第三章 太阳能电池—第一讲
《太阳能电池基础与应用》GaAs电池第一讲

AM0, 30.6%
III-V族半导体多结电池
1.0带隙问题
晶格匹配电池
GaInNAs材料与N相关 的本征缺陷多,质量差, 少子扩散长度小。 短路电流小,成为限制 电池(特别是三结电池) 性能的瓶颈因素。(电流 匹配)
III-V族半导体多结电池
晶格应变电池图示
特点:
1)电池间晶格参数不再完 全匹配; 2) 解决了InGaNAs电流限 制的问题;
有隧道结
III-V族半导体多结电池
两结GaInP/GaAs电池
晶格匹配电池
第一款效率超过30%的双结电池(1 个太阳),Japan Energy, 1997。
2013年, Alta公司将效 率提升至30.8%;柔性 电池。
目前世界纪录是31.1%,美国NREL。
III-V族半导体多结电池
晶格匹配电池
III-V族半导体应用
应用领域
GaAs及III-V族半导体基础
MOCVD
金属有机物化学气 相外延(MOCVD), GaAs及III-V族太阳 电池的主流制备技 术。
设备原理图
商用衬底
材料制备
设备外观
多片衬底,适合大规模工业生产
GaAs及III-V族半导体基础
电学掺杂
电学掺杂
GaAs及III-V族半导体基础
EQE测量
EQE测量
Chopper EQE vs.
Monochromator equipped with more gratings
EG
单结电池只需要与标准电池(具有已知的量 子效率曲线)响应谱比较即可得到量子效率谱。
思考: 1) 双结电池的量子效率谱如何测量? 2) 三结电池呢?
光伏太阳能电池基本知识PPT课件

7
太阳能电池的种类(按材料的种类区分)
8
各种太阳能电池的效率(实验室电池)
9
太阳能电池的发展趋势
太阳能电池发展瓶颈:效率、稳定性、成本。 以硅片为载体的光伏电池制造技术,其理论极限效率为29%,按目前的技术路线, 提升效率的难度已经非常大。 薄膜太阳能电池由于具有大面积沉积、低材料消耗及可在低成本基板上制作,有较大 的成本下降潜力的优点,其发展前景非常看好,成为阶段发展研究的重点。 第三代太阳能电池不断出现:染料敏化纳米晶太阳能电池成本仅为常规电池的1/8至 1/10。
19
太阳辐射——太阳辐照数据
重要的太阳辐射数据来源是从卫星图像上测得的太阳辐射。这些图像提供了特定 地区的云层覆盖水平的信息。云层覆盖水平的相关信息可以用来估算当地的日照度。
20
第三节 半导体基本知识
21
半导体基本知识
半导体,指常温下导电性能介于导体与绝 缘体之间的材料。
半导体材料可以来自元素周期表中的Ⅴ族 元素,或者是Ⅲ族元素与Ⅴ族元素相结合(叫 做Ⅲ -Ⅴ型半导体 ),还可以是Ⅱ族元素与Ⅵ 族元素相结合(叫做Ⅱ -Ⅵ型半导体 )。硅是 使用最为广泛的半导体材料。
3
为什么要研究太阳能电池
1、化石燃料终将枯竭,太阳能是地 2、环境污染日益严重。 球上大多数能源的终极来源。
4
可再生能源简介
目前人类可利用的新能源包括太阳能、风能、地热能、水能、海洋能等。
太阳能发电
太阳能是最为 理想的可再生 能源和无污染能源。水力Leabharlann 电风力发电地热能发电
潮汐发电
5
太阳能电池的原理
A M co s 0 .50( 5 9 1.0 7 67 2 9) 9 1 .3 .563 64
太阳能电池原理(1)

可编辑版
29
• 在n区,光生电子-空穴产生后, 光生空穴便向 p-n 结边界扩散,一 旦到达 p-n 结边界,便立即受到内 建电场的作用,在电场力作用下作 漂移运动,越过空间电荷区进入p 区,而光生电子(多数载流子)则 被留在n区。
可编辑版
30
• p区中的光生电子也会向 p-n 结 边界扩散,并在到达 p-n 结边界 后,同样由于受到内建电场的作用 而在电场力作用下作漂移运动,进 入n区,而光生空穴(多数载流子) 则被留在p区。
• 对于p型半导体,空穴是多数载流
子,而电子为少数可编载辑版 流子。
21
P型半导体
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22
• 若将p型半导体和n型半导体两者 紧密结合,联成一体时,由导电类 型相反的两块半导体之间的过渡区 域,称为 p-n 结。在 p-n 结两边, 由于在p型区内,空穴很多,电子 很少;而在n型区内,则电子很多, 空穴很少。由于交界面两边,电子 和空穴的浓度不相等,因此会产生 多数载流子的扩散运动。
