LDO电路集锦
一种用于汽车空调控制器ldo电路输出电源的简易保护电路
汽车空调控制器LDO 电路输出电源的简易保护电路设计，可以有效地提高电源的稳定性和安全性。
以下是一种可能的电路设计：
一、电路组成
该简易保护电路主要由电源开关管、滤波电容、限流电阻、过流保护元件和接地电阻组成。
二、工作原理
当汽车空调控制器需要LDO 电路输出电源时，电源开关管会被触发导通，电流通过电源开关管和限流电阻对滤波电容进行充电。
滤波电容的电压逐渐升高，通过LDO 电路产生稳定的电压输出。
同时，接地电阻可以将过大的电流泄放到地线中，防止电流过大导致电路故障。
三、保护功能
1. 过流保护：当LDO 电路输出电源出现异常，如负载过大或短路等情况时，电流会瞬间增大。
限流电阻能够快速反应，限制电流过大对电源的损害，同时通过控制电源开关管的导通时间，减小电流强度。
2. 短路保护：如果LDO 电路输出端出现短路，接地电阻可以将电流引入地线，防止电源过热损坏。
同时，短路时会产生较大的电压波动，电路中的过流保护元件会检测到这个波动并触发保护机制。
3. 滤波功能：滤波电容能够有效地滤除电源中的杂波，提高电源的稳定性。
四、注意事项
1. 电源开关管的选择要考虑到汽车空调控制器的功率需求和工作环境，确保开关管能够正常工作。
2. 限流电阻和接地电阻的参数要合理设置，既要保证保护功能的有效性，又要避免电阻过大导致电源损耗增加。
3. 电路中的所有元件都需要进行耐压和阻抗测试，确保电路的安全性和稳定性。
通过以上简易保护电路的设计和实施，可以有效提高汽车空调控制器LDO 电路输出电源的稳定性和安全性，延长设备的使用寿命。
降压电路LDO
降压电路LDO一、拓扑结构1、LDO拓扑如上图，要想掌握LDO，必须理解拓扑结构，几乎所有LDO都是基于此拓扑结构。
2、由拓扑可知，LDO属于线性电源，通过控制开关管的导通程度实现稳压，输出纹波小，无开关噪声；3、线性电源，输出电流等于输入电流，发热功率=电压差*电流，转换效率=Vo/Vi；4、LDO不适合电压差过大的场合，比如输入24V，输出3.3V，如果电流20mA，发热功率=20.7V*20mA=0.54W，效率只有13.75%；5、LDO不适合电流大的场合，电流大，发热功率相对较大，同时，压差大，可能导致电压下拉，具体看datasheet的电压降，比如1V/1A(电流1A时，压降最少1V，此时，如果输入电压4V，输出最大只能3V);6、根据经验，SOT-23封装，发热功率不超过0.3W；SOT-89,发热功率不超过0.5W；7、如果发热功率过大，可以考虑使用BUCK降压电路，必须使用LDO的话，可以串联电阻，分担一部分功耗，但需要注意LDO电压降必须满足要求。
二、选型1、选型依据:输入与输出电压，输出电流，静态电流，发热功率，封装，成本等；2、品牌很多，像TI、合泰、南京微盟、UTC等，可以上立创商城查找。
3、项目实战以78L05、ME6211C33M5G、HT7333-3为例，其它型号，设计方法大同小异。
三、项目实战1、原理图设计说明：78L05，低成本。
最大支持100mA稳定电流输出，电压降必须大于2V，也就是说，输入电压必须大于7V，串联的电阻，用于分担78L05的发热功率。
说明：ME6211C33M5G，低压差(210mV/200mA)，最大支持500mA稳定电流输出，输入电压不超过6V。
说明：HT7333-3，静态电流只有1uA，适合待机低功耗的产品,最大支持250mA稳定电流输出，输入电压支持30V,。
2、PCB设计设计要点：1、输入与输出电容靠近IC即可；2、注意封装的引脚顺序。
LDO(低压差线性稳压器)知识总结
LDO（低压差线性稳压器）知识总结LDO 是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。
传统的线性稳压器，如78xx 系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V 以上，否则就不能正常工作。
但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v 转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。
针对这种情况，才有了LDO 类的电源转换芯片。
LDO 是一种线性稳压器。
线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。
所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。
正输出电压的LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为PNP。
这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为200mV 左右;与之相比，使用NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为2V 左右。
负输出LDO 使用NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出LDO 的PNP 设备类似。
更新的发展使用MOS 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。
