2010-2011(一)模拟电子技术试卷
2011数字电子技术试题及答案(题库)
2011数字电子技术基础试题（一）一、填空题 : （每空1分，共10分）1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。
2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。
3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。
4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。
5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。
6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。
二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 )1.设图1中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。
图 12.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。
A、或非门B、与非门C、异或门D、OC门3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。
A、通过大电阻接地（>1.5KΩ）B、悬空C、通过小电阻接地（<1KΩ）D、通过电阻接VCC4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。
A、施密特触发器B、多谐振荡器C、单稳态触发器D、T触发器5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。
图2A、计数器B、寄存器C、译码器D、触发器6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。
图2A、并行A/D转换器B、计数型A/D转换器C、逐次渐进型A/D转换器D、双积分A/D转换器7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如图 3所示，则该电路为（）。
图3A、施密特触发器B、反相器C、单稳态触发器D、JK触发器8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。
A、10级施密特触发器B、10位二进制计数器C、十进制计数器D、10位D/A转换器9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。
A、B、C、D、10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。
A、4B、6C、8D、16三、逻辑函数化简（每题5分，共10分）1、用代数法化简为最简与或式Y= A +2、用卡诺图法化简为最简或与式Y= + C +A D，约束条件：A C + A CD+AB=0四、分析下列电路。
电工电子技术与技能试题
2010---2011学年第一学期期末考试试题10级《电工电子技术及应用》第Ⅰ卷（选择题，共100分）一、单相选择题（每小题2分，共100分）1．在电路的基本组成中，用于把其他形式的能转换为电能的是（）。
A．电源B负载C连接导线D控制装置2．电源电动势在数值上与（）相等。
A．电源端电压B．电源两端的开路电压C．电源正负极间的电位差D．内阻上的电压降3．若电路中的电压为负值，则表示电压的实际方向与参考方向（）。
A．相同 B. 相反 C. 可能有关 D.无关4．电流的形成是指（）。
A．自由电子的定向移动 B. 正电荷的定向移动C．电荷的自由移动 D.电荷的定向移动5.下面哪一种说法是正确的（）A．电流的实际方向规定是从高电位指向低电位。
B．电流的实际方向规定是正电荷移动的方向。
C．电流得实际方向规定是负电荷移动的方向。
D. 电流得实际方向有时是正电荷移动的方向，有时是负电荷移动的方向。
6.a点电位5V，b点电位－3V，那么Uba=（）V。
A.2VB. 8VC.－8VD.－2V7.如图所示电路中各电量的参考方向均与真实方向一致，则该电路对应的正确表达式为：A． I=（U+US）/R B. I=（US -U）/RC. I=（U- US）/RD. I= US/R第7题图8．欲将一电流表改装成电压表，则应A．并联分压电阻 B. 串联分压电阻C. 并联分流电阻 D. 串联分流电阻9．有两电阻R1和R2，且R1：R2=1：2。
将他们并联在电路中，则两电阻上的电压之比为（）A．1：1 B 1：2 C 2：1 D 3：210．如果电路中的参考点改变，则A．各点电位不变 B. 各点电位都变C. 各点间电压改变D. 部分点电位改变11．如图所示，当开关s由断开到闭合时A点的电位变化是（）A．12V—6V B．-8V—6V C．-6V—8V D．-6V—-8V第11题图12、长度为L的均匀电阻丝其电阻为R，若将其平均分为5段，则每段电阻丝的电阻为（）A．251R B．101R C．51R D．151R13.６欧与３欧的两个电阻并联，它的等效电阻值应为（）。
模拟电子技术思考题2010
模拟电子技术自测题1．在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。
