基于DSP的外部并行存储器接口设计

基于DSP的外部并行存储器接口设计
基于DSP的外部并行存储器接口设计

课程设计(论文)

题目名称基于DSP的外部并行存储器接口设计课程名称专业课程设计II

学生姓名段红飞

学号0941301200

系、专业信息工程系、通信工程

指导教师李星亮

2012年6月10日

目录

1存储器TMS320C54X的接口设计 (2)

1.1外部RAM接口的设计 (2)

1.2 Flash接口的设计 (2)

2 系统硬件设计 (3)

2.1方案选择 (3)

2.2系统的开发平台与环境 (4)

2.3元器件介绍 (4)

2.4硬件核心设计图 (5)

3系统软件设计 (6)

3.1 软件流程图 (6)

3.2 软件核心代码 (8)

3.3程序运行后CPU寄存器和DSP存储器的数据 (12)

4课程设计总结 (13)

参考文献资料 (14)

致谢 (15)

1存储器TMS320C54X的接口设计

1.1外部RAM接口的设计

C54x系列DSP芯片外部RAM接口设计主要有以下三种扩展分离的方法:(1)外接一个128K*16的RAM,程序区和数据区分开

它采用程序选通线(/PS)接外部RAM的A16地址线实现。因此,程序区为RAM的钱64K,数据区为RAM的后64K。

(2)混合程序区和数据区

当OVL Y=1时,内部RAM即使数据区又是程序区,这样设置的好处是程序可以在内部全速运行。缺点是由于程序和数据是共用的,存储区就变小了,此外,在链接时必须将程序和数据分开,以避免重叠。

(3)一种优化的混合程序和数据区外接RAM方法

这种方法省去了DSP的A15地址线,将RAM分为32K长度的块。采用这种方法吗,可充分利用外接的RAM,不会因内部RAM和外部RAM的地址重叠而造成外部RAM的浪费。这种优化的外部RAM配置方法,使得在使用DSP内部RAM的情况下能够充分利用外部扩展RAM。

1.2 Flash接口的设计

(1) Flash的控制逻辑信号

Flash有6根控制逻辑信号,如表2-1所示。

(2)控制信号

Flash的工作状态是由命令控制的,有三个常用的命令,如表2-2所示。

Flash存储器内部以扇区来组织,对Flash存储器编程是以块为单位进行的。在对Flash编程前,必须先对扇区进行擦除。编程和擦除都需要两个总线周期的操作,如表2-3所示。

表2-3

2 系统硬件设计

2. 1方案选择

对于基于DSP平台的Flash接口设计,经过综合考虑了几种方案之后决定,采用一个带TMS320C54X DSP内核的Flash接口芯片28F400B3(成本非常低),再加上简单的外围电路和时序调整电路。这种芯片仅仅完成Flash底层的数据链路级交换,并提供给本地微控制器一个并行的接口,但是它并不完成协议层的工作。协议层的工作需要对微控制器编程,控制Flash接口芯片来实现接口协议。所以,开发难度相对来说大一些,要做的编程工作也多一点。但是这套方案的成本非常低,而且由于直接用DSP作为微控制器,没有原单片机的瓶颈限制,所以可以实现很高的数据传输速率。

2.2系统开发环境

2.2.1 CCS开发环境

CCS提供了配置、建立、调试、跟踪和分析程序的工具,它便于实时、嵌入式信号处理程序的编制和测试,它能够加速开发进程,提高工作效率。CCS 提供了基本的代码生成工具,它们具有一系列的调试、分析能力。CCS支持如下图3.1所示的开发周期的所有阶段。

图 3.1

2. 3元器件的介绍

TMS320C549系列属于定点DSP芯片,低功耗和低成本是其主要的特点。它是基于改进的哈佛结构的16bit定点DSP芯片,特别适用于无线通信的实时嵌入式系统。其单周期为12.5ns,最大运算能力为80MIPS.其内部的

高性能CPU拥有40位算术逻辑单元,包括一个40bit的桶行移位器和两个独立40bit累加器,比较,选择和存储单元等。最大可寻址能力192K字,扩展寻址模式时具有8M字的最大可寻址外部程序空间。拥有一套高效灵活的指令集,具有强大的系统接口能力,从而为硬件设计提供了方便。

2. 4硬件核心设计图

DSP与Flash的接口如图3-3所示:

3-3DSP与Flash的接口

3 系统软件设计

3.1软件流程图

下图为软件的编程流程图:

4.1 软件编程流程图

下图为软件擦除流程图:

4.2 软件擦除流程图

3.2软件核心代码

.mmregs

.def Start

.text

Start:

STM #00FEH,SP

STM #03B4H,SWWSR

CALL SET_READ_MODE ;设置读模式

STM #0,AR1 ;AR1设置为块地址

CALL ERASE

STM #4000H,AR1 ;AR1设置为数据地址

LD #55AAH,B

CALL PROGRAM

CALL SET_READ_MODE

SET_READ_MODE:

SSBX XF ;启用命令写

LD #0FFH,A ;读阵列命令代码

STM #4000H,AR1

STL A,*AR1 ;写命令代码

RPT #4

NOP ;CPU延时

RSBX XF ;禁用写命令

RET

ERASE:

PSHM AR1 ;保存块地址

SSBX XF ;禁用写命令

LD #20H,A

STM #4000H,*AR1

STL A,*AR1 ;设置首字节为20h

LD #0D0H,A ;设置第二个字节为0d0h

STL A,*AR1

RPT #4

NOP ;CPU延时

RSBX XF

E_RS:

LD *AR1,A

ADD A,#0,B ;B=A

AND #80H,B ;测试sr.7

BC E_SC,BNEQ

AND #40H,A

BC Error,ANEQ

B E_RS ;读sr

E_SC:

AND #3AH,A

BC Error,ANEQ

POPM AR1 ;恢复地址

RET

PROGRAM:

SSBX XF

LD #40H,A

STL A,*AR1

RPT #4

NOP ;CPU延时

STL B,*AR1 ;写数据

RPT #4

NOP ;CPU延时

RSBX XF ;禁用命令写入

P_RS:

LD *AR1,A

ADD A,#0,B ;b=a

AND #80H,B ;测试sr.7

BC P_RS,BNEQ ;读sr

P_SC:

AND #1AH,A

BC Error,ANEQ ;误码掩盖

RET

Error:

B $ ;循环

.sect ".vec"

B Start

.end

Cmd文件如下:

MEMORY

{

PAGE 1:

INT_D : ORIGIN=80h, LENGTH=1F80h PAGE 0:

