肖特基二极管生产制造项目可行性研究报告

肖特基二极管生产制造项目可行性研究报告
肖特基二极管生产制造项目可行性研究报告

肖特基二极管生产制造项目可行性研究报告

泓域咨询丨规划分析

第一章项目总论

一、项目名称及项目建设单位

(一)项目名称

肖特基二极管生产制造项目

(二)项目建设单位

某某实业有限公司

二、项目建设的理由

我国正处于工业化中期向后期过渡的关键阶段。到2020年基本实现工业化、加快建设现代制造强国,已成为我国全面建成小康社会和实现“中国梦”的重要内容。制造业过去是,现在是,而且未来仍将是保证强大经济的支柱和基础,发展制造业的决心不能有丝毫动摇。可以说,中国工业化进程能否顺利推进、势头能否长期保持、在全球竞争中能否脱颖而出,是中国现代化发展进程中的关键一招。总书记强调,“实体经济是国家的本钱,要发展制造业尤其是先进制造业”。我们必须牢牢把握制造业这一立国之本的战略地位,深入实施制造强国战略,落实好《中国制

造2025》发展愿景,力争在新中国成立100周年时,建成世界一流制造强国,为实现中华民族伟大复兴提供强有力的战略支撑。经过改革开放30多年的高速增长,我国经济已进入以增速换挡、结构转型和动力转换为特征的“新常态”。如何既能保持中高速增长,又能推动产业迈向中高端水平,关键还是要切实转变经济发展方式、推动产业结构的战略性调整。制造业是转方式、调结构的主战场。主动适应和引领经济发展新常态,形成新的增长动力,重点在制造业,难点在制造业,出路也在制造业。《中国制造2025》着眼解决我国制造业面临的突出矛盾和问题,加快建立现代产业体系,提出的指引未来10年乃至30年制造业发展的20字基本方针,必须一以贯之地执行。

三、项目拟建地址及用地指标

(一)项目拟建地址

该项目选址在平度某某工业园区。

(二)项目用地性质及用地规模

1、该项目计划在平度某某工业园区建设,用地性质为工业用地。

2、项目拟定建设区域属于工业项目建设占地规划区,建设区总用地面积120000.6 平方米(折合约180.0 亩),代征地面积1080.0 平方米,净用地面积118920.6 平方米(折合约178.4 亩),土地综合利用率100.0%;项目建设遵循“合理和集约用地”的原则,按照肖特基二极管行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局,符合肖特基二极管制造和经营的规划建设需要。

(三)项目用地控制指标

1、该项目实际用地面积118920.6 平方米,建筑物基底占地面积81579.4 平方米,计容建筑面积134261.2 平方米,其中:规划建设生产车间109169.0 平方米,仓储设施面积14983.9 平方米(其中:原辅材料库房9037.9 平方米,成品仓库5946.0 平方米),办公用房5232.6 平方米,职工宿舍2973.0 平方米,其他建筑面积(含部分公用工程和辅助工程)1902.7 平方米;绿化面积7848.8 平方米,场区道路及场地占地面积29492.3 平方米,土地综合利用面积118920.5 平方米;土地综合利用率100.0%。

2、该工程规划建筑系数68.6%,建筑容积率1.1 ,绿化覆盖率6.6%,办公及生活用地所占比重5.2%,固定资产投资强度3444.0

万元/公顷,场区土地综合利用率100.0%;根据测算,该项目建设完全符合《工业项目建设用地控制指标》(国土资发【2008】24号)文件规定的具体要求。

四、项目建设内容

(一)土建工程

该项目在平度某某工业园区建设,总用地面积120000.6 平方米(折合约180.0 亩),预计总建筑面积134261.2 平方米,其中:规划建设生产车间109169.0 平方米,仓储设施面积14983.9 平方米(其中:原辅材料库房9037.9 平方米,成品仓库5946.0 平方米),办公用房5232.6 平方米,职工宿舍2973.0 平方米,其他建筑面积(含部分公用工程和辅助工程)1902.7 平方米,建筑物基底占地面积81579.4 平方米,场区道路及场地占地面积29492.3 平方米,绿化面积7848.8 平方米,土地综合利用面积118920.5 平方米;该项目工程容积率1.1 ,建筑系数68.6%,建设区域绿化覆盖率6.6%,办公及生活用地所占比重5.2%,场区土地综合利用率100.0%。

