材质与我司采购订单要求一致。 4.5.2:规格 4.5.2.1:订制规格:油墨,彩印图案内容,尺寸大小与我司要求一致,色彩均匀。 4.5.2.2:常规包装:大小尺寸符合产品包装,外观中性。 4.6.辅料 4.6.1:线材:线材规格参数(线径,长度,加工参数)与我司采购要求一致。 4.6.2:散热膏:品牌,导热系数。 4.6.3:透镜:角度,材质,尺寸大小与我司要求一致。 4.6.4:螺丝:材质,长度,规格我司要求一致。 5.生产制作工艺要求

LED制作流程(精)

LED制作流程 (2010/01/20 16:34) LED封装 LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的,但却有很大的特殊性。一般情况下,分立器件的管芯被密封在封装体内,封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号,保护管芯正常工作,输出:可见光的功能,既有电参数,又有光参数的设计及技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于LED。 LED的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的,即向各个方向发射有相同的几率,因此,并不是管芯产生的所有光都可以释放出来,这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料,应用要求提高LED的内、外部量子效率。常规Φ5mm型LED封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连,然后其顶部用环氧树脂包封。反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光,向期望的方向角内发射。顶部包封的环氧树脂做成一定形状,有这样几种作用:保护管芯等不受外界侵蚀;采用不同的形状和材料性质(掺或不掺散色剂),起透镜或漫射透镜功能,控制光的发散角;管芯折射率与空气折射率相关太大,致使管芯内部的全反射临界角很小,其有源层产生的光只有小部分被取出,大部分易在管芯内部经多次反射而被吸收,易发生全反射导致过多光损失,选用相应折射率的环氧树脂作过渡,提高管芯的光出射效率。用作构成管壳的环氧树脂须具有耐湿性,绝缘性,机械强度,对管芯发出光的折射率和透射率高。选择不同折射率的封装材料,封装几何形状对光子逸出效率的影响是不同的,发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。若采用尖形树脂透镜,可使光集中到LED的轴线方向,相应的视角较小;如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型,其相应视角将增大。 一般情况下,LED的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,LED的发光强度会相应地减少1%左右,封装散热;时保持色纯度与发光强度非常重要,以往多采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数LED的驱动电流限制在20mA 左右。但是,LED的光输出会随电流的增大而增加,目前,很多功率型LED的驱动电流可以达到70mA、100mA甚至1A级,需要改进封装结构,全新的LED封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪后,LED的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新,红、橙LED光效已达到100Im/W,绿LED为501m/W,单只LED的光通量也达到数十Im。LED芯片和封装不再沿龚传统的设计理念与制造生产模式,在增加芯片的光输出方面,研发不仅仅限于改变材料内杂质数量,晶格缺陷和位错来提高内部效率,同时,如何改善管芯及封装内部结构,增强LED内部产生光子出射的几率,提高光效,解决散热,取光和热沉优化设计,改进光学性能,

(整理)LED照明灯具生产操作规程.

一.生产工艺流程及说明 北京鑫瑞蓝天科技发展有限公司灯具的所有LED发光体电路部件,都按照“模块化”、“积木化”观念设计,不但简化生产工序、提高生产效率、减少原材料消耗,对物质流、信息流和能量流的规划管理也十分有益。 (一)灯体部件生产 灯体的部件生产,在灯具车间的主生产线进行。 图1 灯体部件生产流程 此工序对环境不产生有害气体和有害废料。 部分金属加工工序产生少量可回收余料。

电子焊接操作产生的松香气体采用分散到每工作台的抽风口排出车间。车间按平米密度要求配制规定数量的二氧化碳灭火器。 (二)灯具装配 图2 LED灯具装配流程 此工序在装配线完成。不产生有害气体和废料。

(三)加载老化工序 图3 LED灯具老化工序 北京鑫瑞蓝天科技发展有限公司生产的所有LED灯具,都要在灯具车间的“加载室”经历老化工序。老化时间 1h ≤Ta ≤4h。 此工序不产生废料和有害气体。 加载室与生产间有遮光护板,防止强光对环境的干扰; 独立的交流电源调压稳压控制柜; 单独配备二氧化碳灭火器2部; 单灯测试位有独立的带过载保护的开关。 灯具架为钢制,配有阻燃衬垫。 此工序不产生废料和有害气体。 (四)包装 在包装线完成纸盒成型,手工包装或用打包机台包装。

