电子电路读书笔记
数字电路读书笔记
数字电路读书笔记数字电路读书笔记【篇一：数电模电读书笔记之数字逻辑电路】模电数电读书笔记——数字逻辑电路物电113班尤明海11223240随着数字逻辑技术的发展，数字逻辑电路也逐步应用于我们生活的方方面面。
在数字机顶盒，数字电冰箱，数字洗衣机等领域均有所体现。
本文将大体介绍数字逻辑电路的发展历程、分类方法、数值、用途与特点，最后详细介绍数字逻辑电路的实际应用。
一．数字电路的发展历程与分类方法1、按功能来分：（1）组合逻辑电路：简称组合电路，它由最基本的的逻辑门电路组合而成。
特点是：输出值只与当时的输入值有关，即输出惟一地由当时的输入值决定。
电路没有记忆功能，输出状态随着输入状态的变化而变化，类似于电阻性电路，如加法器、译码器、编码器、数据选择器等都属于此类。
（2）时序逻辑电路：简称时序电路，它是由最基本的逻辑门电路加上反馈逻辑回路或器件组合而成的电路，与组合电路最本质的区别在于时序电路具有记忆功能。
时序电路的特点是：输出不仅取决于当时的输入值，而且还与电路过去的状态有关。
它类似于含储能元件的电感或电容的电路，如触发器、锁存器、计数器、移位寄存器、储存器等电路都是时序电路的典型器件。
2、按电路有无集成元器件来可分为分立元件数字电路和集成数字电路。
3、按集成电路的集成度进行分类可分为小规模集成数字电路(ssi)、中规模集成数字电路(msi)、大规模集成数字电路(lsi)和超大规模集成数字电路(vlsi)。
4、按构成电路的半导体器件来分类可分为双极型数字电路和单极型数字电路。
二．数字逻辑电路的用途和特点数字电子电路中的后起之秀是数字逻辑电路。
把它叫做数字电路是因为电路中传递的虽然也是脉冲，但这些脉冲是用来表示二进制数码的，例如用高电平表示“1”，低电平表示“0”。
声音图像文字等信息经过数字化处理后变成了一串串电脉冲，它们被称为数字信号。
能处理数字信号的电路就称为数字电路。
这种电路同时又被叫做逻辑电路，那是因为电路中的“1”和“0”还具有逻辑意义，例如逻辑“1”和逻辑“0”可以分别表示电路的接通和断开、事件的是和否、逻辑推理的真和假等等。
《电子电路》复习笔记
电子电路一、电场和磁场电场：库伦定律：221rq kq F =（描述电场中电荷受力情况） 高斯定律：i q ∑=01ξφ（电通量只和曲面内电量有关）电生磁，磁生电。
二、 直流电路电路基本元件：RLC 。
电路解题的三个工具：基尔霍夫定律：电流KCL （出=入）；电压KVL （升=降）。
具体应用时，KCL 和KVL 用于列电流和电压方程，其中，KCL 的节点可以放大到一个“大节点”，KVL 的节点可以运用到单个“小网孔”。
叠加原理：多电流电压源的作用，除源叠加。
戴维南定理：电压源和电流源的等效计算。
电压取开路电压，电阻取等效电阻。
除源方法：电流源开路（开流，开源节流），电压源短路。
结合电源符号记忆。
三、 正弦交流电路复阻抗Cj L j R Z ωω1++=在相位图上，电感L 的电压超前电流。
电容C 的电压滞后电流。
功率：有功功率ϕcos UI P =无功功率ϕsin UI Q =视在功率22Q P S +=功率因数：SP=ϕcosRLC 电路谐振：LC f π210=，谐振时CL X X =，电压和电流同相位。
三相电路：相电压和线电压。
Y 形：线相U U 31=有中线 △形：线相I I 31=线相U U = 无中线四、 RC 和RL 暂态过程计算γ/)]()0([)()(t e f f f t f -∞-++∞=三要素分析法1）计算)0(+f按照环路定律，电容电压不变，电感电流不变。
)0()0(-=+c c u u )0()0(-=+L L i i其余部件（0+）值按照等效电源计算。
电容等效电压源，电感等效电流源。
2）计算)(∞f 稳态值，电容按照断路，电感按照短路。
直流电路方法分析。
3）计算γ R C ⋅=γ R L /=γ R 为等效电阻五、 变压器和电动机变压器的电压21kU U =、电流211I kI =和阻抗变换221Z k Z = 211N N k = 电压和匝数成正比，电流和匝数成反比，阻抗和匝数平方成正比。
电路与电子技术基础读后感
电路与电子技术基础读后感
今天下午我认真阅读了黄先生的新著——《电路与电子技术基础》。
这是一本由“通俗”向“专业”过渡的教材。
它的特点在于从工程应用出发，以例题讲解为主线来展开理论知识，把所有相关的概念、原理都贯穿到各种类型的例题中去。
书中内容比较全面，还涉及一些前沿科学的知识和最新的应用成果。
例如，对于器件的频率响应方面的介绍，就远不是那几个基本公式可以说明的。
再者，对于微处理器这样的重要单元，对其功能和工作原理进行阐述时也有自己独到之处。