A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2．在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对3．半导体中的载流子为_________。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 电子和空穴4.N型半导体中的多子是_________。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子5. PN结最重要的特性是_____ ____，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是__________区。
A、单向导电性B. eC. cD. b6.当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等与7. 工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为：_________A．Ube＞0，Ubc＜0 B．Ube＞0，Ubc＞0C．Ube＜0，Ubc＜0 D．Ube＜0，Ubc＞08.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_________。
A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定9.在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_________。
A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定10.能放大电压，也能放大电流的是_________组态放大电路。
A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定11.在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_________。
A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定12.可以放大电压，但不能放大电流的是_________组态放大电路。
A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定13.可以放大电流，但不能放大电压的是_________ 组态放大电路。
A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定14.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_________组态。
2010-2011年济南大学模拟电子考试试题
济南大学2008～2009 学年第 2 学期课程考试试卷（期中）课 程 模拟电子技术基础 授课教师 考试时间 2009 年 7 月 日 考试班级 学 号 姓 名一、单项选择题：在下列各题中，将每空唯一正确的答案代码填入答题表内。
（每空2分，共20分）1、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大2、长尾式差分放大电路R E 上的直流电流I EQ 近似等于单管集电极电流I CQ （ ）倍。
A 、1 B 、2 C 、33、基本共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）。
A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真4、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容5、欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ； A ．电压串联负反馈 B ．电压并联负反馈 C ．电流串联负反馈 D ．电流并联负反馈6、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽7、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ ）。
A ．NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管8、某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（ ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管图19、差分放大电路的共模信号是两个输入端信号的 。
A . 平均值B .和C . 差 10、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适 二、填空题（ 每空1分，共18分） 1、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用 负反馈；为了稳定交流输出电流采用交流负反馈；为了提高放大器带负载能力，一般引入交流 负反馈。
模拟电子技术基本练习题(解)
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。
6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。
7．某三极管工作在放大区时，当I B从20µA增大到40µA，I C从1mA变成2mA。
则该管的β约为 50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。
14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。
2010电工电子技术考试(试题+答案解析)
其电压为 Vcc-Uc。当该电压下降到 Vcc/3 时，555 定时器输出电压 Vo 变为高电平，