图4 包装工序 (五)入库 包装好的成品送入成品库。成品库外门直通装卸台。 (六)质检室 按公司制定的《产品检测规则》,由公司质检部门,对新产品和每批次产品进行抽样极限检测。进行光照强度、光照角度、环境温度、湿度、淋水浸水、风力、气压、高低频多自由度机械震动、电气绝缘、冲击电压等方面测试。测试项目和实验强度,根据灯具型号设置。 大部分极限测试,在本公司研制的“LED灯具综合测试箱”内完成,见图5。 图5 北京鑫瑞蓝天科技发展有限公司的LED灯具综合测

LED生产工艺及封装步骤

LED生产工艺及封装步骤 1.工艺: a) 清洗:采用超声波清洗PCB或LED支架,并烘干。 b) 装架:在LED管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺晶台上,在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上,随后进行烧结使银胶固化。 c)压焊:用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上,以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的,一般采用铝丝焊机。(制作白光TOP-LED需要金线焊机) d)封装:通过点胶,用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶,对固化后胶体形状有严格要求,这直接关系到背光源成品的出光亮度。 这道工序还将承担点荧光粉(白光LED)的任务。 e)焊接:如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED,则在装配工艺之前,需要将LED焊接到PCB板上。 f)切膜:用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g)装配:根据图纸要求,将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h)测试:检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。 I)包装:将成品按要求包装、入库。 二、封装工艺 1. LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上,同时保护好LED芯片,并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式 LED封装形式可以说是五花八门,主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸,散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 3. LED封装工艺流程 4. 封装工艺说明 1.芯片检验 镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于GaAs、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片,采用绝缘胶来固定芯片。) 工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求,银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 4.备胶

LED灯生产工艺(DEC)

LED灯生产工艺 §1 LED制造流程概述 LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长;中游的芯片、电极制作、切割和测试分选;下游的产品封装。 图2.1 LED制造流程图 上游 中游 下游

§2 LED芯片生产工艺 LED照明能够应用到高亮度领域归功于LED芯片生产技术的不断提高,包括单颗晶片的功率和亮度的提高。LED上游生产技术是LED行业的核心技术,目前在该技术领先的国家主要日本、美国、韩国,还有我国台湾,而我国大陆在LED上游生产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。 图 2.2 蓝光外延片微结构 图 生产出高亮度LED芯片,一直是世界各国全力投入研制的目标,也是LED发的方向。目前,利用大功率芯片生产出来的白光1W LED流明值已经达能到150lm之高。LED上游技术的发展将使LED灯具的生产成本越来越低,更显LED照明的优势。以下以蓝光LED为例介绍其外延片生产工艺如下:首先在衬低上制作氮化鎵(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,以及GaAs、AlN、ZnO等材料。 MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的

设备 然后是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是制作LED芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片进行划片、测试和分选,就可以得到所需的LED芯片了。 图2.3 LED生产流程

产品生产介绍及总结报告

产品生产介绍及总结报告 一:产品生产介绍 1)过程记录 周一我们来到实训室,李老师首先给给我们介绍了陶瓷的一些生产步骤,主要包括釉料和坯料的制备,并且要使釉料和坯料的应力相匹配,避免烧制时使成品产生裂缝,影响成品质量,然后将我们分成四组,分别用不同的制作方法制作陶瓷工艺品。因为学校提供给我们的是从陶瓷厂买来的陶瓷坯体,所以我们只要配置釉料即可。 釉料配方 接下来几天我们主要是取泥→练泥→捏制成型→干燥→修坯→上釉→白坯检查→烧成→釉上修饰(手捏成型) 取泥→加水球球磨→注浆→脱模→干燥→修模→上釉→烧成(注浆成型) 2)问题记录 a)练泥时一定要认真练、练到揉捏时不出现分层为止,否则作出的产品容易开裂等一些问题。 b)在做完手捏的东西后,不要立刻就把它拿到阳光底下晒干,那样东西比较容易开裂。 页脚内容1