总体上看，该书具备很强的实践性和可操作性，因此被列入普通高等院校的教材。
《电路与电子技术基础》这本书是清华大学出版社出版的一本图书。
《电路与电子技术基础》主要讨论电子设计与制造领域使用的电路理论和电子技术两门课程。
对于前者，侧重电路分析与计算方法；而对于后者，则着眼于集成电路应用系统的设计和集成电路技术的发展趋势。
这本书的内容包括：电路分析基础、电阻电路、正弦稳态分析、线性动态电路的时域分析、二端口网络、非线性电路分析、放大电路、振荡电路、直流电源、电子电路的过渡过程、半导体二极管和半导体三极管等共12章。
其中第1～6章属于电路分析基础，介绍直流电路、交流电路、动态电路的时域分析、二端口网络等内容。
第7～12章属于电子电路的过渡过程和半导体器件，介绍双极型晶体管、场效应管、绝缘栅双极型晶体管、集成运算放大器、场效应管放大器、直流集成电路、基本放大电路、负反馈放大电路、功率放大电路、直
流稳压电源、晶闸管和其他电力电子器件等。
电子电气工程师必知必会读后感
电子电气工程师必知必会读后感首先得说，这本书真的是满满的干货，一点都不跟你绕弯子。
以前我对电子电气这一块儿的知识总是一知半解，像是在雾里看花。
但是这本书就像一阵清风，把那些迷雾给吹散了。
从最基础的电路知识开始，它就像是一个耐心的老师，用特别直白的方式给你讲那些看似复杂的原理。
什么欧姆定律之类的，以前觉得枯燥，现在看，就像是一个个有趣的小谜题，而这本书就给了你解开谜题的钥匙。
而且书中还有很多实际的例子，就好比把那些干巴巴的理论知识变成了有血有肉的小故事。
比如说讲到二极管的时候，举了一些简单的电子产品中的应用，一下子就明白了二极管到底是咋在那些小玩意儿里起作用的。
再说到那些复杂的电子设备和系统，我本来以为肯定会看得云里雾里。
结果呢，这本书就像是一个导游，带着我在这个电子电气的大世界里轻松地溜达。
我了解到了各种设备之间是怎么互相协作的，就像一个团队里的成员一样，每个都有自己的任务，缺了谁都不行。
这让我对那些整天打交道的电子设备有了一种全新的敬意，原来它们背后的原理这么复杂又这么精妙。
书中关于电气安全的部分也特别实用。
这就像是给工程师们打了一针预防针，告诉你在这个充满电的世界里，一不小心就可能被“电咬一口”。
它详细地列出了各种安全规范和注意事项，让人看完之后，在动手操作的时候心里就有了底。
再也不用担心因为自己的一个小疏忽，就引发一场“电的灾难”了。
不过呢，这本书也有一点小“调皮”。
有时候一些知识点讲得太简略了，就像是一个人在赶路，匆匆忙忙给你指了个方向就接着往前走了。
这就导致我在看某些比较难的部分时，还得自己再去翻翻其他的资料才能完全搞明白。
但这也算是给像我这样好学的人一个探索的机会吧，就像游戏里给你个小线索，然后你自己去挖掘更多的宝藏。
电子电路读书笔记
电子电路读书笔记第一篇：电子电路读书笔记纯净不掺杂质的半导体称为本征半导体。
本征半导体的导电能力仍然很低，如果掺人微量的杂质(某种元素)．导电性能就会发生明显变化。
根据掺人杂质的不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体。
1．N型半导体在本征半导体硅中掺入微量的五价元素磷P，硅晶体中某些位置的原于被磷原子代替、由于多余的一个价电子不受共价键束缚，只要获得很少能量，这个多余电子就能挣脱磷原子核的吸引而成为自由电子。
通常．几乎所有多余电子都能成为自由电子。
上述杂质半导体．除了杂质给出的多余自由电子外，原晶体本身也产生少量的电子—空穴对。
这种杂质半导体中，自由电子是多数载流子，简称“多子”，空穴是少数载流子．简称。
“少子”。
这种杂质半导体叫做N型半导体。
2．P型半导体在本征半导体硅中掺人微量的三价元素硼B，硅晶体中某些位置的原子被硼原子代替，但缺少了一个价电子而产生一个空穴，这样每个杂质原子都会提供一个空穴，从而使空穴载流子的数目显著增加成为多子，自由电子因浓度降低而成为少子，这种杂质半导体叫做P型半导体。
所以．杂质半导体中．多子与掺杂量有关．与温度无关．而少子是由于热运动产生的．与温度有密切关系。
第二篇：电子电路专业本人自入校以来，思想积极向上，态度端正，能够严于律己，大专二年半内有很多的进步，以下将我的大学经历做一个鉴定总结：我就读于华东理工大学网络教育学院，专科学历，主修行政管理专业，该专业实际操作性强，综合能力要求较高，涉及的专业领域较广，针对专业特点，我自身不仅刻苦努力学习学校开设的各门课程，取得了较好的成绩，而且也较多的在课外学习一些专业相关的知识，来提高知识的整体性和系统性。
在今后的工作中我将更加重视自己的学习，将理论联系实际，尽快将自己学到的知识运用的实践中去为自己更好的适应工作打下良好基础。
