微波工程第三章(完成2010)
合集下载
微波工程基础(上)

>(c )TE11
H e z
衰减系数:
kc2 k 2
2
2 , 1 c c
2
c
0 s l e
e l 0
L(l ) L(0) 8.68 l (dB)
截止衰减器通常有20~30dB的起始衰减, 最大衰减量可达120dB~160dB。频带宽, 量程大,精度高是其优点。
5.1 引言
本章无源微波电路研究的内容:
一端口到六端口的各种微波器件与电路的工作原理与基本性能, 并导出它们的散射参量——利用传输线理论、导波理论和微波网络 理论分析。
微波铁氧体器件对不同方向传输的导波呈现不同的衰减特性和相 移特性,在于器件中的铁氧体材料在外加恒定磁场时呈现各向异性, 研究铁氧体非互易器件。
12.4-18.0 18.0-26.5 26.5-40 2cm 1.4cm 9.5mm
0.2 微波的基本特点
为什么微波波段的电磁波要专门研究?
1、波长短,易实现窄波束定向辐射
•传播特点:与物体尺寸可比拟,甚至小的多 ,因而微波具有直线传播、 反射、折射等的似光性。 •发射接收:效率高,特性好,天线的尺寸小。若雷达要精确定位, 须使电磁波定向辐射。例抛物面天线的主波束角:
3. 穿透性强
微波可传透电离层(卫星通信、射电天文)遥感、全天候雷达
0.3 微波的应用
•
• •
•
雷达:远程警戒雷达 、火控雷达;导航雷达、气象雷 达、汽车防撞雷达、遥感雷达。 通信:有线电视;微波中继、卫星通信;移动通信 大规模、高密度、高速数字集成电路的发展,芯片内 部和集成电路的互联线的互耦串音、电磁兼容研究属 于微波领域。 其他:微波加热(微波高频介质损耗), 微波炉、微波 理疗仪等。
《微波技术》第三章 TEM波传输波

8mm 的硬同轴线,则其功率容量为 760W。对比可知,后一种同轴线(大
尺寸)较前一种功率容量大 5.3 倍。
二、同轴线中的高次模式
在 同 轴 线 中 , 我 们 只 希 望 传 输 主 模 TEM 波 , 这 时 截 止 频 率 fc = 0(λc = ∞) 。但当传播频率增高时,波长随之缩短,同轴线的横截面尺 寸(a 和 b)与波长 λ 可以比拟了。这样,同轴线内的任何微波变化,例如 内外导体的同心度不佳,或圆形尺寸因加工不良出现的椭圆度,抑或内外 导体上出现的凹陷或突起物,都将引起反射,并随之出现场强的轴向分量, 高次模式的边界条件建立了起来,就是说,高次模将伴随主模式传播了。 换言之,除了主模式 TEM 波外,在同轴线上还可能存在无穷多个色散的高 次模式,包括横电波( H mn )和横磁波( Emn )。关于这些高次模式的场方 程的导出,这里从略。我们只给出用近似方法计算出来的一些位于最前面 的几个高次模式的场结构,如图 3-2-4 所示。
(1)损耗要小。这不仅能提高传输效率,还能使系统工作稳定。 (2)结构尺寸要合理,使传输线功率容量尽可能地大。 (3)工作频带宽。即保证信号无畸变地传输的频带尽量宽。 (4)尺寸尽量小且均匀,结构简单易于加工,拆装方便。 假如传输线呼处的横向尺寸、导体材料及介质特性都是相同的,这种 传输线就称为均匀传输线,反之则为非均匀传输线。 均匀传输线的种类很多。作为微波传输线有平行双线、同轴线、波导、 带状线以及微带等等不同形式。本章将对几种常用的 TEM 波传输线作系统 论述。
Eb2r
ln
b a
(3-2-14)
空气的击穿场强为 Ebr = 30kV / cm = 3×106 kV / m 。以便同轴线为便,设其
内外导体半径分别为 1.5mm 和 3.5mm,则由式(3-2-13)算得最大可传输
第三章 微波晶体管放大器

12:41
电子科技大学电子工程学院
微波固态电路
微波晶体管放大器
B 金属电极 E B
§3-2 微波双极结型晶体管 1. 微波硅双极晶体管
特征频率 fT
fT ≈ f β
2πfT = ω T = 1
5~10GHz Ic β = Vce =0 Ib
P+
N + 发射区 P基区 N集电区 N + 衬底 C
E
P+
§3-1 引言
特点:体积小、重量轻、结构简单、稳定性好、频带宽、动态范围 大、功耗小、寿命长。 在降低噪声,提高工作频率,增大输出功率和单片微波集成 (MMIC)等方面取得很大进步,已经得到广泛应用。
分类: 按器件
区别:
微波双极晶体管(BJT)放大器 微波场效应晶体管(FET)放大器 高电子迁移率晶体管(HEMT)放大器 异质结双极晶体管(HBT)放大器