EXT_P : ORIGIN=2080h, LENGTH=2000h }

SECTIONS{

.text : > EXT_P PAGE 0

.int_table : > (EXT_P ALIGN (128) PAGE (0)) .bss : > INT_D PAGE 1

}

3.3程序运行后CPU寄存器和DSP存储器的数据

4课程设计的总结与体会

在这次的课程设计中我遇到了些问题,如程序的设计中,语句的语法和常量定义都有严格的要求,有时输入一个中文标点,打错一个字母编译就不能通过。在解决这些问题时也是一个再次学习的过程。经过了两个星期的学习,我终于完成了外部并行存储器接口课程设计。从开始接到论文要求到时钟的实现,再到论文文章的完成,每走一步对我来说都是新的尝试与挑战。在这段时间里,我学到了很多知识也有很多感受,我开始了独立的学习和试验,查看相关的资料和书籍,让自己头脑中模糊的概念逐渐清晰,我感受到做论文是要用心去做的一件事情,是真正的自己学习的过程和研究的过程,没有学习就不可能有研究的能力,没有自己的研究,就不会有所突破。通过本次毕业设计,我在老师的精心指导和严格要求下,获得了丰富的理论知识,极大地提高了实践能力,DSP领域这对我今后进一步学习计算机方面的知识有极大的帮助。在此,忠心感谢老师以及许多同学的指导和支持。

参考文献资料

[1]张雄伟.曹铁勇.DSP芯片的原理与开发应用第四版. 电子工业大出版社,2011.5. [2]郑红.周星. DSP应用系统设计实例第一版. 北京航空航天大学出版社,2008.1.

[3]TMS320C54x DSP结构、原理及应用(第2版). 北京航空航天大学出版社,2007.8. [4]王忠勇.陈恩庆.DSP原理与应用技术.电子工业出版社,2009.10.

致谢

通过本次毕业设计,我在老师的精心指导和严格要求下,获得了丰富的理论知识,极大地提高了实践能力,DSP领域这对我今后进一步学习知识有极大的帮助。在此,忠心感谢我的指导老师李星亮和授课老师刘伟春。

dsp复习要点1

第一章绪论 1.数字信号处理算法一般的实现方法有哪些?(详见课本 P2) 2.简述数字信号处理器的主要特点; 答:(1)存储器采用哈佛或者改进的哈佛结构;(2)内部采用了多级流水; (3)具有硬件乘法累加单元;(4)可以实现零开销循环;(5)采用了特殊的寻址方式;(6)高效的特殊指令;(7)具有丰富的片内外设。 3.举例请给出数字信号处理器的运算速度指标; 答:常见的运算速度指标有如下几种: (1)指令周期:执行一条指令所需的最短时间,数值等于主频的倒数;指令周期通常以ns(纳秒)为单位。例如,运行在200MHz的TMS320VC5510的指令周 期为5ns。 (2)MIPS:每秒百万条指令数。 (3)MAC时间:一次乘法累加操作花费的时间。大部分DSP芯片可在一个指令周期内完成MAC操作; (4)FFT执行时间:完成N点FFT所需的时间。FFT运算是数字信号处理中的典型算法而且应用很广,因此该指标常用于衡量DSP芯片的运算能力。 4. 简述哈佛结构的概念。 解:哈佛结构试验种将程序指令存储器和数据存储器分开的存储器结构。 哈佛机构是一种并行体系结构,它的主要特点是将程序和数据存储在不同的 存储空间中,即程序存储器和数据存储器是两个独立的存储器,每个存储器 独立编址,独立访问。 5. DSP与单片机,DSP与嵌入式处理器的主要区别是什么? 解:DSP运算能力强,擅长很多的重复数据运算,而MCU则适合不同信息 源的多种数据的处理诊断和运算,侧重于控制,速度并不如DSP。一般来说 MCU偏重于控制,DSP侧重于运算,MCU区别于DSP的最大特点在于它的通

用性,反应在指令集和寻址模式中。通常我们将的单片机和嵌入式芯片一般属于MCU,单片机8位和16位居多,ARM以32位居多。 6.TMS320C54x型DSP采用结构对程序存储器和数据存储器进行控制 7. DSP处理器按数据格式分为两类,分别是和 8. 从数据总线的宽度来说,TMS320C54x型DSP是位的DSP处理器 9.目前市场上DSP生产厂商位居榜首的是( D ) (5) A Motorola B ADI C Zilog D TI 第二章TMS320C54x的硬件结构 10. TMS320C54x DSP 芯片的存储器结构如何?(详见课本 P9) TMS320C54x 存储器由3 个独立的可选择空间组成:程序空间、数据空间和I/O 空间。程序存储器空间包括程序指令和程序中所需要的常数表格;数据存储器空间用于存储需要程序处理的数据或程序处理后的结果;I/O 空间用于与外部存储器映象的外设接口,也可以用于扩展外部数据存储空间。 C54x存储器空间通常可以分为3个可单独选择的空间: 64K程序空间、64K数据空间和64K I/O 空间。CPU状态寄存器的MP/MC、OVLY和 DROM位影响实际存储器的配置。 所有TMS320C54x 芯片都包括随机访问存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。RAM可分成若干块,每一个块可以在一个机器周期内读两次或读一

DSP第三章

第三章 DSP芯片开发工具的 特点及应用
§3.1 DSP开发环境 §3.2 通用目标文件格式COFF §3.3 编程工具特点及应用 §3.4 调试工具的特点及应用
XCHL
《DSP原理及应用》讲稿
1

宏源程序 文件
C语音 源文件 汇编语音 源文件
§3.1 DSP 开发环境
汇 编 语 音 开 发 流 程
归档器 宏文件库
C编译器 汇编语音 源文件 建库应 用程序 实时 支持库 Computer 调试工具
汇编器
归档器
COFF通用 目标文件
目标 文件库 十六进制 转换程序 EPROM中 的十六进制 代码程序 绝对 列表器
链接器 可执行的单个 COFF文件
交叉引用 TMS320C2XX 芯片 列表器 返回本章首页
2
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《DSP原理及应用》讲稿

§3.2 通用目标文件格式COFF
COFF文件格式是基于段(section)的概念建立的,即程序被分 解成各种段的组合体:如文本段、数据段等。这种文件格式便于 实现模块化程序设计,即程序员设计时只需基于代码段和数据段 等概念进行,不需关注每条命令或每个数据的具体目标地址。至 于它们的最终将处于存储器的哪个位置,将由链接器来安排。
? ? ? ? ? ?
段的概念及分类 段的创立 段的组合及其在存储器中的映象 程序重定位 COFF文件内的符号 COFF文件的装载
?
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3

9外部存储器(两课时)

