抗辐射技术调研.
抗辐射技术调研

单粒子效应
抗辐射单元结构:
单粒子效应
抗辐射单元结构:
单粒子效应
抗辐射单元结构:
测试方法
美国军标对CMOS电路的功能正常判据有以下6条,超 过这些标准则判定为失效:
(l)N沟道阈值电压最小为0.3V,即Vtn>0.3V; (2)P沟道阈值电压最大为2.8V,即Vtp<2.8V; (3)阈值电压漂移△Vth<=1.4V (4)功耗电流Iss<=100倍的最大规范值; (5)传输延迟时间:Tplh<=1.35倍最大规范值;Tphl<=1.35倍最 大规范值; (6)功能正常。
芯片设计: 1. 太敏SoC架构设计 2. 开源Leon处理器最小系统构建 3. 外围IP模块设计/获得与验证 4. SRAM及控制器设计 5. 阈值与质心计算信号处理算法IP核设计 6. JTAG、RS422 IP核设计 7. 关键模拟三模冗余设计 8. 太敏SoC系统集成与验证 9. FPGA原型验证与软件调试 10.抗辐射性能评估
单粒子效应
单粒子效应(SEE):是指高能带电粒子在穿过微电子 器件的灵敏区时,沉积能量,产生足够数量的电荷, 这些电荷被器件电极收集后,造成器件逻辑状态的非 正常改变或器件损坏
单粒子翻转(SEU)、单粒子闩锁(SEL)、单粒子烧毁
(SEB)、单粒子瞬态脉冲(SET)、单粒子功能中断(SEFI)
单粒子效应
总剂量效应
TID加固设计技术:环形栅、加保护环和H结构、源/ 漏注入控制在薄氧区域、采用无边缘N型晶体管等
总剂量效应
国外文献报导: 1. 随着IC集成规模和加工精度的提高,栅氧的厚度逐渐减小, TID效应也在减小。当栅氧的厚度低于10nm时,栅氧的TID加 固就不存在了,主要的加固问题放在场氧的横向结构,用浅 槽隔离方法(STI)来解决。当CMOS沟道长度<100nm、栅氧 的厚度低于4nm时,TID效应引起的阈值电压漂移已不再是问 题 2. 基于薄SiO2的栅介质不再受标准辐射引起的影响(如在氧化 物层中堆集正电荷和形成界面态)的困扰,使得其在本质上 就能强力抗御总剂量损伤。 对于特征尺寸相当的极小尺寸器件(最大约几百纳米),重离子 在栅介质中诱发的离化损伤可能引起辐射致漏电流(RILC)、辐 射致软击穿(RSB)、单次栅断裂(SEGR)或潜在损伤的产生, 微剂量效应是重离子撞击产生的,较之TID损伤,它以更为局部 的方式引起充电和缺陷生成。
辐射检测与防护技术研究

辐射检测与防护技术研究辐射是指由放射性物质在放射过程中发射的光子或带电粒子所产生的能量向周围的传播过程。
在目前的发展中,辐射已经成为现代社会的重要能源之一。
虽然辐射具有很高的能量,但是人体却不能承受较高的辐射剂量,因此辐射检测与防护技术研究是非常必要的。
一、辐射检测技术辐射检测技术是对辐射源进行定量和定性检测的技术,主要分为两大类:直接检测和间接检测。
直接检测通过采用电离室、比计数器或半导体计数器等器材,直接检测源头的辐射量。
这种方法的优点是精度高,但无法确定较低能量的辐射。
间接检测采用探测器、放射性示踪剂或放射性荧光物等方法,探测元素的辐射性质和存在形态。
这种方法的优点是较为灵敏,但有一定的误差。
核素的检测方法通常使用光谱学技术。
通过安排不同的探测单元,可以在不同的实验环境下测量到核素的特征光谱,同时可以确定不同的核素特征。
光谱法是检测辐射的最常见方法之一,这是因为它能够检测出非常低的辐射水平。
二、辐射防护技术辐射防护技术是通过隔离或吸收辐射来保护人体安全的一种技术。
辐射防护技术主要分为三大类:防护衣、防护屏和辐射屏蔽材料。
在不同的辐射环境下,这些技术可以被选择使用。
防护衣是建立在人体表面的一层物理屏障,通常由多层特制材料组成,其作用是吸收人体周围的辐射。
最常见的防护衣是铅衣。
在进行X射线和伽马射线检查时,铅衣是必不可少的。