进入大学以后，我认识到仅仅学习好是不够的。
要追求上进，思想上的进步也是必不可少的。
因此大学生应该不断地加强思想修养，提高自身素质，与时俱进。
电路与电子学第一章重要笔记
+
US1 US2
+ –
R2 I2 1
a +
Uab
–
这里U 之间的电压， 之 这里 ab是 ab之间的电压，ab之 之间的电压 间没有支路。 间没有支路。 R1
பைடு நூலகம்_ b
R2I2 － US2 +Uab=0 这里U 之间的电压， 之 这里 ab是 ab之间的电压，ab之 之间的电压 间没有支路。 间没有支路。
(b) 非关联参考方向 U I (d) 非关联参考方向
关联参考方向与非关联参考方向
1
+ u －
i
电压与电流为关联参考方向，
表示电路吸收的电功率。 吸收的电功率 电压与电流的乘积 p=ui 表示电路吸收的电功率。 如果 p为正值，电路实际吸收了电功率； 为正值，电路实际吸收了电功率； 如果 p为负值，电路实际上是发出了电功率。 为负值，电路实际上是发出了电功率。
关联参考方向
一个元件或者一段电路中电压和电流的方向均可以任意选定， 一个元件或者一段电路中电压和电流的方向均可以任意选定，二者可 以一致，也可以不一致。如果一致称为关联参考方向； 以一致，也可以不一致。如果一致称为关联参考方向；如果不一致称为 非关联方向。 非关联方向。
+
U
－ I
－
U I
+
(a) 关联参考方向 U I (c) 关联参考方向
两个电阻串联时的分压公式： 两个电阻串联时的分压公式：
R 1 U1 = U R +R 1 2
I + U – + U1 R1 – + U2 R 2 –
R2 U2 = U R + R2 1
I + U – R
高频电子线路读书笔记
高频电子线路读书笔记【篇一：晶体管放大电路设计读书笔记】一、放大电路的工作1、功率开关mos管结构：在内部将大量fet并联连接起来的，每一个单元中流过的电流很小，防止局部的电流集中，同时改善高频特性。
2、耦合电容：使输入信号与电路或电路与者电路与电路的耦合。
3、电源的去耦电容：降低电源对gnd的交流阻抗的电容(旁路电容)，当没有这个电容时，电路的交流特性变的很奇特，严重时电路产生震荡。
4、在低频电路中，去耦电容的安装位置不是问题；但在高频电路中，安装位置比什么都重要，引线也要短。
5、 npn型的ttl三极管可以理解为：由集电极进行输出的电流源。
6、在共射电路中，发射极接个电阻re,可以认为在改电路中加了负反馈，由于负反馈，re有抑制hfe(电流放大系数)的分散性和vbe的温度变化而产生的发射极电流变化的作用。
7、 ttl三极管共射电路中：发电极电位设定在vcc与ve的中点。
二、增强输出电路1、ttl三极管工集电路中：集电极电位设定在vcc与gnd的中点。
2、射机跟随器大多数用在电路的输出极，因为需要经常处理大电流，所以必须注意晶体管和电阻的发热问题。
3、将射极跟随器组合在共发射极放大电路上来降低输出阻抗的放大电路。
4、由于集电极电容接地，故不会发生密勒效应，因此频率特性变好。
5、在晶体管电路中，通常越提高放大率，噪音就越增加，这是由于进行放大的同时，电路内部产生的噪音也被放大的缘故。
6、当op放大器需要驱动大的负载时，需要将op放大器与射极跟随器相互结合。
三、功率放大器的制作与设计1、功率放大器的一般规律：首先电压放大得到必要的输出；之后放置能驱动低阻抗负载的电流缓冲放大器。
2、解决发热问题是制作功率放大器的重点。
3、用一个晶体管进行工作的集电极电流的适当值为最大电流的1/3左右。
四、拓宽频带特性1、由于共基极放大电路的输出阻抗比较高，所以在输出信号长距离传输时，输出阻抗与布线杂散电容形成低通滤波器，就不能够显示出共基极放大电路本来的频率特性有点，为了改进这一点，在共基极放大电路的后级接上射极跟随器。
电路读书报告
电路读书报告电路读书报告一、基本概念总结1、电路：由电工设备和电气器件按预期目的连接构成的电流的通路。
（功能：a 能量的传输、分配与转换；b 信息的传递与处理。
共性：建立在同一电路理论基础上） 2、电路模型：反映实际电路部件的主要电磁性质的理想电路元件及其组合。
理想电路元件：有某种确定的电磁性能的理想元件几种基本的电路元件：电阻元件：表示消耗电能的元件电感元件：表示产生磁场，储存磁场能量的元件电容元件：表示产生电场，储存电场能量的元件电源元件：表示各种将其它形式的能量转变成电能的元件3、电流和电压的参考方向电流(i)：带电粒子有规则的定向运动（定义：单位时间内通过导体横截面的电荷量）单位:a（安培）、ka、ma、?a 方向:规定正电荷的运动方向为电流的实际方向参考方向：任意假定一个正电荷运动的方向即为电流的参考方向。