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11
聚光太阳电池
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12
聚 光 电 池
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13Hale Waihona Puke 二. 硅太阳电池的工作原理
• 硅原子的外层 电子壳层中有4个电 子。受到原子核的束缚比较小,如 果得到足够的能量,会摆脱原子核 的束缚而成为自由电子,并同时在 原来位置留出一个空穴。电子带负 电;空穴带正电。
• 在纯净的硅晶体中,自由电子和空
太阳电池组件的生产及工艺
一. 太阳电池分类
• 1. 按照基体材料分类:
• 晶硅太阳电池,
包括:单晶硅和多晶硅太阳电池
• 非晶硅太阳电池
• 薄膜太阳电池
• 化合物太阳电池,包括:砷化镓电池;硫 化镉电池;碲化镉电池;硒铟铜电池等
太阳能电池优秀课件

2 、光电导效应
电子能量
在光线作用下,电子吸收光
子能量从束缚状态过渡到自由
hv
状态,而引起材料电导率的变
导带 Eg
价带
化,这种现象被称为光电导效
应。
当光照射到半导体光电导材料上时,若光辐
射能量足够强,材料价带上的电子将被激发到导
带,从而使材料中的自由载流子增加,致使材料
的电导变大。
光电导产生的条件
6、温度效应
太阳能电池用半导体的禁带 宽度的温度系数为负,随温度 上升带隙变窄,会使短路电流 略有上升,但同时会使I0增加, Voc下降。
综合所有参数,转换效率随 温度上升而下降。
7、辐照效应 作为卫星和飞船的电源,太阳电池必然暴露
在外层空间的高能粒子的辐照下。高能粒子 辐照时通过与晶格原子的碰撞,将能量传给 晶格,当传递的能量大于某一阈值时,便使 晶格原子发生位移,产生晶格缺陷。这些缺 陷将起复合中心的作用,从而降低少子寿命。 大量研究工作表明,寿命参数对辐照缺陷最 为灵敏,也正因为辐照影响了寿命值,从而 使太阳电池性能下降。
理想情况下的效率
舍弃太阳光中波长大于长波限的光 谱,在理想情况下,能量大于禁带宽 度的光子全部被材料吸收形成光电流, 显然,最大短路电流Isc仅与材料的带隙 有关。
理想情况下Voc为:
Voc
kT q
ln
I ph I0
1
式中Iph为光生电流,I0为二 极管饱和电流:
I0
A
qDn
n2 i
LN nA
图一
将表面制成金字塔型的组织结构,以减少光的反射 量。
将金属电极埋入基板中,以减少串联电阻。(图二)
图二
减少背电极与硅的接触面积,以减少因金属与硅的 接合处引入的缺陷, (图三)
太阳能电池ppt

xx年xx月xx日
contents
目录
• 太阳能电池概述 • 太阳能电池的技术发展 • 太阳能电池的应用领域 • 太阳能电池的优缺点分析 • 太阳能电池的未来发展趋势 • 太阳能电池的案例分析
01
太阳能电池概述
太阳能电池的定义
1
太阳能电池是一种利用太阳光照射在半导体材 料上产生电流的装置。
详细描述
该公司的钙钛矿太阳能电池采用了新型材料和结构设 计,具有高效、色彩可调、可定制等优点。这些优点 使得钙钛矿太阳能电池可以方便地应用于建筑领域, 为建筑物的能源供应和外观美化提供了重要的技术支 持。同时,该公司的钙钛矿太阳能电池还具有较高的 光电转换效率和长寿命的优点,可以为建筑物提供持 久稳定的能源供应。
自行车、摩托车等小型交通工具
太阳能电池板也可以为自行车、摩托车等小型交通工具提供电力,方便用户在户 外或没有电源的情况下使用。
04
太阳能电池的优缺点分析
优点分析
环保
太阳能电池使用太阳能作为能源,无需燃 烧化石燃料,从而减少对环境的污染。
节能
太阳能电池能够有效地利用太阳能,将其 转化为电能,从而节省能源。
制造工艺简单
01
薄膜太阳能电池采用薄膜技术制造,生产过程简单,能耗低。
轻便灵活
02
薄膜太阳能电池具有轻便灵活的特点,适用于移动设备和曲面
结构。
转化效率低
03
由于薄膜太阳能电池的厚度较薄,其光电转换效率相对较低。
多结太阳能电池
高转换效率
多结太阳能电池采用多个结结 构,能够充分利用太阳光谱,
