最新模电课后习题答案
模拟电子技术习题集参考答案

第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
四、解:U O1=6V,U O2=5V。
五、解:u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解:u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解:1、当U I=10V时,若U O=U Z=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V同理,当U I =35V 时,U O =U Z =6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解:波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ;硅,锗;电子和空穴。
模电课后习题答案4,5,6,8习题

第四章局部习题解答4.1.3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ,P CM =150mW ,V 〔BR 〕CEO =30V ,假设它的工作电压V CE =10V ,则工作电流I C 不得超过多大?假设工作电流I C =1mA ,则工作电压的极限值应为多少?解: BJT 工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否则将损坏。
当工作电压V CE 确定时,应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ,即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。
当V CE =10V 时,此值小于I CM =100mA ,故此时工作电流不超过15mA 即可。
同理,当工作电流I c 确定时,应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V 〔BR 〕CEO 确定工作电压V CE 的大小。
当I C =1mA 时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V 。
4.3.3 假设将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路,并设V CC =12V ,R C =1k Ω,在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。
求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值,设V BE =0.7V 。
图题3.3.1解: 由题3.3.1已求得β=200,故I C =βI B =200×0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求:〔1〕电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值;〔2〕电阻R b 、R e 的值;〔3〕输出电压的最大不失真幅度;〔4〕要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?解:〔1〕由图题3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小,故V CC =6V 。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模电第四版习题答案

模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程,其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。
以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案,供参考:第一章:半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
在室温下,硅的电阻率大约是1kΩ·cm,而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。
2. N型半导体中,多数载流子是自由电子,而P型半导体中,多数载流子是空穴。
3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压,N型半导体加上负电压,此时PN结导通。
第二章:二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电,稳压二极管主要用于电路中稳定电压。
2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零,反向偏置时电阻无穷大。
3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管,它在反向偏置时具有稳定的电压。
第三章:双极型晶体管1. 双极型晶体管(BJT)分为NPN和PNP两种类型,其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。
2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。
3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大,使得集电极电流达到最大值,此时晶体管不能进一步放大信号。
第四章:场效应晶体管1. 场效应晶体管(FET)的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
2. JFET(结型场效应晶体管)和MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是两种常见的FET。
3. MOSFET在截止状态下,其源极和漏极之间的电阻非常大,几乎相当于断路。
第五章:放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。
2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一,它具有较高的电压增益和中等的电流增益。
3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值,对共模信号不敏感。
第六章:反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。
2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度,但可能会降低增益。
模拟电子技术课后习题解答

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e TV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模电三版课后习题答案

模电三版课后习题答案模电三版课后习题答案模拟电子技术是电子工程中的重要学科,它涉及到电子电路的设计、分析和应用。
模电三版是一本经典的教材,其中的习题是学生巩固知识的重要途径。
然而,习题的答案并不是每个学生都能轻松找到的,因此,本文将为大家提供模电三版课后习题的答案,以帮助大家更好地学习和理解模拟电子技术。
第一章:放大电路基本概念1. 放大电路的作用是什么?答案:放大电路的作用是将输入信号放大到所需的幅度,以实现信号的增强和处理。
2. 放大电路的分类有哪些?答案:放大电路可以分为电压放大电路、电流放大电路和功率放大电路三种类型。
3. 什么是共射放大电路?答案:共射放大电路是一种常见的三极管放大电路,输入信号与输出信号都是通过集电极进行耦合。
第二章:放大电路的频率特性1. 什么是截止频率?答案:截止频率是指放大电路在频率较高时,输出信号的幅度开始下降,达到截止频率时幅度下降到原来的1/√2。
2. 如何计算截止频率?答案:截止频率可以通过放大电路的频率响应曲线来确定,当幅度下降到原来的1/√2时,对应的频率即为截止频率。
3. 什么是增益带宽积?答案:增益带宽积是指放大电路的增益乘以其截止频率的乘积,用来衡量放大电路的频率特性。
第三章:放大电路的稳定性1. 什么是稳定性?答案:稳定性是指放大电路在工作过程中,输出信号不会因为温度、电源电压等因素的变化而产生明显的变化。
2. 如何提高放大电路的稳定性?答案:可以通过负反馈、补偿电路等方法来提高放大电路的稳定性。
3. 为什么会出现放大电路的自激振荡?答案:放大电路的自激振荡是由于正反馈引起的,当放大电路的增益大于1时,就容易出现自激振荡现象。
第四章:放大电路的非线性失真1. 什么是非线性失真?答案:非线性失真是指放大电路输出信号的波形不再是输入信号的简单放大,而是出现了形状变化或者畸变。
2. 如何衡量非线性失真?答案:常用的衡量非线性失真的指标有谐波失真、交调失真等。
模电课后习题答案

