最全LED 半导体 电子行业术语

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最全电子行业术语英文翻译

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最全电子行业术语英文翻译本文档收集了电子行业中最常见的术语及其英文翻译,以帮助读者更好地理解和使用这些术语。

1. 常见术语及英文翻译- 电子设备 (Electronic device)- 半导体 (Semiconductor)- 集成电路 (Integrated circuit)- 电路板 (Circuit board)- 芯片 (Microchip)- 电 (Capacitor)- 电阻器 (Resistor)- 电感器 (Inductor)- 发光二极管 (Light-emitting diode)- 二极管 (Diode)- 可编程逻辑门阵列 (Programmable logic gate array)- 可编程逻辑控制器 (Programmable logic controller)- 集成封装 (Integrated packaging)- 数字信号处理 (Digital signal processing) - 触摸屏 (Touchscreen)- 无线充电 (Wireless charging)- 人工智能 (Artificial intelligence)- 物联网 (Internet of Things)- 虚拟现实 (Virtual reality)- 增强现实 (Augmented reality)- 机器研究 (Machine learning)2. 其他相关术语- 电池 (Battery)- 蓝牙 (Bluetooth)- Wi-Fi (Wi-Fi)- 供应链管理 (Supply chain management) - 电子支付 (Electronic payment)- 信息安全 (Information security)- 数据隐私 (Data privacy)- 用户界面 (User interface)- 数据存储 (Data storage)- 硬件 (Hardware)- 软件 (Software)- 网络安全 (Network security)- 数据备份 (Data backup)- 电子签名 (Electronic signature)- 电子邮箱 (Email)- 数据恢复 (Data recovery)- 电子证书 (Digital certificate)- 电子表格 (Spreadsheet)- 数据分析 (Data analysis)- 电子文档 (Electronic document)- 云存储 (Cloud storage)请注意,本文档收集的是最常见的电子行业术语及其英文翻译,如果有其他术语需要翻译或有任何疑问,请随时与我联系。

led-半导体照明术语对照表

led-半导体照明术语对照表
半导体照明术语对照表
中文 发光二极管; LED 固态照明 半导体照明 英文 light-emitting diode solid state lighting semiconductor lighting 定义 当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激 辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。 采用固体发光材料, 如发光二极管 (LED) 场致发光 、 (EL) 、 有机发光(OLED)等作为光源的照明方式。 采用 LED 作为光源的照明方式。 具有 PN 结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的 分立半导体晶片。 由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、 控制电路封装 在一起、 带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体 单元。 由 LED 或 LED 模块和电子元器件组合在一起, 具有一定功 能并可维修或拆卸的组合单元。
3
中文
英文
定义
ηe
发光效能; luminous efficacy 光源的光视效能 luminous efficacy of a source ηV 辐射的光视效能 luminous efficacy of radiation K 眩光 光轴 glare optical axis 光源发射的光通量ФV 与其消耗的电功率 P 的比值,单位 为 lm/W。 光源发射的光通量ФV 与其发射的辐射功率Фe 的比值,单 位为 lm/W。 由于光亮度的分布或范围不恰当,或对比度太强,而引起 不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。 关于主辐射能分布中心的一条直线。
中文 bond) 烧结 引线键合; 压焊 LED 封装 灌封 塑封 点胶封装 sinter
英文 应的位置上。
定义
通过高温加热,使银胶固化。 为了形成欧姆接触用金属引线连接 LED 芯片电极与支架 (框架)的引出端。 将 LED 芯片和焊线包封起来,并提供电连接、出光和散热 通道、机械和环境保护及外形尺寸。 采用模条灌装成型的封装方式。 采用模压成型的封装方式。 采用点胶成型的封装方式,也称软包封。