授课课题:外部存储器 授课时间:月日第周星期第节 授课班级: 授课类型:理论课 教学目标、要求: 1、认识计算机的外部存储器 2、掌握外部存储器的相关参数 教学重难点: 1、认识计算机的外部存储器 2、掌握外部存储器的相关参数 教学方法:讲授 教学手段:多媒体 教时安排:2课时 参考资料:无 教学过程: 外部存储器即外存,也称辅存,主要作用是长期存放计算机工作所需的系统文件、应用程序、用户程序、文档和数据等。 外存储器是指除计算机内存以及CPU缓存以外的存储器,一般断电后任然能保存数据。常见的有硬盘、软盘、光盘、U盘等。 1、硬盘

硬盘的存储容量较大,目前流行的硬盘容量一般在80GB—1.5TB 之间,存取速度比早起的硬盘有了很大的提高,是目前计算机系统配置中必不可少的外存储器,由一个或者多个玻璃制的碟片组成,这些碟片外部覆盖有铁磁性材料。绝大多数硬盘都是固定硬盘,被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。 2、硬盘的主要性能技术指标 作为计算机系统的数据存储器,容量是硬盘最主要的参数。 硬盘的容量以兆字节或千兆字节为单位,计算机是以1024为换算的,但硬盘厂商通常是以1000为换算单位,所以硬盘上标称的容量在计算机中显示的要小一点。 转速时硬盘内电机主轴的旋转速度,也就是硬盘盘片在一分钟内所能完成的最大转数,转速决定硬盘内部传输率和需找文件的速度。单位是每分钟多少转。 平均访问时间是指磁头从其实位置到达目标磁道位置,并且从目标磁道上找到要读写的数据扇区所需的时间。 目前硬盘的平均寻道时间通常在8—12MS之间,决定着硬盘的访问速度快慢。 传输速率是指硬盘的数据传输率,硬盘的读写数据的速度,单位为兆比特每秒,包括内部数据传输率和外部数据传输率。 内部传输率也称为持续传输率或借口传输率,标称的是系统总线与硬盘缓冲区之间的数据传输率,外部数据传输率与硬盘借口类型和硬盘缓存的大小有关。

专题:存储器与接口设计

专题:存储器与接口设计 存储器接口类型可分为:异步存储器接口和同步存储器接口2大类型 异步存储器接口类型是最常见的,也是我们最熟知的,MCU一般均采用此类接口。相应的存储器有:SRAM、Flash、NvRAM……等,另外许多以并行方式接口的模拟/数字I/O器件,如A/D、D/A、开入/开出等,也采用异步存储器接口形式实现。 同步存储接口相对比较陌生,一般用于高档的微处理器中,TI DSP中只有C55x 和C6000系列DSP包含同步存储器接口。相应的存储器有:同步静态存储器:SBSRAM和ZBTSRAM,同步动态存储器: SDRAM,同步FIFO等。SDRAM可能是我们最熟知的同步存储器件,它被广泛用作PC机的内存。 C2000、C3x、C54x系列DSP只提供异步存储器接口,所以它们只能与异步存储器直接接口,如果想要与同步存储器接口,则必须外加相应的存储器控制器,从电路的复杂性和成本的考虑,一般不这么做。C55x、C6000系列DSP不仅提供了异步存储器接口,为配合其性能还提供了同步存储器接口。 C55x和C6000系列DSP的异步存储器接口主要用于扩展Flash和模拟/数字I/O,Flash主要用于存放程序,系统上电后将Flash中的程序加载到DSP片内或片外的高速RAM 中,这一过程我们称为BootLoader同步存储器接口主要用于扩展外部高速数据或程序RAM,如SBSRAM、 ZBTSRAM或SDRAM等。 现在的问题是如何设计DSP系统的外部存储器电路,即DSP如何正确地与各种类型的存储器芯片接口。在DSP外部存储器电路设计中经常会遇到下列一些问题:DSP提供的外部存储器接口信号与存储器芯片所需要的接口信号不完全一致某 些DSP支持多种数据宽度的访问,如8/16/32位数据宽度等,存储器电路中如何实现?数据、地址线在PCB布线时,为了走线方便,经常会进行等效交换,哪些存储器可以作等效交换、哪些不行? 下面我们将按存储器类型分别来解答这些问题 异步存储器:Flash 对于flash,读操作与SRAM相同;擦除和写入操作以命令序列形式给出,厂商不同,命令序列可能稍有不同写入命令序列后,Flash自动执行相应操作,直到完成,随后自动转为读状态。在完成相应操作前,读Flash得到操作是否完成的状态信息,而非存储单元数据. 对于flash,因为擦除跟写入操作以命令序列形式给出,可以对进行编程,包括两种方式: 1、在线,load2段程序,把要烧写的程序当作文件写入到Flash中 2、离线,通过JTAG烧写 3.3V、16位宽度的、工业标准Flash有4种,它们的引脚兼容,均为48引脚的TSOP封装在PCB布线时,以最大容量1M×16位Flash布线,则可根据容量需要安装如何一种FlashFlash的数据和地址线不可以等效交换BootLoader考虑Flash应定位于特殊的位置,设计时应参考相应器件的数据手册 1、VC33,Flash应定位在PAGE0的1000H、或PAGE1的400000H、或PAGE3的FFF000H,可支持8/16/32位数据宽度

存储器及其接口

存储器的种类、特性和结构 一、分类 按元件组成:半导体M,磁性材料存储器(磁芯), 激光存储器 按工作性质:内存储器:速度快,容量小(64K?8Gbyte) 外存储器:速度慢,容量大(20MB?640GB)二、半导体存储分类 RAM SRAM 静态 DRAM 动态 IRAM 集成动态 ROM 掩膜ROM PROM 可编程 EPROM 可改写 E PROM 可电擦除 三、内存储器性能指标 1. 容量M可容纳的二进制信息量,总位数。 总位数=字数×字长bit,byte,word 2. 存取速度 内存储器从接受地址码,寻找内存单元开始,到它 取出或存入数据为止所需的时间,T A。 T A越小,计算机内存工作速度愈高,半导体M存储 时间为几十ns?几百ns ns=mus 3.功耗 维持功耗操作功耗 CMOS NMOS TTL ECL (低功耗.集成度高)(高速.昂贵.功耗高) 4、可靠性 平均故障间隔时间 MTBF(Mean Time Between Failures) 越长,可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关. 5、集成度 位/片1K位/片?1M位/片

在一块芯片上能集成多少个基本存储电路 (即一个二进制位) 四、存储器的基本结构 随机存储器RAM 或读写存储器 一、基本组成结构 存储矩阵 寄存二进制信息的基本存储单元的集合体,为便于读写,基本存储单元都排列成一定的阵列,且进行编址。 N×1—位结构:常用于较大容量的SRAM,DRAM N×4 N×8 —字结构常用于较小容量的静态SRAM

