原理图V0.2
锂离子电池原理图
所谓锂离子电池是指分别用二个能可逆地嵌入与脱嵌锂离子的化合物作为正负极构成的二次电池。
人们将这种靠锂离子在正负极之间的转移来完成电池充放电工作的独特机理的锂离子电池形象地称为“摇椅式电池”，俗称“锂电”。
锂离子电池的内部结构如下图所示：此主题相关图片如下：电池由正极锂化合物、中间的电解质膜及负极碳组成。
◎当电池充电时，锂离子从正极中脱嵌，在负极中嵌入，放电时反之。
一般采用嵌锂过渡金属氧化物做正极，如LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4。
◎做为负极的材料则选择电位尽可能接近锂电位的可嵌入锂化合物，如各种碳材料包括天然石墨、合成石墨、碳纤维、中间相小球碳素等和金属氧化物，包括SnO、SnO2、锡复合氧化物SnBxPyOz等。
◎电解质采用LiPF6的乙烯碳酸脂（EC）、丙烯碳酸脂（PC）和低粘度二乙基碳酸脂（DEC）等烷基碳酸脂搭配的高分子材料。
◎隔膜采用聚烯微多孔膜如PE、PP或它们复合膜，采用PP/PE/PP三层隔膜优点是熔点较低，具有较高的抗穿刺强度，起到了过热保险作用。
◎外壳采用钢或铝材料，具有防爆的功能。
锂离子电池的额定电压为3.6V。
电池充满时的电压（称为终止充电电压）一般为4.2V；锂离子电池终止放电电压为2.75V。
如果锂离子电池在使用过程中电压已降到2.75V后还继续使用，则称为过放电，对电池有损害。
锂电池充电原理：锂离子电池充电原理图：此主题相关图片如下：其中：Iconst：恒流充电电流；Ipre：预充电电流；Ifull：充满判断电流；Vconst：恒压充电电压；＝Vmin：预充结束电压及短路判断电压锂离子电池比较骄贵。
如果不满足其充电及使用要求，很容易出现爆炸，寿命下降等现象。
因为锂离子电池对温度、过压、过流及过放电很敏感，所以所有的电池内部均集成了热敏电阻（监控充电温度）及防过压、过流、过放电保护电路。
图一为标准锂离子电池充电原理曲线，锂离子电池的充电过程分三个阶段：预充电阶段；恒流充电阶段；恒压充电阶段。
直流调速系统
GT
Ud
Id
-
- Un +
+ RP2
-
n
+ IG
-
U tg
V-M闭环系统原理框图
-
( a ) 给 定 环 节 —— 产 生 控 制 信 号 ： 由 高 精 度 直 流 稳压电源和用于改变控制信号的电位器组成。 (b)比较与放大环节——信号的比较与放大；由P、I、 PI运放器组成
(c)触发器和整流装臵环节（组合体）--功率放大
nnom 1000r/min、 Ra=0.05Ω
晶闸管整流器的内阻
Ks=30 问 题
Rrec=0.13Ω
要求D=20，s≤5%
问若采用开环V-M系统能否满足要求？ 若采用α=0.015V·min/r转速负反馈闭环系统，问放大 器的放大系数为多大时才能满足要求？
解（1）设系统满足D=20，检验系统是否满足s≤5%？
特点：
损耗较大、有级 调速，机械特性 较软。 (2)弱磁调速 特点： 只能弱磁，调 速范围小
工程上，常将调压与调磁相结合，可以扩大调速范围 。
n
Φn Φ2 Φ1 Φ1 Φ2 Φn nn Un U d3 U d2 U d1 Ten
图1-2 调压和调 磁时的机械特性
U d1 U d2 U d3 U n
①系统结构图
U n
Un U d0
电动机
U n
放大器
U ct 整流器及
触发装置
n
速度检测
②系统中各环节的稳态输入输出关系如下： 电压比较环节 放大器
* U n U n Un
U ct K P U n
晶闸管整流器及触发装臵 U d 0 K sU ct
MT6261原理图和PCB_评审注意事项_V0.2