LED专业术语

LED专业术语

15.色品坐标(x, y) (Chromaticity coordinate):一种三色刺激值中的每一值与与它们的总和 之比。在CIE标准色度系数中,色坐标用系数x、y、z表示。即颜色的坐标,色坐标精确 表示了颜色。 注:ST/T 11395-2009,定义3.7.6 16.相关色温Tc(K)(correlated color temperature): 黑体轨迹上,和某一光源的色品坐标相距最
8.最大正向直流电流(maximum forward DC current - IFM(mA)):允许通过LED的 最大的正向直流电流,超过此值可损坏二极管
9.最大正向脉冲电流(maximum forward pulse current - IFP(mA)):允许通过LED 的最大的正向脉冲电流
10.最大反向电流(maximum reverse current - IR(μA)):允许通过LED的最大的反 向直流电流
近的那个黑体的绝对温度,即为该光源的相关色温
注:GB/T 5853-1986,定义3.31 17.显色指数Ra(color rendering Index):光源显色性的度量。以被测光源下物体的颜色和参照
光源下物体的颜色的相符合程度来表示。国际照明委员会CIE把太阳的显色指数定位100 注:ST/T 11395-2009,定义3.7.1 18.色饱和度(color saturation): 色饱和度也称为色纯度(Purity),是指彩色的纯洁性。在x-y
7.发光亮度L(cd/m2) (luminance):光源在某一方向上的亮度是光源在该方向上 的单位投影面积、单位立体角中发射的光通量。即:光源在某一方向上单位 面积所发出的光强度。单位:cd/m2 注1:1m2的面光源在其法线方向的光强为1cd,则光源在该方向的亮度为 1cd/m2 注2:在三安光电股份有限公司,芯片参数-发光亮度的英文代码为LOP 8.照度E(lx勒克斯)(illuminance):被照物体单位面积上所接受的光通量。单位: 勒克斯(lx) 注:1lm的光通量均匀地照射在1平方米的面积上的照度为1lx 9.峰波长(peak wavelength -λp (nm)):光谱辐射功率最大的波长。 注:在三安光电股份有限公司,芯片参数-峰波长的英文代码为WLP

LED专业术语及相关知识

LED专业术语及相关知识

LED是取自Light Emitting Diode 三个字的缩写,中文译为“发光二极管”,顾名思义发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件具有二极管的特性。

目前不同的发光二极管可以发出从红外到蓝间不同波长的光线,目前发出紫色乃至紫外光的发光二极管也已经诞生。

除此之外还有在蓝光LED上涂上荧光粉,将蓝光转化成白光的白光LED。

LED基本术语光辐射(Light and radiation) :光是指人眼可以感知为明亮的电磁辐射,也可以说是整个电磁辐射光谱中人眼可以看见的部份;这部份的波长分佈在360到830 nm,只占已知的电磁辐射光谱中的非常微小的部份。

光通量 (Luminous flux,Φ) :单位为:流明 (lumen, lm) 由一光源所发射并被人眼感知的所有辐射能称的为光通量。

光强(luminous intensity, I ):光源在某一方向立体角内的光通量大小。

单位:坎德拉(candE L a, cd) 一般而言,光源会向不同方向以不同的强度放射出其光通量。

在特定方向所放出的可见光辐射强度称为光强度。

I=光通量/4照度 (Illuminance, E) :单位:勒克斯(Lux, lx) 照度是光通量与被照面的比值。

1 lux 的照度为1 lumen的光通量均匀分佈在面积为一平方米的区域。

光效(Luminous efficacy, η) :单位:流明每瓦[lmW] 代表光源将所消耗的电能转换成光的效率,即光源发出的光通量除以光源所消耗的功率。

它是衡量光源节能的重要指标。

色温 ( Co1or Temperature ):单位:绝对温度( Kelvin, K )一个光源的色温被定义为与其具有相同光色的标准黑体(black body radiator) 本身的绝对温度值,此温度可以在色度图上的普朗克轨跡上找到其对应点。