提高光电转换效率。
详细描述
该公司的薄膜太阳能电池采用了先进的材料和制造技术,具有轻便、可弯曲、高效等优点。这些优点使得薄膜 太阳能电池可以方便地应用于手机、平板电脑、可穿戴设备等移动设备领域。同时,该公司的薄膜太阳能电池 还具有较高的光电转换效率和可靠的稳定性,可以为移动设备提供持续稳定的能源供应。
太阳能电池课件完整版

太阳能汽车
太阳能路灯
PV APPLICATION
五、太阳能电池遇到的挑战
• 接受太阳辐射的面积; • 气候的影响; • 硅片的价格及硅片的加工技术。
谢谢!Biblioteka 太阳能电池发电的原理太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,一般 的半导体主要结构如下:
• 图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边 的四个电子。
硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入 硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以 参照下图:
图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子 旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子 周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴, 这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中 和,形成P(positive)型半导体。
太阳能电池的分类
• (1)硅太阳能电池 • 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非 晶硅薄膜太阳能电池三种。 • 单晶硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。在实验室里最 高的转换效率为24.7%,规模生产时的效率为15%。在大规模应用和 工业生产中仍占据主导地位,但由于单晶硅成本价格高,大幅度降低其 成本很困难,为了节省硅材料,发展了多晶硅薄膜和非晶硅薄膜单晶硅 太阳能电池的替代产品。 • 多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低廉,而效率高于非晶硅 薄膜电池,其实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率为 10%。因此,多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地 位。 • 非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻,转换效率较高,便于大规模 生产,有极大的潜力。但受制于其材料引发的光电效率衰退效应,稳定 性不高,直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提 高转换率问题,那么,非晶硅太阳能电池无疑是太阳能电池主要发展产 品之一。
太阳能电池讲义

第一章 太阳电池原理§1.1 光电转换过程与半导体太阳电池相关的光电转换大致包括三个物理过程:(1)光在空气-半导体界面上的反射与折射;(2)光子激发产生电子-空穴对;(3) 非平衡载流子的扩散和漂移,并被势场分离。
1. 光的反射与折射一束单色光入射到半导体表面后,其中一部分将被反射,反射光与入射光强度之比称反射系数R ,其余部分透射入半导体内。
显然,透射系数τ = 1 - R (1.1)对半导体这类光吸收材料,折射率n c 可写为n c = n - ik (1.2) 其中,n 为普通折射率,k 为消光系数,n c 、n 、k 都是入射光波长λ的函数。
当光垂直入射到折射率和消光系数分别为n 、k 的介质上时,反射系数与n 、k 的关系: 2222)1()1(k n kn R +++-= (1.3)在硅太阳电池感兴趣的波长范围内(300~1100nm ),由于n >3.5,相当于R >30%。