□□□□□□□□□□□□□□□□□FM RF□ATV□□□□□□□□ATV □□□□□□□LCM選用，請用具有F_mark or LPTE 的模組，並將其接至BB dedicated pin LPTE LCM 類比電源供給(VCI)之 Bypass 電容請選用至少 1uF 以上LCM IO 電源供給(IOVCC or IOVDD)之 Bypass 電容請選用至少 1uF 以上LCM 背光電供給請預留一個 Bypass 電容，電容值請選用至少 1uF 以上FM天线走线(耳机GND)靠近耳机口位置放置100nH电感到地;用USB口作FM天线,且GND作充电回流,其GND到地放置耐流大于500mA电感或磁珠;在FM天线(LANT/SANT)走线靠近外端放置TVS, (TVS or varistor Cpf<5pF,M0G180M030R 3pF)VIO18输出pin并连1uF Cap,串0 ohm for de-sense，耐流300mA),电容尽量靠近IC放置;VA 输出pin并联1uF Cap，Cap 的GND要和AVSS28_ABB 要有较好的连通性，保证good ground return.MP3_OUTL/R 靠近Chip必须添加 1.8k@100M beads，如BLM15BD182SN1 或是在MP3_OUTL/R的100欧姆电阻后加390pF的下地电容請務必使用MTK 驗證QVL之26MHz晶體 和TXMMT6261 RX 連接到TXM之間預留 pi- 型网络 (TX/RX port有內建on chip DC block)MT6261 TX trace到TXM間預留L-型网络增加調適彈性MT6261 FREF連接到MT5931 or ATV co-clock時, 需串接隔直電容(在此port無內建 DC block on chip) 並預留0402電容到地以及串接0 ohm for debugVbat 並接22uF到地, 需靠近PA_VbatVRF連接到MT6261並聯一顆1uF電容到地晶体的PIN1接芯片的A3，PIN3接芯片的A4MT6261的BPI Trace連接到TXM所有control pin都建議串接1K ohm 以及並聯22pF電容LCM 介面CLK & data pins預留EMI filter焊盤, 若遇desense可以使用Camera 介面CLK & data pins預留EMI filter焊盤, 若遇desense可以使用Reset(pin38)接到默认为PD的BB GPIO上，且电平与ATV_VIO一致，Reset不要与其它模组共享,为保护TV受ESD影响，请在Reset上添加1nf电容，且靠近TV摆放；PU(pin10)接到默认为PD的BB GPIO上，不要与其它模组共享，防止漏电;pin10 為Vcore LDO enable pin,只接受2.8VGPIO0(pin20)需预留电阻到地，作为CLK模式选择。
C51单片机原理图
GND SW1/51 3 SW2/AVR
HEADER 5X2
四位共阴数码管
R1 1K GND
P2.7 P2.6 P2.5 P0.7 P0.6 P0.5 P0.4 P0.3 P0.2 P0.1 P0.0 P2.4 P2.3 P2.2
P2.7 12 12 9 8 6 9 8 6
D
GND VCC KT1/10K
IC8 位控制 A B C D E F G H P2.6 1 2 3 4 5 6 7 15
VCC
PR2 470-5.1K都可以
GND 1 2 3 4 1 3 5 7
8位LED发光管
P1.0 P1.1 P1.2 P1.3 P1.4 P1.5 P1.6 P1.7 NTC1 温度电阻 22P C8 X1 20 19 18 17 16 15 14 13 IO 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 LED1 红色 P2.7 P3.7 1 P3.6 2 P3.5 3 P3.4 4 P3.3 5 P3.2 6 TXD P3.1 7 RXD P3.0 8 STR P1.7 1 P1.6 2 P1.5 3 P1.4 4 P1.3 5 P1.2 6 P1.1 7 P1.0 8 VCC LED2 红色 LED3 黄色 P2.5 LED4 黄色 LED5 红色 P2.3 LED6 红色 LED7 绿色 P2.1 LED8 绿 1 2 3 R4 1K STR
