计算机仿真实验报告霍尔效应

计算机仿真实验报告霍尔效应
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篇一:计算机仿真实验霍尔效应数据处理

直流测试

励磁电流Io是200mA

不等位电势(0+0.25)?1=0.25mv

实验值

通过计算机计算的斜率k为6.7850。因为u?khIb,所以Khb=6.7850.b=

6.7850Khb

=6.7850=0.5113T13.27

=406879.60A/m

h=

??

=

0.51134??10

-7

理论值

h??

nI?l1

=

2400?0.20.23106000 ?0.00118

?393926.95A/m

?

?l2

e=

h-h?h?

?

406879.60-393926.95 393926.95

?3.28%

因为Kh?

1nqd

所以载流子浓度n?

1Khqd

?

1

13.27?1.60?10

?19

?0.2?10

?3

?2.35?10

21

个m

3

I?bdnqu所以载流子迁移速率u?

Ibdnq

?

IKhb

?

0.01?13.274?10

-3

?33.18ms

思考题

1、若磁场的法线不恰好与霍尔元件片的法线一致,对测量结果会有何影响?如何用实验的方法判断b与法线是否一致?

答:有影响,若磁场方向与霍尔元件有偏角,则只是测的是bcos?;转动霍尔元件,当霍尔电压达到最大值时,b 与霍尔元件法线一致。

2、若霍尔元件的几何尺寸为4?6mm,即控制电流两端距

离为6mm,而电压两端距离为4mm,问此霍尔片能否测量截面积为5?5mm气隙的磁场?答:不可以,因为尺寸为4?6mm的霍尔元件片不能覆盖住截面为5?5mm的气隙,这样会有漏磁效应。

3、能否用霍尔元件片测量交变磁场?

答:可以,霍尔电压效应的建立需要的时间很短(约在10-12—10-14秒内)。

篇二:一霍尔效应仿真实验

仿真实验(霍尔效应)------

霍尔效应

1目的:(1)霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用

(2)测绘霍尔元件的Vh—Is,Vh—Im曲线,了解霍尔电势差Vh与霍尔元件工

作电流Is,磁场应强度b及励磁电流Im之间的关系。

(3)学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。

(4)学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。

2简单的实验报告数据分析

(1)实验原理

霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被

约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。如下图(:计算机仿真实验报告霍尔效应)(1)所示,磁场b位于Z的正向,与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流Is(称为工作电流),假设载流子为电子(n型半导体材料),它沿着与电流Is相反的x负向运动。由于洛仑兹力fL 作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转,并使b侧形成电子积累,而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。随着电荷积累的增加,fe增大,当两力大小相等(方向相反)时,fL=-fe,则电子积累便达到动态平衡。这时在A、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh,相应的电势差称为霍尔电势Vh。设电子按平均速度V,向图示的x负方向运动,在磁场b作用下,所受洛仑兹力为:

fL=-eVb

式中:e为电子电量,V为电子漂移平均速度,b为磁感应强度。

同时,电场作用于电子的力为:f

e??eeh??eVhl

图(1)霍尔效应原理

式中:eh为霍尔电场强度,Vh为霍尔电势,l为霍尔元

范德堡测试方法与变温霍尔效应

范德堡测试方法与变温霍尔效应 摘要:本实验采用范德堡测试方法,测量样品霍耳系数及电导率随温度的变化,可以确定一些主要特性参数——禁带宽度,杂质电离能,电导率,载流子浓度,材料的纯度及迁移率,从而进一步探讨导电类型,导电机理及散射机制。 关键词:霍尔效应、范德堡测试法、霍尔系数、电导率 引言:对通电导体或半导体施加一与电流方向相垂直的磁场,则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现,此即为霍耳效应。利用霍尔效应测量霍耳系数及电导率是分析半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段,也可用于研究半导体材料电输运特征,是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试方法。 一、原理部分: (一)、半导体内的载流子 根据半导体导电理论,半导体内载流子的产生有两种不同的机制:本征激发和杂质电离。 1、本征激发 在一定的温度下,由于原子的热运动,价键中的电子获得足够的能量,摆脱共价键的束缚,成为可以自由运动的电子。这时在原来的共价键上就留下了一个电子空位,邻键上的电子随时可以跳过来填充这个空位,从而使空位转移到邻键上去,因此空位也是可以移动的。 这种可以自由移动的空位被称为空穴。半导体不 仅靠自由电子导电,而且也靠这种空穴导电。半 导体有两种载流子,即电子和空穴。 从能带来看,构成共价键的电子也就是填充 价带的电子,电子摆脱共价键而形成一对电子和 空穴的过程,就是一个电子从价带到导带的量子 跃迁过程,如图1 所示。 纯净的半导体中费米能级位置和载流子浓 度只是由材料本身的本征性质决定的,这种半导 体称本征半导体。本征半导体中,在电子—空穴 对的产生过程中,每产生一个电子,同时也产生 一个空穴,所以,电子和空穴浓度保持相等, n表示,称为本征载流图1 本征激发示意图 这个共同的浓度用 i 子浓度。这种由半导体本身提供,不受外来掺杂影响的载流子产生过程通常叫做本征激发。 2.、杂质电离 绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质,它们在常温下的导电性能,主要由浅杂质决定。浅杂质分为两种类型,一种是能够接收价带中激发的电子变为负离子,称为受主杂质。由受主杂质电离提供空穴导电的半导体叫做P 型半导体如图2(a)所示。还有一种可以向半导体提供一个自由电子而本身成为正离子,称为施主杂质。这种由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做n 型半导体,如图2(b)所示。

