宁波江东区MOS测试报告

MOS测试研究报告

MOS测试报告1概述 (3)1.1语音质量测试方法及原理 (3)1.2测试工具 (4)1.3测试项目 (5)2DTX功能对MOS值的影响（EFR情况下） (6)2.1测试目的 (6)2.2测试原理 (6)2.3开启UL_DTX，关闭DL_DTX (6)2.4开启DL_DTX，关闭UL_DTX (6)2.5关闭UL_DTX和DL_DTX (7)2.6开启UL_DTX和DL_DTX (7)2.7DTX对MOS的影响小结 (7)3上下行功率控制对MOS值的影响（无线环境较好） (8)3.1测试目的 (8)3.2开启UL_PWRC，关闭DL_PWRC (8)3.3开启DL_PWRC，关闭UL_PWRC (8)3.4关闭UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.5开启UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.6功率控制对MOS的影响 (9)4话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较好） (10)4.1测试目的 (10)4.2测试原理 (10)4.3采用增强型全速率编码 (11)4.4采用全速率编码 (11)4.5采用半速率编码 (11)4.6话音编码速率不同对MOS的影响 (12)5话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较差） (13)5.1测试目的 (13)5.2采用增强型全速率编码 (13)5.3采用全速率编码 (13)5.4采用半速率编码 (13)5.5话音编码速率不同对MOS的影响 (14)6切换对MOS值的影响 (15)6.1测试目的 (15)6.2测试原理 (15)6.3设置为EFR时的测试情况 (15)6.4设置为HR时的测试情况 (16)6.5设置为EFR＋HR时的测试情况 (17)6.6切换对MOS值的影响小结 (18)7总结 (19)1概述随着运营商之间的竞争日趋激烈，用户对网络质量的要求也越来越高，网络质量成为市场竞争的最主要因素。

由于通过RXQUAL或比特误码率来评估语音质量的方法存在较大的局限性，目前陆续开始采用MOS测试法，可对语音质量进行较客观的评估，做好MOS指标优化对于提高市场竞争力将具有重要意义。

参考：MOS专题优化报告

EFR，FR和HR MOS课题研究 Nokia Siemens Networks目录1概述 ______________________________________________________________________ 42专题研究流程图_____________________________________________________________ 53语音质量测量和量化标准的发展史 _______________________________________________ 73.1MOS语音质量量化的定义_____________________________________________________ 7 3.2PESQ评估方法的介绍 ________________________________________________________ 8 3.3PESQ的基本原理____________________________________________________________ 8 3.4PESQ的应用 _______________________________________________________________ 84MOS的测试方法___________________________________________________________ 104.1NEMO Outdoor ____________________________________________________________ 10 4.1.1测试系统的要求____________________________________________________________ 10 4.1.2测试系统的解决方案_________________________________________________________ 10 4.2NetQual __________________________________________________________________ 12 4.2.1测试系统的组成____________________________________________________________ 12 4.2.2语音质量的测试____________________________________________________________ 13 4.3TEMS INVESTIGATION ______________________________________________________ 14 4.4华星MOS Flywireless前台测试 ________________________________________________ 16 4.4.1Flywireless配置与运行_______________________________________________________ 16 4.4.2设备连接__________________________________________________________________ 17 4.4.3设备配置__________________________________________________________________ 18 4.4.4测试任务设置 ______________________________________________________________ 18 4.4.5开始测试__________________________________________________________________ 21 4.5华星MOS Flywireless后台处理 ________________________________________________ 22 4.5.1MOS文件的处理___________________________________________________________ 22 4.5.2华星GSM Flywireless后台数据处理____________________________________________ 255华星MOS 现场测试结果_____________________________________________________ 285.110130 小区EFR, FR 和HR MOS测试结果 _______________________________________ 29 5.1.1EFR _____________________________________________________________________ 29 5.1.2FR ______________________________________________________________________ 29 5.1.3HR ______________________________________________________________________ 30 5.2其他小区的MOS定点测试。

mos工艺流程实验报告

mos工艺流程实验报告下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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MOS供应商提供的测试报告项目标准

抽样方法：供应商提供的IRFP4110PBF型号MOS产品需全检，保证出货到我司的产品全部是合格产品。
名称
测试项目
检测细则及标准
测试仪器及条件
备注
1基本项目确认
1.1产品一致性
供应商需确认出货型号与货单一一对应
供应商提供测试仪器及测试条件
1.2产品外观
标识、封装与货单描述一致
管脚无氧化，无损伤
2.
电
气
性
能
测
试
2.1 MOS管的D、S两极最大电流测试Id（A）
MIN
TYP
MAX
UNITS
-
-
180
A
2.2MOS管的D、S两极最大击穿电压Vds
(V)
-
-
40
V
2.2MOS管的G、S两极最大击穿电压Vds
(V)
-
-
50
V
注：以上测试项目为供应商出货产品必测项
合肥尚源电气2
编制
审核
批准
文件名：
MOS（IRFP4110PBF）供应商提供的测试报告项目标准
张欢美
朱建加
陈林
适用范围：为了更好地明确本公司的MOS质量标准，品管部制订此供应商检测标准，提高供货质量标准，我司无法测试的项目由供应商提供测试报告或合格证明。