A P5 2 1 SPEK RL1
标准AT ISP下载接口
P1.5 RESET P1.7 P1.6 VCC 1 2 1 3 5 7 9 2 4 6 8 10 VCC R5 10K
TN92驱动板原理图
A
1nF(NC) 1nF(NC) 1nF(NC) 1nF(NC)
1nF(NC) 1nF(NC) 1nF(NC) 1nF(NC)
1nF(NC) 1nF(NC) 1nF(NC) 1nF(NC) Vgl
1
Vgl GND
1
GND GND0
1
GND
Rev 0.2 1 of 1
5
4
3
2
1 2 3 4
J6 C43 C44 C45
TSXP TSYP TSXM TSYM J7 C46
1 2 3 4
TSXP TSYP TSXM TSYM J9 C55 C54 C52 C53
1 2 3 4
TSXP TSYP TSXM TSYM BL C51 C50 C48 C49
1
BL Vcom
1
Vcom AVdd
1
AVdd Vgh
1
Vgh
1.VCLK时钟线尽量短，不弯曲，靠近末端加电容，不形成天线辐射 2.HS,VS信号尽量短，靠近末端加电容，不形成天线辐射 3.40P接口位置上拉，50接口位置上拉，保证LCD线拉直不弯曲 4.去掉50P座子上多余的复位信号
Title <LCD_8"> Size A3 Date: Document Number <1> Monday, April 23, 2012 Sheet
RESET VD1 VD3 VD5 VD7 VD9 VD11 VD12 VD14 VD16 VD18 VD20 VD22 SDA VFRAME VCLK TSXM
1
2 3
2
2
R9 100K
LX GND VOout EN
5 4
经典的电磁炉原理图JiuYang(S3F9454)
C516
FB VCC
GND OE
OC
OC
C1 2UF/275VAC
D500 4007
IC500 TH202
CT
OB
A
CNR1
10D561
FUSE1
15A/250V
C500 4.7U/400V
2
1
3
4
D501 FR107
R501 2M2,1/2W
L 220VAC N
250#
250#
C503 C520 103 301
R507 5K1*
L01 L02 L03
L04 L05 L06
120K*0.5W
+18V
1 2
R404
120K*0.5W OUT1 四脚接线柱
OUT2 四脚接线柱
D300 4148
D
Q301 8050/EBC
R302 1/2W-33Ω
R303 3K3
C300
B
100U/25V
C301 104
驱动电路 D
8 7 6 5 4 3 2
3
DB1
C204不插
104
1K
C205
CN4
10K* C00
-
+
炉面测温电路 E5/E6
B
1
AC
2
AC
RS1506
CT1 1:/850
R216
R215
浪涌保护电路 +5V 2K7*
2K2*
C207 472
R217 1K*
471 C205不插
D100
4148
R100 560
电流检测电路(不检锅或功率不足）
VIPer22A 18V0.2A、5V0.1A小功率无线充电器IC方案BOM、原理图和变压器参数(两路输出)
用量 1 1 1 1 1 1 1 2 1 1 1 1 1 1 1 2 1 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1
备注
CAP-ELE-4.7uF-400V-Ф8*12 CAP-ELE-4.7uF-50V-Ф6.3*11 CAP-ELE-100uF-25V-Ф6.3*12 CAP-ELE-220uF-10V-Ф6.3*12 DIO-REC-DO41-01.00A-1000V-1N4007 DIO-FAS-DO41-01.00A-1000V-FR107 DIO-FAS-DO41-01.00A-1000V-FR107 DIO-SKY-DO41-01.00A-100V-SR110 DIO-SKY-DO41-01.00A-200V-SF14 EE13 卧式/2.7mH(144T:12T:43T:36T) L-1.0mH-Ф6*8 IC-SM-VIPer22A-DIP8 Photocouoler-PC817C Shunt-regulator-TL431-±1%