(三)公用工程及其他

该项目建设公用工程包括:电气系统、给排水系统、供热系统、办公生活设施、消防系统、污染物处理系统等,提供完善的配套设施及便捷舒适的配套环境。

五、项目产品规划方案

(一)产品规划方案

通过产品市场分析和需求预测,结合某某实业有限公司发展规划及该项目资金筹措能力,确定项目的建设规模和生产纲领;项目建成达纲后,形成年产肖特基二极管128544.6 单位/年的生产经营能力。

(二)项目效益规划目标

根据预测,该项目达纲年的营业收入128544.6 万元,总成本费用99706.4 万元,营业税金及附加576.5 万元,年新增利税总额35152.2 万元,年利润总额28261.7 万元,年净利润21196.3 万元,年纳税总额13955.9 万元。

六、投资估算及资金筹措方案

(一)项目投资方案

1、根据谨慎财务测算,项目总投资57671.5 万元,其中:固

定资产投资40960.7 万元,占项目总投资的71.0%;流动资金16710.8 万元,占项目总投资的29.0%;在固定资产投资中,建设投资40170.2 万元,占项目总投资的69.7%;建设期借款利息790.5 万元,占项目总投资的1.4%。

2、该项目建设投资40170.2 万元,其中:工程建设费用37215.2 万元,占项目总投资的64.5%,包括:建筑工程投资16344.6 万元,占项目总投资的28.3%;设备购置费20262.8 万元,占项目总投资的35.1%;安装工程费607.8 万元,占项目总投资的1.1%;工程建设其他费用2361.4 万元,占项目总投资的4.1%,其中:土地使用权费1512.0 万元,占项目总投资的2.6%,预备费593.6 万元,占项目总投资的1.0%。

(二)资金筹措方案

1、项目总投资(TI)57671.5 万元,根据资金筹措方案,某某实业有限公司计划自筹资金41603.4 万元,占项目总投资的72.1%。

2、根据谨慎财务测算,该项目全部借款总额16068.1 万元,占项目总投资的27.9%,其中:项目建设期申请银行借款16068.1

万元,占项目总投资的27.9%;项目经营期申请流动资金借款0.0 万元,占项目总投资的0.0%。

七、项目达纲年预期经济效益

1、项目达纲年预期经营收益:128544.6 万元(含税)。

2、年总成本费用99706.4 万元。

3、营业税金及附加576.5 万元。

4、项目达纲年利润总额:28261.7 万元。

5、项目达纲年净利润:21196.3 万元。

6、项目达纲年纳税总额:13955.9 万元。

八、项目建设进度规划

该项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12 个月的时间。

九、项目综合评价

1、该项目符合国家产业发展政策和规划要求,符合平度及某某行业布局和结构调整政策;项目的建设对促进某某肖特基二极管产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。

2、当前,受“三期叠加”影响,我国经济下行压力持续加大,深层次矛盾凸显,行业之间、地区之间分化明显,部分工业企业生产经营困难,经济运行面临的形势更趋复杂、更加严峻。经济行稳致远,必先夯实根基。实施《中国制造2025》,打好短期政策与长期战略“组合拳”,不仅有利于巩固制造业这个优势和支柱,增强中国制造“长跑”耐力,而且将激发释放市场活力,培育催生更多新的经济增长点和增长极,为“十三五”良好开局奠定良好基础。

3、某某实业有限公司为适应国内外市场需求,拟建“肖特基二极管生产建设项目”,该项目的建设能够有力促进平度某某经济发展,为社会创造1108 个就业机会,达纲年纳税总额13955.9 万元,可以促进某某区域经济的繁荣发展和社会稳定,为地方财政收入做出积极的贡献,由此可见,该项目的实施具有显著的社会效益。