标准黑体的温度越高,其辐射出的光线光谱中蓝色成份越多,红色成份也就相对的越少。

LED行业专业术语中文

LED行业专业术语中文

LED显示屏行业专业术语解释1.什么是LED?LED是发光二极管的英文缩写(LIGHT EMITTING DIODE),显示屏行业所说的“LED”特指能发出可见光波段的LED。

2.什么是像素?LED显示屏的最小发光像素,同普通电脑显示器中说的“像素”含义相同。

3.什么是像素点间距?由一个像素点中心到另一个像素点中心的距离。

定义:LED 显示屏的俩俩像素间的中心距离称为像素间距,又叫点间距。

点间距越密,在单位面积内像素密度就越高,分辨率亦高,成本也高。

像素直径越小,点间距就越小。

4.什么是LED点阵显示模块?由若干个显示像素组成的,结构上独立、能组成LED显示屏的最小单元。

典型有“8×8”、“5×8”等,通过特定的电路及结构能组装成模组。

5.什么是DIP?DIP是DOUBLE IN-LINE PACKAGE的缩写,双列直插式组装6.什么是SMT?什么是SMD?SMT就是表面组装技术(surface mounted technology的缩写)是目前电子组装行业里最流行的一种技术和工艺SMD是表面组装器件(surface mounted device的缩写)7.什么是LED显示模组?由电路及安装结构确定的、具有显示功能,能通过简单拼装实现显示屏功能的基本单元8. 什么是LED显示屏?通过一定的控制方式,由LED器件阵列组成的显示屏幕9. 什么是直插灯模组?优点和缺点是什么?指DIP封装的LED灯将灯脚穿过PCB板,通过焊接将锡灌满在PCB板孔内,由这种工艺作成的模组就是直插灯模组。

优点:视角大、亮度高、散热好、可用于室外缺点:像素密度小、生产工艺复杂10. 什么是表贴模组?优点和缺点是什么?表贴也叫做SMT,将SMT封装的灯通过焊接工艺焊接在PCB板的表面,灯脚不用穿过PCB板优点:视角大、显示图象柔和、像素密度大、适合室内观看缺点:亮度不够高、LED灯的自身散热不好11. 什么是亚表贴模组?优点和缺点是什么?(目前该种产品已经淘汰)亚表贴是介于SMT和DIP之间的一种产品,其LED灯的封装表面和SMT一样,但它的正负极引脚和DIP的一样,生产时也是穿过PCB板来焊接优点:亮度高、显示效果好缺点:工艺复杂、维修困难12. 什么是三合一?优缺点是什么?(市场上主流产品)将R、G、B三种不同颜色的LED晶片封装在同一个胶体内优点:生产工艺简单、显示效果好,缺点:分光分色难、成本高13. 什么是3拼1?(目前该种产品已经淘汰)指将R、G、B三种不同颜色的LED晶片独立封装14. 什么是伪彩、全彩显示屏?伪彩是有红色、绿色LED组成的显示屏,全彩是有红色、绿色、兰色LED组成显示屏15. 什么是发光亮度?LED显示屏单位面积所发出的光强度,单位是cd/㎡。