负载接 N2 抽头，或将 4Ω 的负载接 N3 抽头，它们换算到一次侧的阻抗相等，均能达
到阻抗匹配，N2∶N3 应为（
）。
(a)4∶1
(b) 1∶1
(c) 2∶1
二、填空题 （每空 1 分，共 8 分）
1．在 P 型半导体中
是多数载流子，
是少数载流子。
2．双极性晶体管工作于放大模式的内部条件是
、
。
3．逻辑函数的描述方法有
uc (t) 20e10t (V) i(t) uc (t) 1 e10t (mA)
20k
八、（12 分）分压式偏置共射极放大电路如图所示，已知 ＝60， RB1 60 K、 RB2 20 K、 RC 3 K、 RE 2 K、 RL 6 K、UCC 16 V。
IA IlY Il 14.4793 j10.9109 38.076 16.650 A
七、（10 分）在下图所示电路中，U=30V，R1=R3=10kΩ，R2=20kΩ，C=10μ F，开
关 S 在“1”位置时电路已处于稳定状态。当 t=0 时，将开关 S 由“1”换到“2”。
《电工电子技术》试卷（B）答案
一、选择题（每题 2 分，共计 8 分）
1、b 2、b 3、c 或 d 4、c
二、填空题 （每空 1 分，共 8 分） 1．空穴；自由电子 2．基区很薄且掺杂浓度很低；发射区掺杂浓度很高，与基区相差很大 3．逻辑真值表；逻辑图 4．高阻态 5．6
三、（6 分）如下图所示电路，ui=10sinwtV，二极管的正向压降可忽略不计。试分 析并画出输出电压 uo 的波形。 解：二极管 VD 起到开关作用：
数字电子技术期末考试卷
职 业 技 术 学 院2010 -- 2011学年 第 一 学期《 数字电子技术 》期末试卷A 卷考试班级： 09电气、电子 答题时间： 90 分钟 考试方式： 闭卷一、填空题（每空格1分，共15分）1、逻辑代数中的基本运算关系有 ， ， 。
2、十进制数27对应的二进制数是 ，（110001）2=（ ）103、TTL 逻辑门电路的典型高电平值是 V ，典型低电平值是 V 。
4、数字逻辑电路分为两大类，它们是__________和________ 电路。
5、逻辑代数常用的表示方法有四种，它们是_____________、_____________、_______________和______________。
6、JK 触发器的特性方程是 、D 触发器的特性方程是 。
二、判断题（每题2分，共10分）1、两只TTL 与非门电路的输出端可以实现线与的功能。
（ ）2、一般地说，2n 个相邻最小项合并，可以消去n 个变量。
（ ）3、555定时器的电源电压范围宽，双极型555定时器为5~16伏，COMS555定时器为3~18V 。
（ ）4、0,0d d R S ==是基本RS 触发器允许的输入信号。
( )5、组合逻辑电路在任意时刻的输出信号只取决于输入信号，与前一状态无关。
（ ） 三、单项选择题（每题2分，共20分）1、可用于总线结构，分时传输的门电路是（ ） A ．异或门 B 、同或门 C 、OC 门 D 、三态门2、n 个输入端的二进制译码器共有（ ）个最小项输出。
A 、 n B 、2n C 、2n D 、n 23、（5）8和（5）10 这两个数（ ）A 、相等B 、前一个大C 、后一个大D 、无法比较 4、连续85个1异或，其结果是（ ） A 、1 B 、85 C 、286 D 、0 5、接74LS00与非门的电源用（ ）伏电压 A 、+8V B 、+12VC+5V D 、-12V 6、下列表达式中正确的是（ ）A 、1.0=1B 、1+0=0C 、 1+1=1D 、1+A=A 7、如图所示，电路输入与输出间实现的功能是（ ） A 、与 B 、或C 、与非D 、或非8．已知某电路的输入A 、B 和输出Y 的波形如下图所示，该电路实现的函数表达式为（ ） (A)A ⊙B (B)A ⊕B (C)AB (D)B A +9.下列电路中属于组合电路的是（ ）(A)集成触发器 (B)多谐振荡器 (C)二进制计数器 (D)3—8译码器 10.下列电路中只有一个稳定状态的是（ ）(A)集成触发器 (B) 施密特触发器 (C)单稳态触发器 (D) 多谐振荡器 四、化简下面各题（每题3分，共12分）1、 Y=AB +A C +C B +C A （代数法）2、 Y=BC A ABC A ++B BC ++C （代数法）3、Y （A ，B ，C ，D ）=∑m （0，2，5，7，8，10，13，15）（卡诺图）封4、Y（A，B，C，D）=∑m（0，1，4，6，9，13）+∑d（2，3，5，7，11，15）（卡诺图）五、分析计算题（共43分）1、设边沿JK触发器的初始状态为0，触发器的触发翻转发生在时钟脉冲的下降沿，已知输入J、K的波形图如图所示，（1）写出JK触发器的特性方程式；（2）画出输出Q的波形图。
电子技术试卷I
得分评分人得分评分人成都市技师学院2010-2011学年下学期《电子技术基础》考试试卷I专业班级: 学号姓名一、填空（共20分）1. 晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
2. 放大器级间耦合方式有三种：耦合；耦合；耦合；在集成电路中通常采用。
3. 差分放大器的基本特点是放大、抑制。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是，要消除此失真，应改用类推挽放大器。
二、单项选择题（共36分正确答案填入[ ]内）1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部。
[ ]A 多数载流子浓度增B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为。
［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v ⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB= -6.3v，VE= -7v，VC= -4v，可以判定此晶体管是管，处于。