防护衣的选择应根据所需的辐射量和相关安全标准来确定。
防护屏通过聚合物防护板或SAFSTOR构件来维护人员周围的安全。
屏幕放置在提供辐射的源头周围,这是一种降低辐射水平的有效方法。
放置在周围的屏幕选择的大小和材料应相应地被确定。
辐射屏蔽材料是最常用的材料之一,它可以被用来减少周围环境中的辐射量。
通常使用的屏蔽材料有:水、混凝土和铅。
选择屏蔽材料应根据所选择的辐射源和剂量来确定,以便最大限度地降低环境中的辐射剂量。
三、辐射防护技术应用辐射防护技术广泛应用于许多领域,包括核电站、医院、军事、工业等等。
2024年防辐射市场调研报告

2024年防辐射市场调研报告一、引言本报告旨在对防辐射市场进行调研分析,以了解当前市场的发展状况以及未来趋势。
防辐射产品的需求在近年来不断增长,随着人们对电磁辐射认知的提高,防辐射产品逐渐成为市场的重要一环。
本报告将通过市场规模、竞争格局和消费者需求等方面对防辐射市场进行综合分析。
二、市场规模1. 总体市场规模防辐射市场的总体规模呈稳步增长趋势。
根据本次调研数据,预计2022年防辐射产品市场的整体规模将达到XXXX万美元,并且有望在未来几年内继续增长。
2. 竞争格局防辐射市场竞争激烈,市场上存在多家知名品牌。
根据调研结果,市场份额排名前三的品牌依次是A公司、B公司和C公司。
这些品牌在市场上有较高的知名度和认可度,产品销量和市场份额始终处于领先地位。
三、消费者需求分析1. 消费者认知随着电磁辐射对人们健康的潜在影响越来越受到关注,消费者对防辐射产品的认知逐渐提高。
调研数据显示,近70%的消费者表示拥有一定的了解,并且愿意购买适当的防辐射产品。
2. 消费者需求消费者对防辐射产品的需求主要体现在以下几个方面: - 科技含量与性能:消费者对产品的科技含量和性能要求较高,希望产品能够有效防护电磁辐射,并在使用过程中不影响通信信号和正常使用体验。
- 外观设计:消费者对防辐射产品的外观设计也有一定要求,希望产品外观时尚、简约、轻便易用。
- 价格合理:消费者对产品价格持较为理性的态度,希望产品价格在合理范围内。
- 品牌认可度:消费者对品牌的认可度和信任度较高,更愿意选择知名品牌的防辐射产品。
四、市场趋势展望1. 新技术应用推动市场发展随着科技的发展,新的材料和技术将不断应用于防辐射产品中。
这将有效提升产品的防辐射效果和使用体验,进一步满足消费者的需求。
2. 时尚元素融入产品设计外观设计将成为市场竞争的重要一环,时尚元素的融入将为产品增添吸引力。
预计未来市场上将出现更多外观时尚、功能强大的防辐射产品。
3. 市场竞争进一步加剧随着市场的持续增长,竞争也将进一步加剧。
辐射防护调研报告

辐射防护调研报告辐射防护调研报告一、调研目的为了更好地了解辐射防护的当前状况,本次调研主要围绕辐射来源、辐射防护设备和辐射防护管理三个方面展开调研,以期为相关领域提供参考,促进辐射防护工作的发展与完善。
二、调研方法本次调研采用问卷调查和实地走访相结合的方式,旨在全面了解相关单位和个人对辐射防护的认知与措施的采取情况。
三、调研结果1. 辐射来源通过调查发现,辐射来源主要包括医学影像设备、核子工业、电力设备以及通信设备等。
其中,医学影像设备的辐射对人体健康影响最大。
2. 辐射防护设备在辐射防护设备方面,调查显示,目前市场上主要有防护衣、防护眼镜和防护手套等辐射防护设备。
然而,调查结果也显示,一些相关单位对辐射防护设备的了解仍然不够充分,存在使用不当的问题。
3. 辐射防护管理在辐射防护管理方面,调查结果显示有关单位和个人对辐射防护意识的提高和安全规范的执行还存在一定的差距。
一些相关单位在辐射防护设备的购买和使用方面存在疏漏,也缺乏相关的培训与指导。
四、问题与建议在对调研数据进行分析的基础上,我提出如下问题与建议:1. 辐射防护设备的推广应加强。