霍尔效应实验报告

霍耳效应实验报告 学号:200702050940 实验人:张学林 同组人: 杨天海 实验目的: 1、 观察霍耳效应; 2、 了解应用霍耳效应进行简单的相关测量的方法 实验内容: 1、确定样品导电类型; 2、测算霍耳系数、载流子浓度、霍耳灵敏度; 3、测算长螺线管轴线上的磁场分布。 实验原理: 一、关于霍耳效应 如图一所示。当电流通过一块导体或半导体制 成的薄片时,载流子会发生漂移。 而将这种通有电流的薄片置于磁场中,并使薄 片平面垂直于磁场方向。根据图一中的电流方向,并结合右手定则,我们可以看到:(1)无论导体中的载流子带正电荷还是负电荷,其受力均为F m 方向;(2)载流子均会沿X 轴方向运动,并最终靠在A 端。于是:(1)当载流子为正电荷时薄板A 端带正电荷,导致板A 端电势高于B 端;(2)当载流子为负电荷时薄板A 端带负电荷,导致板B 端电势高于A 端。 这就是霍耳效应。 二、关于霍耳效应性质的研究 如图一,关于霍耳效应的相关参量已如图所 示。 其中载流子所受的磁场力 m F qvB = (1) 载流子所受的电场力 e F qE = (2) 当其所受磁场力与电场力受力平衡时: (a B (b z y x (图一)

有关系, e m F F = (3) 且有, H H U E a vBa == (4) 我们又知道,(I v n nqab = 为载流子浓度) (5) 于是,由(1)~(3)可知 H IB E nqab = (6) 再结合(4)式可得 1 ()H IB U IB nqb nqb = = (7) 令 1 H R nq = (8) 为霍耳系数,并代入(7)式可得 H H B U R I b = (9) 那么,霍耳系数又可表示为 H H U b R IB = (10) 即, 1 H H U b R IB nq = = (11) 三、关于霍耳效应的应用 1、利用霍耳效应确定导体的类型 由(11)式可得,导体横向电势差与导体中载流子类型有关:当H U 为正时载流子为电子,导体为P 型半导体;反之,载流子为空穴,导体为N 型半导体。 2、利用霍耳效应计算霍耳系数 根据(9)式,可以固定B 、b ,改变I 得到U H ,多测几组U —I 值。然后根据几组U —I 值在直角坐标系中描 点,可根据拟合出来的直线的斜率求出霍耳系数。 3、 霍耳灵敏度的计算 若将(7)式中的括号以内的项定义为霍耳灵敏度,即令1 n H K R b nqb ==。于是,(二、2)中的霍耳系数计算出来,霍耳灵敏度也就计算出来了。 4、利用霍耳效应计算载流子浓度 由(7)、(11)式可得1H n R q = 。

计算机仿真与建模实验报告

中南大学 计算机仿真与建模 实验报告 题目:理发店的服务过程仿真 姓名:XXXX 班级:计科XXXX班 学号:0909XXXX 日期:2013XXXX

理发店的服务过程仿真 1 实验案例 (2) 1.1 案例:理发店系统研究 (2) 1.1.1 问题分析 (3) 1.1.2 模型假设 (3) 1.1.3 变量说明 (3) 1.1.4 模型建立 (3) 1.1.5 系统模拟 (4) 1.1.6 计算机模拟算法设计 (5) 1.1.7 计算机模拟程序 (6) 1实验案例 1.1 案例:理发店模拟 一个理发店有两位服务员A和B顾客随机地到达该理发店,每分钟有一个顾客到达和没有顾客到达的概率均是1/2 , 其中60%的顾客理发仅用5分钟,另外40%的顾客用8分钟. 试对前10分钟的情况进行仿真。 (“排队论”,“系统模拟”,“离散系统模拟”,“事件调度法”)

1.1.1 问题分析 理发店系统包含诸多随机因素,为了对其进行评判就是要研究其运行效率, 从理发店自身利益来说,要看服务员工作负荷是否合理,是否需要增加员工等考 虑。从顾客角度讲,还要看顾客的等待时间,顾客的等待队长,如等待时间过长 或者等待的人过多,则顾客会离开。理发店系统是一个典型的排队系统,可以用 排队论有关知识来研究。 1.1.2 模型假设 1. 60%的顾客只需剪发,40%的顾客既要剪发,又要洗发; 2. 每个服务员剪发需要的时间均为5分钟,既剪发又洗发则花8分钟; 3. 顾客的到达间隔时间服从指数分布; 4. 服务中服务员不休息。 1.1.3 变量说明 u :剪发时间(单位:分钟),u=5m ; v: 既剪发又理发花的时间(单位:分钟),v=8m ; T : 顾客到达的间隔时间,是随机变量,服从参数为λ的指数分布,(单位: 分钟) T 0:顾客到达的平均间隔时间(单位:秒),T 0=λ 1; 1.1.4 模型建立 由于该系统包含诸多随机因素,很难给出解析的结果,因此可以借助计算机 模拟对该系统进行模拟。 考虑一般理发店的工作模式,一般是上午9:00开始营业,晚上10:00左 右结束,且一般是连续工作的,因此一般营业时间为13小时左右。 这里以每天运行12小时为例,进行模拟。 这里假定顾客到达的平均间隔时间T 0服从均值3分钟的指数分布, 则有 3小时到达人数约为603 603=?人, 6小时到达人数约为1203 606=?人, 10小时到达人数约为2003 6010=?人, 这里模拟顾客到达数为60人的情况。 (如何选择模拟的总人数或模拟总时间)