21 2 max 12
Gu =
12:41
S 21
2
2 2
(1 − S11 )(1 − S 22 )
电子科技大学电子工程学院
微波固态电路
微波晶体管放大器
微波硅双极性晶体管
增益(dB) 6 4 2 0 GT fTra fMAG fmax 频率(GHz)
微波双极晶体管GT、Gmax、 Gu与频率的关系
12:41
Gmax Gu
电子科技大学电子工程学院
微波固态电路
微波晶体管放大器
低噪声双极晶体管
噪声系数F :晶体管的输入端信号/噪声功率 比与输出端信号/噪声功率比的比值。
Si N i N o 1 F= = ⋅ So N o N i G p
双极晶体管的噪声来源有三部分: 热噪声:主要由载流子的不规则热运动引起 的,它的大小与晶体管本身欧姆电阻有关。 散粒噪声:由于电流流动时载流子运动的起 伏产生的,其大小与电流成正比。 闪烁噪声:一般认为与半导体制造工艺及表 面处理情况有关。
电子科技大学电子工程学院
微波固态电路
微波晶体管放大器
B 金属电极 E B
§3-2 微波双极结型晶体管 1. 微波硅双极晶体管
特征频率 fT
fT ≈ f β
2πfT = ω T = 1
5~10GHz Ic β = Vce =0 Ib
P+
N + 发射区 P基区 N集电区 N + 衬底 C
E
P+
§3-1 引言
特点:体积小、重量轻、结构简单、稳定性好、频带宽、动态范围 大、功耗小、寿命长。 在降低噪声,提高工作频率,增大输出功率和单片微波集成 (MMIC)等方面取得很大进步,已经得到广泛应用。
分类: 按器件
区别:
微波双极晶体管(BJT)放大器 微波场效应晶体管(FET)放大器 高电子迁移率晶体管(HEMT)放大器 异质结双极晶体管(HBT)放大器
21 2 max 12
Gu =
12:41
S 21
2
2 2
(1 − S11 )(1 − S 22 )
电子科技大学电子工程学院
微波固态电路
微波晶体管放大器
微波硅双极性晶体管
增益(dB) 6 4 2 0 GT fTra fMAG fmax 频率(GHz)
微波双极晶体管GT、Gmax、 Gu与频率的关系
12:41
Gmax Gu
电子科技大学电子工程学院
微波固态电路
微波晶体管放大器
低噪声双极晶体管
噪声系数F :晶体管的输入端信号/噪声功率 比与输出端信号/噪声功率比的比值。
Si N i N o 1 F= = ⋅ So N o N i G p
双极晶体管的噪声来源有三部分: 热噪声:主要由载流子的不规则热运动引起 的,它的大小与晶体管本身欧姆电阻有关。 散粒噪声:由于电流流动时载流子运动的起 伏产生的,其大小与电流成正比。 闪烁噪声:一般认为与半导体制造工艺及表 面处理情况有关。
介质波导

微波工程基础
5
第三章 微波集成传输线之介质波导
当r > a 时
Ez C
kc22 j0
( 2) Hm (kc 2 r ) sin m
H z D
kc22 j0
( 2) Hm (kc 2 r ) cos m
k c 2 ( 2 ) m ( 2) Er C H m (kc 2 r ) D H m (kc 2 r ) sin m r 0 m ( 2) ( 2 ) E C Hm (kc 2 r ) Dkc 2 H m (kc 2 r ) cos m r0 k c 2 ( 2 ) m ( 2) H z C H m (kc 2 r ) D H m (kc 2 r ) cos m 0 r m ( 2 ) ( 2) H Ck c 2 H m (kc 2 r ) D Hm (kc 2 r ) sin m r0
慢波导波场被电抗表面束缚在波导内和波导表面附近沿轴向传播
(即表面波),又称为表面波导或开波导 毫米波频段表面波导损耗小(无导体损耗)功率容量大,应用广泛
微波工程基础
2
第三章 微波集成传输线之介质波导
1. 圆形介质波导(circular dielectric waveguide)
设圆形介质波导半径为a,相对介电常数为r(r=1)。 分析表明圆形介质波导不存在纯 TEmn和TMmn模,但 存在 TE0n 和 TM0n 模,一般情况下为混合模 HEmn 和 EHmn模。
k 0 0 r u / a
2 c1 2 c2 2 2 2
2
(3-1)
k 2 0 0 2 w 2 / a 2
其中
(u) Jm X J m (u)
5
