S556-电源系列MOSFET IGBT应用入门与精通-功率MOSFET的栅极电荷特性
MD556ES两相直流步进电机驱动器性能特点
MD MD556556556ESES 主要特性●纯正弦电流控制技术●独创的速度自适应电路和自动寻优●高速力矩性能优越，发热和噪声大为降低●供电电压24VDC -50VDC●输出电流峰值可达5.6A(均值4A)●电流设定8档，细分设定16档可选●脉冲响应频率最高可达400KHz ●具有过压、欠压、短路等保护功能产品概述MD556ES 是采用伺服纯正弦精密电流控制技术，等角度恒力矩高细分型步进电机驱动器。
该技术可以明显改善电机噪音和运行平稳性，步进脉冲停止100m/s 。
最大驱动电流5.6A ，最高定位精度64细分可达12800步/转，应用领域MD556E 两相直流步进电机驱动器适合各种运动控制领域自动化设备和仪器，例如：电子加工与检测、半导体封装、激光切割与焊接、激光照排、包装机械、雕刻机、打标机、切割机、服装绘图仪、数控机床、自动化装配设备等。
是用户期望低噪声、高速性能优越和性价比竞争较强领域的首选。
电气规格说明MD MD556556556ESES 最小值典型值最大值单位输出电流1.4- 5.6A输入电源电压183650V 控制信号输入电流71016mA 步进脉冲频率0-400KHz 脉冲低电平时间 1.2μs 绝缘电阻500MΩ细分设定步数/转SW5SW6SW7SW8400off on on on800on off on on1600off off on on3200on on off on6400off on off on12800on off off on25600off off off on1000on on on off2000off on on off4000on off on off电流设定输出峰值电流输出均值电流SW1SW2SW31.4A 1.0A off off off2.1A 1.5A on off off2.7A 1.9A off on off3.2A 2.3A on on off3.8A 2.7A off off on4.3A 3.1A on off on4.9A 3.5A off on on5.6A 4.0A on on on 控制信号接口P1描述名称功能PUL+（+5V）脉冲控制信号：脉冲上升沿有效；PUL-高电平时4～5V，低电平时0～0.5V。
good开关功率MOS扫盲篇
开关功率MOS扫盲篇在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小，且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2，MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC 时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
3，MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
高频开关电源——原理、设计与实例分析
任务一反激式功率因数校正电路的原理 任务二临界模式PFC控制芯片L6562的介绍 任务三反激式功率因数校正电路的分析与设计 拓展任务有源PFC方法的比较和测试 项目小结 思考与练习
附录A印制电 路板的布线
附录B开关电 源规格书 （IPS）
作者介绍
这是《高频开关电源——原理、设计与实例分析》的读书笔记模板，暂无该书作者的介绍。
项目二升压式有源 功率因数校正电路
的分析
项目一填谷式无源 功率因数校正电路
的分析
项目三反激式有源 功率因数校正电路
的分析
任务一功率因数校正的基本概念 任务二填谷式无源功率因数校正电路的介绍 任务三控制芯片MT7801的介绍 任务四填谷式无源功率因数校正电路的分析与设计 项目小结
任务一升压式功率因数校正原理 任务二有源功率因数校正控制方法 任务三电感的设计 任务四连续模式的功率因数校正控制芯片ICE2PCS01的介绍 任务五 Boost功率因数校正电路的分析与设计 项目小结
任务一降压式变换器的分析 任务二 UC3842控制Buck电路的分析与设计 拓展任务升-降压式变换器的分析 项目小结 思考与练习
项目二 PWM芯片控 制的反激式电源电
路的分析
项目一单片集成反 激式电源电路的分
析
项目三准谐振反激 式电源电路的分析
任务一反激式变换器的分析 任务二单片集成芯片KA5X03XX系列介绍 任务三反激式变压器的制作与测试 任务四单片集成芯片控制反激式电路的分析与测试 拓展任务一次绕组控制的反激式电源电路 项目小结 思考与练习
目录分析
模块一开关电源基础入门
任务一开关电源的概述 任务二直流变换器的分类 任务三直流开关电源的特点和应用 任务四直流开关电源的性能指标 任务五开关电源的主要技术及发展趋势
sa556标准
sa556标准
sa556是一款集成的双555定时器，由一家名为STM（意法半导体）的公司生产。
该芯片具有两个独立的555定时器，可用于各种定时和脉冲生成应用。
该芯片的主要特性包括：
- 双555电压比较器/定时器