V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得:U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA,U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。
2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V,所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE,45.4小I B七、T1 :恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。
1.4 u i和U o的波形如图所示。
1.5 u o的波形如图所示。
1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。
1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。
1.9(1 )当U I = 10V时,若U O=U Z = 6V,则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
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模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路,已知集成运放开环差模电压增益为∞,其电源电压±VCC=±14V ,Ui=1V ;R1=10k,Rw=100k 。
请问:当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时,输出Uo =?V ; 解:14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中,已知Ω=====k R R R R R 1087521,Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式;② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u注:此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析:本题中,运放A 1构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路,由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用,所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
(1)211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3,103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=- 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+(2)120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示,求输出电压O u 的值。
R u分析:本题中运放A 构成了差分减法电路,由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。
1s u 单独作用:2s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O1uF O111s Ru u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u FO222s R u u R =-3s u 单独作用:1s u 、 2s u 、4s u 接地,此时输出为O3u45p 3453////s R R u u R R R =+N P N O3N12F //u u u u uR R R =-∴=QFO3N12(1)//R u u R R =+45F312453//(1)////s R R R u R R R R R =++4s u 单独作用:1s u 、 2s u 、3s u 接地,此时输出为O4u35FO4412354//(1)////s R R R u u R R R R R =++综合: O1O2O3O4 = u u u u u +++题2.4 电路如图所示,设1A 、2A 为理想运放,电容的初始电压(0)0c u =。
(1)写出0u 与1s u 、2s u 和3s u 之间的关系式;(2)写出当电路中电阻123456R R R R R R R ======时,输出电压0u 的表达式。
分析:利用运放工作在线性区满足“虚短”和“虚断”的概念来分析电路功能。
1A 是差分减法器,2A 是两输入的积分电路。
(1)由于1A 是典型的差动减法电路,直接写出01u 与1s u 、2s u 的关系:34401121123(1)s s R R R u u u R R R R =-+++对2A 的分析用叠加原理:3s u 单独作用,输出为'0u '361s u u dtR C =-⎰01u 单独作用,输出为''0u ''00151u u dt R C =-⎰综合:'''003016511s u u u u dt u dtR C R C =+=-⎰-⎰所以'''0003443101615123511(1)s s u u u R R R u dt u dt u dt R C R R C R R R R C =+=-⎰+⎰-+⋅⎰+(2)03121231111()s s ss s su u dt u dt u dt RC R RCu u u dtRC=-⎰+⎰-⎰=⎰--题2.5 在题图所示电路中,已知u I1=4V,u I2=1V。
回答下列问题:图P7.19(1)当开关S闭合时,分别求解A、B、C、D和u O的电位;(2)设t=0时S打开,问经过多长时间u O=0?解:(1)U A=7V,U B=4V,U C=1V,U D=-2V,u O=2 U D=-4V。
(2)因为u O=2u D-u O3,2 u D=-4V,所以u O3=-4V时,u O才为零。
即mS6.28471010501163A1O3≈-=⨯⨯⨯⨯-=⋅⋅-=-tttuCRu题2.6图示电路中,A1~A5都是理想运放。