第三章 微波集成传输线之介质波导
当r > a 时
Ez C
kc22 j0
( 2) Hm (kc 2 r ) sin m
H z D
kc22 j0
( 2) Hm (kc 2 r ) cos m
k c 2 ( 2 ) m ( 2) Er C H m (kc 2 r ) D H m (kc 2 r ) sin m r 0 m ( 2) ( 2 ) E C Hm (kc 2 r ) Dkc 2 H m (kc 2 r ) cos m r0 k c 2 ( 2 ) m ( 2) H z C H m (kc 2 r ) D H m (kc 2 r ) cos m 0 r m ( 2 ) ( 2) H Ck c 2 H m (kc 2 r ) D Hm (kc 2 r ) sin m r0
慢波导波场被电抗表面束缚在波导内和波导表面附近沿轴向传播
(即表面波),又称为表面波导或开波导 毫米波频段表面波导损耗小(无导体损耗)功率容量大,应用广泛
微波工程基础
2
第三章 微波集成传输线之介质波导
1. 圆形介质波导(circular dielectric waveguide)
设圆形介质波导半径为a,相对介电常数为r(r=1)。 分析表明圆形介质波导不存在纯 TEmn和TMmn模,但 存在 TE0n 和 TM0n 模,一般情况下为混合模 HEmn 和 EHmn模。
k 0 0 r u / a
2 c1 2 c2 2 2 2
2
(3-1)
k 2 0 0 2 w 2 / a 2
其中
(u) Jm X J m (u)
第三章微波传输线平行双线与同轴线

二 同轴线Coaxtal CabLe
1 结构和参数 同轴线由共轴的内外导体组成,中间空 气或填充高介电常数的绝缘介质。几何参 数内外导体直径d和D,电参数:中间填充 介质的电参数,它是一种不平衡传输线。
分布参数 同轴线单位长度的电阻和电感、电导和 电容。
D L0 = ln 2π d
2πε C0 = D ln d
G0 = πσ 2
ω1 2σ 1
2D ln d
2 传输特性 沿平行双线传输的是不均匀的TEM波, 传播方向平行双线的方向。
L0 2D Z0 = = 120 ln = 400 C0 d 600 ( .m )
ω 1 1 vp = = = β L0C0 ε
λp =
2π
β
=
vp f
3 损耗特性 对于平行双线传输线,线间介质多为 空气或局部优良绝缘支撑物,如果要考虑 传输损耗,则可只计导体损耗而不计介质 损耗。此时平行双线的衰减常数可按下式 估算:
本章研究几类重要传输线的传输特性(模 式、相速度、波长、波阻抗以及其它相关 的重要特性)、损耗特性、功率容量以及 具体的工程用途。 第二章采用电路方法研究传输线的共性问 题,本章采用电路和场分析结合的方法讨 论每一种传输线的个性问题。
§3.1平行双线和同轴线
一、平行双线Two Wire Parallel Lines 二、同轴线 Coaxial Lines 我们主要从如下几个方面来讨论这两 类常用的传输线:结构和参数、传输特性、 损耗特性、功率容量和用途。对于平行双 线,在频率不是非常高的条件下,用电路 理论分析就足够准确。
f 1 R0 = 4πσ 1
2 2 + D d
G0 = 2πσ 2
D ln d
微波技术基础课后答案 李秀萍版

20(1 j )
,
V2 4(1 j ) V2 4(1 j )
5.7 (1)
j
(2)
1
0 cos 1 j sin
j sin 1 0 cos sin cos j 1 2 j cos
1 sin(100t ) 1000
j 8t
] 13.99 cos(8t 30.4o ) ] 7.6 cos(2t 48.9o )
j 2t
2.5 电路的稳态电压为: 32cos(t ) 2.6 (1)
10
2 .5
(2) 10 (3) 10 (4) 10 2.7 (1) 10
5
7 .5
j sin cos sin
S11
j (sin 2 cos ) 2(cos sin ) j (sin 2 cos ) j (sin 2 cos ) 2(cos sin ) j (sin 2 cos ) 2 2(cos sin ) j (sin 2 cos ) 2 2(cos sin ) j (sin 2 cos )
0.7
(2) 10 (3) 10 (1)
1
0.3
2.8
12
26 2
(2)
(3)
82 20 2
2.9
