东芝高速光耦大全,高速光耦TLP现货
TLP152原装东芝光藕中文资料及电路图
家用光伏电源微型逆变器 等离子平板显示器（ＰＤＰ） 通用逆变器、ＡＣ伺服驱动器 工业缝纫机
电路实例
轮廓图
ＴＯＳＨＩＢＡ深圳部：恒信宇
1
2012-09-14 Rev.3.0
ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴ栅极驱动耦合器：ＴＬＰ１５２
ＴＬＰ１５２是ＳＯ６封装的ＩＣ光耦，可以直接驱动中型ＩＧＢＴ或功率 ＭＯＳＦＥＴ。本产品可以达到ＳＯ６封装的工业最低输出电流２．５Ａ。与 现有的产品ＴＬＰ７００（ＳＤＩＰ）相比，本产品的安装面积降低了５０％。 而且，由于本产品与前一型号的产品相比，其工作电源电压从 １５Ｖ（最小值）降到１０Ｖ（最小值），所以其功耗有所下降。 凭借着可以保证的５ｍｍ的最小间隙和爬电距离以及０．４ｍｍ的内 部绝缘厚度，该产品符合加强绝缘类的海外安全标准。本产品可 以应用于众多要求减少尺寸的产品中，包括光伏电源微型逆变 器、数码家电、工业设备以及控制器件，本产品有助于减小产品 组件大小和降低成本。 ＊：由功率器件直接驱动的光耦，截止于２０１２年９月（根据东芝 的调查）
特征
峰值输出电流：ＩＯＰ＝±２．５Ａ（最大值） 传播延迟时间：ｔｐＨＬ＝１９０ｎｓ（最大值）， ｔｐＬＨ＝１７０ｎｓ（最大值） 宽广的工作温度范围保证： Ｔｏｐｒ＝－４０°Ｃ至１００°Ｃ 工作电源电压：ＶＣＣ＝１０至３０Ｖ 隔离电压：ＢＶｓ＝３７５０Ｖｒｍｓ 已取得ＥＮ６０７４７－５－５标准认证
PS2801-1,TLP181,TLP121,FODM121,SFH690T迷你封装晶体管输出光耦参数应用原理
PS2801-1,TLP181,TLP121,FODM121,SFH690型号库存产商封装包装PS2801-1 77130 Toshiba SOP-4 3K/REELTLP181 95000 Toshiba SOP-4 3K/REELTLP121 77130 Toshiba SOP-4 3K/REEL FODM121 25000 Fairchild SOP-6 2.5K/REEL SFH690 17000 Vishay SOP-4 2K/REEL这几款是采用Mini型封装的晶体管输出光电耦合器，TLP181,TLP121,FODM121,SFH690采用的是SOP封装，PS2801-1采用的则是更小的SSOP封装。
SSOP SOP他们与普通4 PIN DIP封装的PC817，TLP521一样，采用红外线LED+光敏三极体的形式实现基本的隔离功能，因此，在隔离需求不是特别高达到四、五千伏的情况下，这些采用SSOP,SOP封装的光耦是可以完全替代PC817，LP521等DIP封装光耦的，因为他们的功能是完全一样的。
相比之下，他们采用的Mini型封装具有自己的优势，SOP相比DIP能节省42%的PCB面积，而SSOP相比DIP更是能节省近60%的PCB面积，为客户在成本与设计上提供能更大的空间。
基本参数PS2801-1 TLP121 TLP181 FODM121 SFH690封装SSOP SOP SOP SOP SOP隔离电压BVs 2500 Vrms 3750 Vrms 3750 Vrms 3750 Vrms 3750 Vrms崩溃电压BVce 80 V 80 V 80 V 80V 80 V需要注意的是，晶体管输出光耦一般属于线性光耦，但是其电流传输比（CTR）随输入电流的变化是很大的，而厂商给出的CTR值一般是在IF=5mA，VCE=5V的条件下的测试值，而根据下面CTR与IF的曲线，为了保证CTR的波动不会太大，建议IF在5-15mA的范围内。
光耦简介及常见型号
常用光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。
如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。
由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。
同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。
PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。
光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。
光耦参数及资料
光电耦合器 ( 光耦 ) 参数及资料市场常见光耦内部图：4-Pin Phototransistor Output; GaAs InputCTR @BV BV V t / tOFF型号CEO CBO CE (sat)ON V 厂牌10 mA I F (%)(V)(V)(V)(uS)ISO (规格 )AC[RMS]min max min max max maxTLP521-1TOSHIBA506005570.42/3 2.5kV TLP521-2TOSHIBA506005570.42/3 2.5kV TLP521-4TOSHIBA1006005570.42/3 2.5kV TLP621-1TOSHIBA506005570.42/310kV TLP721TOSHIBA506005570.43/3 4.0kV PS2501NEC806008070.33/5 5.0kV PS2561NEC804008070.33/5 5.0kV 817(KP1010)COSMO506003560.218/18 5.0kV PC817SHARP506003560.218/18 5.0kVPC817A SHARP801603560.218/18 5.0kV PC817B SHARP1302603560.218/18 5.0kV PC817C SHARP2004003560.218/18 5.0kV PC817D