变温霍尔效应

学号:PB07203143 姓名:王一飞院(系):物理系 变温霍尔效应 【实验目的】 1、通过该实验,学习利用变温霍尔效应测量半导体薄膜的多种电学性质的方法。 2、掌握霍尔系数、霍尔迁移率和电导率的测量方法,了解它们随温度的变化规律。 3、测定样品的导电类型和载流子浓度,并计算出禁带宽度和杂质电离能等。 【实验原理】 1、半导体的能带结构和载流子浓度 本征半导体中本征载流子(电子和空穴)总是成对出现的,它们的浓度相同,本征载流 子浓度仅取决于材料的性质(如材料种类和禁带宽度)及外界的温度。 若所掺杂质的价态大于基质的价态,即施主杂质,称为 n 型半导体;若所掺杂质的价态小 于基质的价态,即受主杂质,称为 p 型半导体。 当导带中的电子和价带中的空穴相遇后,电子重新填充原子中的空位,导致相应的电子 和空穴消失,这过程叫做电子和空穴的复合。在这一过程中,电子从高能态的导带回到低能态的价带,多余的能量以热辐射的形式(无辐射复合)或光辐射的形式(辐射复合)放出。 当温度在几十K左右时,只有很少受主电离,空穴浓度P远小于受主浓度,曲线基本上为 直线,由斜率可得到受主电离能Ei。 当温度升高到杂质全电离饱和区,载流子浓度与温度无关 当在本征激发的高温区,由曲线的斜率可求出禁带宽度Eg 2、电导率和迁移率 半导体中同时有两种载流子导电时,在过渡区及本征激发区电导率可写为: [p型半导体] 设p s 为杂质全部电离产生的空穴饱和浓度,p = p s + n 则 3、霍尔效应及其测量 如右图,霍尔系数 在考虑霍尔效用时,由于载流子沿y方向发生偏转,

造成在x方向定向运动的速度出现统计分布。 考虑载流子迁移率μ = v /E时,应采用速度的统计平均结果vH 稳态时,y 方向的电场力与罗伦兹力相抵消,故有 对p型半导体,当温度处在较低的杂质电离区时 在温度逐渐升高的过程中,电子由价带激发到导带的过程加剧,出现两种载流子导电机制。 温度进一步升高,更多的电子从价带激发到导带,使,故有。随后R H 将会 达到其极值R HM 。 3、范得堡法测量电阻率和霍耳效应 原理图如右图,在样品侧边制作四个电极,依次在一对相邻 的电极用来通入电流,另一对电极之间测量电位差。 电阻率 由于两霍尔电极位置不对称引起的,叫失排电压。 设B、D电极之间电压Vo,在 B、C电极间电压Vm,在理想范德堡样品中。电流线分布在磁场前后是不变的,因而加磁场后等位面的改变使B、D间电压改变(Vm-Vo)完全是由于霍尔效应引起的, 即电压改变量就是霍尔电压V H 。 4、霍尔效应测量中的副效应及其消除方法 在测量霍耳系数时,由于存在一系列电磁和热磁副效应,使得数字电压表测出的电位差V AB 并不 等于样品的霍耳电位差V H ,而是包括了由各种副效应引起的附加电位差与V H 之和。这些副效应主要 有以下几种。 ①由于电极A与B不能真正制作在同一等位面上,所以即使在没有加磁场B的情况下,A、B间也有一个电位差,其正负与电流I的方向有关。 ②由于载流子漂移速度有一定的分布范围,当它们在磁场作用下发生偏转时,速度快的高能粒子最早在y方向形成积累,于是在y方向两霍尔电极之间出现温度差,产生温差电压V E 。这就叫艾廷豪 森效应。不难看出,VE的极性总是与V H 一致,与B和I方向有关。 ③在沿x方向给样品加电流时,两个端电极与样品的接触电阻不同,产生的焦耳热不同,将造成沿电流方向的温差,有温度梯度就会有载流子的热扩散流。在横向磁场作用下,同样也要发生偏转,积累,产生附加的霍尔电压VN。这种效应叫能斯脱效应。VN的极性只随磁场方向改变。 ④上述热扩散速度也有个分布,从艾廷豪森效应的分析不难看出,热扩散的载流子在横向磁场作 用下向y方向积累的结果使霍尔电极间有温差电压VR。这叫里纪—勒杜克效应。V R 的极性只随磁场方向改变。

通信对抗原理大作业题目

通信对抗原理仿真大作业题目 基本要求:仿真大作业分组完成,每个组3~5人,至少选择4个题目,并且在每一类中至少选择一个题目。利用MATLAB完成计算机仿真,并且撰写仿真实验报告。大作业完成情况将作为评价平时成绩的依据。 第一类:测频方法仿真 1.FFT法数字测频技术仿真。仿真模拟通信信号或者数字通信信号三种以上, 基于FFT法进行载波频率测量。画出信号的时域、频域波形,给出FFT法测量的结果。进一步在0-20dB信噪比条件给出不同信噪比下的测量曲线,分析信噪比与测量误差的关系。 2.互相关法数字测频技术仿真。仿真模拟通信信号或者数字通信信号三种以上, 基于互相关法进行载波频率测量。画出信号的时域、频域波形,给出测量结果。进一步在0-20dB信噪比条件给出不同信噪比下的测量曲线,分析信噪比与测量误差的关系。 3.相位差分法数字测频技术仿真。仿真模拟通信信号或者数字通信信号三种以 上,基于相位差分法法进行载波频率测量。画出信号的时域、频域波形,给出测量结果。进一步在0-20dB信噪比条件给出不同信噪比下的测量曲线,分析信噪比与测量误差的关系。 第二类:测向方法仿真 4.相位干涉仪测向方法仿真。仿真模拟通信信号或者数字通信信号两种以上, 基于相位干涉仪测向方法,对不同方向到达的通信信号进行测向。画出信号的时域、频域波形,给出到达方向测量结果。进一步在0-20dB信噪比条件给出不同信噪比下的测量曲线,分析信噪比、到达角与测量误差的关系。 5.到达时差测向方法仿真。仿真模拟通信信号或者数字通信信号两种以上,基 于到达时差测向方法,对不同方向到达的通信信号进行测向。画出信号的时域、频域波形,观察相关函数,给出测量结果。进一步在0-20dB信噪比条件给出不同信噪比下的测量曲线,分析信噪比、到达角与测量误差的关系。6.多普勒测向方法仿真。仿真模拟通信信号或者数字通信信号两种以上,基于 多普勒测向方法,对不同方向到达的通信信号进行测向。画出信号的时域、频域波形,给出测量结果。进一步在0-20dB信噪比条件给出不同信噪比下的测量曲线,分析信噪比、到达角与测量误差的关系。 7.沃森-瓦特测向方法仿真。仿真模拟通信信号或者数字通信信号两种以上,基 于沃森-瓦特测向方法,对不同方向到达的通信信号进行测向。画出信号的时域、频域波形,给出测量结果。进一步在0-20dB信噪比条件给出不同信噪比下的测量曲线,分析信噪比、到达角与测量误差的关系。 第三类:信号处理技术仿真 8.信号带宽和幅度测量方法仿真。仿真模拟通信信号或者数字通信信号三种以 上,基于FFT法进行信号带宽、信号相对幅度测量。画出信号的时域、频域