2、地址译码器 它接收来自CPU的地址信号,产生地址译码信号。选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作 两种编址方式: 单译码编址方式. 双译码编址方式 (字结构M)(复合译码) 存储容量

dsp复习详解

三、TMS320C54X的指令系统 TMS320C5000指令系统TMS320C54x的指令集 TMS320C54x的指令集有近两百条指令,按功能分为如下几类: ?算术运算指令?逻辑运算指令?程序控制指令?装入和存储指令 一、算术运算指令 算术运算指令可分为如下几类: ?加法指令?减法指令?乘法指令?乘加指令?乘减指令?双数/双精度指令?特殊操作指令定点DSP中数据表示方法 当它表示一个整数时,其最低位(D0)表示1,D1位表示2的1次方,次高位(D14)表示2的14方。 如果表示一个有符号数时,最高位(D15)为符号位,0表示正数,1表示负数。例如,7FFFH 表示最大的正数32767(十进制),而0FFFFH表示最大的负数-1(负数用2的补码方式显示)。实现16位定点加法 ‘C54X中提供了多条用于加法的指令,如ADD,ADDC,ADDM和ADDS。其中ADDS用于无符号数的加法运算,ADDC用于带进位的加法运算(如32位扩展精度加法),而ADDM专用于长立即数的加法。 1、加法指令 使用ADD完成加法 LD temp1, A ;将变量temp1装入寄存器A ADD temp2, A ;将变量temp2与寄存器A相加 ;结果放入A中 STL A, temp3 ;将结果(低16位)存入变量 ;temp3中。 注意:这里完成计算temp3=temp1+temp2,我们没有特意考虑temp1和temp2是整数还是小数,在加法和下面的减法中整数运算和定点的小数运算都是一样的。

利用ADDS实现32位数据装入: LD #0,DP ; 设置数据页指针LD 60H,16,A ; 将60H的内容装到A的高16位ADDS 61H, A ;将61H的内容加到A的低16位DLD 60H,B ; 直接装入32位到B寄存器 2、减法指令 TMS320C54x汇编指令集:符号与缩写:

存储器类型综述及DDR接口设计的实现

存储器类型综述及DDR接口设计的实现 存储器类型综述及DDR接口设计的实现 存储器综述 在过去的数年里,电子市场,确切地说是存储器市场,经历了巨大的变化。在 2000 年电子工业低迷时期之前,设计师很少考虑他们下一个设计中元器件的成本,而更关注它们能够达到的最高性能。 今天,竞争的加剧以及利润率的下降迫使系统设计师在降低下一代产品成本的同时,保持、甚至提高系统的性能种转变的结果,有一个工业部门经历了实质性的增长,它就是 DRAM 存储器,尤其是双倍数据速率(DDR) S DRAM 存储DDR存储器最初是一种高性能、低成本的存储器解决方案,主要用于个人计算机和其它成本敏感的消费品市场。于施加在整个电子工业上的经济压力,非消费产品也开始采用DDR存储器了(图 1)。 图 1 来源:IC Insights DDR是一种基于S DRAM 的革命性的存储器技术。DDR S DRAM 的存取速度是S DRAM 的两倍,因为DDR的数据传时钟的所有两个边沿。而S DRAM 仅在时钟的上升沿传送数据。因此,DDR能够传送数据的速度高达2133MB/s。与传统AM 相比,DDR还具有更低的功耗。它的工作电压是直流2.5V,而S DRAM 是直流 3.3V 。 市场分析表明,在当今所有的电子系统中,超过50%采用了DDR存储器,并且预计在接下来的几年中将增长到80不是,并且永远也不会是一种针对所有设计的技术。DDR存储器非常适用于那些高读写比率的设计。而诸如四倍数据器,适用于50%读写比率的应用。图2确定了多种顶尖的存储器技术以及它门各自所属的读/写曲线。

图 2 不同存储器类型的读/写率的比较 如上所述,每个系统有各自独特的存储器要求。在服务器应用的例子中,读写趋于较高的比率,表示需要DDR。理器与支持大数据包的MAC的接口例子中,在处理之前,这些数据包需要进行缓冲和存储,接近1:1的读写比率,表一个合适的存储器结构。 图3展示了一个通用通信线卡印刷电路板的例子。基于系统设计者的要求,这张结构图上指出了在哪里一些通用型可以被采用。在很多系统中采用了相似的决策过程,从而选择合适的存储器结构。 图 3 下面的目录指出了针对不同的系统和功能的合适的存储器结构。这些选择基于系统结构和各自的性能/成本综合要·查找-快速的开关/访问时间 -临界延时,以读取为导向,较小的总线宽度(32/64位)

C8051F02X外部存储器接口和IO端口配置

https://www.360docs.net/doc/1d7746805.html,/news/html/70/show1598.htm 摘要:介绍美国Cygnal公司生产的C8051F02X系列单片机的外部存储器接口、I/O 端口配置方法和有关注意的问题;在此基础上列举两个关于EMIF、I/O的配置应用。 关键词:C8051F02X EMIF I/O 交叉开关 美国Cygnal公司C8051F02X系列单片机是集成在一起芯片上的混合信号系统级单片机。该单片机具有32/64位数字I/O端口(引脚)、25MIPS高速流水线式8051微控制器内核、64KB在系统可编程Flash存储器、64KB地址的外部存储器接口、4352(4096+256)B片内RAM、各自独立的SPI、SMBUS/I2C和两个UART串行接口等特点。其最突出的优点就是,通过设置交叉开关寄存器控制片内数字资源映射到外部I/O引脚,这就允许用户根据自己的特定应用,选择通用I/O端口和所需要数字资源。当然,在设置数字交叉开关寄存器时,应该首先考虑EMIF的配置问题。其配置不同,将导致单片机通过不同的端口(低或高)访问片外存储器和存储器映像的I/O部件,以及数字交叉开关是否分配外部设备给P0.7(WR)、P0.6(RD)、P0.5(ALE)引脚。(如图EMIF设置为多路器模式。) 1 EMIF和I/O配置方法 1.1 外部存储器接口(EMIF)配置 C8051F02X系列MCU有4KB的RAM可以只映射在片内,也可以映射在64KB外部数据存储器地址空间,还可以同时映射到片内和片外(4KB地址以内在片内存储器空间访问,4KB以上经过EMIF访问)三种方式。对于后两种存储器工作模式,需通过外部存储器接口使用MOVX和DPTR或MOVX和R0(R1)指令访问外部数据存储器和存储器映像的I/O设备。但是对于高8位地址,必须由外部存储器接口寄存器(EMI0CN)提供;而EMIF可将外部数据存储器接口映射到低端口(P0~P3)(F020/2/3系列)或高端口(P4~P7)(F020/2系列),以及配置为复用模式或非复用模式等。配置外部存储器接口的步骤下: *设置EMIF为低端口或高端口; *设置EMIF为复用模式或非复用模式;