SHARP3006003560.218/18 5.0kV H11A817FSC506003560.218/18 5.3 kV H11A817A FSC801603560.218/18 5.3 kV H11A817B FSC1302603560.218/18 5.3 kV H11A817C FSC2004003560.218/18 5.3 kV H11A817D FSC3006003560.218/18 5.3 kV 4-Pin Phototransistor Output; GaAs AC InputCTR @BV BV V t / tOFFPart CEO CBO CE (sat)ON V ISO厂牌10 mA I(%)(V)(V)(V)(uS)Number F AC[RMS]min max min min max maxTLP320TOSHIBA20805570.43/3 5.0KVTLP620TOSHIBA506005570.43/3 5.0kVPC814SHARP203003560.24/18 5.0kVPC814A SHARP501503560.24/18 5.0kVH11AA814QT203003560.2-- 5.3 kVH11AA814A QT501503560.2-- 5.3 kV光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。
东芝TLP620,TLP620-2,TLP620-4光耦合器说明书
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−TransistorTLP620, TLP620−2, TLP620−4Programmable ControllersAC / DC−Input ModuleTelecommunicationThe TOSHIBA TLP620, −2 and −4 consists of a photo−transistoroptically coupled to two gallium arsenide infrared emitting diodeconnected in inverse parallel.The TLP620−2 offers two isolated channels in an eight lead plastic DIP,while the TLP620−4 provides four isolated channels in a sixteen plasticDIP.· Collector−emitter voltage: 55V (min.)· Current transfer ratio: 50% (min.)Rank GB: 100% (min.)Pin Configurations (top view)TLP6201 2431 : ANODECATHODE2 : CATHODEANODE3 : EMITTER4 : COLLECTOR1, 3 : ANODECATHODE2, 4 : CATHODEANODE5, 7 : EMITTER6, 8 : COLLECTOR234561, 3, 5, 7 : ANODE, CATHODE2, 4, 6, 8 : CATHODE, ANODE9, 11, 13, 15 :EMITTER10, 12, 14, 16 : COLLECTORTOSHIBA 11−5B2Weight: 0.26 gTOSHIBA 11−10C4Weight: 0.54 gTOSHIBA 11−20A3Weight: 1.1 gUnit in mmMade In Japan Made In Thailand UL recognized E67349 *1E 152349 *1BSI approved7426, 7427*27426, 7427*2*1 UL 1577*2 BS EN60065: 1994, BS EN60950: 1992· Isolation voltage: 5000V rms (min.)· Option (D4) typeVDE approved: DIN VDE0884 / 06.92, certificate no. 68384 Maximum operating insulation voltage: 890V PK Highest permissible over voltage: 8000V PK(Note) When a VDE0884 approved type is needed,please designate the “Option(D4)”.· Creepage distance: 6.4mm (min.)Clearance: 6.4mm (min.)Insulation thickness: 0.4mm (min.)Maximum Ratings (Ta = 25°C)RatingCharacteristic SymbolTLP620TLP620-2 TLP620-4UnitForward current I F (RMS) 60 50 mAForward current derating ∆I F / °C -0.7 (Ta ≥ 39°C)-0.5 (Ta ≥ 25°C)mA / °CPulse forward current I FP 1 (100µs pulse, 100pps) APower dissipation (1 circuit) P D 100 70 mW Power dissipation derating ∆P D / °C-1.0-0.7 mW / °CL E DJunction temperature T j125 °CCollector -emitter voltage V CEO 55 VEmitter -collector voltage V ECO 7 VCollector currentI C 50 mA