计算机仿真实验-基于Simulink的简单电力系统仿真

实验七 基于Simulink 的简单电力系统仿真实验 一. 实验目的 1) 熟悉Simulink 的工作环境及SimPowerSystems 功能模块库; 2) 掌握Simulink 的的powergui 模块的应用; 3) 掌握发电机的工作原理及稳态电力系统的计算方法; 4)掌握开关电源的工作原理及其工作特点; 5)掌握PID 控制对系统输出特性的影响。 二.实验内容与要求 单机无穷大电力系统如图7-1所示。平衡节点电压0 44030 V V =∠? 。负荷功率10L P kW =。线路参数:电阻1l R =Ω;电感0.01l L H =。发电机额定参数:额定功率100n P kW =;额定电压440 3 n V V =;额定励磁电流 70 fn i A =;额定频率50n f Hz =。发电机定子侧参数:0.26s R =Ω, 1 1.14 L mH =,13.7 md L mH =,11 mq L mH =。发电机转子侧参数:0.13f R =Ω,1 2.1 fd L mH =。发电机阻尼绕组参数:0.0224kd R =Ω, 1 1.4 kd L mH =,10.02kq R =Ω,11 1 kq L mH =。发电机转动惯量和极对数分别 为224.9 J kgm =和2p =。发电机输出功率050 e P kW =时,系统运行达到稳态状态。在发电机输出电磁功率分别为170 e P kW =和2100 e P kW =时,分析发电机、平衡节点电源和负载的电流、电磁功率变化曲线,以及发电机转速和功率角的变化曲线。

G 发电机节点 V 负 荷 l R l L L P 图 7.1 单机无穷大系统结构图 输电线路 三.实验步骤 1. 建立系统仿真模型 同步电机模块有2个输入端子、1个输出端子和3个电气连接端子。模块的第1个输入端子(Pm)为电机的机械功率。当机械功率为正时,表示同步电机运行方式为发电机模式;当机械功率为负时,表示同步电机运行方式为电动机模式。在发电机模式下,输入可以是一个正的常数,也可以是一个函数或者是原动机模块的输出;在电动机模式下,输入通常是一个负的常数或者是函数。模块的第2个输入端子(Vf)是励磁电压,在发电机模式下可以由励磁模块提供,在电动机模式下为一个常数。 在Simulink仿真环境中打开Simulink库,找出相应的单元部件模型,构造仿真模型,三相电压源幅值为4403,频率为50Hz。按图连接好线路,设置参数,建立其仿真模型,仿真时间为5s,仿真方法为ode23tb,并对各个单元部件模型的参数进行修改,如图所示。

江南大学数媒0902基于虚拟现实技术大作业报告

课程:虚拟现实题目:沸腾的水壶 班级:数媒0902 学号:0305090206 姓名:沈玉婷 日期:2012.12

1、绪论 1.1 虚拟现实动画简介 虚拟现实动画就是用虚拟现实的技术以动画的形式表现出来(这是建立在虚拟现实及动画技术的基础上出现的)。我们以了解什么是虚拟现实及动画的意思后就能全面理解虚拟现实动画的概念。 1.2 关于虚拟现实技术 虚拟现实(Virtual Reality,简称VR;又译作灵境、幻真)是近年来出现的高新技术,也称灵境技术或人工环境。虚拟现实是利用电脑模拟产生一个三维空间的虚拟世界,提供使用者关于视觉、听觉、触觉等感官的模拟,让使用者如同身历其境一般,可以及时、没有限制地观察三度空间内的事物。 VR是一项综合集成技术,涉及计算机图形学、人机交互技术、传感技术、人工智能等领域,它用计算机生成逼真的三维视、听、嗅觉等感觉,使人作为参与者通过适当装置,自然地对虚拟世界进行体验和交互作用。使用者进行位置移动时,电脑可以立即进行复杂的运算,将精确的3D世界影像传回产生临场感。该技术集成了计算机图形(CG)技术、计算机仿真技术、人工智能、传感技术、显示技术、网络并行处理等技术的最新发展成果,是一种由计算机技术辅助生成的高技术模拟系统。概括地说,虚拟现实是人们通过计算机对复杂数据进行可视化操作与交互的一种全新方式,与传统的人机界面以及流行的视窗操作相比,虚拟现实在技术思想上有了质的飞跃。 2、需求分析 随着CAD技术的发展,人们就开始研究立体声与三维立体显示相结合的计算机系统。目的在于建立一种新的用户界面,使用户可以置身于计算机所表示的三维空间资料库环境中,并可以通过眼、手、耳或特殊的空间三维装置在这个环境中"环游",创造出一种"亲临其境"的感觉。 虚拟现实是人们通过计算机对复杂数据进行可视化、操作以及实时交互的环境。与传统的计算机人――机界面(如键盘、鼠标器、图形用户界面以及流行的Windows等)相比,虚拟现实无论在技术上还是思想上都有质的飞跃。传统的人――机界面将用户和计算机视为两个独立的实体,而将界面视为信息交换的媒介,由用户把要求或指令输入计算机,计算机对信息或受控对象作出动作反馈。虚拟现实则将用户和计算机视为一个整体,通过各种直观的工具将信息进行可视化,形成一个逼真的环境,用户直接置身于这种三维信息空间中自由地使用各种信息,并由此控制计算机。目前,虚拟现实技术已经遍布我们生活中的每一个行业,城市规划中的应用、旅游景观的应用、医学中应用、娱艺教中的应用、军事与航天中的应用、室内设计中的应用、房产开发中的应用、工业仿真中的应用、应急推演中的应用。由此可知,虚拟

