第3章三极管习题
第3章 三极管习题答案

Rb1
Rc
U CC
Rb1
C1
Rc
U CC
C2
T
Rs
T
RL
Re1
Rb2
ui
Re1
uo
Ce
Re2
us
Rb2
Re2
1. 求静态工作点
UB
I EQ
题3-74图
Rb2 13 k U cc 18 4.5 V Rb1 Rb 2 39 k 13 k
U B U BE 4.5 0.6 3.25 mA Re1 Re2 1.1k 0.1k
I BQ
I EQ 1
0.032 mA
I CQ βI BQ 3.2 mA
UCEQ (UCC I CQ RC ) (Re1 Re2 )I EQ (18 3.2 mA 2.4 k) (1.1k 0.1k) 3.25mA 6.42V
2. 接上和断开电容CE时的电压放大倍数 A u 、输入电阻Ri 和输出电阻Ro (1)接上电容CE时
Ri 5.2 Au (10.73) 9.79 Ri Rs 5.2 0.5
Uo Aus Us
U o U s Aus 0.5 V 9.79 4.89V
(2)断开电容CE时
Ri 9.03 (0.98) 0.93 Aus Au Ri Rs 9.03 0.5
Ri Rs Aus
Ri Au Au 2.37 Ri Rs
3-28题
微变等效电路图:
g
Rs
300k 10k
RG1
U DD +12V
C1
模拟电子技术教程第3章习题答案

第3章 习题1. 概念题:(1)在放大电路中,三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
(2)电源的作用是 为能量转换提供能源 ,如果离开电源,放大器可以工作吗?( 不能 )(3)单管放大器的讲解从电容耦合形式开始,这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ,如果信号和负载直接接入,其 工作点 的计算将要复杂的多。
(4)在共射放大器的发射极串接一个小电阻,还能认为是共射放大器吗?( 能 )在共集放大器的集电极串接一个小电阻,还能认为是共集放大器吗?( 能 )(5)在模电中下列一些说法是等同的,(A 、C 、F )另一些说法也是等同的。
(B 、D 、E )A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析(6)PN 结具有单向导电性,信号电压和电流的方向是随时间变化的,而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大,这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
(7) β大的三极管输入阻抗 也大 ,小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
(8)画直流通路比画交流通路复杂吗?(不)在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ,直流电流源可认为 开路 ,二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
(9)求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ,单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器,其次是共 源 放大器。
(10)对晶体管来说,直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ,交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ,对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗?( 无 )(11)在共射级放大器或共源放大器中,电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
(12)放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真,引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
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两种类型,均具有两个 PN 结,即______和______。
3. NPN 型三极管三个极电位分别有 VC=3.3V,VE=3V,VB=3.7V,则该管工作在( )
3.放大电路中,测得三极管三个电极电位为 U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V,则该管是______类型管子,
A.饱和区
B.截止区
7. 工作在放大区的一个三极管,如果基极电流从 10 微安变化到 22 微安时,集电极电流从 1 毫安变为 6. 有万用表测得 PNP 晶体管三个电极的电位分别是 VC=6V,VB=0.7V,VE=1V 则晶体
2.1 毫安,则该三极管的 β 约为
;α 约为
。
管工作在( )状态。
8. 某处于放大状态的三极管,测得三个电极的对地电位为 U1=-9V,U2=-6V,U3=-6.2V,则电极
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的是( )。
A. UCE 3V, IC 10mA C. UCE 6V, IC 20mA
B. UCE 2V, IC 40mA D. UCE 20V, IC 2mA
12. 在三极管放大电路中,下列等式不正确的是(
)。
A. IE IB IC
B. IC IB
C. ICBO (1 )ICEO
-8V
+7.1V
+5V
+3.5V
-3V
+6.9V
+5V
①②③
2. 某放大电路中,三极管三个电极的电流如图所示,测得 IA=2mA,IB=0.04m A,IC=2.04mA,
则电极 为基极, 为集电极,
高二通用技术三极管基础练习