51单片机外部存储器的使用

纠结了这么久,现在总算有点儿头绪了,先把它整理到这里先,有几点还是j经常被弄糊涂:地址和数据,地址/数据复用,地址的计算,总线的概念,执行指令跟脉冲的关系,哎呀呀,看来计算机组成和原理不看不行啊,得找个时间瞧瞧,过把瘾了解了解。。。 使用ALE信号作为低8位地址的锁存控制信号。以PSEN信号作为扩展程序存储器的读选通信号,在读外部ROM是PSEN是低电平有效,以实现对ROM 的读操作。 由RD和WR信号作为扩展数据存储器和I/O口的读选通、写选通信号。 ALE/PROG: 当访问外部存储器时,地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。 在FLASH编程期间,此引脚用于输入编程脉冲。 在平时,ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号,此频率为振荡器频率的1/6。因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。然而要注意的是:每当用作外部数据存储器时,将跳过一个ALE脉冲。如想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。此时,ALE只有在执行MOVX,MOVC指令是ALE才起作用。另外,该引脚被略微拉高。如果微处理器在外部执行状态ALE禁止,置位无效。 当访问外部存储器时,ALE作为锁存扩展地址的低8位字节的控制信号。 当访问外部数据存储器时,ALE以十二分之一振荡频率输出正脉冲,同时这个引脚也是EPROM编程时的编程脉冲输入端。] 当非访问外部数据存储器时,ALE以六分之一振荡频率固定输出正脉冲,8051一个机器周期=6个状态周期=12个振荡周期,若采用6MHz的晶体振荡器,则ALE会发出1MHz的固定的正脉冲。因此它可以用来做外部时钟或定时。如果我们把这个功能应用与实际,可能给我们的设计带来简化,降低生产成本。 ALE脚是在使用MOVX、MOVC指令时才会变成有效(这些指令都使用到外部RAM或ROM 的地址。这些指令都有一个特点:地址和数据分时出现在P0口)。使用C写程序时,要使用它有效,可用访问内部RAM地址的方法。如:uVariable=*((char *)0x12C),把0x12C地址的内容给uVariable变量。这个过程有效的脚为ALE、RD。 这个信号线的信号生成是MCU硬件电路实现的,不可以人工控制。 在某些内置TOM的MCU里,可以关闭ALE信号输出,以降低EMI。

TMS320C32 DSP的存储器接口设计方案

TMS320C32 DSP 的存储器接口设计方案 TMS320C32 是美国TI 公司生产的一款浮点数字信号处理器(DSP),是TMS320 系列浮点数字信号处理器的新产品,其CPU 是在TMS320C30 和TMS320C31 的基础上进行了简化和改进。在结构上的改进主要包括可变宽度 的存储器接口、更快速的指令周期时间、可设置优先级的双通道DMA 处理器、灵活的引导程序装入方式、可重新定位的中断向量表以及可选的边缘/电平触发 中断方式等。 1 TMS320C3 2 的外部存储器接口的特点 TMS320C32 是一个32 位微处理器,它可以通过24 位地址总线、32 位数据总线和选通信号对外部存储器进行访问。其外部存储器接口结构如下图l 所示。 在图l 中,引脚(引脚,又叫管脚,英文叫Pin。就是从集成电路(芯片)内部电路引出与外围电路的接线,所有的引脚就构成了这块芯片的接口)PRGW 是用来配置外部程序存储器的宽度的。当PRGW 引脚为低电平时程序 存储器宽度为16 位;当PRGW 引脚为高电平时程序存储器宽度为32 位。STRBO 和STRBl 各为一组访问外部存储器的选通信号,各有4 个信号引脚(STRBx_B3/A_1、STRBx_B2/A_2、STRBx_Bl 和STRBx_B0)。从图l 中我们可以看出,选通信号STRB0 和STRBl 能从8/16/32 位存储器中访问 8/16/32 位数据,或从16/32 位存储器中执行32 位程序;IOSTRB 是外设 I/O 的选通信号引脚,它只能从32 位宽度的存储器中访问32 位的数据和程序。 可以通过对STRBx 和IOSTRB 的设置,从8/16/32 位的存储器中访

5 内存储器

第四课内存储器 第一节内存的类型 内存是一组,或多组具有数据输入/输出和数据存储功能的集成电路。存根据其存储信息的特点,主要有两种基本类型: 第一种类型是只读存储器ROM(Read Only Memory),只读存储器强调其只读性,这种内存里面存放一次性写入的程序和数据,只能读出,不能写入; 第二种类型是随机存取存储器RAM(Random Access Memory),它允许程序通过指令随机地读写其中的数据。 1. 只读存储器ROM 存储在ROM中的数据理论上是永久的,既使在关机后,保存在ROM中的数据也不会丢失。因此,ROM中常用于存储微型机的重要信息,如主板上的BIOS等。常见类型如下: (1) ROM 这是标准ROM,用于存储不随外界的因素变化而永久性保存的数据。在ROM中,信息是被永久性融刻在ROM单元中的,这使得ROM在完成融刻工作之后,不可能将其中的信息改变。 (2) PROM(Programmable Rom)

即可编程ROM,它的工作情况与CD-R相似,允许一次性地写入其中的数据,一旦信息被写入PROM后,数据也将被永久性地融刻其中了,其他方面与上面介绍的ROM就没有什么两样了。 (3) EPROM(Erasable Programmable Rom) 即可擦写、可编程ROM,它可以通过特殊的装置(通常是紫外线)反复擦除,并重写其中的信息。 (4) EEPROM(Electrically Erasable Programmable Rom) 即电可擦写、可编程ROM,可以使用电信号来对其进行擦写。因此便于对其中的信息升级,常用于存放系统的程序和数据。 (5) Flash Memory Flash Memory 即闪存存储器,又称闪存,是目前取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性存储器,目前主板上的BIOS 都是使用Flash Memory。它的存取时间仅为30ns,并具有体积小,高密度,低成本和控震性能好的优点,是目前为数不多的同时具有大容量、高速度、非易失性、可在线擦写特性的存储器。Flash Memory 除用于系统的BIOS外,在移动存储器和HUB、路由器等网络设备中也得到了广泛的应用。 2. 随机存取存储器RAM