电流参考方向的两种表示：用箭头表示：箭头的指向为电流的参考方向。
双下标表示：如 iab , 电流的参考方向由a指向b。
4、电压的参考方向电位：单位正电荷q 从电路中一点移至参考点（e?＝0）时电场力做功的大小（电压( u)：单位正电荷q 从电路中一点移至另一点时电场力做功（w）的大小 ) 单位：v (伏)、kv、mv、?v方向：电位真正降低的方向电压参考方向的三种表示方式：用箭头表示、用正负极性表示、用双下标表示5、关联参考方向：元件或支路的u，i 采用相同的参考方向称之为关联参考方向。
反之，称为非关联参考方向。
6、电路元件的功率电功率：单位时间内电场力所做的功。
功率的单位：w (瓦) (watt，瓦特) 能量的单位： j (焦) (joule，焦耳) （1）u, i 取关联参考方向，p=ui 表示元件吸收的功率 p>0 吸收正功率 (实际吸收) p<0 吸收负功率 (实际发出) （2） u, i 取非关联参考方向， p = ui表示元件发出的功率 p>0 发出正功率 (实际发出) p<0 发出负功率 (实际吸收) 7、受控电源功能：反映某一处电路变量与另一处电路变量之间的耦合关系电压控制电压源：vcvs 电压控制电流源：vccs 分类电流控制电压源：ccvs 电流控制电流源：cccs 8、电阻的等效变换（1）串联n等效电阻：req?rk?1k 分压公式：uk?rk?i?（2）并联nrkrequ,k?1,2,3......等效电导：geq?gk?1k 分流公式：ik?gk?u?gkgeqi（3）混联：综合串联与并联的规律（4）y变换形相邻电阻乘积?形电阻之和y形电阻?形电阻?y形电阻两两乘积之和y形不相邻电阻9、理想电源的等效变换n用一个电压源替代n个电压源的串联：us? ?uk?1nsk 用一个电流源替代n个电流源的并联：is? ?ik?1sk 用其中任一电压源替代若干个电压相等极性一致的并联电压源用其中任一电流源替代若干个电流相等方向一致的串联电流源10、关于图的一些概念支路：电路中每一个两端元件就叫一条支路---电路中通过同一电流的分支。
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电子电路读书笔记1、HC为COMS电平，HCT为TTL电平2、LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路，HC一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。
LS 却没有这个要求3、LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同4、工作电压：LS只能用5V，而HC一般为2V到6V5、CMOS可以驱动TTL，但反过来是不行的。
TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻，将2.4V~3.6V之间的电压上拉起来，让CMOS检测到高电平输入6、驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA;而CMOS的高低电平均为5mA7、RS232电平为+12V为逻辑负，-12为逻辑正8、74系列为商用，54为军用9、TTL高电平>2.4V,TTL低电平<0.4V, 噪声容限0.4V10、OC门，即集电极开路门电路(为什么会有OC门?因为要实现“线与”逻辑)，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
并且只能吸收电流，必须外界上拉电阻和电源才才能对外输出电流11、COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS12、当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻13、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平14、如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5V CMOS电路的情况，如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74HC换成74HCT的芯片，因为3.3V CMOS 可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏，然后加上拉电阻到5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。