c)在修正烘干后的成型品时,应该小心、细致点,不要把东西弄坏了。 d)我们组还做了注浆成型,成型前应把要成型的模清理干净,还要把握好浆体的稠度是否合 适。 e)上秞时要注意施的釉是否均匀的附在要施的东西上,底部除外。 f)烧成时与其他的作品连载了一块。 二:产品质量介绍及原因分析 质量评定:1)手捏成型:捏制素坯形状较好,基本无裂纹,烘干后在转移到教室的时候被碰掉了一块。2)注浆成型:烧成的时候和其他的东西连载了一起。 原因分析:制作时比较心细,能充分把握产品的特点,但是釉料的色彩把握不准,而且料浆色彩单一,破坏了整体。烧制时把两物品摆放的间距太小了。 三:总结报告 1、收获:通过一周的实训,我们获得了自己的劳动产品,不管好与差,都让我们获得了满足感。在制作过程中,我们学习了陶瓷制作的相关步骤和评定质量的一系列参数,进一步掌握专业基础知识并付诸实践检验。通过实训,系统的了解了小规模的陶瓷制作工艺,虽然以后不一定从事本专业,但这也是难得的一次动手制作的经历。 2、心得:在制作过程中要有耐心,全神贯注。那样才可能真正的做好一件事。 3、需要改进的地方:在修坯过程正不够专心,导致坯体有点断裂。 四:成果展示 页脚内容2

LED照明灯具生产操作规程电子教案

遵义市义阳光电有限公司 质量管理体系作业文件 LED灯具工艺操作规程 编号ZYYG/W7.1-03-01-2013 颁发日期:2013年10月20日生效日期:2013年11月01日修改状态:A/0 页码:1/8 1.目的和适用范围 1.1目的 对公司的各类人员规定相应的职责权限和相应的岗位的能力要求,并进行评价以确保各类人员均能胜任本职工作。 1.2 适用范围 适用于对本公司所有人员,包括临时工,必要时还包括供方的人员。 2 相关文件和术语 2.1 相关文件 ZYYY/W6.2-2013《人力资源控制程序》 2.2 术语 本《规定》采用了GB/T19000-2008《质量管理体系基础与术语》的定义。 3. 职责 3.1 办公室负责编制《各类人员任职条件和技能规定》;对公司各类人员能力的评价;组织对不胜任本职工作的员工的培训; 3.2 副总经理负责审核《各类人员任职条件和技能规定》 3.3 总经理负责批准《各类人员任职条件和技能规定》 工作程序

4.1生产工艺流程及说明 公司灯具的所有LED发光体电路部件,都按照“模块化”、“积木化”观念设计,不但简化生产工序、提高生产效率、减少原材料消耗,对物质流、信息流和能量流的规划管理也十分有益。 4.1.1灯体部件生产 a灯体的部件生产,在灯具车间的主生产线进行。 b此工序对环境不产生有害气体和有害废料。 c部分金属加工工序产生少量可回收余料。 d电子焊接操作产生的松香气体采用分散到每工作台的抽风口排出车间。 e车间按平米密度要求配制规定数量的二氧化碳灭火器。