使用功率MOS，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的ON 电阻造成的。
如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
DC-DC 的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换)，只要符合这个定义都可以叫DCDC 转换器，包括LDO。
但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC。
LDO 是低压降的意思，这有一段说明：低压降(LDO)线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。
它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。
新的LDO 线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR 为60dB，静态电流6μA(TI 的TPS78001 达到Iq=0.5uA)，电压降只有100mV(TI 量产了号称0.1mV 的LDO)。
ldo常用结构
ldo常用结构LDO（Low Drop Out）是指当负载电流变化时，其输出电压的变化很小，或者可以说是不大于某个较小的数值。
在电子电路中，LDO常用于降低电压并提供给低功耗或敏感电路。
LDO 的常用电路结构有多种，下面将介绍其中几种常见的结构。
1. PNP反馈稳压结构PNP反馈稳压结构是最早也是最基本的LDO结构之一。
它使用一个串联的PNP晶体管作为负载，负载电流通过这个PNP 晶体管。
负载电流经过差分放大器放大，并通过对基级和发射级电流进行控制，从而实现稳压功能。
这种结构简单易用，但适用范围有限。
2. NPN反馈稳压结构NPN反馈稳压结构和PNP反馈稳压结构类似，只是将PNP晶体管换成了NPN晶体管。
这种结构更为常见，因为NPN晶体管比PNP晶体管更易获得和控制。
NPN反馈稳压结构在工作原理上与PNP反馈稳压结构相似，只是电流方向相反。
3. PMOS反馈稳压结构PMOS反馈稳压结构是使用PMOS晶体管来实现负载压降的一种LDO结构。
PMOS反馈稳压结构在输入端串联一个PMOS晶体管，输出端连接一个差分放大器。
当输入电压下降时，差分放大器控制PMOS晶体管的导通，从而提供稳定的输出电压。
这种结构的优点是输入电压范围宽广，适用于高压差场合。
4. NMOS反馈稳压结构NMOS反馈稳压结构与PMOS反馈稳压结构相似，只是将PMOS晶体管换成了NMOS晶体管。
NMOS反馈稳压结构的特点是输入电压范围较窄，但具有更好的热稳定性和负载能力。
除了以上几种常见的LDO结构外，还有一些衍生的结构，如差分式LDO、共射共基反馈LDO等。
这些结构在特定的应用场合下能够提供更好的性能和稳定性。
综上所述，LDO的常用结构包括PNP反馈、NPN反馈、PMOS反馈、NMOS反馈等。
选择适当的LDO结构要根据具体的应用需求、电压差值、稳定性和负载要求等因素进行综合考虑。
另外，LDO的性能和稳定性还受到电源输入电压稳定性、散热和负载电流等因素的影响，因此在实际应用中需要进行仔细设计和优化。
手机中二极管-三极管-LDO-DCDC电路
二极管一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面.在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场.二极管的主要特性：正向性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,正向电流几乎为零.当正向电压继续加大,二极管正向导通.在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压.反向性外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流.由于反向电流很小,二极管处于截止状态.击穿外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿.当电压达到约0.7V时,二极管完全导导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压.对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V.二极管的反向击穿齐纳击穿反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况.二极管是最常用的电子元件之一,他最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的.二极管应用：1.检波二极管2.限幅二极管二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变〔硅管为0.7V,锗管为0.3V〕.利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内.3.开关二极管4.