十、主要指标

第二章项目建设背景及必要性

一、项目提出的背景

1、我国正处于工业化中期向后期过渡的关键阶段。到2020年基本实现工业化、加快建设现代制造强国,已成为我国全面建成小康社会和实现“中国梦”的重要内容。制造业过去是,现在是,而且未来仍将是保证强大经济的支柱和基础,发展制造业的决心不能有丝毫动摇。可以说,中国工业化进程能否顺利推进、势头能否长期保持、在全球竞争中能否脱颖而出,是中国现代化发展进程中的关键一招。总书记强调,“实体经济是国家的本钱,要发展制造业尤其是先进制造业”。我们必须牢牢把握制造业这一立国之本的战略地位,深入实施制造强国战略,落实好《中国制造2025》发展愿景,力争在新中国成立100周年时,建成世界一流制造强国,为实现中华民族伟大复兴提供强有力的战略支撑。经过改革开放30多年的高速增长,我国经济已进入以增速换挡、结构转型和动力转换为特征的“新常态”。如何既能保持中高速增长,又能推动产业迈向中高端水平,关键还是要切实转变经济

发展方式、推动产业结构的战略性调整。制造业是转方式、调结构的主战场。主动适应和引领经济发展新常态,形成新的增长动力,重点在制造业,难点在制造业,出路也在制造业。《中国制造2025》着眼解决我国制造业面临的突出矛盾和问题,加快建立现代产业体系,提出的指引未来10年乃至30年制造业发展的20字基本方针,必须一以贯之地执行。

2、平度市,山东省下辖县级市,位于胶东半岛西部,是山东省面积最大的县级市;位于中国经济强劲增长的环渤海湾经济圈、山东半岛制造业中心地带,是连接青岛、潍坊、烟台三大城市的“枢纽”,被誉为青岛的“后花园”;地形大体北高南低,呈伞形向东南、西南、西北倾斜;属暖温带东亚半湿润季风区大陆性气候;下辖5个街道、12个镇;2016年总人口137.26万人。2016年,平度市实现地区生产总值812.7亿元,增长8.5%。2016年,平度市实现地区生产总值812.7亿元,增长8.5%,其中第一产业107.9亿元,增长4.8%;第二产业417.5亿元,增长8%;第三产业287.3亿元,增长10.7%,三次产业结构由2015年的13.3:52.5:34.2调整为13.2:51.4:35.4。2016年,实现公共财政预算收入

49.8亿元,增长13.9%。平度市完成税收收入49亿元,增长12.4%,其中国税完成27.2亿元,增长23.1%;地税完成21.8亿元,增长1.4%。平度市实现民营经济税收35.5亿元,增长0.6%;其中个体私营经济完成税收13亿元,下降27.4%。

3、国务院明确了近期战略性新兴产业重点发展的7个产业领域和24个重点方向,具体到全国各地选择的发展重点,从产业领域到每个领域发展的重点方向,名称上可能会有所类似,似乎存在着重复建设问题。但从各地选择的各产业的细分领域来看,其实是有所区分的。比如同样是发展新能源产业,有的地方重点发展的是新能源的装备,有的地方发展的是新能源的产品,有的地方重点发展的是新能源的应用。还需要说明的是,《决定》确定的战略性新兴产业重点发展领域和重点方向是从全国的发展战略考虑,各地可根据本地的实际情况,在《决定》确定的重点范围内选择,允许和尊重各地在发挥本地特色基础上有所侧重。总之,我们一方面要通过规划及配套的政策,引导战略性新兴产业在全国合理布局,另一方面,也要鼓励各地有选择地发展具有本地优势和特色的战略性新兴产业。肖特基二极管制造名列其中,覆盖