图1 灯体部件生产流程 4.1.2灯具装配 此工序在装配线完成。不产生有害气体和废料。

工艺流程及其描述

xx 有限公司沙棘籽油软胶囊生产工艺流程图及其说明 生产工艺流程图 注:※号为CCP 点 表示洁净区 表示普通工序 表示洁净加工工序

生产工艺流程描述 2.1原料的采购 采购计划初步拟定:由销售部根据市场需要和产品库存制定生产计划,并确认原辅料库存,若原辅料库存数量不能满足生产需要时,应及时通知采购人员进行采购。 2.2原料验收: 库管员及时通知质量部取样,质量部依据《原辅料检验标准》进行检测,库管员凭质量部出具的检验报告单,办理入库手续,不合格则通知采购员作退货处理。 2.3组织生产: 2.3.1由销售部向质量部下达《生产、包装指令》,质量部根据产品工艺配方向生产部下达《生产指令》,由生产工艺员再次确认工艺配方,然后向生产各工序下达分解指令。 2.3.2混料:工序接到生产指令后,根据指令领取物料,在进入洁净区前进行脱包灭菌(用紫外灯或臭氧发生器进行灭菌),称量放入乳化罐混匀,乳化好后用200目的筛网过滤,将其中可能存在的杂质过滤清除,混好料液贮存于料液罐中置于药液区存放待生产。 2.3.3溶胶:溶胶工序操作人员接到指令领取明胶、甘油等,首先在进入洁净区前进行脱包灭菌,灭菌后按工艺要求将明胶、甘油、纯化水按比例称量入罐溶胶,溶好的胶液抽真空后对其黏度检测(2-4OE)放胶。放胶时要用120目的筛网过滤将其中可能存在的杂质滤除,在溶胶过程中因溶胶温度在76℃-80℃,此温度足可以杀死原料中可能存在的细菌。将溶好的胶液放置在胶罐中保温静置待用。 2.3.4压丸:压丸工序根据指令选择模具,安装调试后,把混好的料液和备好的胶液进行上机操作,上机时要注意胶皮的厚度、内容物的装量等,同时要随时监视胶丸的丸形、装量,防止胶丸漏夜。 2.3.5 定型干燥:胶囊压丸后进入转笼内经过一定时间风吹干燥,失去部分水分,使胶丸定形,定形时间:≥3小时,转笼转速:40-50r/min。 2.3.6排盘干燥:将在干燥笼中初步干燥后的软胶囊,放在一定尺寸的干燥盘上使其分布均匀,再在风室中通过一定的温度、湿度,进行干燥,使软胶囊的水分达到要求(胶皮水分≤14%)。风室温度:20-27℃、相对湿度:≤50% 2.3.7选丸:干燥后的软胶囊对其外观进行挑选,将有缺陷的胶囊剔除,同时将其表面可能存在的杂质去除。 2.3.8抛光:擦去胶丸表面的油脂,使胶丸表面光滑有光泽。 2.3.9上工序处理好的软胶囊质量部对其进行取样检测,若合格交下工序包装;不合格交上工序处理。(微生物不合格由上工序用酒精清洗,清洗后由质量部重

LED柔性灯带生产工艺流程

LED辞典 led基础知识2008-11-18 11:16:29 阅读7 评论0 字号:大中小 SMD LED surface-mount device LED。表面粘着型LED。 表面粘着型LED的出现是在1980年初,是因应更小型封装和工厂自动化而生。初期厂商裹足不前,主要因素是表面粘着LED最早面临的问题是无法完成高温红外线下焊锡回流的步骤。LED的比热较IC低,温度升高时不仅会造成亮度下降,且超过摄氏100度时将加速组件的劣化。LED封装时使用的树脂会吸收水分,这些水分子急速汽化时,会使原封装树脂产生裂缝,影响产品效益。在1990年初,HP和Siemens Component Group 合作开发长分子键聚合物,作为表面粘着型LED配合取放机器的设计,表面粘着型LED到此才算正式登场LED Light Emitting Diode。发光二极管。 LED为通电时可发光的电子组件,是半导体材料制成的发光组件,材料使用III- V族化学元素(如:磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)等),发光原理是将电能转换为光,也就是对化合物半导体施加电流,透过电子与电洞的结合,过剩的能量会以光的形式释出,达成发光的效果,属于冷性发光,寿命长达十万小时以上。LED最大的特点在于:无须暖灯时间(idling time)、反应速度很快(约在10^-9秒)、体积小、用电省、污染低、适合量产,具高可靠度,容易配合应用上的需要制成极小或数组式的组件,适用范围颇广,如汽车、通讯产业、计算机、交通号志、显示器等。 LED又可以分成上、中、下游。从上游到下游,产品在外观上差距相当大。上游是由磊芯片形成,这种磊芯片长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形,厚度相当薄,就像是一个平面金属一样。LED发光颜色与亮度由磊晶材料决定,且磊晶占LED制造成本70%左右,对LED产业极为重要。上游磊晶制程顺序为:单芯片(III-V族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。 中游厂商就是将这些芯片加以切割,形成为上万个晶粒。依照芯片的大小,可以切割为二万到四万个晶粒。这些晶粒长得像沙滩上的沙子一样,通常用特殊胶带固定之后,再送到下游厂商作封装处理。中游晶粒制程顺序为:磊芯片、金属膜蒸镀、光罩、蚀刻、热处理、切割、崩裂、测量。而,下游封装顺序为:晶粒、固晶、粘着、打线、树脂封装、长烤、镀锡、剪脚、测试。 国内主要的LED生产厂商有:鼎元、光磊、国联、亿光等企业。 红外线发光二极管红外线Light Emitting Diode。 主要以GaAs系列材料发展为主,通常以LPE液相磊晶法的方法制作,发光波长从850~940不等。 GaP磷化镓。 磷化镓,是Ⅲ-Ⅴ族(三五族)元素化合的化合物。GaP是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为LED主要使用材料之一。 GaN氮化镓。 氮化镓,是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。GaN使MOVPE制作技术,可制作高亮度纯蓝光LED及纯绿光LED,更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。MOVPE虽已是一成熟的磊晶制作技术,但以此技术制作GaN蓝光LED其中仍须相当的专业知识、经验和技巧 AlInGaP磷化铝铟镓。 AlInGaP此材料是近年来用在高亮度LED之制造上较新的材料,使用MOVPE磊晶法制程。目前世界上仅有三家厂商供应此产品的公司,即美国HP、日本Toshiba、台湾国联光电。 AlGaAs砷化铝镓。 为GaAs和AlAs的混晶。AlGaAs适合于制造高亮度红光及红外线LED,主要以LPE磊晶法量产,但因需制作AlGaAs基板,技术难度高。 反向粘着型薄芯片LED reverse mounting type 薄芯片LED。 此种芯片可粘着在穿式印刷电路板上,减少LED所占的厚度。主要可用作可携式电话按键之背光源。 侧面发光直角LED