三极管基础练习1、晶体三极管的发射结加正向电压(正偏),集电结加反向电压(反偏),则晶体三极管处于( A )A.放大状态B.饱和状态C截止状态D开关状态2、NPN三极管处于截止状态时,下列说法不正确的是( C )A. Ib=lc=leB集电极与发射极之间可以看作一个断开的开关C.集电极电流受基极电流的控制D可能是由于基极电势太低造成的第3、三极管在饱和导通状态时,下列说法中不正确的是(D )A发射结和集电结均处于正向偏置状态B.集电极与发射极之间相当于一个接通的开关C.小功率管的饱和压降小于0.6V,锗管的饱和压降小于0.3VD.集电极电流受基极电流的控制4、关于三极管的三种工作状态,下列选项中说法正确的是( C )A.三极管的Ib、Ic都为0时,其集电极和发射极相当于一只接通的开关B.三极管的Ic不受Ib控制时,其集电极和发射极相当于一只接通的开关C.三极管的1c=βIb时,三极管具有电流放大作用D.三极管的Ic=βIb时,三极管才具有开关作用5、如图所示是小明设计的玩具风扇自动运转控制电路,图中R2为热敏电阻,当室内温度上升到一定值时,R2值变小,Vce小于03V,风扇电机M启动运转,此时三极管处于( C )A放大状态B.截止状态C.饱和状态D触发状态6、已知基极电流为3mA,集电极电流为40mA,三极管的直流放大系数为30,则该三极管的工作状态为( C )A放大B截止C饱和D不确定7、小明测得三极管的三个电极的电位如下图所示,下图中三级管处于饱和工作状态的是(C)8、如图所示为两只三极管的类型和工作状态,分析正确的是( A )A.(1)NPN、放大(2)PNP、放大B.(1)NPN、饱和;(2)PNP、饱和C.(1)PNP、饱和;(2)NPN、放大D.(1)NPN、饱和: (2)PNP、放大9、黄兴同学在检修某电路时,用多用电表测得NPN型三极管各电极对地电位分别是:集电极电位UC=5.5V,基极电位UB=5.9V,发射极电位UE=5.2V,以下判断正确的是(D )A发射结正偏,集电结反偏,三极管处于放大状态B.发射结正偏,集电结反偏,三极管处于饱和状态C发射结正偏,集电结正偏,三极管处于放大状态D发射结正偏,集电结正偏,三极管处于饱和状态10、小明测得某型号三极管工作在放大状态时三个极的电流,以下示意图中正确的是(B )。
三极管试题及答案

三极管试题及答案一、填空题1. 三极管是一种______控制型半导体器件,它由两个PN结组成,分为______极、______极和______极。
答案:电流;发射;基;集2. 三极管的放大作用是通过改变______极电流的大小来控制______极电流的大小。
答案:基;集3. 三极管的三种工作状态分别是______、______和______。
答案:放大区;饱和区;截止区4. 三极管的静态工作点设置在放大区的目的是为了保证三极管的______和______。
答案:稳定性;线性5. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到1倍时的频率,它反映了三极管的______特性。
答案:高频二、选择题1. 三极管的电流放大系数β的物理意义是()。
A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 基极电流与集电极电流之比2. 在三极管放大电路中,若要使三极管工作在放大区,应满足的条件是()。
A. U_B > U_BEB. U_B < U_BEC. U_B = U_BED. U_B ≈ U_BE答案:A3. 三极管的饱和区是指()。
A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ I_B4. 三极管的截止区是指()。
A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ 0答案:D5. 三极管的截止频率是指()。
A. 三极管的放大倍数下降到1倍时的频率B. 三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率C. 三极管的放大倍数下降到0.5倍时的频率D. 三极管的放大倍数下降到0.1倍时的频率三、判断题1. 三极管的放大作用是通过改变集电极电流的大小来控制基极电流的大小。
( ×)2. 三极管的三种工作状态分别是放大区、饱和区和截止区。
(√ )3. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率。
三极管基础练习题