半导体行业术语

半导体行业术语

半导体行业术语半导体行业术语是专门用于描述和解释半导体技术和相关概念的专业词汇。

在描述半导体行业的相关术语时,需要确保清晰度和准确性。

以下是一些常见的半导体行业术语及其解释:1.半导体:半导体是一种电子材料,具有介于导体和绝缘体之间的电导特性。

半导体材料通常可以控制电流的流动,是构成电子器件和集成电路的基本元件。

2.集成电路(IC):集成电路是一种由多个电子元件(如晶体管、电容、电阻等)以及连接器件(如导线、金属线等)组成的电路系统。

集成电路可用于执行各种计算、存储和处理任务。

3.晶体管:晶体管是一种半导体器件,可以放大和控制电流。

晶体管由三层材料组成,其中包括一个控制区域、一个输入区域和一个输出区域。

晶体管被广泛用于电子设备和电路中。

4.功耗:功耗是指半导体器件在正常运行时消耗的电能。

功耗通常以瓦特(W)为单位进行衡量,是半导体行业中一个重要的考虑因素。

5.时钟频率:时钟频率是计量半导体器件工作速度的指标,通常以赫兹(Hz)为单位。

时钟频率越高,半导体器件的数据处理和运行速度越快。

6.互连:互连是指将不同的半导体器件或电子组件连接在一起的过程。

互连通常使用导线、金属线、连接器等来完成。

7.工艺技术:工艺技术是指用于制造半导体器件和集成电路的特定技术过程。

包括一系列的步骤,如沉积、蚀刻、掩膜制备等,用于制造和构建电子器件。

8.掩膜:掩膜是一种用于制造半导体器件的模板。

掩膜通常是由光刻工艺制备的,可以在半导体材料上形成特定的图案和结构,用于制造电子器件的特定组件。

9.封装:封装是将半导体芯片和连接线封装在外壳中的过程。

封装有助于保护芯片和电路,并提供适当的物理连接和支持。

10.微纳加工技术:微纳加工技术是一种用于制造微小尺度结构和器件的技术。

在半导体行业中,微纳加工技术被广泛应用于制造芯片和集成电路,以及其他微小尺度的器件。

以上是一些常见的半导体行业术语及其解释。

了解和熟悉这些术语对于了解半导体技术和行业发展趋势非常重要。

LED名称术语

LED名称术语

anneal
利用各种形式的能量转换产生热量来消除芯片中晶格缺 陷和内应力,以恢复晶格的完整性。同时使注入之掺杂 离子进入到替代位置而有效地活化掺杂杂质。
1.2.15 1.2.16
缓冲层 buffer
在衬底上生长的以消除衬底影响的一层。若此层生长有 问题,将极大影响上层晶格质量。
布拉格反 射层
Distributed Bragg Reflector 外延生长中相当于镜子,减少衬底吸收的一层。 (DBR)
2.1.6
PN结的击 PN junction
穿
striking
2.2 芯片工艺
2.2.1 正装芯片 nomal chip
当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快 速增加,此现象称为PN结的反向击穿。
发光二极管电极在出光面上,衬底材料和支架焊接到一 起的一种芯片结构
2.2.2 倒装芯片 flip chip
组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成 载流子势垒或势阱,并且具有量子效应的材料结构
单量子阱 Single Quantum 只有一个量子阱的材料结构 Well(SQW)
多量子阱
Multi-quantum Well(MQW)
包含多个单量子阱的材料结构
1.2.12 超晶格 super lattice
在LED外延片和芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外 量子效率的粗糙表面结构
黄光制程/ 黄光
Litho or Photo
通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物质(又称为光刻胶或光 阻),经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用,然 后进行蚀刻并最终获得永久性的图形的过程。
光刻
photolithograp- 将图形从掩膜版上成象到光阻上的过程。 hy

LED专业术语释义

LED专业术语释义

专业术语释义LED 指发光二极管,是由Ⅲ-Ⅴ族半导体材料通过半导体工艺制备的固体发光器件,其原理是利用半导体材料的特性将电能转化为光能而发光四元系LED 指以Al(铝)、In(铟)、Ga(镓)、P(磷)四种化学元素制成的LED,可发出黄绿/黄/橙/红色光,具有亮度高、衰减低的特性,是目前LED 主流产品Ⅲ-Ⅴ族半导体材料指元素周期表中的III 族与V 族元素相结合生成的化合物半导体,主要包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓(InN)等衬底指LED 衬底。

外延生长的载体,生产外延片所需的主要原材料之一,主要有蓝宝石、砷化镓、锗等材料外延生长指在一定温度条件下,在专有设备反应室内,原材料进行化学还原反应,在特定衬底材料上生长出具有特定组分、特定厚度、特定电学和光学参数的半导体薄膜外延材料的过程外延片指 LED 外延片,外延生产的产物,用于制造 LED 芯片MOCVD 指金属有机化学气相淀积,目前应用范围最广的生长LED 外延片的生长方法,有时也指运用此方法进行生产的设备芯片指LED 芯片。