［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区4.集成运放电路采用直接耦合方式是因为[ ]A 可获得较高增益B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正是：[ ]A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小C 共基极电路的AV最小、RI最小、RO最大D 共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。
[ ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度D 受输入信号变化的影响7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是，而提高共模抑制比. [ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。
模拟电子技术期中试卷(101102)
浙江传媒学院《模拟电子技术》期中考试卷2010 — 2011学年第二学期班姓名学号V U 82-=、V U 2.53-=，则三极管对应的电极是：1为 极、2为 极、3为 极，该三极管属 型三极管。
4、在下图所示电路中， 已知VCC ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
试求下列空格（要求先填文字表达式后填得数）。
（1）当i U ＝0V 时，测得U BEQ ＝0.7V ，若要基极电流I BQ ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和Rb ＝______________________≈_________k Ω；而若测得U CEQ ＝6V ，则Rc ＝______________________≈____________k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数u A ＝_____________________≈________。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载后输出电压有效值o U ＝_______________＝___________V 。
5、在三极管三种组态放大电路中，输出电阻最小的是____________，高频特性最好的是___________________，输入电阻最大的是____________________。
三、简答题（每小题5分，共10分）1、简述利用半导体可以制造哪些器件？其各自的特性是什么？2、温度的变化对放大器有什么影响？如何解决？四、分别改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(每小题5分，共20分)五、计算题(共计40分)1、电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
(8’)2、电路如图P2.19所示，晶体管的 ＝60，'bb r =100Ω。
面向对象建模技术模拟试卷A(带标注)
2010-2011学年第1学期面向对象建模技术模拟试题（A卷）考试时间：2010年12月30日班级学号姓名✧请将答案写在答题纸上，写明题号，不必抄题，字迹工整、清晰；✧请在答题纸和试题纸上都写上你的班级，学号和姓名，交卷时请将试题纸、答题纸和草纸一并交上来。
一、选择题，每题1分，共计20分。
每个括号里的数字为该空的题号，从该题号对应的备选答案中选择最佳的一项，每空限填一个选项。
请按如下表格在答题纸上答此题。
在UML语言中，下图中的a、b、c三种图形符号按照顺序分别表示（1）。
a b c1.供选择的答案：A. 边界对象、实体对象、控制对象B. 实体对象、边界对象、控制对象C. 控制对象、实体对象、边界对象D. 边界对象、控制对象、实体对象（2）设计模式定义了对象间的一种一对多的依赖关系，以便当一个对象的状态发生改变时，所有依赖于它的对象都得到通知并自动刷新。
2.供选择的答案：A. Adapter（适配器）B. Iterator（迭代器）C. Prototype（原型）D. Observer（观察者）Round-Trip Engineering能够帮助维持软件架构的完整性。
但(3) 不是Round-trip Engineering 的好处之一。
3.供选择的答案：A. 发现和评估软件架构上的改动B. 为相同的接口提供不同的实现C. 在每次迭代中保持模型和代码的同步D. 传达被接受的架构改动下面４种符号在Rose中表示的模型元素分别为（4）4.供选择的答案：A. 接口(Interface) 类操作(Operation) 时序图(Sequence Diagram) 类属性(Attribute)B. 类操作(Operation) 接口(Interface) 类属性(Attribute) 时序图(Sequence Diagram)C. 接口(Interface) 类属性(Attribute) 类操作(Operation) 时序图(Sequence Diagram)D. 时序图(Sequence Diagram) 类属性(Attribute) 接口(Interface) 类操作(Operation)在建立系统的用例模型时，首先应该确定系统的参与者。
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≈ ≈
kΩ；而若测得 UCEQ＝ kΩ。
（b）若测得输入电压有效值U i =5mV 时，输出 电 压有
效值