相关单位应当加强对辐射防护设备的宣传,提高员工对辐射防护设备的使用认知,确保设备的正确选择和使用。
2. 辐射防护意识的普及应进一步提升。
相关单位应加强培训与宣传,提高员工对辐射防护的认识和意识,使其养成正确的防护习惯。
3. 辐射防护管理的加强。
相关单位应加强辐射防护管理,建立完善的防护管理制度,定期进行辐射防护培训,提高员工素质。
五、结论通过本次调研,得出以下结论:1. 辐射防护设备和管理需进一步加强,相关单位和个人对辐射防护的认识和措施仍然存在较大差距。
2. 辐射防护意识需进一步提升,相关单位应加强培训和宣传,提高员工对辐射防护的认知和意识。
3. 需加强对辐射防护设备的推广和使用,提高其在辐射防护中的重要性和必要性。
六、参考文献[1] 肖康,刘恒. 辐射防护与核安全. 原子能科学技术, 2015,49(6): 1147-1153.[2] 赵爽,黄杰,丁静如. 辐射防护安全管理研究及应用. 辐射防护通讯, 2017, 37(2): 13-18.以上为辐射防护调研报告,旨在为相关领域提供参考,促进辐射防护工作的进一步发展与完善。
核辐射防护技术的研究与发展

核辐射防护技术的研究与发展在当今科技飞速发展的时代,核技术的应用日益广泛,从能源生产到医疗诊断与治疗,从工业探伤到科研探索,核技术为人类带来了巨大的利益。
然而,与之相伴的核辐射风险也不容忽视。
核辐射可能对生物体造成严重的损害,甚至危及生命。
因此,核辐射防护技术的研究与发展至关重要,它是保障人类健康和环境安全的关键。
核辐射主要包括α射线、β射线、γ射线以及中子辐射等。
这些辐射具有不同的特性和穿透力,对人体的危害程度也有所不同。
α射线的穿透力较弱,但一旦进入体内会造成较大的损伤;β射线的穿透力稍强,能穿透一定厚度的皮肤;γ射线穿透力极强,能轻易穿透人体组织;中子辐射则具有较高的能量和生物危害性。
为了有效防护核辐射,人们采取了多种技术手段。
首先是时间防护,即尽量减少在辐射环境中的停留时间。
例如,在进行核辐射相关工作时,合理安排工作流程,缩短操作时间,从而降低受到的辐射剂量。
其次是距离防护,根据辐射强度随距离增加而迅速减弱的原理,增大与辐射源的距离。
比如,在核电站等场所,设置安全隔离区域,限制人员接近辐射源。
屏蔽防护是核辐射防护中最为重要的技术之一。
针对不同类型的辐射,采用不同的屏蔽材料。
对于α射线,一张纸就能起到很好的阻挡作用;β射线则需要较厚的铝板或有机玻璃;而γ射线和中子辐射则需要使用铅、混凝土、水等具有良好屏蔽性能的材料。
屏蔽的形式多种多样,包括固定式屏蔽墙、屏蔽门、可移动的屏蔽屏等。
个人防护装备也是不可或缺的一部分。
在可能接触到核辐射的环境中,工作人员需要穿戴防护服、防护手套、防护眼镜等。
这些防护装备通常由特殊材料制成,能够有效阻挡辐射穿透。
同时,还会配备辐射剂量监测仪,实时监测个人所接受的辐射剂量,一旦超过安全限值,及时采取措施。
在核设施的设计和建设中,也充分考虑了辐射防护的要求。
例如,核电站的反应堆厂房采用了厚厚的混凝土和钢结构,以屏蔽辐射。
通风系统经过精心设计,确保排出的气体中放射性物质的含量在安全范围内。
防辐射调研报告

防辐射调研报告防辐射调研报告一、调研背景随着现代社会科技的不断发展,电子设备在人们日常生活中的应用逐渐普及。
然而,电子设备产生的辐射也引起了人们的担忧。
为了保护人们的健康,各种防辐射产品也应运而生。
本次调研的目的是了解人们对防辐射产品的认知程度及其对其有效性的看法。
二、调研方法本次调研共采用问卷调查的方式。
通过在社交媒体平台上发布问卷链接,以及分发纸质问卷,收集了100份有效问卷。
三、调研结果1. 对防辐射产品的认知程度根据调研结果显示,83%的被调查者表示知道防辐射产品,但只有62%的人对其具体作用有所了解。