拟建项目投产后的产品,因此,该项目属于当前国家重点鼓励发展的产业;综上所述,该项目符合国家及地方相关行业的准入规定。

二、项目建设的必要性

1、国际经验表明,在工业化早期阶段,实现高速增长相对容易,而从中等收入阶段向高收入阶段的过渡中,发展的难度明显增大,只有少数经济体能成功跨越这一关口。我国经过长期努力,经济发展取得历史性成就、发生历史性变革,形成了世界上人口最多的中等收入群体,但同时也面临不少困难和挑战。推动高质量发展,正是我国跨越关口、攻坚克难、应对挑战的一剂“对症良药”。

2、从国内看,我国经济发展进入新常态,消费、投资、出口、生产要素相对优势等都发生了较大变化,经济正处于新旧动能转换阶段,正从高速增长转向中高速增长,势必面临诸多矛盾叠加、风险隐患增多的严峻挑战。但进入新常态,没有改变我国发展仍处于可以大有作为的重要战略机遇期的判断,改变的是重要战略机遇期的内涵和条件;没有改变我国经济发展总体向好的基本面,

改变的是经济发展方式和经济结构。“十三五”时期中国经济的基础、条件和动力在于:一方面,我国经济有巨大潜力和内在韧性。这种潜力和韧性来自新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化深入推进所蕴含的扩大内需强劲需求;来自我国地域幅员辽阔且产业类型多样,经济的支撑非独木一根,而是“四梁八柱”;来自大众创业、万众创新蕴藏着无穷创意和无限财富;来自多年来我国发展取得的巨大成就、积累的丰富经验;来自我们党的坚强领导和我国不断提高的宏观调控能力。另一方面,全面深化改革正在源源不断释放改革红利。“十二五”期间尤其是党的十八大以来,各方面改革呈现蹄疾步稳、纵深推进的良好态势,在一些重要领域和关键环节取得新突破,给经济发展注入了持续强劲的动能。能不能认清机遇、抓住机遇、用好机遇,是能不能赢得主动、赢得优势、赢得未来的关键。面对我国发展仍处于可以大有作为的重要战略机遇期,面对我国经济发展进入新常态,各地各部门观念上要适应,认识上要到位,方法上要对路,工作上要得力,准确把握战略机遇期内涵的深刻变化,牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,破解发展难题,

厚植发展优势,更加有效地应对各种风险和挑战,继续集中力量把自己的事情办好,不断开拓发展新境界。

第三章项目选址科学性分析

一、项目选址及用地方案

1、某某实业有限公司通过对项目拟建场地缜密调研,充分考虑了项目生产所需的内部和外部条件:距原料产地的远近、企业劳动力成本、生产成本以及拟建区域产业配套情况、基础设施条件及土地成本等。

2、通过对可供选择的建设地区进行比选,综合考虑后选定的项目最佳建设地点——平度某某工业园区,所选区域完善的基础设施和配套的生活设施为项目建设提供了良好的投资环境。

3、由某某实业有限公司承办的“肖特基二极管生产建设项目”,拟选址在平度某某工业园区。

4、拟定建设区域属项目建设占地规划区,项目总用地面积120000.6 平方米(折合约180.0 亩),代征地面积1080.0 平方米,净用地面积118920.6 平方米(折合约178.4 亩);项目建设遵循“合理和集约用地”的原则,按照肖特基二极管行业生产规范和要求,进行科学设计、合理布局,符合肖特基二极管生产经营的

需要。

二、项目选址综合评价

1、该项目用地位于平度某某工业园区,用地周边交通便利,由于规划科学合理,项目与相邻大型建筑物有一定安全距离,与周围建筑物群体及城市规划要求协调一致,项目施工过程中及建成运营后不会对附近居民的生活、工作和学习构成任何影响,是该项目最为理想、最为合适的建设场所。

2、拟建项目用地位置周围5km以内没有地下矿藏、文物和历史文化遗址,项目建设不影响周围军事设施建设和使用,也不影响河道的防洪和排涝。

3、项目选址所处位置交通便利、地理位置优越,有利于项目生产所需原料、辅助材料和成品的运输;通讯便捷、水资源丰富、能源供应充裕,适合于肖特基二极管生产经营活动;为此,该区域是发展肖特基二极管行业的理想场所。