具有器件功能的最小单元,具备正负电极、通电后可发光的半导体光电产品,由外延片经特定工艺加工而成功率型芯片指功率型LED 芯片。

对于功率型的界定,目前国内没有统一的行业标准,红黄光LED 芯片中一般将功率超过1W 的称为功率型芯片GaAs、砷化镓指GaAs,镓和砷两种元素合成的半导体化合物,重要的半导体材料GaP、磷化镓指GaP,镓和磷两种元素合成的半导体化合物,重要的半导体材料封装指 LED 封装。

为LED 芯片制作电极并进行固化光伏发电指利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术聚光指用光学透镜等将阳光聚焦到很小区域,能大幅提高单位面积上光照的强度iSuppli 指全球领先的电子制造领域市场研究机构PIDA 指台湾光电科技工业协进会lm 指流明,光通量单位,发光体每秒所发出的光量总和lm/w 指流明/瓦,光效单位,电光源将电能转化为光的能力,单位耗电量实现的光通量;其数值越高表示光源的效率越高,也越为节能cd/mcd 指烛光(亦称坎德拉)/微烛光,光强单位,发光体在特定方向单位立体角内所发射的光通量;1cd 的光源可放射出l2.57lm 光通量mil 指密耳,长度单位,千分之一寸MW 指兆瓦特,功率单位,1MW=1,000 KWKW 指千瓦特,功率单位,1KW=1,000 W三洋电波指日本三洋电波工业株式会社鸟取三洋指日本鸟取三洋电机株式会社厦门华联指厦门华联电子有限公司江苏稳润指江苏稳润光电有限公司亿光指亿光电子工业股份有限公司(台湾)佰鸿指佰鸿工业股份有限公司(台湾)光宝指光宝科技股份有限公司(台湾)宏齐指宏齐科技股份有限公司(台湾)先进光电指先进开发光电股份有限公司(台湾)Nichia 指日亚化学工业株式会社(日本)Toyoda Gosei 指丰田合成株式会社(日本)Sony 指索尼株式会社(日本)Cree 指Cree Inc.(美国)Lumileds 指Philips Lumileds Lighting Company (美国)Osram 指Osram Opto Semiconductors,德国欧司朗光电半导体公司二、专业术语释义LED全称为“Light Emitting Diode”,指发光二极管,是一种可以将电能转化为光能的半导体器件LED 封装指用环氧树脂或有机硅把LED芯片和支架包封起来的过程LED 组件指由多个LED和其他器件部件(如电阻、电容、反射腔、导光板等)组成的显示或发光装置SMD 全称为“Surface Mounted Device”,指表面贴装器件Chip LED 指采用PCB板作为基板材料的片式LED,隶属于SMD LEDPLCC LED 指(plastic leaded chip carrier)带引线的塑料芯片载体,隶属于SMD LEDTop LED 指顶部发光LED,隶属于PLCC LEDSideview LED 指侧面发光LED,隶属于PLCC LEDHigh Power LED 大功率LED或功率型LED,指工作电流>100毫安的LED,隶属于SMD LEDLamp LED 指支架式LED,又称直插式LED、引脚式LEDLuxeon封装结构指Lumileds公司一种大功率LED封装结构GaN 指氮化镓GaP 指磷化镓SiC 指碳化硅GaAsP 指镓砷磷A1GaAs 指铝镓砷InGaN 指铟镓氮光通量表示可见光对人眼的视觉刺激程度的量,单位:流明(Lm)Lm/W 指流明/瓦,衡量发光效率的单位光强单位立体角内的光通量,通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度,单位:坎德拉(cd)普通亮度LED 指器件法向光强≤10mcd的LED高亮度LED 指10mcd<器件法向光强≤100mcd的LED超高亮度LED 指器件法向光强>100mcd的LED显色指数表征在特定条件下,经某光源照射的物体所产生的心理感官颜色与该物体在标准光源照射下的心理颜色相符合的程度的参数,衡量光源质量的指标RGB 指Red(红)、Green(绿)、Blue(蓝)三基色外延片指在单晶衬底上沿其表面提供的择优位置延续生长,具有特定晶面的单晶薄层,是用于制造LED芯片的基本材料LCD 全称“Liquid Crystal Display”,指液晶显示器CCFL 全称“Cold Cathode Fluorescent Lamp”,指冷阴极荧光灯管背光源指为LCD提供背部光源的发光组件,是一种能把点光源或线光源发出的光通过漫反射使之成为面光源的发光组件光源模块指发行人生产的一种具有良好散热性能和防水性能、可用于城市亮化等用途的LED组件调谐器指一种用于DVD、手机、车载音响和电视机等接收信号和选台的装置LIB 指锂电池ERP 全称“Enterprise Resource Planning”,指企业资源计划管理系统OBMOwn Brand Manufacturing,自有品牌制造,指生产商拥有自主产品开发权,且自主决定产品市场定位、价格区间、行销策路。