计算机仿真实验

计算机仿真实验报告 专业:电气工程及其自动化班级:09电牵一班学号:22 姓名:饶坚指导老师:叶满园实验日期:2012年4月30日 一、实验名称 三相桥式SPWM逆变电路仿真 二、目的及要求 1.了解并掌握三相逆变电路的工作原理; 2.进一步熟悉MA TLAB中对Simulink的使用及构建模块; 3.掌握SPWM原理及构建调制电路模块; 4.复习在Figure中显示图形的程序编写和对图形的修改。 三、实验原理与步骤、电路图 1、实验原理图

2、电路原理(采用双极性控制方式) U、V和W三相的PWM控制通常公用一个三角波载波Uc,三相的调制信号Uru、Urv和Urw依次相差120°。 电路工作过程(U相为例):当Uru>Uc时,上桥臂V1导通,下桥臂V4关断,则U相相对于直流电源假想中点N’的输出电压Uun’=Ud/2。当Uru

对电路模型进行封装如下图示:

其中Subsystem1为主电路,Subsystem2为负载,Subsystem3为检测电路,Subsystem4为输入信号,Subsystem5为调制电路,Scope 为示波器,Repeating Sequence为三角载波。 各子系统电路分别如下所示: Subsystem1 Subsystem2 Subsystem3

低温实验讲义_霍尔效应测量汇编

实验8—1变温霍尔效应 引言 1879年,霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时,发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势,这个电磁效应称为“霍尔效应”。在半导体材料中,霍尔效应比在金属中大几个数量级,引起人们对它的深入研究。霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的推动作用。直到现在,霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实验方法。 利用霍尔效应,可以确定半导体的导电类型和载流子浓度,利用霍尔系数和电导率的联合测量,可以用来研究半导体的导电机构(本征导电和杂质导电)和散射机构(晶格散射和杂质散射),进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。测量霍尔系数随温度的变化,可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度特性。 根据霍尔效应原理制成的霍尔器件,可用于磁场和功率测量,也可制成开关元件,在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。 实验目的 1.了解半导体中霍尔效应的产生原理,霍尔系数表达式的推导及其副效应的产生和消除。 2.掌握霍尔系数和电导率的测量方法。通过测量数据处理判别样品的导电类型,计算室温 下所测半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度和霍尔迁移率。 3.掌握动态法测量霍尔系数(R H)及电导率(σ)随温度的变化,作出R H~1/T,σ~1/T曲 线,了解霍尔系数和电导率与温度的关系。 4.了解霍尔器件的应用,理解半导体的导电机制。 实验原理 1.半导体内的载流子 根据半导体导电理论,半导体内载流子的产生有两种不同的机构:本征激发和杂质电离。 (1)本征激发 半导体材料内共价键上的电子有可能受热激发后跃迁到导带上成为可迁移的电子,在原共价键上却留下一个电子缺位—空穴,这个空穴很容易受到邻键上的电子跳过来填补而转移到邻键上。因此,半导体内存在参与导电的两种载流子:电子和空穴。这种不受外来杂质的影响由半导体本身靠热激发产生电子—空穴的过程,称为本征激发。显然,导带上每产生一个电子,价带上必然留下一个空穴。因此,由本征激发的电子浓度n和空穴浓度p应相等,并统称为本征浓度n i,由经典的玻尔兹曼统计可得 n i=n=p=(N c N v)1/2exp(-E g/2k B T)=K’T3/2 exp(-E g/2k B T) 式中N c,N v分别为导带、价带有效状态密度,K’为常数,T为温度,E g为禁带宽度,k B为玻尔兹曼常数。 (2)杂质电离 在纯净的第IV族元素半导体材料中,掺入微量III或V族元素杂质,称为半导体掺杂。掺杂后的半导体在室温下的导电性能主要由浅杂质决定。 如果在硅材料中掺入微量III族元素(如硼或铝等),这些第III族原子在晶体中取代部

霍尔效应实验报告98010

霍尔效应与应用设计 摘要:随着半导体物理学的迅速发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。本文主要通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。 关键词:霍尔系数,电导率,载流子浓度。 一.引言 【实验背景】 置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,称为霍尔效应。 如今,霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且随着电子技术的发展,利用该效应制成的霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz )、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。 【实验目的】 1. 通过实验掌握霍尔效应基本原理,了解霍尔元件的基本结构; 2. 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术; 3. 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 4. 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 二、实验内容与数据处理 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。如图1所示。当载流子所受的横电场力与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有 B e eE H v = 其中E H 称为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b , ? a

厚度为d ,载流子浓度为n ,则 bd ne t lbde n t q I S v =??=??= d B I R d B I ne b E V S H S H H =?= ?=1 比例系数R H =1/ne 称为霍尔系数。 1. 由R H 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。 2. 由R H 求载流子浓度n ,即 e R n H ?= 1 (4) 3. 结合电导率的测量,求载流子的迁移率μ。 电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系 μσne = (5) 即σμ?=H R ,测出σ值即可求μ。 电导率σ可以通过在零磁场下,测量B 、C 电极间的电位差为V BC ,由下式求得σ。 S L V I BC BC s ?= σ(6) 二、实验中的副效应及其消除方法: 在产生霍尔效应的同时,因伴随着多种副效应,以致实验测得的霍尔电极A 、A′之间的电压为V H 与各副效应电压的叠加值,因此必须设法消除。 (1)不等势电压降V 0 如图2所示,由于测量霍尔电压的A 、A′两电极不可能绝对对称地焊在霍尔片的两侧,位置不在一个理想的等势面上,Vo 可以通过改变Is 的方向予以消除。 (2)爱廷豪森效应—热电效应引起的附加电压V E 构成电流的载流子速度不同,又因速度大的载流子的能量大,所以速度大的粒子聚集的一侧温度高于另一侧。电极和半导体之间形成温差电偶,这一温差产生温差电动势V E ,如果采用交流电,则由于交流变化快使得爱延好森效应来不及建立,可以减小测量误差。 (3)能斯托效应—热磁效应直接引起的附加电压V N