4、场址周围没有自然保护区、风景名胜区、生活饮用水水源地等环境敏感目标,无粉尘、有害气体、放射性物质和其他扩散性污染源,自然环境条件良好;拟建工程地势开阔,有利于大气

污染物的扩散,区域大气环境质量良好。

综上所述,项目选址位在某某工业园区工业项目占地规划区,该区域地势平坦开阔,四周无污染源、自然景观及保护文物;供电、供水可靠,给、排水方便,而且,交通便利、通讯便捷、远离居民区;所以,从场址周围环境概况、资源和能源的利用情况以及对周围环境的影响分析,拟建工程的场址选择是科学合理的。

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基(势垒)二极管(简称SBD)整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称:10A15 ?主要参数:IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装:TO-220F ?脚位长度:6-12mm ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名:FCH20A15 ?型号简称:20A15 ?主要参数:20A 150V ?产品封装:TO-220F ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释

关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释 肖特基二极管的命名: 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的, 完整的叫法是:肖特基整流二极管(Schottky Rectifier Diode 缩写成SR), 也有人叫做:肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode 缩写成SBD)的简称。 肖特基:Schottky 整流:Rectifier SR:即为肖特基整流二极管 Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管,简称:SR,比如:SR107,SR10100CT...... 肖特基:Schottky 势垒:Barrier SB:即为肖特基势垒二极管 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、 SL....、BL.... Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管,简称:SB,比如:SB107,SB1045CT...... Schottky Barrier Diode:也有简写为:SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。 因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 关于肖特基MBR系列 为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名? 因为最早是世界著名半导体公司-摩托罗拉半导体命名的产品型号 M:是以最早MOTOROLA的命名,取M B:Bridge 桥;Barrier:势垒 R:Rectifier,整流器 “MBR”意为整流器件 例如:MBR10200CT M:MOTOROLA 缩写M B:Barrier缩写B R:Rectifier 缩写R 10:电流10A 200:电压200V C:表示TO-220AB封装,常指半塑封。 T:表示管装 MBR1045CT,其中的“C”:表示TO-220封装;MBR6045PT,其中的“P”:表示TO-3P封装 元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现,例如: MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装 MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装 MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封 TO-252,也就是贴片DPAK封装;TO-263,也就是贴片D2PAK封装;任何型号的命名都有它的规律性可循。例如:MBR20100CT,型号中就20100是阿拉伯数字,20100中,20是电流,100是电压。以此类推。 MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。

MHCHXM肖特基二极管MBR20100CT

◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste,High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop,high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT

齐纳二极管和肖特基二极管

齐纳二极管和肖特基二极管 肖特基二极管(Schottky)SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD TTL集成电路早已成为TTL 电路的主流,在高速计算机中被广泛采用。 反向恢复时间 现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降V f,“关”态有微小的电流I 0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- I 0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(- I 0) , 如图1 示。ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。 这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。 齐纳二极管 齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 齐纳二极管不同于锗二极管的是:如果反向电压,有时简称为“偏压”增加到某个特殊值,对于一个微小偏压的变化,就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5.8-6.5V之间,极大电流是30mA。

肖特基二极管

肖特基二极管 二极管分为好多种,它是除了电阻电容外用的比较多的一种器件,它可以分为稳压二极管,发光二极管,整流二极管,检波用二极管,肖特基二极管。其中就有一种低功耗,超高速的二极管就是肖特基二极管。 肖特基二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),肖特基二极管是由贵金属金、铝、银、铂等A为正极,以N型半导体B为负极,然后利用二者接触面之间上形成的势垒一种具有整流特性制成的金属半导体器件。肖特基二极管由于N型半导体中存在大量电子,而贵金属中仅有少量自由电子,肖特基二极管中的电子便从浓度高的B向浓度低A中扩散。肖特基二极管金属A中没有空穴,不存在空穴自A 向B扩散运动。随着肖特基二极管中电子不断从B扩散到A,B的表面电子浓度逐渐降低,表面电中性破坏,于是形成势垒。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,这种器件是由多数载流子导电的,所以其反向饱和电流较少数载流子导电的PN结大得多,由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。 肖特基二极管的特点: 1、正向压降:肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低 很多,所以自身功耗较小,效率高。 2、反向恢复时间短:其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),因 此适宜工作在高频状态下。