氧化钴生产工艺及其产品介绍

氧化钴生产工艺及其产品介绍 一、钴及其氧化物的性质 1、钴的性质 金属钴呈银白色,性硬,具有延展性,其硬度和延展性都比铁强,但磁性较差。与钐、镍、铝等共熔可得良好的磁性钢。钴的合金在高温下仍能保持其原有的强度和其他有价值的性质。钴属于铁磁物质,它的居里点在所有金属或合金中最高,为1121℃。另外,钴是能增加铁的磁性的唯一元素。 钴的化学性质与铁、镍相似,化合价有2和3;在常温下与水和空气都不起作用,但能迅速地为盐酸、硫酸和硝酸所侵蚀,还会缓慢地被氢氟酸、氨水和氢氧化钠所侵蚀;在加热时能于氧、硫、氯、溴发生剧烈反应;在300℃以上发生氧化作用,极细粉末状钴会自动燃烧。 2、钴氧化物的性质 钴的氧化物有三种:氧化亚钴(CoO)、四氧化三钴(Co304)和氧化钴(Co203)。氧化亚钴是钴的一种低价氧化物,由于制法和纯度的不同而呈现灰绿色、褐色、粉红色、暗灰色。氧化亚钴的理论含钴量为78.65%,含氧量为21.35%,熔点为1935℃密度5.7~6.79/cm3。CoO晶体为面心立方,晶格常数a=4.24x10—10m。灰绿色的CoO粉末在空气中易变成褐色,粉红色的CoO粉末在空气中较稳定,即使长时间放置也不会生成高价氧化物。在高温下氧化亚钴中钴能够与氧离解,1000℃时离解压为3.36x10-12大气压。加热条件下氧化亚钴易被H2、C或Co还原成单质钴。氧化亚钴能溶于酸、碱中,不溶于水、醇和氨水。用氧化亚钴与二氧化硅、氧化铝或氧化锌在高温下反应,能制成多种颜料。 氧化钴(Co203)是钴的高价氧化物,理论含钴量为71.06%,含氧量为28.94%,密度为6.079/cm3。它是一种黑色无定形粉末,加热

led工业工艺流程模板

led工业工艺流程模板 1

LED工业工艺流程 一、导电胶、导电银胶 导电胶是IED生产封装中不可或缺的一种胶水, 其对导电银浆的要求是导电、导热性能要好, 剪切强度要大, 而且粘结力要强。 UNINWELL国际的导电胶和导电银胶导电性好、剪切力强、流变性也很好、 而且吸潮性低。特别适合大功率高高亮度LED的封装。 特别是UNINWELL的6886系列导电银胶, 其导热系数为: 25.8 剪切强度为: 14.7, 堪称行业之最。 二、封装工艺 1. LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上, 同时保护好LED芯片, 而且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式 LED封装形式能够说是五花八门, 主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸, 散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、 TOP-LED、 Side-LED、SMD-LED、 High-Power-LED等。 3. LED封装工艺流程 2

4.封装工艺说明 1.芯片检验 镜检: 材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑( lockhill) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小( 约0.1mm) , 不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张, 是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也能够采用手工扩张, 但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。( 对于GaAs、 SiC导电衬底, 具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片, 采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片, 采用绝缘胶来固定芯片。) 工艺难点在于点胶量的控制, 在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求, 银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 4.备胶 3