武汉理工大学-计算机仿真实验作业答案

五、(10分)已知系统的传递函数为6 168682)(232+++++=s s s s s s G 。 语言建立系统传递函数模型,并求: ⑴ 该系统的单位阶跃响应;(2分) ⑵ 输入函数为u(t)时的响应;(3分) (u(t)正弦信号,周期2秒,仿真时间8秒,采样周期0.1); (3) 输入函数为u(t)时的响应;(3分) (u(t)方波输入信号,周期10秒,仿真时间20秒,采样周期0.05) (4) 绘出系统的波德图(Bode )。(2分) 解答: num=[2 8 6]; den=[1 8 16 6]; sys=tf(num,den); t=0:0.1:8; y1=step(sys,t); u=sin(t*pi); y2=lsim(sys,u,t); subplot(2,2,1);plot(t,y1); grid; title('阶跃响应曲线'); xlabel('响应时间'); ylabel('响应值'); hold on; subplot(2,2,2);plot(t,y2); grid on ; title('对sin(t)的响应曲线'); xlabel('响应时间'); ylabel('响应值'); t=0:0.05:20 u=square(pi/5*t) y3=lsim(sys,u,t); subplot(2,2,3);plot(t,y3) grid on ; title('对方波信号的响应曲线'); xlabel('响应时间'); ylabel('响应值'); subplot(2,2,4);bode(sys);

grid ;title('bode 图'); 运行结果: 六、(10分)设二阶动力学系统的传递函数如下,假设将无阻尼固有频 率固定为ωn =1 rad/s ,将阻尼比的值分别设置成ζ=0,0.1,0.2,0.3,…, MATLAB 语言编程,分析在这些阻尼比ζ的取值下该系统的阶跃响应。 2222)(n n n s s s G ω?ωω++= 解答:wn=1; kesi=[0:0.1:1,2,3,4,5]; figure('color',[1 1 1]); hold on for i=kesi num=wn.^2 den=[1,2*i*wn,wn.^2]; step(num,den);

计算机仿真实验报告7

山东工商学院计算机仿真及应用实验报告 实验七 MATLAB的基本应用(二)及Simulink仿真 (验证性实验) 学院: 专业班级: 实验时间: 学号: 姓名:

一、实验目的 1、掌握连续信号的仿真和傅里叶分析方法 2、掌握连续系统的分析方法(时域分析法,拉氏变换法和傅里叶分析法); 3、掌握离散信号的仿真和分析运算方法 4、掌握离散系统的分析方法(时域分析法); 5、掌握符号运算方法; 6、掌握Simulink仿真工具; 二、实验原理 1、连续信号的仿真和分析法,参考教材第6.1节,重点: 单位冲激信号的仿真方法;单位阶跃信号的仿真方法;复指数信号的仿真方法 2、连续系统的分析方法,参考教材第6.1节,重点: 例6.2,LTI系统的零输入响应的求解方法; 例6.3,LTI系统的冲激响应的求解方法 例6.5,LTI系统的零状态响应的求解方法 例6.6,系统中有重极点时的计算 3、系统的频域分析方法,参考教材第6.2节,重点: 例6.7,方波分解为多次正弦波之和 例6.8:全波整流电压的频谱 例6.10:调幅信号通过带通滤波器 例6.12:用傅里叶变换计算滤波器的响应和输出 4、离散信号的仿真和分析法,参考教材第6.3节,7.1节,重点: 单位脉冲序列impseq,单位阶跃序列stepseq 例7.1:序列的相加和相乘 例7.2:序列的合成与截取 例7.3:序列的移位和周期延拓运算 三、实验内容(包括内容,程序,结果) 以自我编程练习实验为主,熟悉各种方法和设计,结合课堂讲授,实验练习程序代码。 1、根据教材第6.1节的内容,练习连续信号和系统的时域分析和拉氏变换方法。 q602 clear,clc a=input('输入分母系数向量a=[a1,a2,...]= '); n=length(a)-1; Y0=input('输入初始条件向量Y0=[y0,Dy0,D2y0,...]= '); p=roots(a);V=rot90(vander(p));c=V\Y0'; dt=input('dt= ');tf=input('tf= '); t=0:dt:tf;y=zeros(1,length(t));

变温霍尔效应.