稳压二极管这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的,在电路中其两端的电压保持基本不变,起到稳定电压的作用.二极管工作时的端电压〔又称齐纳电压〕从3V左右到150V,按每隔10%,能划分成许多等级.5.肖特基二极管它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管.其正向起始电压较低.其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体.由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件.其工作频率可达100GHz.5.瞬变电压抑制二极管TVP管,对电路进行快速过压保护,分双极型和单极型两种,按峰值功率〔500W－5000W〕和电压〔8.2V～200V〕分类.二极管主要参数：1、最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时,允许通过的最大正向平均电流值,其值与PN结面积与外部散热条件等有关.因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度〔硅管为141左右,锗管为90左右〕时,就会使管芯过热而损坏.2、最高反向工作电压U加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力.为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值.3、动态电阻Rd二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比.4、最高工作频率FmFm是二极管工作的上限频率.因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成.所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小.若是超过此值.则单向导电性将受影响.5、电压温度系数αuzαuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量.uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好.在手机中一般有三个地方会用到二极管：一处是马达电路,利用二极管抑制马达线圈的尖峰电压；另一处是DC-DC电路,构成续流二极管；最后一处是ESD防护,将两个背靠背的二极管做成TVS管,实现静电电荷或浪涌冲激的快速泄放.手机中用到的二极管生产公司NXP、SIG、芯导、罗姆NXP二极管BZX585-C5V1低功率稳压器二极管,采用超小型SOD523 SMD塑料封装.总功耗：最大300 mW两个容差系列：+- 2%和+- 5%工作电压范围：标称值2.4 V至75 V〔E24范围〕非重复性峰值逆向功率损耗：最大40 W.一般稳压功能.NXP 二极管PMEG6010CEJ平面高能效通用型<MEGA>肖特基势垒整流器,带集成应力保护环,采用小型扁平引脚表面贴装设备〔SMD〕塑料封装.特性：正向电流：IF ≤ 1 A反向电压：VR ≤ 60 V极低正向电压小型扁平引脚SMD塑料封装低压整流高效DC-DC转换开关模式电源反向极性保护低功耗应用NXP 贴片TVS二极管PESD5V0S1B低电容静电放电<ESD>保护二极管采用超小型SMD塑料封装,保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏.特性:单条线路的双向ESD保护超过30 kV的ESD保护最大峰值脉冲功率：PPP = 130 WIEC 61000-4-2,第四级<ESD>低钳位电压：V<CL>R = 14 VIEC 61000-4-5〔浪涌〕；IPP = 12 A超低漏电流：IRM = 5 nA超小型SMD塑料封三极管三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.晶体三极管的特性曲线1.输入特性曲线：由图可见曲线形状与二极管的伏安特性相类似, UCE=1V的输入特性曲线比UCE=0V的曲线向右移动了一段距离,即UCE增大曲线向右移,但当UCE＞1V后,曲线右移距离很小,可以近似认为与UCE=1V时的曲线重合,所以图中只画出两条曲线,在实际使用中,UCE总是大于1V 的.由图可见,只有UBE大于05V后,iB才随UBE的增大迅速增大,正常工作时管压降UBE约为0.6～0.8V,通常取0.7V,称之为导通电压UBE<on>.对锗管,死区电压约为0.1V,正常工作时管压降UBE的值约为0.2～0.3V,导通电压UBE<on>≈0.2V.2.输出特性曲线输出回路的输出特性方程为：iC=f<UCE>,iB=常数；晶体三极管的输出特性曲线分为截止、饱和和放大三个区,每区各有其特点：〔1〕截止区： IB≤0,IC=ICEO≈0,此时两个PN结均反向偏置.〔2〕放大区：IC=βIB+ICEO ,此时发射结正向偏置,集电结反向偏置,特性曲线比较平坦且等间距. Ic受IB控制,IB一定时,Ic不随UCE 而变化.〔3〕饱和区： UCE < U BE,UCB= UCE - U BE < 0 ,此时两个PN结均正向偏置,IC ¹ b IB,IC不受IB控制,失去放大作用.