Collector power dissipation (1 circuit)P C 150 100 mW Collector power dissipation derating (1 circuit) (Ta ≥ 25°C) ∆P C / °C-1.5-1.0 mW / °CD e t e c t o rJunction temperature T j 125 °CStorage temperature range T stg -55~125 °COperating temperature range T opr-55~100 °CLead soldering temperature T sold 260 (10s) °C Total package power dissipation P T 250 150 mW Total package power dissipation derating (Ta ≥ 25°C, 1 circuit) ∆P T / °C-2.5-1.5 mW / °CIsolation voltageBV S 5000 (AC, 1 min., RH ≤ 60%)V rmsRecommended Operating ConditionsCharacteristic Symbol Min.Typ.Max.UnitSupply voltage V CC ― 5 24 V Forward current I F (RMS) ― 16 20 mA Collector current IC ― 110 mAOperating temperatureT opr-25― 85 °CIndividual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitForward voltage V F I F = ±10mA 1.01.151.3 VFoward currentI FV F = ±0.7V ― 2.5 20 µA L E DCapacitance C T V = 0, f = 1MHz ― 60 ― pF Collector -emitterbreakdown voltage V (BR) CEO I C = 0.5mA55―― VEmitter -collector breakdown voltage V (BR) ECOI E = 0.1mA 7 ― ― V V CE = 24V―10100nACollector dark current I CEO V CE = 24V, Ta = 85°C ― 2 50 µA D e t e c t o rCapacitance(collector to emitter)C CEV CE = 0, f = 1MHz―10― pFCoupled Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition MIn. Typ. Max.Unit50 ― 600Current transfer ratioI C / I FI F = ±5mA, V CE = 5V Rank GB100― 600%― 60 ― Saturated CTRI C / I F (sat)IF = ±1mA, V CE = 0.4V Rank GB30 ――%I C = 2.4mA, I F = ±8mA―― 0.4― 0.2 ― Collector -emitter saturation voltageV CE (sat)I C = 0.2 mA, I F = ±1 mA Rank GB― ― 0.4 VOff -state collector current I C (off) V F = ± 0.7V, V CE = 24V ― 110 µACTR symmetryI C (ratio)I C (I F = -5mA) / I C (I F = +5mA)0.331 3 ―Isolation Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitCapacitance input tooutputC S V S = 0, f = 1MHz ― 0.8 ― pF Isolation resistanceR SV S = 500V 1×1012 1014 ― Ω AC, 1 minute5000 ― ― AC, 1 second, in oil ― 10000 ― V rms Isolation voltageBV SDC, 1 minute, in oil―10000―V dcSwitching Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitRise time tr ― 2 ―Fall time t f ― 3 ― Turn -on time t on ― 3 ― Turn -off time t off V CC = 10V I C = 2mA R L = 100Ω― 3 ― µsTurn -on time t ON ― 2 ― Storage time t s ―15―Turn -off timet OFFR L = 1.9k Ω (Fig.1)V CC = 5V, I F = ±16mA ― 25 ―µsFig. 