对非垂直入射情况,也有类似结果。
2. 半导体中的光吸收半导体受到光照时,价带中的电子受光子激发而跃迁到导带,同时在价带中留下一个空穴。
这一过程称半导体的本征吸收过程。
发生本征吸收的条件是光子能量大于或等于半导体禁带宽度,即hv ≥E g 。
因而不同半导体材料都存在各自的吸收限:λ0=hc/E g (1.4) 波长大于λ0的光则无法被吸收。
对硅而言,这一吸收限λ0≈1100nm 。
半导体内亦存在其它形式的光吸收过程,如杂质吸收、激子吸收、自由载流子吸收等等。
对一般太阳电池而言,感兴趣的主要是本征吸收。
3. PN 结的形成当p型半导体(掺硼)和n型半导体(掺磷)紧密结合联成一块时,在两者的交界面处就形成p-n结。
p-n结最早被誉为晶体管、集成电路的心脏,对于仅有一个p-n结的太阳电池也毫不例外。
设二块均匀掺杂的p型硅和n型硅,硼、磷的掺杂浓度分别为N A(受主浓度)和N D (施主浓度)。
室温下,硼、磷原子全部电离,因而在p型硅中均匀分布着浓度为p p的空穴(多子),及浓度为n p的电子(少子)。
《太阳能电池》ppt课件

电极
受体
有 机
给体
层
ITO
Donor: CuPc
glass
h
Acceptor: C60
①
LUMO ④
电子
正极
②③
负极
空穴
HOMO
① 激子的产生 ② 激子分散 ③ 激子拆分 ④ 载流子搜集
研讨进展
Charge Recombination in Organic Photovoltaic Devices with High OpenCircuit Voltages Q. L. Song JACS 132(2021) 4554-4555 IF: 9.019 Environment-friendly energy from all-carbon solar cells based on fullerene-C60 Q. L. Song SEMSC 93 (2021) 4–7 IF: 4.593
ITO
glass
双层构造
有机层
本体异质结构造
有机层
单层器件激子拆分
电子
Active layer:C60
空穴
电极
有机层
ITO
glass
LUMO
h
①
④
正极
② ③负极
HOMO
① 激子的产生 ② 激子分散 ③ 激子拆分 ④ 载流子搜集
NPB MoO3/NPB
PCE从 0.15 % 提高到0.414 % Environment-friendly energy from
有机太有机阳太能阳电能池电池应的运优而缺生陷
价钱廉价〔合成工艺简单,因此 本钱低廉,有竞争力〕
轻薄、柔软 易携带
足球烯 C60
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P,As为施主
p型半导体
四价的本征半导体Si、Ge等掺入少量三价的杂质元素(如B等) 形成空穴型半导体, 也称p型半导体。
B为受主
p-n结平衡能带结构
p-n结平衡电势
p-n结的制备工艺
合金法
扩散法
3.3 太阳能电池的基本原理 3.3.1太阳能电池的结构和基本工作原理
本章以单晶硅pn结太阳能电池为例,介绍半导体 太阳能电池的基本工作原理、结构及其特性分析。
太阳能电池的特点:
太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体 物质转变为电能的一种器件。 •优点 •电池寿命长达数十年;
•太阳能极其丰富,30分钟辐照到地球的能量就够全世界 一年的能源消耗; •太阳能是绿色环保能源,太阳能电池对环境污染小? ? ? •缺点: •太阳辐射尽管遍及全球,但单位面积上的入射功率却很 小,因此要得到较大的功率,就必须要庞大的受光面积。 •太阳能利用时稳定性受到季节、时间与气候的影响,因 而需要配备相当容量的储能设备,增加了设备与维持费用。
左图示意地画出了单 晶硅 pn 结太阳能电池的结构, 其包含上部电极,无反射薄 膜覆盖层, n 型半导体, p 型 半导体以及下部电极和基板。 当有适当波长的光照射到这个pn结太 阳能电池上后,由于光伏效应而在势 垒区两边产生了电动势。 光伏效应是半导体电池实现光电转换 的理论基础
设入射光垂直pn结面
随着人类活动的不断进行,地球的环境问题也日益突出
温室效应、酸雨、沙漠化等
清洁能源的开发与利用
哪些是清洁能源?