- 宽电源电压范围（3V-18V）
- 可独立配置为稳态（单稳态）、多谐波振荡器和定时器
- 内部RS触发器用于稳态触发，可外部配置
- 输入输出电平兼容CMOS、TTL和HTL逻辑电平
- 高电流输出驱动能力（200mA）
- 可以通过外部电位器进行频率和占空比调节
使用sa556标准可以方便地实现各种定时和脉冲生成功能，常见应用包括电子钟、脉冲发生器、触发器等。
它的功能强大且易于使用，适合电子爱好者和工程师使用。
全系列场效应管VMOSIGBT参数
全系列场效应管VMOSIGBT参数场效应管（FET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）是两种常见的功率开关器件，在电子和电力系统中广泛应用。
在了解这两种器件的参数之前，我们先来了解一下它们的基本工作原理。
场效应管（FET）是一种控制電荷流通的三端器件。
主要由源极、漏极和栅极组成。
FET的特点是输入电流较小，输出电阻较低，能够承受较大的功率。
FET的主要类型有MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和VMOS（垂直型金属氧化物半导体场效应管）。
VMOS是一种特殊类型的MOSFET。
VMOS的结构使其能够承受较高的功率。
其主要特点是漏极电流和栅极电流之比较低，可以实现高转导，从而具有较小的输入电容和较高的开关速度。
由于VMOS的漏极电流较低，可以减少功耗和发热，提高效率，并且可以减少开关损耗。
IGBT是一种双极晶体管，结合了场效应管和双极晶体管的优点。
它具有高输入阻抗和低输出电阻的特点。
IGBT的主要工作原理是栅极电压控制电流流动，从而实现开关功能。
它广泛应用于高效率、高频率和高电压的功率应用领域，例如电动车、工业电机控制和电力变换等。
现在，让我们来看一下VMOS和IGBT的一些重要参数：1.最大工作电压（VDS/VCE）：这是器件可以承受的最大电压。
一旦超过这个电压，器件可能会发生击穿或损坏。
2.最大电流（ID/IC）：这是器件可以承受的最大电流。
如果超过这个电流，可能会导致器件过热或损坏。
3. 导通电阻（RDS(on)/RCE(on)）：这是器件在导通状态下的电阻。
较低的导通电阻可以减小功耗和电压降。
4.开启时间（tON）和关闭时间（tOFF）：这是器件从关断状态到导通状态和从导通状态到关断状态的转换时间。
较短的开启和关闭时间可以提高开关速度和效率。
5. 输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）：这是器件的输入和输出电容。
较小的电容可以减小开关损耗和功耗。
6.热阻（θJA/θJC）：这是器件的热阻，描述了器件散热的能力。
NE556 SA556 SE556 双时基电路
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MosFET开关电源EMI优化
MosFET开关电源EMI优化讲解前言电磁兼容是产品认证的重要环节。
产品市场发布之前，产品需要做电磁测试，这样EMI设计属于硬件设计的最后阶段。
优化EMI性能第一步就是寻找功率MOSFET。
1.MosFET基础知识MOSFET全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor。
金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的三个极栅极（Gate——G，也叫门极）源极(Source——S)漏极（Drain——D）MOSFET符号识别G极，最好认，独立占用一侧。
S极，不论是p沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极，不论是p沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
G S D极实物辨别：•判断栅极G，万用表测试：与另外2个极的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
•判断源极S、漏极D交换表笔测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
2.基于SuperJunction-MOSFET的EMI分析说明：以下EMI分析是基于Super Junction-MOSFET。
如果是其它类型的MOSFET，EMI分析原理基本相同。
1)MOSFET控制电路分析•栅极电荷Qg（单位：nC纳库）一般性能为几十nC减小栅极电荷可以提高开关速度•MOSFET控制电路SuperJunction-MOSFET的等效电路模型电路组成：Rg_ext、Rg_int、Cgd、Cgs、Cds•栅极控制在栅极主导的控制中，当栅极导通时，漏极电流会流向Cgd，也会流到MOSFET中。
即模型中的蓝色电流路径。
补充：Coss参数说明举例如图•Coss控制在Coss主导的控制中，dv/dt主要取决于流经输出电容的电流，输出电容为Cds或Coss，即模型中的红色电流路径。