(整理)常用存储器芯片设计指南

常用存储器芯片设计指南 现代通讯产品中,各种存储器的应用已经是越来越广泛,可以这么说,产品中包含的存储器的特性的好坏,直接关系到产品整体性能。因此,存储器芯片的设计,在通讯产品的设计中,也显得愈发重要。 目前在通讯产品中应用的存储器,主要有FLASH、SSRAM、SDRAM、串行PROM等,由此延伸出去还有在接口电路中经常应用的FIFO、双口RAM等,下面的内容就是这些常用存储器芯片的原理介绍和在产品中的设计指南。 FLASH介绍 一、BOOT ROM简介 我们在CPU最小系统中一般采用AM29LV040B-90 // SST39VF040-90-4C-NH (代码:10300067,512kB,8位总线宽度,PLCC32封装,3.3V供电)作为BOOT ROM。 BOOT ROM中存放的是系统自举程序,实现CPU系统的自举。当系统上电后,CPU 首先运行BOOT ROM中的程序,完成对CPU系统的初始化。 图1 AM29LV040B-90 // SST39VF040-90-4C-NH引脚图 该FLASH芯片可在线读写,但作为BOOT ROM时,我们一般用烧录机烧写入程序,不对其进行在线写。其读操作时序如图2所示。

图2 读操作时序 下面给出一个MPC860最小系统的应用例子。 图3 MPC860 BOOT电路图 因为我们不需要在线写,所以为防止BOOT FLASH的程序被改写,一般将/WE信号接高电平。 MPC860用8位数据口的方式访问BOOT,经缓冲之后的数据线为BD00-BD07。MPC860地址线使用A31-A13,经一级驱动与BOOT相连。使用/CS0片选端,地址范围0x0800 0000~0x0807 FFFF,使用内部等待,等待周期为8。 BOOT ROM中存放的是系统自举程序,实现MPC860系统的自举。当系统上电后,MPC860首先运行BOOT ROM中的程序,该程序首先完成MPC860的初始化,然后根据参数,将Flash ROM中的应用程序复制到SDRAM空间中,然后将控制权移交给该应用程序运行;或准备应用程序加载,进入调试状态。

最新存储器及其接口

存储器及其接口

存储器的种类、特性和结构 一、分类 按元件组成:半导体M,磁性材料存储器(磁芯),激光存储器 按工作性质:内存储器:速度快,容量小(64K?8Gbyte)外存储器:速度慢,容量大(20MB?640GB) 二、半导体存储分类 RAM SRAM 静态 DRAM 动态 IRAM 集成动态 ROM 掩膜ROM PROM 可编程 EPROM 可改写 E PROM 可电擦除 三、内存储器性能指标 1. 容量 M可容纳的二进制信息量,总位数。 总位数=字数×字长 bit,byte,word 2. 存取速度 内存储器从接受地址码,寻找内存单元开始,到它

取出或存入数据为止所需的时间,T A。 T A越小,计算机内存工作速度愈高,半导体M存储时间为几十ns?几百ns ns=mus 3.功耗 维持功耗操作功耗 CMOS NMOS TTL ECL (低功耗.集成度高)(高速.昂贵.功耗高) 4、可靠性 平均故障间隔时间 MTBF(Mean Time Between Failures) 越长,可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关. 5、集成度 位/片 1K位/片?1M位/片 在一块芯片上能集成多少个基本存储电路 (即一个二进制位) 四、存储器的基本结构

随机存储器 RAM 或读写存储器 一、基本组成结构 存储矩阵 寄存二进制信息的基本存储单元的集合体,为便于读写,基本存储单元都排列成一定的阵列,且进行编址。 N×1—位结构:常用于较大容量的SRAM,DRAM

N×4 N×8 —字结构常用于较小容量的静态SRAM 2、地址译码器 它接收来自CPU的地址信号,产生地址译码信号。选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作 两种编址方式: 单译码编址方式. 双译码编址方式 (字结构M)(复合译码) 存储容量

DSP课后习题集答案解析

第一章 1.简述典型实时数字信号处理系统组成部分。 答:包括:抗混叠滤波器(Anti-aliasing filter)、模数转换器ADC(Analog-to-Digital Converter)、数字信号处理、数模转换器DAC(Digital-to-Analog Converter)和抗镜像滤波器(Anti-image filter) 。 2.简述X86处理器完成实时数字信号处理的优缺点。 答:利用X86处理器完成实时数字信号处理。特点是处理器选择范围宽,主板及外设资源丰富,有多种操作系统可供选择,开发、调试较为方便;缺点是数字信号处理能力不强,硬件组成较为复杂,系统体积、重量较大,功耗较高,抗环境影响能力较弱。 3.简述数字信号处理器的主要特点。 答:(1)存储器采用哈佛或者改进的哈佛结构;(2)内部采用了多级流水;(3)具有硬件乘法累加单元;(4)可以实现零开销循环;(5)采用了特殊的寻址方式;(6)高效的特殊指令;(7)具有丰富的片内外设。 4.给出存储器的两种主要结构,并分析其区别。 答:存储器结构分为两大类:冯·诺依曼结构和哈佛结构。冯·诺依曼结构的特点是只有一个存储器空间、一套地址总线和一套数据总线;指令、数据都存放在这个存储器空间中,统一分配地址,所以处理器必须分时访问程序和数据空间。哈佛结构程序存储器空间和数据存储器空间分开,具有多套地址、数据总线,哈佛结构是并行体系结构,程序和数据存于不同的存储器空间,每个存储器空间独立编址、独立访问。 5.简述选择数字信号处理器所需要考虑的因素。 答:应考虑运算速度、算法格式和数据宽度、存储器类型、功耗和开发工具。 6.给出数字信号处理器的运算速度指标,并给出其具体含义。 答:常见的运算速度指标有如下几种: (1)指令周期:执行一条指令所需的最短时间,数值等于主频的倒数;指令周期通常以ns(纳秒)为单位。例如,运行在200MHz的TMS320VC5510的指令周期为 5ns。 (2)MIPS:每秒百万条指令数。 (3)MOPS:每秒百万次操作数。 (4)MFLOPS:每秒百万次浮点操作数。 (5)BOPS:每秒十亿次操作数。 (6)MAC时间:一次乘法累加操作花费的时间。大部分DSP芯片可在一个指令周期内完成MAC操作; (7)FFT执行时间:完成N点FFT所需的时间。FFT运算是数字信号处理中的典型算法而且应用很广,因此该指标常用于衡量DSP芯片的运算能力。

片机与存储器接口电路设计

目录 1、课程设计目的 (2) 2、课程设计内容和要求 2.1、设计内容 (2) 2.2、设计要求 (2) 3、设计方案 (2) 3.1、设计思路 (2) 3、1、 1 外部存储器的扩展 (2) 3、1、2静态RAM 6264扩展 (3) 3、1、3地址空间的分配 (3) 3.2、工作原理及硬件框图 (6) 3、2、1单片机系统的工作原理 (6) 3、2、2、6264芯片引脚和内部结构 (7)