2.10 在微波频段电阻、电感和电容这类集总元件不再表现为纯电阻、电感和电容,而是有额外的阻抗和电 抗(寄生效应) 。在微波频段,同一元件在不同的频率下可能会表现出不同的容性、感性或阻性。
第三章 3.1
5.4 分别计算题图 5.4 所示的二端口网络的阻抗矩阵及导
,
V2 4(1 j ) V2 4(1 j )
5.7 (1)
j
(2)
1
0 cos 1 j sin
j sin 1 0 cos sin cos j 1 2 j cos
1 sin(100t ) 1000
j 8t
] 13.99 cos(8t 30.4o ) ] 7.6 cos(2t 48.9o )
j 2t
2.5 电路的稳态电压为: 32cos(t ) 2.6 (1)
10
2 .5
(2) 10 (3) 10 (4) 10 2.7 (1) 10
5
7 .5
j sin cos sin
S11
j (sin 2 cos ) 2(cos sin ) j (sin 2 cos ) j (sin 2 cos ) 2(cos sin ) j (sin 2 cos ) 2 2(cos sin ) j (sin 2 cos ) 2 2(cos sin ) j (sin 2 cos )
0.7
(2) 10 (3) 10 (1)
1
0.3
2.8
12
26 2
(2)
(3)
82 20 2
2.9
2.10 在微波频段电阻、电感和电容这类集总元件不再表现为纯电阻、电感和电容,而是有额外的阻抗和电 抗(寄生效应) 。在微波频段,同一元件在不同的频率下可能会表现出不同的容性、感性或阻性。
第三章 3.1
5.4 分别计算题图 5.4 所示的二端口网络的阻抗矩阵及导
第三章-传输线和波导

Microwave Technique
3.1.1 TEM波
横电磁波(Transverse Electromagnetic Wave)
Ez H z 0
z j E j H y x y H z j E j H x y x
E
(3.3a) (3.4b)
Ez H z 0
内导体的空心金属管内不能传播电磁波的错误理论。
40年后的1936年,索思沃思和巴罗等人发表了有关波导传播模式的激励和测量
方面的文章后,波导才有了重大的发展。
早期的微波系统主要使用波导和同轴线作为传输线,波导功率容量高,损耗低,
但体积大,价格昂贵;同轴线工作频带宽,但难于制作微波元件。
于是有了第二次世界大战中带状同轴线和1952年微带线的出现以及后来更多平
y j H
j E
j H x j E
x y
消去Hx
2 E y 2 E y
k
Microwave Technique
TEM波截止波数 kc k 2 2 为零。
对于Ex的亥姆霍兹方程而言:
(3.9)
对于 的依赖关系:
(3.9)式简化为:
ez 和hz 是 纵 向 电 场 和 磁 场 分 。 量
Microwave Technique
对于无源传输线或波导而言,麦克斯韦方程可写为:
E jH H jE
z j E jH y x y E z jH j E x y x E E y x jH z x y H z j H jE y x y H z jE j H x y x H H y x jE z x y
(3.2a) (3.2b)
3.1.1 TEM波
横电磁波(Transverse Electromagnetic Wave)
Ez H z 0
z j E j H y x y H z j E j H x y x
E
(3.3a) (3.4b)
Ez H z 0
内导体的空心金属管内不能传播电磁波的错误理论。
40年后的1936年,索思沃思和巴罗等人发表了有关波导传播模式的激励和测量
方面的文章后,波导才有了重大的发展。
早期的微波系统主要使用波导和同轴线作为传输线,波导功率容量高,损耗低,
但体积大,价格昂贵;同轴线工作频带宽,但难于制作微波元件。
于是有了第二次世界大战中带状同轴线和1952年微带线的出现以及后来更多平
y j H
j E
j H x j E
x y
消去Hx
2 E y 2 E y
k
Microwave Technique
TEM波截止波数 kc k 2 2 为零。
对于Ex的亥姆霍兹方程而言:
(3.9)
对于 的依赖关系:
(3.9)式简化为:
ez 和hz 是 纵 向 电 场 和 磁 场 分 。 量
Microwave Technique
对于无源传输线或波导而言,麦克斯韦方程可写为:
E jH H jE
z j E jH y x y E z jH j E x y x E E y x jH z x y H z j H jE y x y H z jE j H x y x H H y x jE z x y
(3.2a) (3.2b)
微波工程基础第3章

(3.12-3.13)
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
横电磁波TEM(续前页) (3.16) E (T ) T (T ) H (T ) T (T ), T E T H 0
(3.3)
(3.4)
k k
2 2
2 c
k k
Z ( z ) Z1e j z Z 2e j z e j ( z t )
(3.5)
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
(1)TEM或准TEM传输线;(2)金属波导;(3)表面波导
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
§3.1 导波分类
导波:沿传输系统限定方向传输的电磁波能量的 传输受传输系统导体或介质边界的约束 导波模式:受导波传输系统边界的限制,能够在 系统中独立存在且传输的特殊电磁场分布结构 一般传输系统:单根或多根互相平行的空心或实 心柱状导体或介质组成。电磁波沿柱的纵向方向 传播(z轴),垂直z轴方向为横向 均匀传输系统:传输系统的横截面形状、尺寸、 材料性质不随z轴变化
§3.1.1导波特性(续前页) 是导波的纵向传播常数, (3.3)中 kc 是微分方程在
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
横电磁波TEM(续前页) (3.16) E (T ) T (T ) H (T ) T (T ), T E T H 0
(3.3)
(3.4)
k k
2 2
2 c
k k
Z ( z ) Z1e j z Z 2e j z e j ( z t )
(3.5)
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
(1)TEM或准TEM传输线;(2)金属波导;(3)表面波导
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
中国科学院电子学研究所 Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences
§3.1 导波分类
导波:沿传输系统限定方向传输的电磁波能量的 传输受传输系统导体或介质边界的约束 导波模式:受导波传输系统边界的限制,能够在 系统中独立存在且传输的特殊电磁场分布结构 一般传输系统:单根或多根互相平行的空心或实 心柱状导体或介质组成。电磁波沿柱的纵向方向 传播(z轴),垂直z轴方向为横向 均匀传输系统:传输系统的横截面形状、尺寸、 材料性质不随z轴变化
§3.1.1导波特性(续前页) 是导波的纵向传播常数, (3.3)中 kc 是微分方程在
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
ˆ s
A × B × C = B ( A ⋅ C ) − A( B ⋅ C ) * * ( ET × H T ) ⋅ ds = −( ET ⋅ ET / η ∗ ) ds
P=
( 3.3.82a )
1 * (ET × H T ) ⋅ ds 2∫ S
(3.3.73)
1 ωε * j ∫ ET ⋅ ET ds = − j 2ω ∫ ( wm − we )dv ( 3.3.82b ) 2s α v ∫ S ⋅ ds = − j 2ω ∫ (wm − we )dv 由上述二式可知, 由上述二式可知,当波处 S v 于截止状态时, 于截止状态时,对 TE 波
1 W1 = ∫ ε ET ds 2 s
2
( 3.3.85a )
对于TM波 对于TM波, H = H T ,故 TM
1 W1 = ∫ µ H T ds 2 s
2
( 3.3.85b )
3.3.6
矩形波导的衰减