MOS测试报告

MOS测试报告1概述 (3)1.1语音质量测试方法及原理 (3)1.2测试工具 (4)1.3测试项目 (5)2DTX功能对MOS值的影响（EFR情况下） (6)2.1测试目的 (6)2.2测试原理 (6)2.3开启UL_DTX，关闭DL_DTX (6)2.4开启DL_DTX，关闭UL_DTX (6)2.5关闭UL_DTX和DL_DTX (7)2.6开启UL_DTX和DL_DTX (7)2.7DTX对MOS的影响小结 (7)3上下行功率控制对MOS值的影响（无线环境较好） (8)3.1测试目的 (8)3.2开启UL_PWRC，关闭DL_PWRC (8)3.3开启DL_PWRC，关闭UL_PWRC (8)3.4关闭UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.5开启UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.6功率控制对MOS的影响 (9)4话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较好） (10)4.1测试目的 (10)4.2测试原理 (10)4.3采用增强型全速率编码 (11)4.4采用全速率编码 (11)4.5采用半速率编码 (11)4.6话音编码速率不同对MOS的影响 (12)5话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较差） (13)5.1测试目的 (13)5.2采用增强型全速率编码 (13)5.3采用全速率编码 (13)5.4采用半速率编码 (13)5.5话音编码速率不同对MOS的影响 (14)6切换对MOS值的影响 (15)6.1测试目的 (15)6.2测试原理 (15)6.3设置为EFR时的测试情况 (15)6.4设置为HR时的测试情况 (16)6.5设置为EFR＋HR时的测试情况 (17)6.6切换对MOS值的影响小结 (18)7总结 (19)1概述随着运营商之间的竞争日趋激烈，用户对网络质量的要求也越来越高，网络质量成为市场竞争的最主要因素。

由于通过RXQUAL或比特误码率来评估语音质量的方法存在较大的局限性，目前陆续开始采用MOS测试法，可对语音质量进行较客观的评估，做好MOS指标优化对于提高市场竞争力将具有重要意义。

语音质量(MOS)专题分析报告

语音质量（MOS）专题分析PESQ MOS专题分析：目前话音质量分析主要采用语音感知MOS指标、下行误码率指标（rxqual）。

其中语音感知MOS指标包含了下行误码率、切换、时延等多种因素。

本专题主要针对第一阶段的数据对MOS指标进行专题分析。

表：GSM第一阶段人工和自动路测MOS指标对比表备注：2G中，人工测试均为华星的MOS盒；3G和自动路测均采用鼎利的MOS盒。

一鼎利MOS盒分析，五网质量对比情况）；华星仪表为直接PESQ值（2.2），三者之间有一定的关系，但并不一致。

从上图分析可以看出，指标排名如下：1)以2.5为标准，质量高低分别为联通W网、电信C网、联通GSM网络、移动GSM网络、移动TD-SCDMA网络；2)以3.3分为标准，质量高低分别为联通W网络、电信C网络、移动GSM网络、联通GSM网络、移动TD-SCDMA网络；3)以大于3.5为标准，质量高低分别为联通W网络、移动GSM网咯、联通GSM网络、移动TD-SCDMA网络、电信CDMA网络；结论：从自动路测（鼎利）的PESQ计算方法上看，电信CDMA网络话音质量高于3.5分的比例较低，但是高于3.3和3.1分的比例很高。

按照大于3.3（或者3.3以下）的比例，CDMA的MOS质量要好于联通和移动的GSM网络。

二华星MOS和分析，三网对比测试情况；结论：从flywire（华星）的PESQ计算方法上看，电信CDMA网络话音质量一直很低，在各个分数段均明显低于联通和移动的GSM网络。

三PESQ MOS指标测试研究从1..5.1和1.5.2可以看出，华星PESQ MOS的分值和鼎利PESQ MOS分值相差较大。

特别是CDMA 的MOS分值，在对比中的排名完全相反。

因此我们对PESQ的MOS算法进行了专题测试和研究分析。

1.研究结论如下：1．不同测试厂家的MOS盒使用不同标准，如自动路测采用P862.1标准，分数为PESQ-LQ；华星flywire MOS算法采用P862.2标准，所选值为PESQ score；3G测试MOS盒采用P862.2标准，选值为PESQ-MOS分值；2．语音样本格式不同，华星采用PCM格式，鼎利使用WAV格式，规范定义采用WAV格式（两者相差微小）；3．MOS盒硬件实现方式不同：MOS盒测试CDMA差别大，其中华星MOS盒原因为MOS到手机两端均为耳塞插孔，失真较大；而鼎利MOS盒在CDMAMOS评估的时候采用模块化的设计，失真较少。

场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)

场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)实验2、场效应晶体管参数测量实验二场效应晶体管特性的测量与分析一前言场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。

场效应晶体管是一种电压控制器件。

从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。

场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“单极型”晶体管。

通常用“FET”表示。

场效应晶体管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MISFET）两大类。

目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导体（MOS）三层结构，缩写为MOSFET。

本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检测。

场效应管按导电沟道和工作类型可分为：???耗尽型??n沟????增强型MOSFET???耗尽型?? FET?p沟??增强型?????JFET?n沟?耗尽型???p沟???检测场效应管特性，可采用单项参数测试仪或综合参数测试仪。

同时，场效应管与双极管有许多相似之处，故通常亦采用XJ4810半导体管图示仪检测其直流参数。

本实验目的是通过利用XJ4810半导体管图示仪检测场效应管的直流参数，了解场效应管的工作原理及其与双极晶体管的区别。

二实验原理1. 实验仪器实验仪器为XJ4810图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。

测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即G（栅极）? B（基极）；S（源极）? E（发射极）；D（漏极）? C（集电极）。

值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。

另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。