15、逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流)，逻辑门输出为低电平时的负载电流(为灌电流)16、由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。
这样漏极开路形式就可以连接不同电平的器件，用于电平转换。
需要注意的一点：在上升沿的时候通过外部上拉无源电阻对负载进行充电，所以上升沿的时间可能不够迅速，尽量使用下降沿17、几种电平转换方法：(1) 晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或MOSFET，C/D极接一个上拉电阻到正电源，输入电平很灵活，输出电平大致就是正电源电平。
(2) OC/OD 器件+上拉电阻法跟1) 类似。
适用于器件输出刚好为OC/OD 的场合。
(3) 74xHCT系列芯片升压(3.3V→5V)凡是输入与5V TTL 电平兼容的5V CMOS 器件都可以用作3.3V→5V 电平转换。
——这是由于3.3V CMOS 的电平刚好和5V TTL电平兼容(巧合)，而CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。
廉价的选择如74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/...)系列(那个字母T 就表示TTL 兼容)。
(4) 超限输入降压法(5V→3.3V, 3.3V→1.8V, ...)凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件，都可以用作降低电平。
这里的"超限"是指超过电源，许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源，但越来越多的新器件取消了这个限制(改变了输入级保护电路)。
例如，74AHC/VHC 系列芯片，其datasheets 明确注明"输入电压范围为0~5.5V"，如果采用3.3V 供电，就可以实现5V→3.3V 电平转换。
(5) 专用电平转换芯片最著名的就是164245，不仅可以用作升压/降压，而且允许两边电源不同步。
这是最通用的电平转换方案，但是也是很昂贵的(俺前不久买还是￥45/片，虽是零售，也贵的吓人)，因此若非必要，最好用前两个方案。
(6) 电阻分压法最简单的降低电平的方法。
5V电平，经1.6k+3.3k电阻分压，就是3.3V。
(7) 限流电阻法18、无极性电容和有极性电容：前者的封装基本为0805，0603。
后者用的最多为铝电解电容，好一点的钽电容19、PQFP(Plastic Quad Flat Package,塑料四边引出扁平封装),BGA(Ball Grid ArrayPackage,球栅阵列封装),PGA(Pin Grid Array Package,针栅阵列封装),PLCC(Plastic Leaded ChipCarrier,塑料有引线芯片载体),SOP(Small Outline Package,小尺寸封装),TOSP(Thin Small OutlinePackage,薄小外形封装),SOIC(Small Outline Integrated CircuitPackage,小外形集成电路封装)集成电路常见的封装形式QFP(quad flat package)四面有鸥翼型脚(封装)BGA(ball grid array)球栅阵列(封装)PLCC(plastic leaded chip carrier)四边有内勾型脚(封装)SOJ(small outline junction) 两边有内勾型脚(封装)SOIC(small outline integrated circuit)两面有鸥翼型脚(封装)20、屏蔽线对静电有很强的抑制作用，双绞线对电磁感应也有一定的抑制效果21、模拟信号采样抗干扰技术：可以采用具有差动输入的测量放大器，采用屏蔽双胶线传输测量信号，或将电压信号改变为电流信号，以及采用阻容滤波等技术22、闲置不用的IC管脚不要悬空以避免干扰引入。
不用的运算放大器正输入端接地，负输入端接输出。
单片机不用的I/O口定义成输出。
单片机上有一个以上电源、接地端，每个都要接上，不要悬空23、电阻阻值色环表示法：普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示24、电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等25、电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等26、一般电容的数字表示法单位为pF，电解电容一般为uF27、电容器的主要性能指标: 电容器的容量(即储存电荷的容量),耐压值(指在额定温度范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值)耐温值(表示电容所能承受的最高工作温度。