波导中的损耗有两个来源:其一是波导壁为非理想导体, 波导中的损耗有两个来源:其一是波导壁为非理想导体, 其二是波导中的介质损耗。通常,当波导中的媒质为空气时, 其二是波导中的介质损耗。通常,当波导中的媒质为空气时, 介质损耗可以忽略。 方向传播的波衰减, 介质损耗可以忽略。损耗将使沿 方向传播的波衰减,称这 种衰减为损耗衰减,以区别于截止衰减。 种衰减为损耗衰减,以区别于截止衰减。对于向 方向传播 的波,由于衰减的存在, 的波,由于衰减的存在,电场和磁场的横分量可写作
此式表明无耗规则波导中的每一个模独立地传输自身所携带的功 无耗规则波导中不会发生功率从一个模向另一个模的转移, 率,无耗规则波导中不会发生功率从一个模向另一个模的转移, 彼此之间没有耦合,除非规则波导的规则性受到破坏。 彼此之间没有耦合,除非规则波导的规则性受到破坏。如果规则 矩形波导中传输的模有 n 个,那么就相当于有 n 条相互独立的 传输线。 传输线。上述无耗规则矩形波导的模的正交性对于其他的规则波 如圆波导,也同样成立,这里不去进行一般性的证明。 导,如圆波导,也同样成立,这里不去进行一般性的证明。
由式(3.3.74)和式(3.3.75)可知, 由式(3.3.74)和式(3.3.75)可知,当波处于传播状态时
η 是实数, 为实数, P 是实数,因为传播状态时的 k z 为实数, TE 和 ηTM 为实数。当波处于截止状态时, 为纯虚数, 为实数。当波处于截止状态时,传播常数 k z 为纯虚数,即
仅仅是一段波导的两个横截面,右端 仅仅是一段波导的两个横截面, 是磁场和电场储能密度。 we 和 wm是磁场和电场储能密度。 当波处于传播状态时, 当波处于传播状态时,进入体积 V 的功率, 的功率等于流出体积 V 的功率,因 而上式的左端等于零,那么, 而上式的左端等于零,那么,由式 3.3.80) (3.3.80)得
1 1 2 W1 = ∫ dz ∫ ( ε E + µ H )ds ( 3.3.84 ) 0 4 4 s S是波导横截面。因为在传播状态电场储能等于磁场储能,故 是波导横截面。 是波导横截面 因为在传播状态电场储能等于磁场储能, 上式可以被简化: 上式可以被简化:对TE波, E = ET ,故 波
1 2
ɵ ET = −ηTM z × H T ( 3.2.37 ) ωε ɵ 1 ɵ HT = z × ET = z × ET ( 3.2.35 ) kz ηTM 2
* * ˆ ˆ ( ET × H T ) ⋅ ds = ( ET × z × ET / η ∗ ) ⋅ zds P =
利用矢量恒等式 A × B × C = B ( A ⋅ C ) − A( B ⋅ C )
kz
( 3.2.28)
(3.3.77)
这表明波阻抗为虚数, 波的波阻抗呈感性, 这表明波阻抗为虚数,且 TE 波的波阻抗呈感性, TM 波波阻抗 呈容性。由式( 呈容性。由式(3.3.74)求得截止状态时的“传输功率”为 )求得截止状态时的“传输功率”
PTE = + j
PTM
以上两式表明在截止状态下 矩形波导的传输功率为纯虚数, 矩形波导的传输功率为纯虚数, 图 3.8 体积 V 和 S表面示意图 表面示意图 即不能传输功率。 即不能传输功率。 下面讨论矩形波导中电场储能与磁场储能。 下面讨论矩形波导中电场储能与磁场储能。设波导壁是理 想导体,波导内的媒质无耗,取一段波导, 想导体,波导内的媒质无耗,取一段波导,其体积为 V ,包围 构成, 体积 V 的面积为 S , S 由波导壁和两个截面 S1 和 S 构成, 2 所示, 如图 3.8 所示,图中还标出了两个截面的法向单位矢量 。 内无源, V 内无源,即 J = 0 ,由积分形式的坡印亭定理可得
ET = ∑ ET i
i
HT = ∑ HT j
j
其中, 波中的某一个模, 其中, ETi 和 H Tj可以代表 TE 波或 TM 波中的某一个模,当 ETi 和 j 和 H Tj中的
i
相同时,为同一个模, 相同时,为同一个模,当 i ≠ 的正交性, 的正交性,可以验证
时为不同的模。 j 时为不同的模。根据三角函数
z
+z
ET ( z ) = ET (0)e− (α + jkz ) z
HT ( z ) = HT (0)e− (α + jkz ) z
( 3.3.86 ) ( 3.3.87 )
式中, 式中, 即
α 是场的衰减系数,它是一个正实数,由两部分组成, 是场的衰减系数,它是一个正实数,由两部分组成,
α = αc + αd
1 α * ET ⋅ ET ds (3.3.78) ∫ ωµ 2S 1 ωε * = − j ∫ ET ⋅ ET ds (3.3.79) 2S α