1 Switching time test circuitI FV CCV CECCTLP620-2 TLP620-4 I F – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )100-2060400 20 40 60 80 100 8020120TLP620 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )240-20 4016060100120080200120204080TLP620-2 TLP620-4 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )1200-20400 40 10080602020 60 80 100 120TLP620 I FP – D RDuty cycle ratio D R A l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1 310311 3 3TLP620-2 TLP620-4 I FP – D RDuty cycle ratio D RA l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I FP (m A )111 310 310 3100103TLP620 I F – TaAmbient temperature Ta (°C) A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )0-208040200 20 40 60 8010060100120∆V F / ∆Ta – I FForward current I F (mA)F o r w a r d v o l t a g e t e m p e r a t u r e c o e f f i c i e n t ∆V F / ∆T a (m V/ °C ) 1-2.8-2.4-2.0-1.6-1.2-0.8-0.40.10.331030I D – T aAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r d a r k c u r r e n t ID (µA )4080120160101010-10-10-10-I FP – V FPPulse forward voltage V FP (V)P u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1100.40.81.21.6 2.01 2.4C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )I C – V CECollector-emitter voltage V CE (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )24610I F – V FForward voltage V F (V) F o r w a r d c u r r e n tI F (m A )110.0.40.60.81.01.21.41.6I C – V CECollector-emitter voltage V CE(V)1100.40.61.4V F – I FForward voltage V F (V)F o r w a r d v o l t a g e I F (m A )-- 20.313103010011I C / I F – I FForward current I F (mA)C u r r e n t t r a n s f e r r a t i o I C / I F (%)I C – V FForward voltage V F (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.0.0I C – I FForward current I F (mA) C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.I C – TaAmbient temperature Ta (°C)110. C o l l e c t o r c u r r e n t I C (mA )1111R L – Switching TimeLoad resistance R L (k Ω)S w i t c h i n g t i m e (µs )V CE (sat) – TaAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i on v o l t a g e V C E (s a t ) (V )2040600.10.10· TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. 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东芝高速光耦TLP105数据表
DC,1 minute,in oil
― 10000 ―
Vdc
Note 5: A ceramic capacitor (0.1 μA) should be connected from pin 6 to pin 4 to stabilize the operation of the high gain linear amplifier. Failure to provide the bypassing may impair the switching property. The total lead length between capacitor and coupler should not exceed 1 cm.
Truth Table
Input H L
LED ON OFF
Tr1 ON OFF
Tr2 OFF ON
Output H L
Pin Configuration (top View)
1
VCC 6 1:ANODE
3:CATHODE
5 4:GND
5:VO(Output)
3
GND SHIELD
4
6:VCC
Schematic
MIN.
1.45
―
― ― ―
2.7 17.4
― ― ― ―
15 20 -5 -10
―
0.8
―
TYP.
1.57
-2.0
―
100 0.2 4.0 19.0