曲线上升部分UCE很小,UCE = U BE时,达到临界饱和,深度饱和时,硅管 UCE<SAT>=0.3V,锗管UCE<SAT>=0.1V三极管主要参数：1特征频率fT当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.fT称作增益带宽积,即fT=βfo.若已知当前三极管的工作频率fo以与高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT.随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.2电压/电流.三极管用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.3电流放大倍数.4集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.5最大允许耗散功率.三极管主要应用：1,开关2,电压放大3,电流放大4,振汤回路5,射频发送MOS绝缘栅场效应管<MOS管>的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P 沟道型.无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种.它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管,简称MOS场效应管.工作原理：绝缘栅型场效应管的工作原理<以N沟道增强型MOS场效应管>它是利用UGS来控制"感应电荷"的多少,以改变由这些"感应电荷"形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID.当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化.特性曲线：〔1〕转移特性曲线场效应管是电压控制电流的器件,由于栅极没有输入电流,讨论其输入特性就没有意义了.这里用转移特性来描述管子的输入和输出之间的控制关系,所谓转移特性,是指在一定的漏极电压uDS的情况下,栅极电压uGS对漏极电流iD的控制特性.〔2〕输出特性曲线场效应管的输出特性是指在栅极电压一定的情况下,漏极电流iD与漏‐源电压uDS之间的关系；场效应管的输出特性曲线也分成三个区：恒流区、夹断区和可变电阻区.当导电沟道予夹断后,呈现恒流特性,处于恒流区.当栅极电压达到一定的值时,导电沟道被两边的空间电荷区夹断,漏极电流很小,处于夹断区.当栅源电压很小,两边的空间电荷区没有接触时,处于可变电阻区.放大电路中的场效应管应该处于恒流区,只有处于恒流区,栅极电压才对漏极电流有控制作用.MOS管主要参数：1.开启电压VT〔又称阈值电压〕：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；标准的N沟道MOS管,VT约为3～6V；通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT 值降到2～3V.2.直流输入电阻RGS3.即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比,这一特性有时以流过栅极的栅流表示,MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω.4.漏源击穿电压BVDS.在VGS=0〔增强型〕的条件下,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS.5.栅源击穿电压BVGS.在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS.6.低频跨导gm.在VDS为某一固定数值的条件下,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导.gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一个重要参数.场效应管属于电压控制元件,这一特点类似于电子管,但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的,与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点.1.场效应管是电压控制器件,它通过VGS<栅源电压>来控制ID<漏极电流>.2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大.3.它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好.4.它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数.5.场效应管的抗辐射能力强.6.由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低.应用1.场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.3.