变温霍尔效应 如果在电流的垂直方向加以磁场,则在同电流和磁场都垂直的方向上,将建立起一个电场,这种现象称为霍耳效应。霍尔效应是1879年霍耳在研究导体在磁场中受力的性质时发现的,对分析和研究半导体材料的电输运性质具有十分重要的意义。目前,霍耳效应不仅用来确定半导体材料的性质,利用霍耳效应制备的霍耳器件在科学研究、工业生产上都有着广泛的应用。 通过变温霍尔效应测量可以确定材料的导电类型、载流子浓度与温度的关系、霍耳迁移率和电导迁移率与温度的关系、材料的禁带宽度、施主或受主杂质以及复合中心的电离能等。 一 实验目的 1.了解和学习低温实验中的低温温度控制和温度测量的基本原理与方法; 2.掌握利用霍尔效应测量材料的电输运性质的原理和实验方法; 3.验证P型导电到N 型导电的转变。 二 实验原理 1. 半导体的能带结构和载流子浓度 没有人工掺杂的半导体称为本征半导体,本征半导体中的原子按照晶格有规则的排列,产生周期性势场。在这一周期势场的作用下,电子的能级展宽成准连续的能带。束缚在原子周围化学键上的电子能量较低,它们所形成的能级构成价带;脱离原子束缚后在晶体中自由运动的电子能量较高,构成导带,导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。当绝对温度为0 k时,电子全被束缚在原子上,导带能级上没有电子,而价带中的能级全被电子填满(所以价带也称为满带);随着温度升高,部分电子由于热运动脱离原子束缚,成为具有导带能量的电子,它在半导体中可以自由运动,产生导电性能,这就是电子导电;而电子脱离原子束缚后,在原来所在的原子上留下一个带正电荷的电子的缺位,通常称为空穴,它所占据的能级就是原来电子在价带中所占据的能级。因为邻近原子上的电子随时可以来填补这个缺位,使这个缺位转移到相邻原子上去,形成空穴的自由运动,产生空穴导电。半导体的导电性质就是由导带中带负电荷的电子和价带中带正电荷的空穴的运动所形成的。这两种粒子统称载流子。本征半导体中的载流子称为本征载流子,它主要是由于从外界吸收热量后,将电子从价带激发到导带,其结果是导带中增加了一个电子而在价带出现了一个空穴,这一过程成为本征激发。所以,本征载流子(电子和空穴)总是成对出现的,它们的浓度相同,本征载流子浓度仅取决于材料的性质(如材料种类和禁带宽度)及外界的温度。 为了改变半导体的性质,常常进行人工掺杂。不同的掺杂将会改变半导体中电子或空穴的浓度。若所掺杂质的价态大于基质的价态,在和基质原子键合时就会多余出电子,这种电子很容易在外界能量(热、电、光能等)的作用下脱离原子的束缚成为自由运动的电子(导带电子),所以它的能级处在禁带中靠近导带底的位置(施主能级),这种杂质称为施主杂质。施主杂质中的电子进入导带的过程称为电离过程,离化后的施主杂质形成正电中心,它所放出的电子进入导带,使导带中的电子浓度远大于价带中空穴的浓度,因此,掺施主杂质的半导体呈现电子导电的性质,称为n型半导体。施主电离过程是施主能级上的电子跃迁到导带并在导带中形成电子的过程,跃迁所需的能量就是施主电离能;反之,若所掺杂质的价态小于基质的价态,这种杂质是受主杂质,它的能级处在禁带中靠近价带顶的位置(受主能级),受主杂质很容易被离化,离化时从价带中吸引电子,变为负电中心,使价带中出现空穴,呈空穴导电性质,这样的半导体为p型半导体。受主电离时所需的能量就是受主电离能。

大学物理实验报告霍尔效应

大学物理实验报告霍尔效应 一、实验名称:霍尔效应原理及其应用二、实验目的:1、了解霍尔效应产生原理;2、测量霍尔元件的、曲线,了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系;3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法,测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布;4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。 三、仪器用具:YX-04 型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理:1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图1 所示。半导体样品,若在x 方向通以电流,在z 方向加磁场,则在y 方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场,电场的指向取决于样品的导电类型。显然,当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积,电场不断加强,直到样品两侧电荷的积累就达到平衡,即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。设为霍尔电场,是载流子在电流方向上的平均漂移速度;样品的宽度为,厚度为,载流子浓度为,则有:(1-1) 因为,,又根据,则(1-2)其中称为霍尔系数,是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出、以及知道和,可按下式计算:(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。 根据RH 可进一步确定以下参数。(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别的方法是按图1 所示的和的方向(即测量中的+,+),若测得的 <0(即A′的电位低于A 的电位),则样品属N 型,反之为P 型。(2)由求载流子浓度,即。应该指出,这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点,考虑载流子的速度统计分布,需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。(3)结合电导率的测量,求载流子的迁移率。电导率与载流子浓度以及迁移率之间有如下关系:(1-5)2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的,实际情况要复杂得多。产生上述霍尔效应的同时还伴随产生四种副效应,使的测量产生系统误差,如图 2 所示。 (1)厄廷好森效应引起的电势差。由于电子实际上并非以同一速度v 沿y 轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3 的侧面,从而导致3 侧面较4 侧面集中较多能量高的电子,结果3、4 侧面出现温差,产生温差电动势。 可以证明。的正负与和的方向有关。(2)能斯特效应引起的电势差。焊点1、2 间接触电阻可能不同,通电发热程度不同,故1、2 两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似,该热扩散电流也会在 3、4 点间形成电势差。 若只考虑接触电阻的差异,则的方向仅与磁场的方向有关。(3)里纪-勒杜克效应产生的电势差。上述热扩散电流的载流子由于速度不同,根据厄廷好森效应同样的理由,又会在3、4 点间形成温差电动势。的正负仅与的方向有关,而与的方向无关。(4)不等电势效应引起的电势差。由于制造上的困难及材料的不均匀性,3、4 两点实际上不可能在同一等势面上,只要有电流沿x 方向流过,即使没有磁场,3、4 两点间也会出现电势差。的正负只与电流的方向有关,而与的方向无关。综上所述,在确定的磁场和电流下,实际测出的电压是霍尔

电路计算机仿真实验报告

电路计算机仿真分析 实验报告

实验一直流电路工作点分析和直流扫描分析 一、实验目的 1、学习使用Pspice软件,熟悉它的工作流程,即绘制电路图、元件类别的选择及其参数的赋值、分析类型的建立及其参数的设置、Probe窗口的设置和分析的运行过程等。 2、学习使用Pspice进行直流工作点分析和直流扫描分析的操作步骤。 二、原理与说明 对于电阻电路,可以用直观法(支路电流法、节点电压法、回路电流法)列写电路方程,求解电路中各个电压和电流。PSPICE软件是采用节点电压法对电路进行分析的。 使用PSPICE软件进行电路的计算机辅助分析时,首先在capture环境下编辑电路,用PSPICE 的元件符号库绘制电路图并进行编辑、存盘。然后调用分析模块、选择分析类型,就可以“自 动”进行电路分析了。需要强调的是,PSPICE软件是采用节点电压法“自动”列写节点电 压方程的,因此,在绘制电路图时,一定要有参考节点(即接地点)。此外,一个元件为一 条“支路”(branch),要注意支路(也就是元件)的参考方向。对于二端元件的参考方向定 义为正端子指向负端子。 三、示例实验 应用PSPICE求解图1-1所示电路个节点电压和各支路电流。 图1-1 直流电路分析电路图