― ― ― ―
80 90 -15 -20
0.4
―
0.05
TLP105
MAX. UNIT
1.75
V
― mV/°C
常用光耦简介及常见型号
常用光耦简介及常见型号普通的线性光耦有PC111 、TLP521、PC817、TLP632 、TLP532 、PC614 、PC714 、2031等，但要看用在哪里，因为其线性并不能满足各类要求，其优点是价格便宜，货源好.更好的属精密线性光耦如LOC211、HCNR200、HCNR201。
2011-03-24 23:25常用光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。
如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。
由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。
同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。
PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。
TLP250中文资料-datasheet
TLP250中文资料-datasheet东芝光电耦合器砷化镓铝集成红外光电二极管TLP250(INV) TLP250(INV)晶体反相器栅极驱动IGBT调节器大功率MOSFET栅极驱动东芝TLP250(发票)由GaAlAs发光二极管和集成的光电探测器.单位 mm.本芯片是8脚DIP封装TLP250(INV) 适用于栅极驱动的IGBT管和大功率MOSFET管? 输入阈值电流 ? 电源电流(ICC) ? 电源电压(VCC) ? 输出电流(IO) ? 隔离电压 ? UL 认证 ? 期权(D4)VDE 核准 : 德标 VDE0884/06.92 76823号证书最大绝缘工作电压 : 630VPK 允许的最高过电压: 4000VPK(注):当需要一个VDE0884认可类型, 请指定命名为“期权(D4)”? 爬电距离空隙: 6.4mm(最小) : 6.4mm(最小) : IF=5mA(最大) : 11mA(最大) : 10~35V :±2.0A(最大) : 2500Vrms: UL1577,E67349号文件? 开关转换时间(tpLH/tpHL) : 0.5μs(最大)东芝重: 0.54 g11?10C4TRUTH TABLE管脚排列(俯视图) 输入 LED 开关１记录 2 ８７６５1:空置. 2: 正极 3:负极 4:空置. 5:地6: 电压输出 7:电压输出 8:电源记录 1 开关２关开３４SCHEMATICIF 2 + ICC （Tr1） 8VCCVF3 -一个0.1uF的旁路电容应该和8脚和5脚连接起来（见注释5） . VO ７ VO IO 6 （Tr２） GND 512002-06-27极限工作范围 (工作温度=25°C时)TLP250(INV) 典型参数正向电流正向电流变化率 (工作温度≥70℃) LED 浪涌电流反向电压节点温度符号 IF ?IF /?Ta (注释1) IFPT VR Tj 极限值 20 ?0.36 1 5 125 ?1.5 单位mA mA /°C A V °C “H” 峰值输出电流脉冲宽度≤2.5μs , 频率≤15 kHz 脉冲宽度≤1.0μs , 频率≤15 kHz (注释2) A IOPH ?2.0 “L” 峰值输出电流脉冲宽度≤2.5μs , 频率≤15 kHz 脉冲宽度≤1.0μs , IOPL +1.5+2.0 A 探测器频率≤15 kHz 输出电压供电电压 (工作温度≤70°C) (工作温度=85°C) (工作温度≤70°C) (工作温度=85°C) VO 35 24 V VCC 35 24 V 输出电压变化率(工作温度≥70°C) 供电电压变化率(工作温度≥70°C) 节点温度工作频率工作温度范围存储温度范围引脚焊接温度(10s) 隔离电压 (交流,1分钟., 相对湿度≤60%,工作温度=25°C)?VO /?Ta ?VCC /?Ta Tj （注释3) f Topr Tstg Tsol (注释4) BVS ?0.73 ?0.73 125 25 ?20~85 ?55~125 260 2500 V /°C V /°C °C kHz °C °C °C V（有效值）(注释1) : 脉宽≤1μs,300pps (Note 2) : 浪涌(注释3) : 浪涌波形IOPH≤?1.0A (≤2.5μs) , IOPL≤+1.0A (≤2.5μs) (注释4) : 双端驱动 : 1,2,3 ,4 脚短接；5,6,7 ,8 脚短接.(注释5): 用一个0.1μF陶瓷电容应该连接在8脚和5脚之间来获得稳定的放大增益。
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东芝的高速光耦可能是全世界最齐全的一条产品线了。
300K的光耦主要是6N138和6N139。
1M的光耦主要有6N135和6N136。
不过无锡海明威电子研究发现按照现在的光耦技术水平来说，1M的光耦已经不能称之为高速光耦了。
东芝现在的高速光耦以5M的产品最为丰富，当然其中包括正相输出和反相输出。
这其中最具代表性的就是TLP105和TLP108，一正一反，速度都是5M，封装也一模一样为MFSOP6。
然而再往上，似乎都是反转逻辑（反相）输出的天下了。
TLP116A和TLP118都是20M 的速度。
TLP117的速度最高，达到50M。
不过就目前看来这个速度也是全世界最高的速度了。
上次有朋友问我100M的光耦有吗？我笑笑告诉他，恐怕还在研发中。
当然有一颗光耦TLP109我们不能忽略它，这颗光耦在变频器中的应用很广泛，速度1M。
以上的光耦以6脚封装居多，当然东芝也还有许多8脚封装的光耦，速度10M，15M都有。
不过由于8脚封装的光耦用的人不多，整个市场不是很大，东芝的成本始终降不下来。