场效应管可以用作可变电阻.4.场效应管可以方便地用作恒流源.5.场效应管可以用作电子开关.LDOLDO是线性电源的典型代表.主要组成部分：基准电压发射器〔Vref〕,误差放大器,MOS管〔T〕和反馈电阻<R1/R2>.工作原理：LDO工作原理如下：Vin为输入电压,经调整管Ｔ降压后输出Vout,R1/R2构成分压电路,从R2上采样并反馈输入到误差放大器的同相端.基准电压发生器产生一个高精度的恒压源Vref,并输入到误差放大器反向端.误差放大器对同相端和反相端的电压差值进行放大,其输出电压用于控制MOS管的栅极电压,从而改变MOS管的工作点.当整个环路达到稳定时,误差放大器的同相端与反相端电压近似相等.此时,有Vref=Vout×R2/<R1+R2>即Vout=Vref×<R1+R2>/R2由上式可知,正常状态下,LDO输出电压Vout的大小与输入电压Vin无关,而只是取决于基准电压Vref和分压电阻R1/R2比值大小.对于一款具体的ＬＤＣ芯片,Vref和R1/R2都是固定的,于是输出电压也就被固定了.从自控角度看,LDO其实是一个电压闭环负反馈系统.其中Vref为基准信号,R1/R2为反馈器件,通过他们可以获得系统输出量并反馈回系统.根据制成工艺的不同,LDO有Bipolar,BiCMOS,CMOS几种类型,性能有所差异,但随着成本压力的增大,CMOS LDO目前成为市场的主流.对于手机来说,主要分成射频,基带,PMU三大功能单元.PMU虽然可以满足其中大部分供电的需求,而对于射频部分的供电,摄像头模组的供电,GPS,以与WIFI部分新增的供电需求,由于PMU本身更新的速度,以与考虑成本、散热问题,并不能满足,需要通过额外的电源供应.SGMICRO的LDO产品本身有着极低的静态电流,极低的噪声,非常高的PSRR,以与很低的输入输出电压差,可以大部分满足这些应用条件下供电需求.在手机应用中,LDO的PSRR,输出噪声、启动时间这几个参数直接影响手机性能好坏,选择其外围器件需要注意一下几点：1、输出电容的选择影响LDO的稳定性,响应性能以与启动时间2、输入电容选择影响瞬态响应性能,EMI和PSSR3、两端滤波电容影响输出波纹、PSSR和瞬态响应性能以与启动时间.4、稳压二极管选用要考虑能抑制输入电压过冲.CMOS LDO的以下几个参数在手机设计中特别重要：1、LDO的稳定性与瞬态响应.由于负载电流动态范围变化大,要求LDO的稳定性与瞬态响应性能好.2、PSSR参数.该参数直接影响射频模块部分接收灵敏度.如果用在音频部分,能抑制手机中EMI干扰.3、LDO启动时间.启动时间和设计的上电时序相关,直接影响系统工作与否.不同功率情况下选用合适的.LDO的典型应用LDO常见用于手机摄像头电源驱动,RF电源、蓝牙模块电源驱动.1、常见的AC/DC电源,交流电源电压经变压器后,变换成所需要的电压,该电压经整流后变为直流电压.在该电路中,低压差线性稳压器的作用是：在交流电源电压或负载变化时稳定输出电压,抑制纹波电压,消除电源产生的交流噪声.2、各种蓄电池的工作电压都在一定范围内变化.为了保证蓄电池组输出恒定电压,通常都应当在电池组输出端接入低压差线性稳压器.低压差线性稳压器的功率较低,因此可以延长蓄电池的使用寿命.同时,由于低压差线性稳压器的输出电压与输入电压接近,因此在蓄电池接近放电完毕时,仍可保证输出电压稳定.3、开关性稳压电源的效率很高,但输出纹波电压较高,噪声较大,电压调整率等性能也较差,特别是对模拟电路供电时,将产生较大的影响.在开关性稳压器输出端接入低压差线性稳压器,就可以实现有源滤波,而且也可大大提高输出电压的稳压精度,同时电源系统的效率也不会明显降低.常见的封装有：SC70、SOT23,DFN-6,TO252,SOIC,SOT23.以射频模块部分供电为例,SC70封装,本身允许散热功率通常在0.2W以内,Vout通常是2.8V,如果电流超过250mA会导致不稳定,而SOT23的封装允许散热在0.4W左右,更加适合该部分的应用.如果从芯片尺寸考虑,可以选用DFN封装,可以兼顾散热要求<PD>0.4W>.生产厂家TOREX,SII,ROHM,RICOH,Diodes,Prisemi,Ame,TI,NS,Maxim,LTC,Intersil,Fairchild,Micrel ,Natlinear,MPS,AATI,ACE,ADI,ST等；DC/DC电源模块DC/DC转换器分为三类：升压型DC/DC转换器、降压型DC/DC转换器以与升降压型DC/DC 转换器.根据需求可采用三类控制.PWM控制型效率高并具有良好的输出电压纹波和噪声.PFM控制型即使长时间使用,尤其小负载时具有耗电小的优点.PWM/PFM转换型小负载时实行PFM控制,且在重负载时自动转换到PWM控制.目前DC-DC转换器广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携式媒体播放器等产品中.DC/DC变换是将原直流电通过调整其PWM〔占空比〕来控制输出的有效电压的大小.DC-DC有降压和升压两种.DC-DC BUCK降压型变换电路,这种变换器只能降压不能升压,输入输出是同极性的,它输出的电流脉动小,结构比较简单,但输入电流脉动较大.其电压比公式：V0/Vin=D开关管承受最高电压为V MQ=Vin,二极管承受最高电压为V MD=Vin.