).28、电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等29、电感器的分类:空芯电感和磁芯电感.磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感等30、半导体二极管的分类a 按材质分：硅二极管和锗二极管;b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。
31、场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管32、Socket是一种插座封装形式,是一种矩型的插座; Slot是一种插槽封装形式,是一种长方形的插槽33、晶振的测量方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏34、IO口输出高电平时，驱动能力最低，对外显示为推电流;IO口输出低电平时，驱动能力最大，对外显示为拉电流35、外围集成数字驱动电路如果驱动的是感性负载，必须加限流电阻或钳住二极管36、9013提供的驱动电流有300mA37、输出数据应该锁存(外围速度跟不上，所以需要锁存)，输入数据应该有三态缓冲(加入了高阻状态，不至于对内部的数据总线产生影响)38、8位并行输出口(必须带有锁存功能)：74LS377,74LS273.8位并行输入口(必须是三态门)：74LS373,74LS24439、串行口扩展并行口，并行输入口：74LS165。
并行输出口：74LS16440、键盘工作方式有三种：1、编程扫描方式2、定时扫描方式3、中断方式。
还可以专门设计一个IO口用来进行双功能键的设计(上档键和下档键)41、对于TTL负载，主要应考虑直流负载特性，因为TTL的电流大，分布电容小。
对于MOS型负载，主要应考虑交流负载特性，因为MOS型负载的输入电流小，主要考虑分布电容42、特别注意总线负载平衡的概念!43、上拉电阻的好处：1、提高信号电平2、提高总线的抗电磁干扰能力(电磁信号通过DB 进入CPU)3、抑制静电干扰(CMOS芯片)4、反射波干扰(长远距离传输)44、稳压时，采用两级集成稳压芯片稳压效果更好45、传输线的阻抗匹配：1、终端并联阻抗匹配(高电平下降)2、始端串联匹配(低电平抬高)3、终端并联隔直流匹配(RC串联接地)4、终端接钳位二极管46、接地分两种：外壳接地(真正的接地)和工作接地(浮地)47、在单片机中地的种类：数字地，模拟地，功率地(电流大，地线粗)，信号地，交流地，屏蔽地48、一点接地：低频电路(1MHZ以下)。
多点接地：高频电路(10MHZ以上)49、交流地与信号地不能公用，数字地和模拟地最好分开，然后在一点相连50、揩振回路：可以选用云母、高频陶瓷电容，隔直流：可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容，滤波：可以选用电解电容，旁路：可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容51、二极管应用电路(1)限幅电路---利用二极管单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成，将信号限定在某一范围中变化，分为单限幅和双限幅电路。
多用于信号处理电路中。
(2)箝位电路---将输出电压箝位在一定数值上。
(3)开关电路---利用二极管单向导电性以接通和断开电路，广泛用于数字电路中。
(4)整流电路---利用二极管单向导电性，将交流信号变为直流信号，广泛用于直流稳压电源中。
(5)低电压稳压电路---利用二极管导通后两端电压基本不变的特点，采用几只二极管串联，获得3V以下输出电压52、高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10uF或者更大53、上拉电阻总结：1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V)，这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻，才能使用。
3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。