2. 购买防辐射产品的情况调查结果显示,58%的被调查者曾购买过防辐射产品。
其中,22%的人曾购买过防辐射眼镜,20%的人购买过防辐射手机贴膜,10%的人购买过防辐射服装。
3. 对防辐射产品有效性的看法调查结果显示,57%的被调查者认为防辐射产品对减少辐射的危害有效,18%的人表示不确定,25%的人认为无效。
4. 购买防辐射产品的主要原因被调查者购买防辐射产品的主要原因有以下几点:担心辐射对健康的影响(38%),听说其他人在使用并想尝试效果(25%),相信防辐射产品的宣传(18%)。
四、调研结论1. 大部分调查对象有一定的对防辐射产品的认知,但对其具体作用了解有限。
2. 近三分之二的被调查者曾购买过防辐射产品,其中以防辐射眼镜、手机贴膜和服装为最常见。
3. 超过一半的被调查者认为防辐射产品对减少辐射的危害有效,但仍有不少人对其有效性表示不确定或不认可。
4. 担心辐射对健康的影响是购买防辐射产品的主要动力,宣传和他人使用的影响也是购买决策的因素。
五、建议1. 提高公众对防辐射产品的科普宣传,加强其作用、使用方法等方面的教育。
2. 针对防辐射产品的有效性问题,建议厂家提供相关科学研究和临床数据的支持,增加产品的可信度。
3. 加强对辐射防护的普及教育,提倡合理使用电子设备,避免长时间接触辐射源。
2023年防辐射行业市场调研报告

2023年防辐射行业市场调研报告随着现代化社会的发展,电子产品的使用越来越广泛。
然而,电子产品对人体健康的影响也日益受到关注,其中最主要的就是电磁辐射的问题。
因此,防辐射行业逐渐兴起,发现其市场潜力越来越大。
本文分析了防辐射行业的市场调研报告,以探究该行业的现状和未来发展趋势。
一、市场现状1. 产业现状:目前,防辐射行业主要包括防辐射服、防辐射眼镜、防辐射屏幕贴膜等产品。
其中,防辐射服是市场占有率最高的产品,其次是防辐射眼镜和防辐射屏幕贴膜。
2. 产品特点:防辐射产品的主要特点是防护效果好、佩戴舒适、外观美观等。
在设计方面,目前市场上出现了一些极具时尚感的防辐射服和眼镜,这些产品有望吸引更多年轻消费者。
3. 市场规模:根据市场统计数据,防辐射行业的市场规模已经达到了数百亿元级别。
与此同时,随着社会对健康生活的要求越来越高,防辐射行业市场的增速也在逐年提高。
二、发展趋势1. 市场增速将逐年提高:随着现代化社会的发展和人们对健康生活的要求越来越高,防辐射行业市场的增速也在逐年提高。
未来几年,防辐射行业市场有望保持坚实的增长势头。
2. 更新换代将是行业发展的关键:防辐射行业的产品更新换代速度非常快,未来,市场上将会出现更加高端的、功能更加全面的防辐射产品。
同时,借助新技术的支持,这些产品的颜值和创意性也将进一步提升。
3. 个性化需求将逐渐增多:随着不同消费群体对防辐射产品的关注度不断提高,个性化需求也将逐渐增多。
未来,为满足不同用户的需求,防辐射产品将会推出更多具有多元化特点的产品。
三、竞争格局1. 行业集中度较高:防辐射行业市场的竞争格局较为集中,市场上的厂家数量不多,且主要的市场份额被少数几家大型厂家垄断。
2. 外资品牌将竞争加剧:尽管目前市场上有不少国内厂家在防辐射行业占据一定的市场份额,但是随着外资品牌加速进入中国市场,竞争力将得到加强。
因此,国内厂家需要加大技术研发和品牌营销投入,提高产品质量和服务水平。
核工程中的辐射监测与防护技术研究

核工程中的辐射监测与防护技术研究一直是一个备受关注的领域。
随着核能在能源生产和科学研究中的广泛应用,辐射监测与防护技术的重要性也变得愈发突出。
辐射对人类健康和环境的影响是不可忽视的,因此如何有效监测和防护辐射成为了一项紧迫的任务。
1. 辐射监测技术辐射监测技术是核工程中的一个重要环节,它主要包括对辐射源、辐射剂量以及环境中的辐射水平进行监测。