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ASIC(专用集成电路)
28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49
ASP 原子轨道 AV 输入 后端 背光照明 频带 带隙 带通滤波器 光束发散度(与 PN 结平 行的 FWHM) BEF(增亮膜) BEOL(后端制程) 偏压 偏压控制 施加偏压 BIN(分选) 双极 双极晶体管 位 黑色封装 BLU(背光模组) 已键合晶圆
AEL(可接近放射限值)
9
AFS(高级前照明系统)
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
AGC(自动增益控制) ALCVD ALE AlGaAs AllnGaP AllnGaP 芯片 (LED) 字母数字显示器 交流电 (AC) 电流计 非晶体 模拟显示器 模拟仪 阳极
键合 击穿电压 (VBR) 亮度 降压/升压调节器(转换 器) 旁路电容器 C 安装/cs 安装 坎德拉 电容 载波频率 载流子/电荷载流子 阴极 阴极发光 (CL) CBE CCD 传感器 CCFL(冷阴极荧光灯) CCT(相关色温) CCTV(闭路电视) CDM(带电器件模型) 质心波长 CFD(计算流体动力学)分 析 电荷载流子 电荷耦合器件 化学腐蚀加工 化学机械抛光 (CMP) 化学气相沉淀 (CVD) 芯片 芯片载体 板上芯片 (COB) 软膜覆晶接合技术 (COF) 晶玻接装 (COG)
(CMP) 化学机械抛光 涂层 COB(板载芯片)技术 CoD(按需选色) 集电极电流 (Ic) 集电极发射极饱和电压 集电极发射极电压 集电极浪涌电流 颜色坐标 色谱 彩色超扭曲向列 (CSTN) 型显示器 比较器 互补 化合物半导体 传导带 导体 连接器插入损耗 非接触式 (SMT) 传感器 对比度 对比率 控制器 x 位 转换技术 线芯 耦合 CPU(中央处理器) CRI(显色指数) CRT(阴极射线管) 晶体 CTE(热膨胀系数) 电流 电流传输比 (CTR) 定制集成电路 CW(模式/脉冲)
50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85
Bonding Breakdown voltage (VBR) Brightness Buck/boost regulator (converter) Bypass capacitor C-mount/cs-mount Candela Capacitance Carrier frequency Carrier/Charge Carrier Cathode Cathodoluminesence (CL) CBE CCD-sensor CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamps) CCT (Correlated Color Temperature) CCTV (Closed Circuit Television) CDM (Charged Device Model) Centroid wavelength CFD (Computional Fluid Dynamics) analysis Charge Carrier Charge coupled devices Chemical Etching Chemical Mechanical Polishing (CMP) Chemical Vapor Deposition (CVD) Chip Chip Carrier Chip-On-Board (COB) Chip-on-Flex (COF) Chip-on-Glass (COG)
有源矩阵显示器
7
Active Matrix Liquid Crystal Displays (AMLCDs)
有源矩阵液晶显示器 (AMLCD)