3、耐电流大:能耐受高浪涌电流。 4、反向耐压低:一般的肖特基管反向耐压一般在200V以下,普遍在100V左右,这使得使用局限有限 5、抗高温特性:目前市场上常见的肖特基管最高结温分100℃、125℃、150%、175℃几种(结温越高表示产品抗高温特性越好。即工作在此温度以下不会引起失效)。 肖特基二极管的功能及其应用:肖特基二极管是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管,又称为肖特基势垒二极管,属于金属半导体结型二极管。主要特点是正向导通压降小,反向恢复时间短和开关损耗小,是一种低功耗、超高速半导体器件。缺点是耐压比较低、反向漏电流比较大。 肖特基二极管基势垒高度比PN结势垒高度低,正向导通门限电压和正向压降也比PN结二极管低。肖特基二极管是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN 结二极管反向恢复时间。因为反向恢复电荷少,肖特基二极管开关速度极快,开关损耗也极小,特别适合于高频应用。 肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出等场合用作高频整流,在高频率下用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二极管,在高速计算机中也被广泛采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外,肖特基二极管用于检波和混频的电气参数还包括中频阻抗,指的就是其施加额定本振功

肖特基二极管应用选择

肖特基(SCHOTTKY)系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析,并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后,着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途,1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途,以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分: 一.肖特基二极管简介 二.我所肖特基二极管生产状况 三.我所肖特基二极管种类 四.我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五.介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六.功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一.肖特基二极管简介:

防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)

防护电路设计 1.防护电路中的元器件 1.1过压防护器件 1.1.1钳位型过压防护器件 ①压敏电阻 MOV电路符号 压敏电阻英文varistor或MOV,它以氧化锌为基料,加入多种添加剂,经过混料造粒, 压制成坯体,高温烧结,两面印烧银电极,焊接引出端,最后包封等工序而制成。 优点是价格便宜,通流量大,响应速度快,缺点是寄生电容大,不适合用在高频电路中。 压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中,起过电压保护、防雷、抑制浪涌电 流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 压敏电压的选择:交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍,直流电路选取为 工作电压的1.8-2倍。 由于压敏制作时可能存在微小缺陷,或者当承受不同电流冲击,造成管芯的压敏电阻体 分布不均,一些部位电阻会降低,导致漏电流增加,最终导致薄弱点微融化,最终导致 老化。所以一般串接热熔点来避免。 压敏可串并联使用。 ②TVS TVS电路符号 TVS是一种限压型的过压保护器,它将过高的电压钳制至一个安全范围,藉以保护后 面的电路,有着比其它保护元件更快的反应时间,这使TVS可用在防护lighting、 switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。 特点:可分为单双向,响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、 并且经过多次瞬变电压后,性能不下降,可靠性高,体积小、易于安装。缺点是能承受 的浪涌电流较小,且功率大的寄生电容也大,低电容的功率较小。适用于细保护或者二 级保护。

选型注意,单双向,电压,功率,电容都要考虑到。 单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性 1.1.2开关型过压防护器具 ①气体放电管 GDT电路符号 气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件,一般分两电极和三电极两种结构。其基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时,就引起间隙放电,从而限制了极间的电压,使与气体放电管并联的其它器件得到保护。可分为二极和三极两种。 陶瓷气体放电管具有通流量大(KA级),漏电流小,寄生电容小等优点,缺点是其响应速度慢(μs级),动作电压精度低,有续流现象。适用于粗保护或者初级保护。 选型方法:min(UDC)≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量,1.15是电源波动系数。 特性曲线