U
' o
＝0.6V，
则电压放大倍数 Au ＝
≈
。若负载电阻 RL 值与 RC 相
等 ，则带上负载后输出电压有效值U o ＝
图8
＝
V。
《模拟电子技术(Ⅱ)》B
第3页共4页
15. 直流稳压电源如图 9 所示。(本题 12 分) （1）说明电路的整流电路的类型，调整管、基准电压、比较放大电路、采样电路等 部分各由哪些元件组成，元件 R’与 D’Z 与运放的关系。 （2）标出集成运放的同相输入端和反相输入端。 （3）若 V2=15V，Dz 的反向击穿电压 VZ=5V，R1=R3=3kΩ，R2=2kΩ，写出输出电压 Vo 的输出电压范围，计算 T1 管承受的 VCE1 最大压降。
题共 10 小题，每空 2 分，共 20 分)
1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入(
)。
(a) 电压串联负反馈 （b）电流并联负反馈 （c）电流串联负反馈
命
2. 图 1 为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。 封
(a) L1 (b) L2 (c) C1
组
）偏置。
题
密
三 题号 一 二
11 12 13 14
15 16
总分
(a）正向
(b) 反向
(c) 零向
8.如图 4 电路，设二极管为理想元件，则电压 UAB 为（ ）V。
人 ：
(a) 0
(b) 5
(c)-8
分值 20 10 10 12 12 12 12 12
审
得分
题
-+
人
：
一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大
D1- D4
v2
VC
vo
题
图9
《模拟电子技术(Ⅱ)》B
第4页共4页
（1）分别说明 A1 和 A2 各构成何种类型的电路，最后实现何种功能； （2）画出 uO1 与 uO 的传输特性曲线 uO1＝f（uO）； （3）画出 uO 与 uO1 的传输特性曲线 uO＝f（uO1）； （4）定性画出 uO1 与 uO 的波形。
《模拟电子技术(Ⅱ)》B
第1页共4页
姓名
公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊
学号
年级
重庆大学《模拟电子技术（Ⅱ）》
A卷
B卷
2010 ~2011课学程年 试第卷1 学期
(c)C 的容量过小 5. 图 3 为（ (a)甲乙类 OCL (c)甲乙类 OTL
）功率放大电路。 (b)乙类 OTL
命 题 人 ：
11. 如图 5 电路中，计算输入输出运算关系 U0=f(Ui1,Ui2)，写出推导步骤。（10 分）
R2
R2
Uo2
A2
Ui1
R3 R1
R2/2 Uo
A1
Ui2
R1
R3
图5
《模拟电子技术(Ⅱ)》B
图6
第2页共4页
13.电路如图 7 所示，试问：(本题 12 分)
（1）此电路构成何种类型负反馈？是否存在正反馈？ （2）计算满足建立振荡平衡条件的 R’W 值；振荡频率 f0 的调节范围。
题
图3
图4
时
间
9.抑制频率为 100kHz 以上的高频干扰，应采用（
）滤波电路。
：
3. 负反馈对放大器的影响是（
）
(a)低通 (b)带通
(c)带阻
A、减少非线性失真 B、增大放大倍数
C、收窄通频带
10. UGS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是(
)。
(a) 结型管 (b) 增强型 MOS 管 (c) 耗尽型 MOS 管
14.在图 8 电路中， 已知 VCC＝12V，晶体管的＝100， Rb' ＝100kΩ。（１）画出小信
号等效电路;（２）填空：要求先填文字表达式后填得数。(本题 12 分)
（a）当U i ＝0V 时，测得 UBEQ＝0.7V，若要基极电流 IBQ＝20μA，则 Rb' 和 RW 之和
Rb＝ 6V，则 Rc＝
测得其输出电压为 28.28V，这是由于（
）的结果。
(a) C 开路
(b) RL 开路
3．乙类互补对称 OTL 电路中的交越失真是一种非线性失真。
（
）
4．一般情况下高频信号发生器中采用 LC 振荡电路。
（
）
专业、班
学院
5．在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。
（
）
三、计算题： (本题 70 分)
熊
6. 共模抑制比 KCMR 是（
）之比。
兰
开课学院： 电气 课程号：15012335
考试日期： 2010-12-30
(a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号
考试方式： 开卷 闭卷 其他
考试时间： 120 分钟
(c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（
图7
12.电路如图 6，设 T1 和 T2 管的饱和管压降│UCES│＝0V，VCC＝10V， RL＝4Ω，输 入电压足够大。试问： (本题 12 分)
（1）电路中 D1 和 D2 管的作用是什么？静态时，晶体管发射极电位 UEQ 为多 少？
（2）试计算最大输出功率 Pom、效率η以及晶体管 的最大功耗 PTmax。
图 11
16.电路如图 10，要求如下。(本题 12 分)
二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题 2 分， 教
共 10 分)
务
处
1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信 制
号。(
)
线
2.对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就能自行起振。(
)
图1
图2
4. 图 2 为单相桥式整流滤波电路，u1 为正弦波，有效值为 U1=20V，f=50HZ。若实际