适用于各种降压型开关稳压器.DC-DC Boost升压型变换器,该种变化器只能升压,二不能降压,输入输出同极性,输入电流脉动小,但输出电流脉动大,也不能空载工作,结构比较简单,其低电压比V0/Vin=1/<1-D>,开关承受最高电压V MQ=V0,二极管承受最高电压V MD=V0.目前,在手机应用电路中,通常需要通过升压电路来驱动闪光灯模组的LED或者是显示屏背光的LED,并且通常可以根据不同情况下的需求,调节LED的明暗程度.串联驱动,采用电感型DC-DC升压转换原理,所有的LED负载是串联连接的形式.这类应用电路中采用的升压器件有体积小,效率高的优点,而且大多数是采用SOT23-5L或者SOT23-6L的封装,外加少量阻容感器件,占用电路板很小的空间.LDO与DC-DC优缺点低压降〔LDO〕线性稳压器的成本低,噪音低,静态电流小,这些是它的突出优点.它需要的外接元件也很少,通常只需要一两个旁路电容.新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV,PSRR为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV.如果输入电压和输出电压很接近,最好是选用LDO稳压器,可达到很高的效率.如果输入电压和输出电压不是很接近,就要考虑用开关型的DC-DC了,因为LDO的输入电流基本上是等于输出电流的,如果压降太大,耗在LDO 上能量太大,效率不高.DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路.DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小.随著集成度的提高,许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器.但是,这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高.总之,升压是一定要选DC-DC的,降压,是选择DCDC还是LDO,要在成本,效率,噪声和性能上比较.1、为什么电容选用的大部分都是X5R温度特性的？2、高亮闪关灯与二极管并联,作用是避免闪光灯损坏？3、闪光灯怎么通过上面电路闪两次的？4、现在手机中三级管的主要作用是做开关组件还是线性放大？。
ldo电路典型应用
ldo电路典型应用
LDO（低压差线性稳压器）是一种常见的电子电路元件，它在许
多电子设备中都有着广泛的应用。
以下是一些典型的LDO电路应用：
1. 电子设备电源管理，LDO通常用于电子设备的电源管理电路中，用来稳定输入电压并提供稳定的输出电压给其他电路和组件，
比如微处理器、存储器、传感器等。
这些设备通常对电压的稳定性
要求较高，LDO能够提供相对较低的输出纹波和噪声。
2. 电池供电系统，在便携式设备中，LDO被广泛应用于电池供
电系统中，用来确保稳定的电压输出，延长电池寿命，并提供对其
他组件的稳定电源。
3. 模拟电路和传感器，LDO也经常用于模拟电路和传感器的供电，这些电路对电压的精确度和稳定性要求较高，LDO能够提供所
需的电压稳定性。
4. 射频模块，在无线通信设备中，LDO常用于射频模块的供电，以确保稳定的射频信号和减小干扰。
5. 汽车电子系统，LDO也被广泛应用于汽车电子系统中，用于
稳定供电给各种车载电子设备，如车载娱乐系统、车载导航系统等。
总的来说，LDO在各种电子设备和系统中都有着广泛的应用，
它能够提供稳定的电压输出，并在各种环境条件下工作稳定可靠，
因此在电子工程中具有重要作用。
ldo 快速放电电路 漏电流
ldo 快速放电电路漏电流（最新版）目录1.LDO 快速放电电路的概念2.漏电流的产生原因3.LDO 快速放电电路中的漏电流问题4.解决漏电流问题的方法5.总结正文一、LDO 快速放电电路的概念LDO（Low Dropout Voltage）快速放电电路，即低降压电压快速放电电路，是一种用于稳定输出电压的电源电路。
在现代电子设备中，LDO 电路被广泛应用，因为它能够在输入电压降低时，保证输出电压稳定，从而确保电子设备的正常运行。
二、漏电流的产生原因漏电流是指在电路中，由于各种原因导致的电流流向地或从高电位流向低电位的现象。
产生漏电流的主要原因有以下几点：1.电子器件的不完美性：由于生产工艺的限制，电子器件存在制造缺陷，可能导致漏电流的产生。
2.电路设计问题：电路设计不合理，可能导致电路中出现漏电流。
3.电路老化：随着使用时间的延长，电路中的元器件可能出现老化现象，从而导致漏电流的增加。
三、LDO 快速放电电路中的漏电流问题在 LDO 快速放电电路中，由于器件的不完美性和电路设计问题，可能会出现漏电流问题。
漏电流会导致电路的效率降低，严重时可能导致电路失效，影响电子设备的正常运行。
四、解决漏电流问题的方法为了解决 LDO 快速放电电路中的漏电流问题，可以采取以下几种方法：1.选择高质量的电子器件：使用高品质的电子器件可以降低漏电流的产生。
2.优化电路设计：合理设计电路，减小漏电流的发生概率。
3.采用隔离技术：在电路设计中加入隔离层，降低漏电流对电路的影响。
4.添加保护电路：对电路进行适当的保护，以减小漏电流对电路的损害。
五、总结LDO 快速放电电路在现代电子设备中具有重要作用，但漏电流问题会影响电路的性能和稳定性。
ldo设计实例
ldo设计实例
LDO设计实例是指低压差稳压器的设计案例，这些案例是为了满足特定的电路需求而设计的。
