模拟电子技术期末总复习
模拟电子技术期末复习资料共41页文档
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
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29、在一切能够接受法律支配的人类 的状态 中，哪 里没有 法律， 那里就 没有自 由。— —洛克
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30、风俗可以造就法律，也可以是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处， 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
模拟电子技术期末复习资料
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26、我们像鹰一样，生来就是自由的 ，但是 为了生 存，我 们不得 不为自 己编织 一个笼 子，然 后把自 己关在 里面。 ——博 莱索
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27、法律如果不讲道理，即使延续时 间再长 ，也还 是没有 制约力 的。— —爱·科 克
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28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马 克罗维 乌斯
模拟电子技术总复习
vi>VT+时，vo=VOL，vo在VT-处由VOL翻转为VOH。
第8章 直流稳压电源
考核知识点： 直流稳压电源组成；整流、滤波和稳压的概
念；桥式整流电容滤波电路结构及其分析 计算；串联稳压电路组成及输出电压的调 节范围计算；集成稳压器的使用。
串联负反馈 —— 增大输入电阻 并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻，稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻，稳定输出电流
特别注意表4.2.1的内容 负反馈对放大电路性能的改善，是以牺牲增
益为代价的，且仅对环内的性能产生影响。
end
4.3.1 放大电路引入负反馈的一般原则
由此可以得出结论：PN结具有单 向导电性。
判断二极管工作状态的方法：断开 二极管，利用戴维宁定理求出其阳 极至阴极间的电压，若该电压大于 正向导通电压，则导通；反之，则 截止。
晶体管的三个工作状态 1.放大状态： 特点：iC=βiB，即iC受iB控制，与v CE无关，呈近似恒流源性质。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
N型半导体或 P型半导体整体呈中性。 杂质半导体的导电性能主要取决于多数载流子浓度， 多数载流子浓度取决于掺杂浓度，其值较大且稳定； 少数载流子浓度与本征激发有关，对温度敏感。
end
PN结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流，称为正向 导通。
PN结加反向电压时，呈现高电阻， 具有很小的反向漂移电流，称为反向 截止。
晶体管进入 iB/? A 截止区工作，
原因iB：/?静A 态工作点太低造；成截止失真。
波形：输出电压正半波平顶适（当对增N加PN基）；
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术期末复习总结
故VT1工作在放大区。欲使VT2也工作在放大区，需
U CQ V C 2 C ICR Q 4 2 U BQ 4 2 V
R4
VCCUBQ18k
ICQ2
h
R4max8k 10
s
解： 1 Rs//Rb1rbb //rbe Cbe 0.14u5s 2 Rc1//Rb2rbb //rbe Cbe 0.97us
Rc
(1)Re
Rc
Au
Rb rbe Rbrbe(1)Re rbe (1)Re
（反相,大） （同相，1） （同相,大）
Ri
Rb rbe
(中)
R brb e(1 )R e
Re
rbe 1
（最大）
（最小）
Ro
RC
(大 )
Re
//
Rb rb 1
e
（最小）
RC (大 )
h
8