目前,常见的辐射监测技术包括电离室辐射剂量测量、辐射功率监测、辐射成像技术等。
这些技术的发展使得我们可以更加准确地了解环境中的辐射水平,及时发现潜在的辐射风险。
2. 辐射防护技术辐射防护技术是核工程中至关重要的一部分,它旨在降低辐射对人体健康的影响。
目前,常见的辐射防护技术包括屏蔽防护、个人防护设备、剂量监测等。
通过合理使用这些技术,可以有效减少人员在受辐射环境中的辐射剂量,保护工作人员的健康和安全。
3. 辐射监测与防护技术的研究进展近年来,随着科技的不断进步,辐射监测与防护技术也在不断发展。
新型的辐射监测仪器的出现使得监测工作更加便捷和高效。
同时,一些智能化的辐射防护设备也日益成熟,为工作人员提供了更加全面的保护。
此外,一些新兴技术如人工智能在辐射监测与防护中的应用也逐渐受到关注。
4. 辐射监测与防护技术在核工程中的应用辐射监测与防护技术在核工程中扮演着举足轻重的角色。
在核电站、核实验室等场所,准确监测和有效防护辐射对保障人员健康和设施安全至关重要。
通过合理运用辐射监测与防护技术,可以最大限度地降低辐射对周围环境和人员的危害,保障核工程的顺利运行。
5. 结语核工程中的辐射监测与防护技术是一个综合性强、技术含量高的领域。
随着社会的发展和科技的进步,这一领域的研究也在不断深入,新技术的不断涌现为我们提供了更多可能性。
我们相信,在不久的将来,辐射监测与防护技术将会得到更加广泛的应用,并为人类的健康与安全保驾护航。
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单粒子效应
单粒子效应(SEE):是指高能带电粒子在穿过微电子 器件的灵敏区时,沉积能量,产生足够数量的电荷, 这些电荷被器件电极收集后,造成器件逻辑状态的非 正常改变或器件损坏
单粒子翻转(SEU)、单粒子闩锁(SEL)、单粒子烧毁
(SEB)、单粒子瞬态脉冲(SET)、单粒子功能中断(SEFI)
单粒子效应
研究内容
工作进展:
CPU DMA A/D IF
AHB
EDAC
信号处理IP
AHB To APB Bridge
APB
Watch dog
SRAM RS422 Timer GPIO ICTL
可行性
国微公司
生产:德国x-fab公司SOI 0.5um工艺 特点:全定制设计
772所 (300Krad)
生产:华虹0.5um、中芯国际0.18um体硅平面工艺 特点:专门的抗辐射单 电流检测器
PC机
测试控制器
A
B
C
D
A
A—输出状态(B0) C—存储器测试
B—功能单元测试 D—输出状态(40)
研究内容
1. 2. 3. 4. 5. 6. 抗辐射单元库建立 软件级抗辐射模拟与分析 生产工艺线评估 芯片设计 芯片生产加工 测试方案设计与系统开发
研究内容
研究内容
工作进展: 1. 完成了太敏SoC架构设计 2. 建立了开源Leon处理器最小系统及软件环境 3. 完成了外围IP核(Timer、UART、GPIO等)的验证 4. 完成了SRAM控制器设计 5. 建立了FPGA原型开发环境 6. 完成了EDAC模块设计 7. 确定了阈值与质心计算信号处理算法IP核设计 8. 正在修改Leon处理器中需要三模冗余的关键单元
单粒子效应(SEE)加固:工艺级、系统级、电路级、 版图级各层次上进行。 双阱工艺,降低栅氧化层的厚度,增加P阱和N衬底的 掺杂浓度以及降低外延层厚度 SOI工艺,由于衬底绝缘特性,自然具有抗SEL的特性
单粒子效应
单粒子效应(SEE)加固:工艺级、系统级、电路级、 版图级各层次上进行。 系统级可以采用三模冗余、软件容错、差错控制 (EDAC)等 电路级可以采用各种抗辐射单元:DICE存储单元、 ROCK单元、WHIT单元、LIU单元、HIT单元、HAD单元等 版图级:隔离、加大间距、版级的容错等