试求:1.当开关S闭合时,分别计算、、、及的值。
2.当t=0时,将S打开,问经多少时间,=0V ?解:1.,,,,2.,代入数据,求得:t=30ms题2.7 图示电路中,A1~A4都是理想运放,电源电压VCC=14V。
试求:(1)集成运放A1 、A2 、A3 、A4各组成何种基本应用电路(如反向比例,同向比例,差动比例,求和,积分,微分,过零比较,滞回比较等等)?(2)设U11=U12 =U13=1V,试分别求出U01 、U02 、U03和U04(T=5S后)的表达式和值。
第三章题3.1 电路如题图所示,试判断图中二极管是导通还是截止,并求出AO两端的电压UAO。
设二极管是理想的。
解:分析:二极管在外加正偏电压时是导通,外加反偏电压时截止。
正偏时硅管的导通压降为0.6~0.8V 。
锗管的导通压降为0.2~0.3V 。
理想情况分析时正向导通压降为零,相当于短路;反偏时由于反向电流很小,理想情况下认为截止电阻无穷大,相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”,即:先假设二极管所在支路断开,然后计算二极管的阳极(P 端)与阴极(N 端)的电位差。
若该电位差大于二极管的导通压降,该二极管处于正偏而导通,其二端的电压为二极管的导通压降;如果该电位差小于导通压降,该二极管处于反偏而截止。
如果电路中存在两个以上的二极管,由于每个二极管的开路时的电位差不等,以正向电压较大者优先导通,其二端电压为二极管导通压降,然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。
一般情况下,对于电路中有多个二极管的工作状态判断为:对于阴极(N 端)连在一起的电路,只有阳极(P 端)电位最高的处于导通状态;对于阳极(P 端)连在一起的二极管,只有阴极(N 端)电位最低的可能导通。
图(a )中,当假设二极管的VD 开路时,其阳极(P 端)电位P U 为-6V ,阴极(N 端)电位N U 为-12V 。
VD处于正偏而导通,实际压降为二极管的导通压降。
理想情况为零,相当于短路。
所以V U AO 6-=;图(b )中,断开VD 时,阳极电位V U P 15-=,阴极的电位V U N12-=,∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=; 图(c ),断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通,VD2处于反偏而截止V U AO 0=;或,∵ VD1,VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通,则A 点的电位V U AO 0=,而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图(d ),断开VD1、VD2,∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U <V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <;∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
题3.2 电路如题图所示,稳压管DZ的稳定电压UZ=8V ,限流电阻R=Ωk 3,设)(sin 15V t u I ω=,试画出ou 的波形。
解:分析:稳压管的工作是利用二极管在反偏电压较高使二极管击穿时,在一定的工作电流限制下,二极管两端的的电压几乎不变。
其电压值即为稳压管的稳定电压Uz 。
而稳压管如果外加正向偏压时,仍处于导通状态。
设稳压管具有理想特性,即反偏电压只有达到稳压电压时,稳压管击穿。
正偏时导通压降为零,则t u i ωsin 15=(V)Uz=8V当≥i u Uz 时,稳压管击穿而处于稳定状态,u O =Uz ;而0<i u <8V 时,稳压管处于反偏而截止,u O =i u ;当0≤i u 时,稳压管将处于正偏而导通,u O =0。
第四、五章题4.1 测得工作在放大电路中几个半导体三极管三个电极电位1U 、2U 、3U 分别为下列各组数值,试判断它们是NPN型还是PNP型?是硅管还是锗管?并确定e 、b 、c 。
① V U 5.31=,V U 8.22=,V U 123=; ② V U 31=,V U 8.22=,V U 123=; ③ V U 61=,V U 3.112=,V U 123=; ④ V U 61=,V U 8.112=,V U 123=解:分析:工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏,集电结反偏的条件。
且有PN 节正偏特性可知,其正偏结电压不会太大。
硅管的5.0=BE U ~V 0.7,锗管的1.0=BE U ~V 0.3。
所以首先找出电位差在0.1~0.3V 或0.5~0.7V 的两个电极,则其中必定一个为发射极,一个为基极,另一个电位相差较大的必定为集电极。
由PN 结反偏特性可知,若集电极电位最高,则该管必定为NPN 型三极管;若集电极电位最低,则该管必定为PNP 型三极管。
若为NPN 型三极管,则发射极电位必定为最低电位;若为PNP 型三极管,则发射极电位必定为最高电位。
由此即可确定发射极。
电位值处于中间的一个电极必定为基极。
由此可知:(1). ,5.31V U = V U 8.22=, V U 123=,结论:硅NPN 型三极管(V U U U 7.08.25.32112=-=-=)b U →1, e U →2,c U →3(2). ,31V U = V U 8.22=, V U 123=,结论: 锗NPN 型三极管(V U U U 2.08.232112=-=-=)b U →1, e U →2,c U →3(3). ,61V U = V U 3.112=, V U 123=结论:硅PNP 型三极管(V U U U 7.0123.113223-=-=-=)c U →1, b U →2, e U →3(4). ,61V U = V U 8.112=, V U 123=结论:锗PNP 型三极管(V U U U 2.0128.113223-=-=-=)c U →1, b U →2, e U →3题4.2 已知题图(a)—(f)中各三极管的β均为50,V U BE 7.0=,试分别估算各电路中三极管的C I 和CE U ,判断它们各自工作在哪个区(放大区,截止区或饱和区),并将各管子的工作点分别画在题图 (g)的输出特性曲线上。