1.放大电路如图所示。设VT1、VT2特性相同，且UBE＝0.7V， 电源电压VCC＝12V，电阻R1＝34k，R2＝10k，R5＝20k， R6＝10k，现要求静态工作电流ICQ2＝1mA，且VT1、VT2均 应工作在放大区。 1)电阻R3应选多大？ 2)电阻R4的阻值有无限制？若有，其极限值为多大？
2ro
ro rbe 20
输出方式
Rid R ic Ro
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
Rc h
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
R c 21
FET差分式放大电路
比例电流源
h
22
FET几种方式指标比较（AVD）
双入（单入）双出 双入（单入）单出
模拟电子技术期末总复习
MOS电路的根本单元电路
1MOS管简化的交流小信号模型
G + Ugs
－
Id D
gmU gs
+ rds UdS
－
S
2MOS管三种组态放大器的特性比较
电路组态
共源（CS） 共漏(CD)
共栅(CG)
性能特点
电压增益AU
Uo Ui
gmRL' 1 gmRs
(RL' RD //rds // RL)
半导体器件根底
2.3 PN结反向击穿特性 〔1〕电击穿〔可逆〕 雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较高
〔>6V〕的PN结中。 齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不太高
〔<6V〕的PN结中。 〔2〕热击穿〔不可逆，会造成永久损坏〕
半导体器件根底
2.4 PN结电容 势垒电容CT: 扩散电容CD:
• PN结总电容Cj=CT+CD • PN结正偏时，以扩散电容为主； • PN结反偏时，以势垒电容为主。
高频段AU下降的原因：管子结电容及分布电容分流作用的影响。 •频率失真
包括幅度频率失真和相位频率失真，属线性失真
双极型电路的根本单元电路
、CB、CC三种组态放大电路的分析
〔1〕CE放大电路
电压增益：
AU U R R RRR U o i i L' ( L' C/ / L) ( 需 看 射 极 是 否 有 偏 置 电 阻 及 旁 路 电 容 ）
体管。 据交流等效电路求：AU、AI、Ri(Ri’)、
RO(Ro’)、fL、fH
双极型电路的根本单元电路
3晶体管模型 〔1〕h模型〔属低、中频模型〕 h参数等效电路
Ib +
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• IC、IB 、IE的关系：IC+IB=IE
α和β的关系：
1
1
半导体器件基础
5.3晶体管的参数）
1.直流参数：
（1）直流电流放大系数：α（共基）、β （共射）随ICQ变化
（2）极间反向饱和电流:ICBO、ICEO、IEBO（越小越好） 2.交流参数：
（1）交流电流放大系数：（共基）、 （共射）随ICQ变化
《模拟电子技术》 期末总复习
总要求： 抓住基本概念基本知识和基本分析 方法； 注重知识的综合应用。
半导体器件基础
1.1半导体特性 • 掺杂可改变和控制半导体的电阻率 • 温度可改变和控制半导体的电阻率 • 光照可改变和控制半导体的电阻1.2 本征
半导体 • 排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。 • 两种载流子（电子、空穴），成对出现。 • 在电场作用下，载流子作定向运动形成漂
半导体器件基础
2.4 PN结电容 势垒电容CT: 扩散电容CD:
• PN结总电容Cj=CT+CD • PN结正偏时，以扩散电容为主； • PN结反偏时，以势垒电容为主。
半导体器件基础
3半导体二极管 3.1二极管伏安特性（单向导电性） :
I D I s (eUD /UT 1)
{ •门限电压Ur
硅管： Ur0.5 锗管： Ur0.1
耗尽型： uGS与uDS极性相反。
半导体器件基础
4.5 FET的主要参数 1.直流参数
• 阈值电压:(增强型)开启电压UGS,th;(耗尽型)夹断电压UGS,off 。 • 饱和漏电流IDSS:耗尽型FET参数（uGS=0,uDS=10V时测得）
• 直流输入电阻：JFET: RGS=108~1012, MOSFET: RGS=1010~1015
2.交流参数 • 跨导gm: 转移特性曲线在Q点处的切线斜率