芯片设计: 1. 太敏SoC架构设计 2. 开源Leon处理器最小系统构建 3. 外围IP模块设计/获得与验证 4. SRAM及控制器设计 5. 阈值与质心计算信号处理算法IP核设计 6. JTAG、RS422 IP核设计 7. 关键模拟三模冗余设计 8. 太敏SoC系统集成与验证 9. FPGA原型验证与软件调试 10.抗辐射性能评估
总剂量效应
抗瞬态辐照加固技术: 1. 体硅CMOS采用外延层技术和特殊设计技术
2. SOI工艺比体硅器件抗瞬态辐射性能好,但TID较弱, 因此,需要增加与体硅相同的抗电离总剂量加固技 术
总剂量效应
商用工艺线实现加固: 1. 对指标为l00 krad(Si) MOS ICs,可以通过加固设计采用商用 生产线生产 2. 在0.8um CMOS工艺线采用特殊的加固设计技术后,门阵列 芯片的总剂量容限超过了l00 krad(Si),无单粒子闭锁现象发 生,单粒子翻转的LET阈值大于50MeV/(mg/cm2) 3. 龙芯在ST0.18um工艺生成了基于三模冗余的抗100krad(Si) 的加固芯片
总剂量效应
TID加固设计技术:环形栅、加保护环和H结构、源/ 漏注入控制在薄氧区域、采用无边缘N型晶体管等
总剂量效应
国外文献报导: 1. 随着IC集成规模和加工精度的提高,栅氧的厚度逐渐减小, TID效应也在减小。当栅氧的厚度低于10nm时,栅氧的TID加 固就不存在了,主要的加固问题放在场氧的横向结构,用浅 槽隔离方法(STI)来解决。当CMOS沟道长度<100nm、栅氧 的厚度低于4nm时,TID效应引起的阈值电压漂移已不再是问 题 2. 基于薄SiO2的栅介质不再受标准辐射引起的影响(如在氧化 物层中堆集正电荷和形成界面态)的困扰,使得其在本质上 就能强力抗御总剂量损伤。 对于特征尺寸相当的极小尺寸器件(最大约几百纳米),重离子 在栅介质中诱发的离化损伤可能引起辐射致漏电流(RILC)、辐 射致软击穿(RSB)、单次栅断裂(SEGR)或潜在损伤的产生, 微剂量效应是重离子撞击产生的,较之TID损伤,它以更为局部 的方式引起充电和缺陷生成。
单粒子效应
抗辐射单元结构:
单粒子效应
抗辐射单元结构:
单粒子效应
抗辐射单元结构:
测试方法
美国军标对CMOS电路的功能正常判据有以下6条,超 过这些标准则判定为失效:
(l)N沟道阈值电压最小为0.3V,即Vtn>0.3V; (2)P沟道阈值电压最大为2.8V,即Vtp<2.8V; (3)阈值电压漂移△Vth<=1.4V (4)功耗电流Iss<=100倍的最大规范值; (5)传输延迟时间:Tplh<=1.35倍最大规范值;Tphl<=1.35倍最 大规范值; (6)功能正常。
抗辐射技术调研
1.总剂量效应 2.单粒子效应
3.测试方法
4.研究内容
总剂量效应
总剂量效应(TID):γ光子或高能离子在集成电路的 材料中电离产生电子空穴对,电子空穴随即发生复合、 扩散和漂移,最终在氧化层中形成氧化物陷阱电荷或 者在氧化层与半导体材料的界面处形成界面陷阱电荷, 使器件的性能降低甚至失效
生产:commercial 0.25um shallow trench isolated(STI) 特点:RadHard-by-Design:环形栅、沟道阻断、自恢复寄存器、宽金属 总线
Ramon Chips(>300Krad)ISRAEL
北大 (150~200Krad)
生产:中芯国际0.18um 特点:器件级抗辐射模型
计算所 (100Krad)
生产:STMicro 0.18um 特点:TMR ECC
国防科大
8K RHBD SRAM,内核发生SEL的LET阈值高于4.2 MeV·cm2/mg
可行性
Aeroflex Corporation (300K or > 1Mrad)