8
AEL (Accessible Emission Limits) AFS(Advanced Frontlighting System) AGC (Automatic Gain Control) ALCVD ALE AlGaAs AllnGaP AllnGaP chip (LED) Alphanumeric Display Alternating Current (AC) Ammeter Amorphous Analog Display Analog Meter Anode
120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158
159 160 161 162 163 164
Duty cycle Dynamic Scattering LCD
占空比 动态散射 LCD
Early Effect Early Voltage
厄利效应 厄利电压
EBDIC (Extended Binary EBDIC(扩展的二进制编码 Coded Decimals Interchange 的十进制交换码) Code) EBL (Electron Block Layer) ECRMBE Edge-emitting Lasers EEPROM EL (Electro Luminescence) Elastic Recoil Detection Analysis ELD Electric Generator Electrical Conductivity Electrical Resistance Electricity Electroluminescent (EL) Display Electromagnetic Radiation (waves) Electron Electron Energy Level Electronics Elementary Semiconductor EMI (ElectroMagnetic Interference/Influence) Emissive Polymer Layer Emitter EN (Européen Normalisation)-standards Encapsulation (epoxy/silicon) EOS (Electrical Overstress) Epitaxy EPROM ESD (ElectroStatic Discharge) EBL(电子块层) ECRMBE 边缘发射激光器 EEPROM EL(电致发光) 弹性反冲探测分析 ELD 发电机 导电性 电阻 电 电致发光 (EL) 显示屏 电磁辐射(波) 电子 电子能级 电子学 基本半导体 EMI(电磁干扰/影响) 发光聚合物层 发射器 EN(欧洲标准化)标准 封装(环氧树脂/硅树脂) EOS(电过载) 外延 EPROM ESD(静电放电)
DALI (Digital Addressable Lighting Interface) standard protocol Dark current Dark current IR DAW (Digital Audio Workstation) DBEF (Dual Brightness Enhancement Film)-D Decoder/Driver Delocalized (electrons) Demodulator Deposition Detection limit (D) Dice Die Die Area Die Attach Die Bonding Die Cost Die Size Die Sort Die Yield Diffuser (film) Digital Display Digital I²C output Diode Diode laser DIP (Dual In-line Package) DIP package Direct Band Gap Discrete Device Display format DMD (Digital Mirror Device) Dominant Wavelength (λ dom) Dopant Doping Dot Matrix Display Dpi DRAM Drift velocity Driving circuit DUT (Device Under Test)
DALI(数字可寻址照明接 口)标准协议 暗电流 暗电流 IR DAW(数字音频工作站) DBEF(反射式增光偏光 片)-D 解码器/驱动器 离域(电子) 解调器 蒸镀 检测限 (D) 晶粒 晶粒 晶粒面积 固晶 晶粒贴合 晶粒成本 晶粒尺寸 晶粒分选 晶粒成品率 散光罩(薄膜) 数字显示 数字 I²C 输出 二极管 二极管激光器 DIP(双列直插式封装) DIP 封装 直接带隙 分立器件 显示格式 DMD(数字微镜装置) 主波长 (λ dom) 掺杂剂 掺杂 点阵显示 Dpi DRAM 漂移速度 驱动电流 DUT(被测装置)
最全电子、半导体、led术语解释(中英文对照)
序号
1
术语-英文
A/D signal/converter
术语-中文
数模信号/转换器
2
ABCS
ABCS
3 4 5
Absorption Acceptance Pattern Acceptor Impurity
吸收 接受图 受主杂质
6
Active Matrix Display
CHMSL (Center High Mounted CHMSL(中央高位刹车灯) Stop Light/Lamp) Circuit 电路 Cladding Cleanroom 镀层 无尘室
CMOS (Complementary Metal- CMOS(互补金属氧化物半 Oxide Semiconductor) 导体)
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