产品部件生产加工工艺流程讲解学习

产品部件生产加工工艺流程 一、钢制部分生产工艺流程 原材料——下料——校料——去毛刺——弯管——去茬—— 钻孔——焊接——磨型——校正半成品——质检——酸洗除 锈——水洗——磷化——烘干——喷塑——烘干固化——下 线——检验——包装——入库 设备选材标准 本次所投标的设备能以最安全、最持久、最稳定、最美观的使用,必须做好原材料的选配,遵循国标,达到设备的安全性,涂层理化性能、最大载荷性能等。必须遵循以下几点: 1、钢板的材质必须达到国家规定的理化性能,应优先选取优质板材。 2、设备用料应达到厚度合理搭配,即提高产品性能又降低成本,使设备发挥最大的经济效益。 3、设备零部件选材应以垂直方向厚,水平方向薄,原则合理搭配。即不影响应强度,又减轻了设备的和重量,增加了美观。 4、设备外表涂层应以化学物质组成,为减少对人体的伤害,选用由国家质量体系认证的厂家生产。 产品技术规范及标准 1.产品技术条件:GB/T13667.3-92 2.工件涂装前磷化处理技术条件:GB/T6807 3.涂膜附着力测试法: :GB/T1720-1979 4.漆膜耐冲击性测试法: :GB/T1732-1993 5.漆膜的划格实验: :GB/T9286-1998 6.家具力学性能实验稳定性::GB/T1035 7.4-1989 7.木家具通用技术条件:GB/T3324-2008 8.建筑内部家具设计防火规范:GB 50222-1995 9、家具质量检验及质量评定:QB/T1950-1952-94 10、家具绿色环保执行标准:GB/T2002-7-1 11、室内装修材料溶剂型木器涂料中有害物质限量:GB18581-2001

LED工艺流程(精)

LED生产工艺及封装技术 一、生产工艺 1.工艺: a) 清洗:采用超声波清洗PCB或LED支架,并烘干。 b) 装架:在LED管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺晶台上,在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上,随后进行烧结使银胶固化。 c) 压焊:用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上,以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的,一般采用铝丝焊机。(制作白光TOP-LED需要金线焊机) d) 封装:通过点胶,用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶,对固化后胶体形状有严格要求,这直接关系到背光源成品的出光亮度。这道工序还将承担点荧光粉(白光LED)的任务。 e) 焊接:如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED,则在装配工艺之前,需要将LED焊接到PCB 板上。 f) 切膜:用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g) 装配:根据图纸要求,将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h) 测试:检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。 包装:将成品按要求包装、入库。 二、封装工艺 1. LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上,同时保护好LED芯片,并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式 LED封装形式可以说是五花八门,主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸,散热对策和出光效果。LED 按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 3. LED封装工艺流程 4.封装工艺说明 1.芯片检验 镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片

LED灯具生产工艺

LED灯具生产工艺 1.目的: 为了LED在生产中的安全防护,并通过预防性措施,确保LED在生产过程中不会损坏。 2.适用范围: 适用于本公司生产的所有LED灯具。 3.操作要求: 3.1生产线及作业台面 3.1.1生产LED的生产线及作业台面必须另外加装静电接地线,不得得使用市电地线并且静电接地线与市电地线电位差不超过5V或者阻抗不超过25Ω.作业台面必须铺有防静电胶板. 3.1插件 3.1.1所有插件人员准备接触LED前,必须配带有接地良好的有线防静电手环,(包括拆除防静电包装和往防静电元件盒中放置LED的过程). 3.1.2所有元件盒必须使用防静电元件盒. 3.1.3在PCB板上插装LED时,不得折弯LED引脚,正负极性不可插反.手指尽量不接触LED引脚. 3.2浸焊 3.2.1要保证锡炉有良好的接地线,操作人员须配戴防静电手套作业. 3.2.2浸焊锡炉温度要控制在245℃±15℃,浸焊时间不得超过3秒; 3.2.3刚浸焊过的PCBA板要轻轻放在防静电板上自然冷却,未降到室温以前,不得扔摔及剧烈振动. 3.2.4喷洒助焊剂时,注意不可沾到部品面.