半导体器件基础
4.5 FET的主要参数 3.极限参数 • 栅源击穿电压UGS,B • 漏源击穿电压UDS,B • 最大漏极耗散功率PDM 4.6 FET的特点 （1）单极型器件（多子导电） （2）电压控制器件 （3）输入电阻极高（>108 ） （4）噪声低，以JFET噪声最低 （5）正常工作条件下，D、S极可互换使用。
（2）特征频率fT:随f增加而下降到1时对应的频率。 3.极限参数： （1）集电极最大允许电流ICM （2）反向击穿电压：UCBO,B>UCEO,B>>UEBO,B （3）集电极最大允许耗散功率PCM：实际使用时Pc<PCM
半导体器件基础
5.4温度对晶体管参数的影响
{ } ICBO (1倍/10°C)
• T (0.5%~1%/ °C ICQ UBEO (-2.5mV/ °C)
半导体器件基础
4场效应管 4.1分类
N沟道JFET
{ JFET P沟道JFET
FET
N沟道增强型MOSFET
{ { MOSFET
N沟道耗尽型MOSFET P沟道增强型MOSFET
P沟道耗尽型MOSFET
（学会判断类型）
形成漂移电流。
半导体器件基础
2.1PN结 • 形成过程：扩散扩散、漂移扩散＝漂移
•导通电压 硅（Si）: U 0.6 ~ 0.8V
锗（Ge）： U 0.2 ~ 0.3V 2.2 PN结伏安特性
（1）加正向电压：扩散>漂移，（耗尽层变窄）正向电流II eU D /UT s
（2）加反向电压：扩散<漂移， （耗尽层变宽 ）
半导体器件基础
4.2MOSFET
1.增强型MOSFET
•可变电阻区:
Ron
1
2K
(uGS
1
U GS ,th )
•恒流区： iD K(uGS UGS,th )2
静态偏置电压：
半导体器件基础
4.2MOSFET
2.耗尽型MOSFET • 可变电阻区: Ron
1 2K
(uGS
1 U GS,off
{ 硅管： IsnA级
•反向饱和电流Is 锗管： IsA级
•电压当量（室温下）： UT 26mV
半导体器件基础
3.2二极管的等效电阻 • 等效电阻为非线性电阻，与工作点有关。
•
直流电阻:
RD
UQ IQ
交流电阻：
rD
26 mV IQ
半导体器件基础
3.3 二极管的主要参数 • 最大正向平均电IF; • 最大反向工作电压URM； • 反向电流IR； • 最高工作频率fM。 3.4 稳压二极管(利用电击穿特性) • 稳压条件： • 反向运用, • Iz,min<Iz<Iz,max，(或偏压大于稳压电压） • 加限流电阻R
)
•恒流区： iD K(uGS UGS,off )2
或
iD
I
DSS
(1
uGS U GS,off
)2
半导体器件基础
4.3 JFET（属耗尽型）
• 恒流区：
转移特性数学表示式与耗尽型MOSFET 相似，即：
iD
I
DSS
(1
uGS U GS,off
)2
4.4各种FET的电压极性 •N沟道：uDS加“＋” ；P沟道：uDS加“-”。 •增强型：uGS与uDS极性相同；
双极型电路的基本单元电路
5.2构成放大器原则 （1）晶体管正向运用（基极、发射极做输入） （2）要有直流通路 （要有合理的偏置：发射结正偏，
反向电流 Ir Is
（3） PN结电流方程： I Is (eUD /UT 1)
半导体器件基础
2.3 PN结反向击穿特性 （1）电击穿（可逆） • 雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较
高（>6V）的PN结中。 • 齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不
太高（<6V）的PN结中。 （2）热击穿（不可逆，会造成永久损坏）
移电流。
半导体器件基础
1.3杂质半导体 （1）N型半导体（本征半导体＋5价元素）
电子为多数载流子，空穴为少数载流子 （2） P型半导体（本征半导体＋3价元素）
电子为少数载流子，空穴为多数载流子 1.4载流子的扩散与漂移运动 • 扩散运动是由于载流子浓度差产生的。
扩散运动形成扩散电流 • 漂移运动在电场作用下产生的。漂移运动
半导体器件基础
5双极型晶体管
5.1 晶体管的四种运用状态 • 放大状态：发射结正偏，集电结反偏 • 饱和状态：发射结正偏、集电结反偏电压
不够 • 截止状态:发射结、集电结均为反偏
半导体器件基础
5.2晶体管的电流分配关系 • 共基组态: IC IE ICBO IE
• 共射组态: IC IB ICEO IB