3、2、3、74LS373引脚图内部结构原理图和电路连接图 (9) 3、2、4、74ls138芯片功能 (10) 3.3、硬件电路原理图 (11) 3.4、PCB版图设计 (12) 4、课程设计总结 (12) 5、参考文献 (13) 1、设计目的 1、1、掌握电子电路的一般设计方法和设计流程; 1、2、学习简单电路系统设计,掌握Protel99的使用方法; 1、3、掌握单片机、存储器的应用; 1、4、学习掌握硬件电路设计的全过程。 2、课程设计内容和要求 2、1、设计内容 对8051单片机实现外扩16KB RAM,采用两片6264作外扩RAM; 2、2、设计要求 2、2、1、学习掌握单片机及静态存储器SRAM的工作原理及应用;

2、2、2、熟练掌握应用Protel99设计原理图及制作PCB图的过程; 2、2、 3、整理设计内容,编写设计说明书。 3、设计方案 3、1、设计思路 3、1、1 、外部存储器的扩展 外部数据存储器的扩展方法及时序 扩展外部RAM电路原理图 读外部数据RAM时序

写外部数据RAM时序 3、1、2、静态RAM 6264扩展 6264是8K×8位的静态随机存储器芯片,它采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗200mW,典型存取时间200ns。 3、1、3、地址空间的分配 地址空间的分配,实际是16位地址线的具体安排与分配,是应用系统统硬件设计中至关重要的一个问题。它与外部扩展的存储器容量及数量、功能接口芯片部件的数量等等有关,必须综合考虑,合理分配。 在外部扩展多片存储和功能部件接口芯片时,主机通过地址总线发出的地址是用来选择某一个存储单元或某一个功能部件接口芯片(或芯片中的某一个寄存器)的。要完成这一功能,必须进行两种选择:一是必须选择出指定的芯片(称之为片选);二是必须选择出该芯片的某一个存储单元。第二种选择由地址总线来完成,现在讨论第一种选择,即选中该芯片。通常有两种片选的方法:线选法和译码法。 线选法 线选法就是将多余的地址总线(即除去存储容量所占用的地址总线外)中的某一根地址线作为选择某一片存储或某一个功能部件接口芯片的片选信号线。一定会有一些这样的地址线,否则就不存在所谓的“选片”的问题了。每一块芯片均需占用一根地址线,这种方法适用于存储容量较小,外扩芯片较少的小系统,其优点是不需地址译码器,硬件节省,成本低。缺点是外扩器件的数量有限,而且地址空间是不连续的。

外部存储器

第五章外部存储器 [教学目标] 1.了解硬盘、光驱和软驱的基本结构。 2.掌握硬盘、光驱主从跳线的设置。 3.了解选购硬盘、光驱时要注意的问题。 [教学重点] 1、掌握硬盘型号的含义及读懂硬盘的标识。 2、掌握依据CPU合理选配主板的方法。 [教学难点] 掌握双硬盘的合理连接方法,以及区分不同接口的硬盘。 [分析学生] 学生对新购买的硬盘标出的容量和电脑检测出来的容量并不相符,容易产生疑惑。对DVD盘片与CD 盘片结构产生疑问。 [教学用具] 计算机,投影仪,已拆解的光驱和硬盘各一个。 [课时安排] 4课时 [教学过程] 一、导入新课 通过前面的学习,我们已经清楚断电后,内存中的信息就会丢失。完成保存信息的任务现阶段只能有硬盘、光盘这些外部存储设备完成。 提问学生:现今为什么硬盘、光盘成为了最主要的外部存储设备? 引导学生思考、回答并相互补充。 教师总结归纳硬盘、光盘存储容量大、可靠性高、价格适中、技术成熟。因此它们在电脑中成为不可或缺的标准配置。 二、新课教学

第五章外部存储器 5.1硬盘存储器 5.1.1 基础知识:认识硬盘 提问:1同学们可能了解硬盘的外部模样,但我们现在请同学们仔细观察硬盘的内部结构之后,说一说硬盘是如何工作的? 2硬盘内部是真空的么? 学生思考、看书、回答; 教师总结: 第一个问题:硬盘由头盘组件与印刷电路板组件组成。磁头定位的驱动方式主要有步进电机驱动(已淘汰)和音圈电机驱动两种。其盘片及磁头均密封在金属盒中,构成一体,不可拆卸,金属盒内是高纯度气体。 在硬盘的正面都贴有硬盘的标签,标签上一般都标注与硬盘相关的信息,如产品型号、产地、出厂日期、产品序列号等。而硬盘的背面则是控制电路板,该板大都采用贴片式焊接,包括主轴调速电路、磁头驱动与伺服定位电路、读写电路、控制与接口电路等。在电路板上还有一块ROM芯片,里面固化的程序可以进行硬盘的初始化,执行加电和启动主轴电机,加电初始寻道、定位以及故障检测等。 第二个问题:因为根据硬盘的工作原理来分析,硬盘内部的磁头其实是处于悬浮状态的。而之所以会实现悬浮状态,其实是利用了空气流体动力学原理来实现的。如果硬盘的内部真空,那磁头悬浮的基本条件就被破坏了。实际上没有空气,磁头根本不能浮起来,也就无法工作。 ⑴硬盘接口类型 ①PATA接口 ②SATA接口 ⑵硬盘跳线 ⑶电源接口 ⑷硬盘数据线 5.1.2 硬盘技术指标 提问:硬盘的品牌繁多,一般在选购硬盘时都要参考一些主要的技术指标。同学们都了解哪些指标?学生思考、看书、回答; 教师总结: 硬盘的一些性能指标 1.主轴转速