LDO（Low Drop-Out）稳压器是一种能够在输入电压与输出电压之间保持较小压差的电路，这种电路的主要作用是为电路中的其他器件提供稳定的电源电压。
以下是一些常见的LDO设计实例：
1. 低噪声LDO设计实例：这种LDO主要用于对噪声敏感的电路，如射频电路。
为了降低噪声，可以采用低噪声放大器、低ESR电容和低噪声稳压器等元件。
2. 高压差LDO设计实例：这种LDO主要用于输入电压与输出电压之间的压差比较大的电路。
为了保持稳定的输出电压且降低功耗，可以采用高效的NMOS管、多级反馈电路和高电容值的输出电容等元件。
3. 低功耗LDO设计实例：这种LDO主要用于需要长时间运行的电路，如传感器、存储器等。
为了减少功耗，可以采用低功耗运算放大器、低漏电电容和睡眠模式等技术。
4. 小型化LDO设计实例：这种LDO主要用于电路板空间受限的场合，如便携设备、嵌入式系统等。
为了减小尺寸，可以采用小型化的元件和多层PCB板等技术。
这些LDO设计实例都是根据不同的电路需求而设计的，每种设计都有其独特的特点和优点。
在实际应用中，设计师需要根据具体的情况选择合适的LDO设计方案，以满足电路的要求。
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这是我常用的LDO电路，实测最小稳定压差为0.2V，输入电压小于稳定电压（输出电压+0.1V）时，调整管饱合，压差小于0.2V，电流小于100mA情况下压差小于0.1V.该电路取样及误差放大采用差分电路，并且省掉了常见串联型PNP稳压电路的启动电阻。
输出电压U。
=Vz*（R114+R115）/R115输出限流电流由R113决定（调整管用P-MOSFET则无此功能）在大电流应用，将调整管改为P-MOSFET即可。
与1117的应用对比该电路的缺点是元件较多，输出不够稳定，用主贴的参数提供200mA电流，VBAT由4.5V降为3.5V时，输出电压会有0.1V的下滑（即输出为3.2V)。
但如果电路中有多余的运放单元，则电路可大大简化。
该电路的优点：VBAT降到3.3V以下时，输出始终保持为VBAT-0.1V，比1117优秀得多。
某手持设备由三只干电池串联供电的开发过程中（耗电300mA），最初用L1117供电，当电池端电压降到3.6V时，其输出仅为2.7伏，电路产生异常。
高倍率放电情况下，干电池的终止电压是0.95V/单元，这显然不能合理利用完电池能量。
用该电路取代1117后，电池电压降到2.9伏电路产生异常，电池寿命试验证明，后者可提高电池便用寿命25%以上。
最近用了AME1117,也是别人推荐用的.之前也没感觉这类LDO有什么方便之处.在网上关于LDO的文章也比比皆是.有饿就顺便摘录几篇吧(一)这是我常用的LDO电路，实测最小稳定压差为0.2V，输入电压小于稳定电压（输出电压+0.1V）时，调整管饱合，压差小于0.2V，电流小于100mA情况下压差小于0.1V.该电路取样及误差放大采用差分电路，并且省掉了常见串联型PNP稳压电路的启动电阻。
输出电压U。
=Vz*（R114+R115）/R115输出限流电流由R113决定（调整管用P-MOSFET则无此功能）在大电流应用，将调整管改为P-MOSFET即可。
与1117的应用对比该电路的缺点是元件较多，输出不够稳定，用主贴的参数提供200mA电流，VBAT 由4.5V降为3.5V时，输出电压会有0.1V的下滑（即输出为3.2V)。
但如果电路中有多余的运放单元，则电路可大大简化。
该电路的优点：VBAT降到3.3V以下时，输出始终保持为VBAT-0.1V，比1117优秀得多。
某手持设备由三只干电池串联供电的开发过程中（耗电300mA），最初用L1117供电，当电池端电压降到3.6V时，其输出仅为2.7伏，电路产生异常。
高倍率放电情况下，干电池的终止电压是0.95V/单元，这显然不能合理利用完电池能量。
用该电路取代1117后，电池电压降到2.9伏电路产生异常，电池寿命试验证明，后者可提高电池便用寿命25%以上。
(二)LDO简介: 携电子设备不管是由交流市电经过整流(或交流适配器)后供电，还是由蓄电池组供电，工作过程中，电源电压都将在很大范围内变化。
比如单体锂离子电池充足电时的电压为4.2V，放完电后的电压为2.3V，变化范围很大。
各种整流器的输出电压不仅受市电电压变化的影响，还受负载变化的影响。
为了保证供电电压稳定不变，几乎所有的电子设备都采用稳压器供电。
小型精密电子设备还要求电源非常干净（无纹波、无噪声），以免影响电子设备正常工作。
为了满足精密电子设备的要求，应在电源的输入端加入线性稳压器，以保证电源电压恒定和实现有源噪声滤波[1]。
一．LDO的基本原理低压差线性稳压器(LDO)的基本电路如图1-1所示，该电路由串联调整管VT、取样电阻R1和R2、比较放大器A组成。
图1-1 低压差线性稳压器基本电路取样电压加在比较器A的同相输入端，与加在反相输入端的基准电压Uref相比较，两者的差值经放大器A放大后，控制串联调整管的压降，从而稳定输出电压。
当输出电压Uout降低时，基准电压与取样电压的差值增加，比较放大器输出的驱动电流增加，串联调整管压降减小，从而使输出电压升高。
相反，若输出电压Uout超过所需要的设定值，比较放大器输出的前驱动电流减小，从而使输出电压降低。
供电过程中，输出电压校正连续进行，调整时间只受比较放大器和输出晶体管回路反应速度的限制。