VIPer22A 18V/0.2A、5V/0.1A 系统板 原理图、BOM 单及变压器参数
一、原理图
T1 18V L
F1 RV1 D1~D4 E1 D8 E5 C1 R1 D5 R9
N
GND 5V
E4 R8
U1
GND
D7 8
DRAIN
L1 R4
1 2 3 4
VIPer22A
D6
DRAIN DRБайду номын сангаасIN DRAIN
三、BOM 表 位号 F1 RV1 R1 R2 R3 R4 R5 R6、R7 R8 R9 C1 C2 C3 E1 E2 E3、E4 E5 D1-D4 D5 D6 D7 D8 T1 L1 U1 U2 U3 材料名称 保险丝 压敏电阻 贴片电阻 贴片电阻 贴片电阻 贴片电阻 贴片电阻 贴片电阻 贴片电阻 贴片电阻 插件电容 贴片电容 贴片电容 电解电容 电解电容 电解电容 电解电容 插件二极管 插件二极管 插件二极管 插件二极管 插件二极管 变压器 工字电感 芯片 光耦 TL431 规格型号 FUS-RST-1.0A-250V VAR-Φ7-470V-Φ7D471K RES-SMD-1206-100K-5%-0.25W RES-SMD-1206-4.7R-5%-0.25W RES-SMD-1206-6.8K-5%-0.25W RES-SMD-1206-300R-5%-0.25W RES-SMD-0805-1.5K-5%-0.125W RES-SMD-0805-5.1K-5%-0.125W RES-SMD-1206-5.1K-5%-0.25W RES-SMD-1206-15K-5%-0.25W CAP-CY-1nF-1KV
最简单的短路保护电路图汇总（六款模拟电路设计原理图详解）
最简单的短路保护电路图汇总（六款模拟电路设计原理图详解）最简单的短路保护电路图（一）简易交流电源短路保护电路交流电源电压正常时，继电器吸合，接通负载（Rfz）回路。
当负载发生短路故障时，KA两端电压迅速下降，KA释放，切断负载回路。
同时，发光二极管VL点亮，指示电路发生短路。
最简单的短路保护电路图（二）这是一个自锁的保护电路，短路时：Q3极被拉低，Q2导通，形成自锁，迫使Q3截止，Q3截至后面负载没有电压，这时有没有负载已经没有关系了，所以即使拿掉负载也不会有输出。
要想拿掉负载后恢复输出，可以在Q3得CE结上接一个电阻，取1K左右。
C2和C3很重要，在自锁后，重启电路就靠这两个电容，否则启动失败。
原理是上电时，电容两端电压不能突变，C2使得Q2基极在上电瞬间保持高电平，使得Q2不导通。
C3则使得上电瞬间Q3基极保持低电平，使得Q3导通Vout有电压。
这样R5位高电平，锁住导通。
最简单的短路保护电路图（三）缺相保护电路由于电网自身原因或电源输入接线不可靠，开关电源有时会出现缺相运行的情况，且掉相运行不易被及时发现。
当电源处于缺相运行时，整流桥某一臂无电流，而其它臂会严重过流造成损坏，同时使逆变器工作出现异常，因此必须对缺相进行保护。
检测电网缺相通常采用电流互感器或电子缺相检测电路。
由于电流互感器检测成本高、体积大，故开关电源中一般采用电子缺相保护电路。
图5是一个简单的电子缺相保护电路。
三相平衡时，R1～R3结点H电位很低，光耦合输出近似为零电平。
当缺相时，H点电位抬高，光耦输出高电平，经比较器进行比较，输出低电平，封锁驱动信号。
比较器的基准可调，以便调节缺相动作阈值。
该缺相保护适用于三相四线制，而不适用于三相三线制。
电路稍加变动，亦可用高电平封锁PWM信号。
图5 三相四线制的缺相保护电路图6是一种用于三相三线制电源缺相保护电路，A、B、C缺任何一相，光耦器输出电平低于比较器的反相输入端的基准电压，比较器输出低电平，封锁PWM驱动信号，关闭电源。