4.000V R2 1 2.000A 0V Idc2 4Adc 4.000A 6.000V R1 1 4.000A Idc1 2Adc 2.000A R3 3 2.000A 图1-2 仿真结果 四、选做实验 1、实验电路图 (1)直流工作点分析,即求各节点电压和各元件电压和电流。 (2)直流扫描分析,即当电压源Us1的电压在0-12V之间变化时,求负载电阻R L中电流I RL随电压源Us1的变化曲线。 R4 3 Is3 2Adc 0Vs2 10Vdc RL 1 Is1 1Adc Is2 1Adc R1 4 I Is5 3Adc R2 2 12Vdc IPRINT Vs3 5Vdc Vs4 7Vdc 图1-3 选做实验电路图 2、仿真结果

霍尔效应实验报告

霍尔效应与应用设计 摘要:随着半导体物理学得迅速发展,霍尔系数与电导率得测量已成为研究半导体材料得主要方法之一。本文主要通过实验测量半导体材料得霍尔系数与电导率可以判断材料得导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。 关键词:霍尔系数,电导率,载流子浓度。 一.引言 【实验背景】 置于磁场中得载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流与磁场得方向会产生一附加得横向电场,称为霍尔效应。 如今,霍尔效应不但就是测定半导体材料电学参数得主要手段,而且随着电子技术得发展,利用该效应制成得霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz)、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制与信息处理等方面. 【实验目得】 1.通过实验掌握霍尔效应基本原理,了解霍尔元件得基本结构; 2.学会测量半导体材料得霍尔系数、电导率、迁移率等参数得实验方法与技术; 3.学会用“对称测量法"消除副效应所产生得系统误差得实验方法。 4.学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布. 二、实验内容与数据处理 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲就是运动得带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起得偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流与磁场得方向上产生正负电荷得聚积,从而形成附加得横向电场。如图1所示.当载流子所受得横电场力与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷得积累就达到平衡,故有

? 其中EH 称为霍尔电场,就是载流子在电流方向上得平均漂移速度。设试样得宽度为b,厚度为d,载流子浓度为n ,则 ? ? ? 比例系数R H=1/n e称为霍尔系数. 1. 由RH 得符号(或霍尔电压得正负)判断样品得导电类型。 2. 由R H求载流子浓度n ,即 (4) 3. 结合电导率得测量,求载流子得迁移率. 电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率之间有如下关系 (5) 即,测出值即可求。 电导率可以通过在零磁场下,测量B 、C 电极间得电位差为VBC ,由下式求得。 (6) 二、实验中得副效应及其消除方法: 在产生霍尔效应得同时,因伴随着多种副效应,以致实验测得得霍尔电极A 、A′之间得电压为V H 与各副效应电压得叠加值,因此必须设法消除。 (1)不等势电压降V 0 图1、 霍尔效应原理示意图,a)为N 型(电子) b)为P 型(孔穴)

计算机仿真实训实验报告实验1-4

实验一 熟悉MATLAB 工作环境 16电气5班 周树楠 20160500529 一、实验目的 1.熟悉启动和退出MATLAB 软件的方法。 2.熟悉MATLAB 软件的运行环境。 3.熟悉MATLAB 的基本操作。 二、实验设备及条件 计算机一台(带有MATLAB6.0以上的软件境)。 三、实验内容 1.练习下面指令: cd,clear,dir,path,help,who,whos,save,load 。 2.建立自己的工作目录MYBIN 和MYDATA ,并将它们分别加到搜索路径的前面或者后面。 3.求23)]47(*212[÷-+的算术运算结果。 4.M 文件的建立,建立M 文件,求出下列表达式的值: ?? ????-+=++=+= 545.0212),1ln(21 185sin 2222 1i x x x z e z o 其中

5.利用MATLAB的帮助功能分别查询inv、plot、max、round函数的功能和用法。 四、运行环境介绍及注意事项 1.运行环境介绍 打开Matlab软件运行环境有图1-1所示的界面

图1-1 MATLAB的用户界面 操作界面主要的介绍如下: 指令窗( Command Window ),在该窗可键入各种送给 MATLAB 运作的指令、函数、表达式,并显示除图形外的所以运算结果。 历史指令窗( Command History ),该窗记录已经运行过的指令、函数、表达式;允许用户对它们进行选择复制、重运行,以及产生 M 文件。 工作空间浏览器( Workspace Browser ),该窗口罗列出 MATLAB 工作空间中所有的变量名、大小、字节数;并且在该窗中,可对变量进行观察、编辑、提取和保存。 其它还有当前目录浏览器( Current Directory Browser )、 M 文件编辑 / 调试器(Editor/Debugger )以及帮助导航/ 浏览器(Help Navigator/Browser )等,但通常不随操作界面的出现而启动。 利用 File 菜单可方便对文件或窗口进行管理。其中 File | New 的各子菜单, M-file ( M 文件)、 Figure (图形窗口)、或 Model ( Simulink 编辑界面)分别可创建对应文件或模块。 Edit 菜单允许用户和 Windows 的剪切板交互信息。 2.在指令窗操作时应特别注意以下几点 1)所有输入的指令、公式或数值必须按下回车键以后才能执行。例如: >>(10*19+2/4-34)/2*3 (回车) ans= 234.7500 2)所有的指令、变量名称都要区分字母的大小写。 3)%作为MATLAB注释的开始标志,以后的文字不影响计算的过程。 4)应该指定输出变量名称,否则MATLAB会将运算结果直接存入默认的输出变量名ans。 5)MATLAB可以将计算结果以不同的精确度的数字格式显示,可以直接在指令视窗键入不同的数字显示格式指令。例如:>>format short (这是默认的) 6)MATLAB利用了↑↓二个游标键可以将所输过的指令叫回来重复使用。按下↑则前一次输入的指令重新出现,之后再按Enter键,即再执行前一次的指令。

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