应当说明，实际的线性稳压器还应当具有许多其它的功能，比如负载短路保护、过压关断、过热关断、反接保护等，而且串联调整管也可以采用MOSFET。
二．低压差线性稳压器的主要参数1．输出电压(Output Voltage)输出电压是低压差线性稳压器最重要的参数，也是电子设备设计者选用稳压器时首先应考虑的参数。
低压差线性稳压器有固定输出电压和可调输出电压两种类型。
固定输出电压稳压器使用比较方便，而且由于输出电压是经过厂家精密调整的，所以稳压器精度很高。
但是其设定的输出电压数值均为常用电压值，不可能满足所有的应用要求，但是外接元件数值的变化将影响稳定精度。
2．最大输出电流(Maximum Output Current)用电设备的功率不同，要求稳压器输出的最大电流也不相同。
通常，输出电流越大的稳压器成本越高。
为了降低成本，在多只稳压器组成的供电系统中，应根据各部分所需的电流值选择适当的稳压器。
3．输入输出电压差(Dropout Voltage)输入输出电压差是低压差线性稳压器最重要的参数。
在保证输出电压稳定的条件下，该电压压差越低，线性稳压器的性能就越好。
比如，5.0V的低压差线性稳压器，只要输入5.5V电压，就能使输出电压稳定在5.0V。
4．接地电流(Ground Pin Current)接地电路IGND是指串联调整管输出电流为零时，输入电源提供的稳压器工作电流。
该电流有时也称为静态电流，但是采用PNP晶体管作串联调整管元件时，这种习惯叫法是不正确的。
通常较理想的低压差稳压器的接地电流很小。
5．负载调整率(Load Regulation)负载调整率可以通过图2-1和式2-1来定义，LDO的负载调整率越小，说明LDO 抑制负载干扰的能力越强。
图2-1 Output Voltage&Output Current(2-1)式中△Vload—负载调整率Imax—LDO最大输出电流Vt—输出电流为Imax时，LDO的输出电压Vo—输出电流为0.1mA时，LDO的输出电压△V—负载电流分别为0.1mA和Imax时的输出电压之差6．线性调整率(Line Regulation)线性调整率可以通过图2-2和式2-2来定义，LDO的线性调整率越小，输入电压变化对输出电压影响越小，LDO的性能越好。
图2-2 Output Voltage&Input Voltage(2-2)式中△Vline—LDO线性调整率Vo—LDO名义输出电压Vmax—LDO最大输入电压△V—LDO输入Vo到Vmax'输出电压最大值和最小值之差7．电源抑制比(PSSR)LDO的输入源往往许多干扰信号存在。
PSRR反映了LDO对于这些干扰信号的抑制能力。
三．LDO的典型应用低压差线性稳压器的典型应用如图3-1所示。
图3-1(a)所示电路是一种最常见的AC/DC电源，交流电源电压经变压器后，变换成所需要的电压，该电压经整流后变为直流电压。
在该电路中，低压差线性稳压器的作用是：在交流电源电压或负载变化时稳定输出电压，抑制纹波电压，消除电源产生的交流噪声。
各种蓄电池的工作电压都在一定范围内变化。
为了保证蓄电池组输出恒定电压，通常都应当在电池组输出端接入低压差线性稳压器，如图3-1(b)所示。
低压差线性稳压器的功率较低，因此可以延长蓄电池的使用寿命。
同时，由于低压差线性稳压器的输出电压与输入电压接近，因此在蓄电池接近放电完毕时，仍可保证输出电压稳定。
众所周知，开关性稳压电源的效率很高，但输出纹波电压较高，噪声较大，电压调整率等性能也较差，特别是对模拟电路供电时，将产生较大的影响。
在开关性稳压器输出端接入低压差线性稳压器，如图2-3(c)所示，就可以实现有源滤波，而且也可大大提高输出电压的稳压精度，同时电源系统的效率也不会明显降低。
在某些应用中，比如无线电通信设备通常只有一足电池供电，但各部分电路常常采用互相隔离的不同电压，因此必须由多只稳压器供电。
为了节省共电池的电量，通常设备不工作时，都希望低压差线性稳压器工作于睡眠状态。
为此，要求线性稳压器具有使能控制端。
有单组蓄电池供电的多路输出且具有通断控制功能的供电系统如图3-1(d)所示。
图3-1 低压差线性稳压器(LDO)典型应用四．国内LDO发展概况中国集成电路(IC)产业经过40余年的发展，已经形成了一个良好的产业基础，并已经进入了一个加速发展的新阶段[2]。
借鉴国外先进技术，充分利用国内优惠政策，是当前国内各个IC公司发展的立足点。
作为被广泛应用于手机、DVD、数码相机以及Mp3等多种消费类电子产品中的稳压芯片，LDO已引起人们的高度重视。
国内早期从事LDO生产的圣邦微电子有限公司生产的SG2001、SG2002及SG2003系列LDO，足以满足当前市场上主流电压、电流的需要；它的SG2004、SG2011以及SG2012系列产品，非常适合于大电流负载应用；而它的SGM2007/2006/2005系列RF LDO更适用于手机电源的应用。
尽管是国产芯片，但这些芯片的性能丝毫不逊色于国外同类产品，而价格更适合于当前国内市场。
由此看来，国内与国外IC发展的差距将不会越来越大，每个国人都可以相信，中国不仅可以成为IC产业的新兴地区，更能成为世界IC强国。
参考文献1．王国华，王鸿麟，羊彦等.便携电子设备电源管理技术.西安电子科技大学出版社.2004,12．蔺建文.正在崛起的中国集成电路产业.国家集成电路设计西安产业化基地.2002。