3.2.5将浸焊后已冷却的PCBA板放入防静电周转箱中,送切脚工序进行切脚. 3.3切脚(此条经试验后决定) 3.3.1要保证切脚机有良好的接地线和切刀锋利,操作人员须配戴防静电手套作业. 3.3.2切脚时必须等PCBA板冷却到室温时进行操作,严禁将刚浸过锡炉还处在高温的PCBA板送入切脚机切脚. 3.3.3切脚作业时,切脚高度要控制在 2.0- 2.5mm范围内,PCB板在轨道上的推进速度不得得大于10cm/秒. 3.3. 4.将切过脚的PCBA板装入防静电周转箱中,送补焊工序进行补焊.注: 另外一种情况就是将LED加工成型后再插件,这样做可保证LED的切脚安全,但同时也会给插件的操作带来一定的难度,比如正负极性的辨别没有长脚作业容易,手指拿取时也会增加一定的难度,以及PCB板在工位间传送时也容易脱离基板. 3.4补焊 3.4.1要保证进行作业的电烙铁有良好的接地线,操作人员配戴有线静电环作业. 3.4.2装有LED的PCB板一般要求用35W以下的电烙铁,恒温烙铁的温度要控制在260℃±20℃范围内进行焊接作业. 3.4.3操作人员在进行补焊作业时,单焊点焊接时间不得超过3秒. 3.4.4补焊OK的PCBA板放入防静电周转箱中,送测试工序进行测试. 3.5测试

LED芯片的制造工艺流程(精)

LED 芯片的制造工艺流程 来源:深圳市鑫荣电子科技有限公司作者:浏览:3305人次发布:2007-11-13 注:其他网站转载须注明出处,转载而不注明出处者,一经查实,将追究其法律责任外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC 、Si )上,气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC 、Si )上,气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 介绍: 金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD ), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN (氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 LED 芯片的制造工艺流程: 外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N 极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片后,下一步就开始对LED 外延片做电极(P 极,N 极),接着就开始用激光机切割LED 外延片(以前

LED生产流程

导读:LED的制造是复杂与高技术含量,在这个过程中,只要一个环节出问题,LED灯珠就失去品质性能,在整个工艺过程,同一批原材料会由于生产过程的非工艺原因导致封装的成品有不同的品质,从外观无法分辨。 LED(Light-Emitting Diode)是发光二极管的简称,它是由半导体材料制造出来的,它有一个正极和一个负极,在它的正负极施加直流电就会发光,从1907年开始,到1993年,LED 经历86年历史,LED技术的应用大体分为视觉类与非视觉类,视觉类的应用有LED照明技术,非视觉类有植物光合与医疗保健 LED发展历史 LED工艺过程: LED灯珠的整个生产过程,分为外延片生产、芯片生产、灯珠封装,整个过程体现了现代电子工业制造技术水平,LED的制造是集多种技术的融合,是高技术含量的产品,对于照明用途的LED的知识掌握也需要了解LED灯珠是如何生产出来的。 1、LED外延片生产过程: LED外延片生长技术主要采用有机金属化学相沉积方法(MOCVD)生产的具有半导体特性的合成材料,是制造LED芯片的原材料,下图是采用蓝宝石衬底的外延片生产过程:

2、LED芯片生产过程: LED芯片是采用外延片制造的,是提供LED灯珠封装的器件,是LED灯珠品质的关键,下图是LED芯片生产过程: 3、LED灯珠生产过程: LED灯珠的封装是根据LED灯珠的用途要求,把芯片封装在相应的支架上来完成LED灯珠的制造过程,LED封装决定LED灯珠性价比,是LED灯具产品的品质关键,下图是LED 封装过程: 从上面描述的LED从材料到灯珠的生产过程可以看出:

LED的制造是复杂与高技术含量,在这个过程中,只要一个环节出问题,LED灯珠就失去品质性能,在整个工艺过程,同一批原材料会由于生产过程的非工艺原因导致封装的成品有不同的品质,从外观无法分辨; 封装的灯珠通过分光筛选成不同质量的灯珠,这些灯珠基本上由价格的差异进行销售,残次品都可以按重量销售,LED市场的这种现象导致LED灯具产品的价格会相差很大。 白光灯珠的参数关系: 关于基本的光电参数,如光通量、光强度、光照度、亮度(辉度)、辐射功率、色温、显色性等,就不在这里介绍,我们需要重点了解这些参数之间的关系。 LED灯珠的品质鉴定需要做光谱分析与光电分析,如果品质要求严格,还需要通过 LM79和LM80测试,生产厂需要完成LED灯珠品质评估后才能批量生产,销售者一定要求生产厂提供LED灯珠品质评估报告才能提供对客户的承诺。 下图是光谱测试报告:

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