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印

二极管是电子电路中常用的元件之一,其在电子电路中可以作为整流、检波、钳位保护等用途。本文介绍一下电子爱好者搞电子制作时经常用到的一些二极管的主要电参数及封装丝印。 1、常用的整流二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N4001整流二极管 1N4001整流二极管是1N40xx系列中常用的管子,其耐压值为50V,整流电流为1A,在一些低压稳压电源中很常见。对于直插的1N4001二极管,带有白色色环的那一端为负极(其它型号的直插二极管亦然)。贴片封装的1N4001的丝印为M1,其参数与直插的1N4001的参数一样。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片1N4001二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N4007整流二极管 1N4007二极管可以说是1N40xx系列中最常用的二极管,该管耐压值为1000V,整流电流为1A,其广泛用于电子镇流器、LED驱动器中作为低频高压整流。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 贴片1N4007二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5408整流二极管

1N40xx系列二极管的整流电流为1A,若需要大电流整流,可以选用整流电流为3A的1N54xx 的整流二极管。其中1N5408是该系列中最常用的二极管。该管的耐压值可达1000V。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 6A10整流二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 10A10整流二极管 若需要更大电流的整流二极管,可以选用6A10及10A10,它们的耐压值皆为1000V,整流电流分别为6A和10A。 2、常用的肖特基二极管 肖特基二极管高频性能良好,正向压降小,多用于开关电源及逆变器中作高频整流。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5819肖特基二极管 1N5819肖特基二极管高频性能良好,正向压降低(在左右),在一些输出电流1A以下的锂电池充电器中很常见。1N5819的耐压值为40V,整流电流为1A。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片封装的1N5819肖特基二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N5822肖特基二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片封装的1N5822肖特基二极管

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号,各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列,其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060

30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045

MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050

肖特基(Schottky)二极管

肖特基(Schottky)二极管 肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小; 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如 1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用 一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极 管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000 电流(A)均为1 四、稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电 压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中, 前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、

肖特基二极管电路特性

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我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对

于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A 的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

肖特基二极管作用及型号

肖特基二极管 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B 为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B →A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时,势垒宽度就增加。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别,通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。 二、肖特基二极管作用

常用的肖特基二极管型号及参数

肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装I f/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR S MB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 S S14G S D O214 1.00400.50 M B R S140T3O N- 1.00400.60 10B Q060I R S M B 1.00600.57 S S16G S D O214 1.00600.75 10B Q100I R S M B 1.001000.78

M B R S1100T3O N- 1.001000.75 10M Q040N I R S M A 1.10400.51 15M Q040N I R S M A 1.70400.55 PBY R245CT P S S O T223 2.00450.45 30B Q015I R S M C 3.00150.35 30B Q040I R S M C 3.00400.51 30B Q060I R S M C 3.00600.58 30B Q100I R S M C 3.001000.79 S T P S340U S T M S O D6 3.00400.84 M B R S340T3O N- 3.00400.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 M B R S360T3O N- 3.00600.70 30W Q04F N I R D P A K 3.30400.62 30W Q06F N I R D P A K 3.30600.70 30WQ10F N I R D P A K 3.301000.91 30W Q03F N I R D P A K 3.50300.52 50W Q03F N I R D P A K 5.50300.53

常用肖特基二极管参数

常用肖特基二极管参数 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00

30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.5 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0. 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57

SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 4

肖特基二极管简介

肖特基二极管 简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度

高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS 体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。 结构 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等,半导体通常为硅(Si)或砷化镓(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大,为获得良好的频率特性,故选用N 型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容,提高反向击穿电压,同时又不使串联电阻过大,通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。其结构示图如图1(a),图形符号和等效电路分别如图1(b)和图1(c)所示。在图1(c)中,CP是管壳

肖特基的工作原理及特点

肖特基二极管的工作原理和特点 肖特基二极管(SBD)是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源 整流,高频电源整流中。 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极 管。 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 基本原理是:在金属和N型硅片的接触面上,用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右,大多不高于60V,以致于限制了其应用范围。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(SBD)的主要特点: 1)正向压降低:由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和 正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。 2)反向恢复时间快:由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN 结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损 耗也特别小,尤其适合于高频应用。 3)工作频率高:由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。 4)反向耐压低:由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝

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