当代和未来能源消耗的发展趋势
煤、石油等是今天主要的能源来源,未来主要以清洁能源为主
太阳的特点
太阳大气的上层,被称为“色球层”,厚约1~ 1.5×104km,大部分由氢和氦组成。“色球层”外 是伸入太空的银白色日冕,温度高达1百万度,高度 有时达几十个太阳半径。
(德)彼得· 乌夫尔(Peter Wurfel)著
内容概述
3.1、太阳能电池简介 3.2、相关半导体物理的基本知识 3.3、太阳能电池的基本原理 3.4、太阳能电池的种类
3.5、太阳能电池材料与工艺
3.6 、太阳能电池的应用与未来展望
3.1 太阳能电池的发展背景
可再生能源
不可再生能源
人类迄今已有 400 万年的历史,在这期间,人类从学会使用火开始,经过 石器、铁器时代,直到近代工业化革命,各种技术发明使人类文明到达了 一个前所未有的高度,同时,人类消耗的能源也日益增长。
第三章 太阳能电池
本章主要就太阳能的特点,太
阳能电池的原理,设计制备与利用
等方面作简单介绍 。
参考资料
题名 1 2 3 4 5 7 8 太阳能电池新技术 太阳能电池技术手册 太阳能电池:制备· 开发· 应用 太阳能电池原理与应用 太阳能电池工作原理、技术和系统应用 太阳能电池基础与应用 责任者 林明献编著 戴宝通, 郑晃忠主编 黄惠良 ... [等] 著 靳瑞敏编著 编著Martin A. Green 熊绍珍, 朱美芳主编 出版信息 科学出版社 2012 索书号 TM914.4/464
如光电池与负载电阻接成通路,通过负载的电流应 该是: -I = IF-IL = Is[exp(qV/kT)-1]-IL
这就是负载电阻上电流与电压的关系,也就是光电池的伏 安特性方程。
左图分别是无光 照和有光照时的 光电池的伏安特 性曲线。
2、描述太阳能电池的参数
不论是一般的化学电池还是太阳能电池,其输出特性 一般都是用如下图所示的电流-电压曲线来表示。由光电池 的伏安特性曲线,可以得到描述太阳能电池的四个输出参数。
地球上不同地区、不同季节、不同气象条件下到达 地面的太阳辐射强度都是不相同的。下表给出了热带、 温带和比较寒冷地带的太阳平均辐射强度。
地区 热带、沙漠 温带 太阳平均辐射强度(w/m2) 210-250 130-210
阳光较少地区(北欧)
80-130
通常根据各地的地理和气象情况已将到达地面的太阳辐射强 度制成各种可供工程使用的图表,它们不但对太阳能利用, 而且对建筑物的采暖、空调设计也是至关重要的数据。
1、开路电压Voc
在p-n结开路情况下(R=),此时pn结两端的电 压即为开路电压Voc。 这时,I=0,即:IL=IF。将I=0代入光电池的电流 电压方程,得开路电压为: kT ln( IL Voc= q Is +1) 2、短路电流Isc 如将pn结短路(V=0),因而IF=0,这时所得的 电流为短路电流Isc。显然,短路电流等于光生电流, 即: Isc = IL
4、太阳能电池的能量转化效率
表示入射的太阳光能量有多少能转换为有效的电能。 即: =(太阳能电池的输出功率/入射的太阳光功率)x100% = (Vop x Iop/Pin x S)X100% Voc•Isc•FF = Pin • S 其中Pin是入射光的能量密度,S为太阳能电池的面积, 当S是整个太阳能电池面积时,称为实际转换效率,当 S是指电池中的有效发电面积时,叫本征转换效率。
太阳辐射能实际上是地球上最主要的能量源泉, 其利用的 主要途径有以下几种: •直接转换为热能;即靠吸收太阳辐射的光能直接转换为热能。 这种途径历史最为悠久,而且普及性广,工业化程度高。但 利用品位较低。 •通过光电效应转换为电能 •通过光化学反应转换为电能或制氢;目前处于研究开发阶段。 •通过光合作用收集和存储太阳能;处于研究初始阶段。
绝缘体 从能级图上来看,是因 为满带与空带之间有一个较 宽的禁带(Eg 约4~6 eV),共有化电子很难从低 能级(满带)跃迁到高能级 (空带)上去。
E
导带
Eg=3~6eV
价带
在外电场的作用下,共有化电子很难接受外电场 的能量,所以形不成电流。 电阻率 108 m
本征半导体
E
导带
Eg=0.1~3eV