2)反击式变换器反击式电源电路，其中包含变换器开关环路反击式变换器电路模型：变压器磁电感Llk1，变压器漏电感Llk2，MOSFET输出电容Coss•反击式变换器开关波形分析：振铃取决于变压器的漏感及MOSFET的Coss；关断阶段自带的振铃主要受变压器的磁化和MOSFET Coss影响。
电力MOSFET的制造技术考核试卷
B.限制开关频率
C.保护MOSFET免受电压过冲
D.减小开关时间
10.以下哪些因素会影响电力MOSFET的开关速度？（）
A.栅极电荷量
B.沟道长度
C.栅极电阻
D.源漏极电容
11.在电力MOSFET的并联应用中，以下哪些措施可以减少电流不平衡？（）
A.栅极电阻的匹配
B.源极电阻的匹配
（）
6.通常情况下，__________型电力MOSFET的开关速度要快于__________型电力MOSFET。
（）
7.为了提高电力MOSFET的耐用性，通常会在其表面形成一层__________。
（）
8.电力MOSFET的__________是指器件从导通状态到关闭状态所需的时间。
（）
9.在电力MOSFET的驱动电路中，__________的作用是限制电流，防止MOSFET过热。
D.开关时间
（以下为试卷其他部分的格式，具体题目请根据实际需要添加）
二、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分）
三、简答题（本题共5小题，每小题10分，共50分）
四、计算题（本题共2小题，每小题20分，共40分）
五、综合分析题（本题共1小题，共30分）
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
（）
10.电力MOSFET的__________是指器件能够承受的最大电压值。
（）
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.电力MOSFET的导通电阻与沟道长度成正比。（）
2.电力MOSFET的开关速度与栅极电荷量成反比。（）
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功率MOSFET的栅极电荷特性
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。
Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。
Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。
Qgd：栅极和漏极电荷Qgs：栅极和源极电荷
栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。
在测量电路中，栅极使用恒流源驱动，也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电，漏极电流ID由外部电路提供，VDS设定为最大额定值的50%。
漏极电流从0增加到ID过程中，分别测量VGS、栅极充电时间，就可以计算得到栅极电荷值。
（a）：简化的测试电路（b）：测试电路和波形
（c）：实际的波形图1：栅极电荷的测试电路和波形
栅极电荷测试的电路中，需要用到二个恒流源：G极驱动充电的恒流源和提供ID的恒流源，因此测试的电路有下面不
同的形式。
（a）：ID由分立元件构成恒流源（b）：ID由电感构成恒流源
图2：栅极电荷的测试电路形式
图2（a）中，对G极恒流驱动充电的恒流源IG由测量仪器内部自带的恒流源提供，而ID由分立元件构成恒流源，其
工作原理非常简单：就是利用功率MOSFET的工作于线性区的放大特性，调节G极的电压就可以调节电流的大小。
不同
的器件，所选择的外部恒流源的元件参数会有异差。
图2（b）中，ID由电感构成恒流源，相对而言，这种方式电路结构简单，只是电流的精度不如上一种方式。
根据电容的特性：C·dv/dt = IG
可以得到：Q = C·dV = IG·dT
在图1（b）中，对应着不同的VGS的电压，由波形或仪器
读出相应的时间dT，IG已知，就可以分别算出不同的栅极
电荷。
T3Qgd = IG·T2Qgs = IG·T1 Qg(10V) = IG·
T4Qg(4.5V) = IG·
在实际的测试中，根据电容的大小，IG的值设定为不同的值：10uA、100uA、1mA。
测试条件改变的时候，如改变ID或VDS，实际测量的栅极电荷也会改变。
图3中的测量结果，测量条件：VDS=160V，VGS=10V，VGS：2V/div，时间t：1us/div，电流大，米勒平台也高，栅极电荷
值也稍有差异。
改变VDS，对应的特性如下图所示，随着
VDS的增加，栅极电荷的值会改变，特别是QGD，电压越高，QGD越大。
数据表中栅极电荷的特性，栅极使用恒流源
来驱动，VGS电压随着时间线性增加；实际的应用中，通常
栅极使用恒压源来驱动，VGS电压随着时间以指数关系增
加。
测量时使用恒流源驱动的原因在于容易计算栅极的电荷值。
本质上，使用恒流源或恒压源驱动栅极，对于栅极电荷的测
量没有严格意义上的影响。