DSP技术与应用习题库及答案王忠勇讲解

一、填空题 第一章 1.数字信号处理特点大量的实时计算(FIR IIR FFT),数据具有高度重复(乘积和操作在滤波、卷积和FFT中等常见)。 2.信号处理的作用信号改善;信号检测、估计等 3.信号处理的方法信号波形分析/变换、滤波、现代谱估计/分析、自适应滤波等。 4.信息系统包括采集、传输、处理、等。5.数字信号处理常用算法有FIR 滤波、IIR 滤波、离散傅里叶变换、卷积、离散余弦变换等 6.处理器速度的提高得益于器件水平、处理器结构、并行技术等。7.DSP结构特点包括采用哈佛结构体系、采用流水线技术、硬件乘法器、多处理单元、特殊的DSP指令。 8.DSP芯片按用途分为通用型DSP 、专用型DSP 。9.DSP芯片按数据格式分为浮点型、定点型。 第二章 1.C28x芯片具有C27X、C28X、C2XLP操作模式。2.C28x芯片模式选择由ST1中的AMODE和OBJMODE位组合来选定模式。 3.CPU内核由CPU、仿真逻辑、接口组成。 4.CPU主要特性是保护流水线、独立寄存器空间算术逻辑单元(ALU)、地址寄存器算术单元(ARAU)、循环移位器乘法器。 5.CPU信号包括存储器接口信号、时钟和控制信号、复位和中断信号、仿真信号。 6.TMS320F2812组成特点是32位、定点、改进哈佛结构、循环的寻址方式。7.存储器接口有3组地址总线。 8.存储器接口有3组数据总线。 9.存储器接口地址总线有PAB、DRAB、DWAB、 10.CPU中断控制寄存器有IFR 、IER 、DBGIER。 11.ACC累加器是32位的,可表示为ACC、AH、AL。12.被乘数寄存器是32 位的,可表示为XT、T、TL 。13.乘数结果寄存器是32位的,可表示为P 、PH、PL。14.数据页指针寄存器16 位的,有65536 页,每页有64个存储单元。数据存储空间容量是4M字。 15.堆栈指针复位后SP指向地址是0x000400h 。 第三章 1.DSP芯片内部包含存储器类型有片内双访问存储器(DARAM)、片内单访问程序/数据RAM(SARAM)、掩膜型片内ROM存储器、闪速存储器(Flash)一次性可编程存储器(OTP)。 2.C28x具有32 位的数据地址和22位的程序地址,总地址空间可达4G字(每个字16位)的数据空间和4M字的程序空间。 3.在程序地址中保留了64个地址作为CPU的32个中断向量。

TMS320C32的存储器接口设计

TMS320C32的存储器接口设计 1 TMS320C32的外部存储器接口的特点 TMS320C32是一个32位微处理器,它可以通过24位地址总线、32位数据总线和选通信号对外部存储器进行访问。其外部存储器接口结构如下图l所示。 图1,TMS320C32的外部存储器接口图 在图1中,引脚(引脚,又叫管脚,英文叫Pin。就是从集成电路(芯片)内部电路引出与外围电路的接线,所有的引脚就构成了这块芯片的接口)PRGW是用来配置外部程序存储器的宽度的。当PRGW引脚为低电平时程序存储器宽度为16位;当PRGW引脚为高电平时程序存储器宽度为32位。STRBO和STRBl各为一组访问外部存储器的选通信号,各有4个信号引脚(STRBx_B3/A_1、STRBx_B2/A_2、STRBx_Bl和STRBx_B0)。从图l中我们可以看出,选通信号STRB0和STRBl能从8/16/32位存储器中访问8/16/32位数据,或从16/32位存储器中执行32位程序;IOSTRB是外设I/O的选通信号引脚,它只能从32位宽度的存储器中访问32位的数据和程序。 可以通过对STRBx和IOSTRB的设置,从8/16/32位的存储器中访问8/16/32位数据或程序。也就是说,可以从任何一个外部存储器中访问任何一种类型的数据。这就说明可以通过设置IOSTRB、STRB0和STRB1的选通信号来寻址整个外部存储器空间。例如,一个32位外部存储器可以被设定为只存放一个32位的双字,但是也可以被分为具有2个连续地址的16位字或者4个连续地址的8位字节。反之,一个32位双字可以放在一个32位外部存储器中,也可以放在2个16位或4个8位宽度的外部存储器中。 TMS320C32内部总共提供了64 MB的存储器映射空间。其中,STRB0所对应的存储映像区间是不连续的两段区问,一段是03FH~7FFFFFH(共31.999 MB),另一段是880000H~8FFFFFH(共2 MB);STRBl所对应的存储映像区间是900000H~FFFFFFH(共28 MB);IOSTRB所对应的存储映像区间是810000H~82FFFFH(共512KB)。当外部总线访问这些空间时,相应的选通信号就使能。 负责控制信号的输入和输出叫做使能,是一个动词,英文‘Enable’。使能通俗点说就是一个“允许”信号,进给使能也就是允许进给的信号,也就是说当进给使能信号有效的时候电机才能转动。一般的数控系统会将电机的进给使能信号跟急停开关和行程限位开关串联起来,当按下急停开关或者电机运转超出行程后,进给使能信号被断开,电机不能继续转动,从而保护机床在安全的行程内运行。 2 TMS320C32的3种存储器设计方案 2.1 8位存储器宽度 设计为8位的存储器,其硬件接线方案。STRBx_B3/Al_1和STRBx_B2/A_2引脚作为地址引脚,STRBx_B0引脚作为片选引脚,而STRBx_B1则不用。 图2,8位存储器的硬件接线图 图3,16位存储器的硬件接线图 设计为16位的存储器,其硬件接线方案。STRBx_B3/A_1引脚作为地址引脚,STRBx_B0

存储器类型综述及DDR接口设计的实现

存储器类型综述及DDR接口设计的实现 技术分类:微处理器与DSP | 2004-12-30 Laxmi Vishwanathan;Dan Schaffer;Jock Tomlinson,莱迪思半导体公司 存储器综述 在过去的数年里,电子市场,确切地说是存储器市场,经历了巨大的变化。在 2000年电子工业低迷时期之前,电子系统设计师很少考虑他们下一个设计中元器件的成本,而更关注它们能够达到的最高性能。 今天,竞争的加剧以及利润率的下降迫使系统设计师在降低下一代产品成本的同时,保持、甚至提高系统的性能。作为这种转变的结果,有一个工业部门经历了实质性的增长,它就是DRAM存储器,尤其是双倍数据速率(DDR) SDRAM存储器。 DDR存储器最初是一种高性能、低成本的存储器解决方案,主要用于个人计算机和其它成本敏感的消费品市场。近来,由于施加在整个电子工业上的经济压力,非消费产品也开始采用DDR存储器了(图 1)。 图 1 来源:IC Insights DDR是一种基于SDRAM的革命性的存储器技术。DDR SDRAM的存取速度是SDRAM的两倍,因为DDR的数据传送发生在时钟的所有两个边沿。而SDRAM仅在时钟的上升沿传送数据。因此,DDR能够传送数据的速度高达2133MB/s。与传统的SDRAM相比,DDR还具有更低的功耗。它的工作电压是直流2.5V,而SDRAM是直流3.3V。 市场分析表明,在当今所有的电子系统中,超过50%采用了DDR存储器,并且预计在接下来的几年中将增长到80%。DDR不是,并且永远也不会是一种针对所有设计的技术。DDR存储器非常适用于那些高读写比率的设计。而诸如四倍数据速率存储器,适用于50%读写比率的应用。图2确定了多种顶尖的存储器技术以及它门各自所属的读/写曲线。

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