人民邮电出版社 2012.5 TM914.4/433 科学出版社 2012 北京大学出版社 2011 上海交通大学出版社 2010 科学出版社 2009 化学工业出版社 2009 TM914.4/453 TM914.4/418 TM914.4/340 TM914.4/221 TM914.4/252
太阳能电池:从原理到新概念:from principles to new concepts
光电池工作时共有三股电流:光生电流IL,在光生电 压V作用下的pn结正向电流IF,流经外电路的电流I。IL和IF都 流经pn结内部,但方向相反。 光电流IL 结正向电流IF p n
根据p-n结整流方程, 在正向偏压下,通过结的 正向电流为:
IF=Is[exp(qV/kT)-1]
负载
I
其中:V是光生电压,Is是 反向饱和电流。
3.2 半导体物理基础
固体按导电性能的高低可以分为 导体 半导体
绝缘体 它们的导电性能不同,是因为它们的能带 结构不同。
导体 从能级图上来看,是因为其共有化电 子很易从低能级跃迁到高能级上去。
E
导带 价带 在外电场的作用下,大量共有化电子很易获得能量, 集体定向流动形成电流。 电阻率 10-8 m
在 pn 结开路的情况下,最终 p-n 结两端建立起稳定的电 势差 Voc ,( p 区相对于 n 区是正的),这就是光电池的开路电 压。如将pn结与外电路接通,只要光照不停止,就会有源源不 断的电流通过电路,p-n结起了电源的作用。这就是光电池的 基本原理。
由上面分析可以看出,为使半导体光电器 件能产生光生电动势(或光生积累电荷),它们 应该满足以下两个条件: 1 、半导体材料对一定波长的入射光有足够大的 光吸收系数 ,即要求入射光子的能量 h大于或 等于半导体材料的带隙Eg,使该入射光子能被半 导体吸收而激发出光生非平衡的电子空穴对。
中国太阳能资源分布
主要特点:
西部高于东部; 北方高于南方 像青藏高原,年总 辐射量在 1860KWh/m2以上, 太阳能利用条件优 越。
我国地处北半球,绝大部分地区位于北纬45°C以南,拥有丰富的 太阳能资源。我国整个太阳能年辐射总量超过16.3x102KWh/m2a,约 相当于1.2x104亿吨标准煤。
太阳光谱
从太阳的构造可 见,太阳并不是一个 温度恒定的黑体,而 是一个多层的有不同 波长发射和吸收的辐 射体。不过在太阳
能利用中通常将它 视为一个温度为 6000K ,发射波长为 0.3~3μm的黑体。
太阳能波长分布在紫外光、可见光和红外光波段。这 些波段受大气衰减的影响程度各不相同。可见光辐射 的大部分可到达地面,但是上层大气中的臭氧却吸收 了大部分紫外光辐射。
如果结较浅,光子将进入pn结区,甚至更深入到半导体内 部。能量大于禁带宽度的光子,由本征吸收在结的两边产 生电子-空穴对。 在光激发下多数载流子浓度一般改变较小,而少数载流子 浓度却变化很大。
光照前 少数载流子的漂移
光照后
由于pn结势垒区内存在较强的内建电场(自n区指向 p区),结两边的光生少数载流子受该场的作用,各自向相 反方向运动: p区的电子穿过p-n结进入n区;n区的空穴进入p区,使p端 电势升高, n端电势降低,于是在 p-n结两端形成了光生电 动势,这就是p-n结的光生伏特效应。 由于光照在 p-n 结两端产生光生电动势,相当于在 p-n 结两 端加正向电压 V,使势垒降低为qVD-qV,产生正向电流IF.
2、具有光伏结构,即有一个内建电场所对应的势垒区。势垒 区的重要作用是分离了两种不同电荷的光生非平衡载流子, 在p区内积累了非平衡空穴,而在n区内积累起非平衡电子。 产生了一个与平衡pn结内建电场相反的光生电场,于是在p区 和n区间建立了光生电动势(或称光生电压)。
3.3. 2、太阳能电池的输出特性 1、光电池的电流电压特性
3、填充因子FF 在光电池的伏安特性曲线任一工作点上的输出功率等于该 点所对应的矩形面积,其中只有一点是输出最大功率,称为最 佳工作点,该点的电压和电流分别称为最佳工作电压 Vop 和最 佳工作电流Iop。 VopIop Pmax = 填充因子定义为: FF = VocIsc VocIsc 它表示了最大输出功率点 所对应 的 矩形面 积 在 Voc 和Isc所组成的矩形面积中 所占的百分比。特性好的 太阳能电池就是能获得较 大功率输出的太阳能电池, 也就是 Voc , Isc 和 FF 乘积 较大的电池。对于有合适 效率的电池,该值应在 0.70-0.85范围之内。