ˆ s
∫ S ⋅ ds = − j 2ω ∫ (w
S v
m
− we )dv
(3.3.80)
上式的左端为面积分,此积分在波导壁上的积分等于零, 上式的左端为面积分,此积分在波导壁上的积分等于零,有值的
( 3.3.88)
α c 是导体的损耗对应的衰减系数,α d 是介质的损耗对应的衰 是导体的损耗对应的衰减系数,
减系数。 减系数。功率按
3.3.5 矩形波导中的传输功率与储能 在矩形波导中沿z方向传输的功率为 在矩形波导中沿 方向传输的功率为
P=
式中, 式中,
∗ 号表示共轭,S 是矩形波导的横截面,ET和HT 是 号表示共轭, 是矩形波导的横截面,
1 * (ET × HT ) ⋅ ds 2∫ S
(3.3.73)
向正z方向传播的波的横向电场和横向磁场。 向正 方向传播的波的横向电场和横向磁场。因为在波导中可 方向传播的波的横向电场和横向磁场 能存在许多乃至无限多的模式, 能存在许多乃至无限多的模式,那么上式中的 ET 和 HT 可以写 成许多模的矢量和的形式, 成许多模的矢量和的形式,即
传输功率 将其代入到波阻抗的表示式(3.2.28)和式( k z = − jα ,将其代入到波阻抗的表示式(3.2.28)和式( 3.2.36),得 3.2.36),得 ), ωµ ηTE = j α 和 α ηTM = − j ωε
ηTM =
(3.3.76)
ωε
kz
( 3.2.36 )
ηTE =
ωµ
2S (3.3.75)
a b 1 ωµ a 3b ab E10 2 * PTE10 = Re ∫ E H x dydx = H10 βTE10 = 2 x = 0 ∫y = 0 y 2 4π 4 ZTE10 式中, 式中, η是 TE 波的波阻抗 ηTE ,也可以是 TM 波的波阻抗 ηTM ɵ 以式(3.3.74)为例说明推导过程, 。以式(3.3.74)为例说明推导过程,因为 ET = −ηTEM z × HT ( 3.2.42 )
m e v v
( 3.3.83a ) ∫ wm dv < ∫ we dv
v v
(3.3.83b)
这就是说,当波处于截止状态时,TE 波在体积 V 内的磁 这就是说,当波处于截止状态时, 场储能大于电场储能, 场储能大于电场储能,TM 波在体积 V 内的电场储能大于磁场 储能。回忆式(3.3.76)和式(3.3.77), ),当波处于截止状态 储能。回忆式(3.3.76)和式(3.3.77),当波处于截止状态 波的波阻抗为纯虚数且为感性, 时TE 波的波阻抗为纯虚数且为感性,TM 波的波阻抗亦为纯虚 且为容性。 数,且为容性。这表明从储能的观点和从阻抗的观点得出的结论 ωµ α ηTE = j (3.3.76) 是一致的。 是一致的。 ηTM = − j (3.3.77) α ωε 当波处于传播状态时, 当波处于传播状态时,单位长度内的储能 W1 为
+z
z
注意到 S1 面的法向单位矢 ET × H T ∗ 的方向相 量 与 于是, 反,于是,对 TE 波,有 1 α −j ∫ ET ⋅ ET ∗ds = − j 2ω ∫ ( wm − we )dv 2 s ωµ v PTE 对 TM 波,有
* * ˆ ˆ ( ET × H T ) ⋅ ds = ( ET × z × ET / η ∗ ) ⋅ ( − z ) ds
∫ w dv = ∫ w dv
e m v v
(3.3.81)
∫ S ⋅ ds = − j 2ω ∫ (w
S v
图 3.8 体积 V 和 S表面示 表面示 意图
− we )dv
(3.3.80)
这就是说, 内的磁场储能。 这就是说,体积V 内的电场储能等于体积 V 内的磁场储能。 注意,不能从式( 注意,不能从式(3.3.81)得出电场储能密度 w 等于磁场储能 ) e 的结论。当波处于截止状态时, 密度 wm 的结论。当波处于截止状态时,流出体积 V 的功率 的功率。为了说明问题, 将不再等于进入体积 V 的功率。为了说明问题,不妨设波是 方向传播的, 所示, 向 方向传播的,其 ET 、H T 和 方向如图 3.8 所示,所 取的一段波导足够长, 处有场, 处场已消失, 取的一段波导足够长,在截面 S1 处有场,在 S 2 处场已消失, 因此式( 处有效。 因此式(3.3.80)的左端的面积分只在截面 S1 处有效。 )