三极管练习题一、填空题:1.晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。
2.三极管按结构分为_和两种类型,均具有两个PN结,即______和______。
3.三极管是___________控制器件,场效应管是控制器件。
4.晶体管放大电路的性能指标分析,主要采用等效电路分析法。
5.放大电路中,测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V,则该管是______类型管子,其中_____极为集电极。
6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。
7.三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时,三极管的工作状态分别是____和______。
8.场效应管同三极管相比其输入电阻_________,热稳定性________。
9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时,输入信号必须是________的信号。
10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________,集电结______。
11.在正常工作范围内,场效应管极无电流12.三极管按结构分为______和______两种类型,均具有两个PN结,即___________和_________。
13.晶体三极管是一种___控制___器件,而场效应管是一种___控制___器件。
14.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压,在集电结上也加上反向偏置电压,则这个晶体三极管处于______状态。
15.作放大作用时,场效应管应工作在____(截止区,饱和区,可变电阻区)。
16.晶体三极管用于放大时,应使发射极处于__偏置,集电极处于__偏置。
二、选择题:1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=0.7V,V E=1V则晶体管工作在()状态。
A、放大B、截止C、饱和D、损坏2、三级管开作在放大区,要求(???)A、发射结正偏,集电结正偏????????B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏?????????D、发射结反偏,集电结反偏3、在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的哪个区域?()A可变线性区B截止区C饱合区D击穿区4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=3.3V,V E=3V,V B=3.7V,则该管工作在()A.饱和区B.截止区C.放大区D.击穿区+7.5V -8V +7.1V +5V +3.5V -3V +6.9V +5V 5.三极管参数为P CM =800mW,I CM =100mA,U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。
三极管习题21 23页

16.一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度 的增加而减小。( )
17.晶体三极管的基区之所以做得很薄,是为了减少 电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入 基区的载流子绝大部分能进入集电区形成较大的集电 极电流。( )
组成,可以完成 功能
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31.全部最小项之和等于1。( ) 32.逻辑代数式L1=(A+B)C,L2=A(B+C),则L1=L2。( ) 33.一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电 压。( )
34.逻辑运算是0和1逻辑代码的运算,二进制运算也是0、1 数码的运算。这两种运算实质是一样的。( )
35.发射结处于正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 36.与非门的逻辑功能是:有0出1,全1出0。( ) 37.基本逻辑门电路可以实现数学上的加、减、乘、除四则 运算。( )
A.相位相同,幅度增大
B.相位相反,幅度增大
C.相位相同,幅度减小
D.相位相同,幅度近似相等
43.通过某种方式,将放大器的( )量的一部分或全部返送到
( )回路的过程叫反馈。
A.输入,输出B.输入,输入 C.输出,输入 D.输出,输出
44.反馈量与放大器的输入量极性( ),因而使( )减小的反
馈 ,称为(
A.与非门 B.与或非门 C.异或门 D.异或非门
50.在三极管放大电路中,当输入电流一定失真
C.不失真
D.过损耗失真
52.若逻辑表达式 FAB,则下列表达式中与F相同的
A. F AB B. F AB C.FAB D. FAB
电工技术第3章习题答案

第3章习题答案3.2.1 选择题1.晶体管能够放大的外部条件是___C______。
(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时,其__A_______。
(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的为___C______。
(a) 40 (b) 50 (c) 604.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能___A______。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5.温度升高,晶体管的电流放大系数b___A______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6.温度升高,晶体管的管压降|UBE|__B_______。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,__C______极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8.温度升高,晶体管输入特性曲线____B____。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9.温度升高,晶体管输出特性曲线___A_____。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔___C_____。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11.晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时,下列说法正确的是__C_____。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的(c) 晶体管的一定减小13.对于电压放大器来说,___B____越小,电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位___B____。
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3.4.1(b)
一个如图题3.4.1(a)所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如图题3.4.1 (b)的输出特性,静态工作点Q和直流负载线已在图上标出。
不能放大, 交流通路中信号可以顺畅地传输; 直流通路不满足发射结正偏、集电结反偏。
3.3.4(e)
图题3.3.4电路中,分别画出其直流通路和交流通路,试说明哪些能实现正常 放大?哪些不能?为什么?(图中电容的容抗可忽略不计)。
不能放大, 直流通路虽满足发射结正偏、集电结反偏,但是发射结未串接 起限流作用的电阻,会因偏置电压过大而烧损; 交流通路中,信号输入端直接与直流稳压电源的阳极相连,交 流信号不能顺畅的输入。
a)Q点过低→信号容易进入截止区:截止失真
i C/ mA
4 3 2 1
0
2
非线性失真与静态工作点的关系2
最大不失真输出…
i B = 100μ A
80 60
40
20
0
4
6
8
v CE/ V
b)Q点过高→信号容易进入饱和区:饱和失真 c)为减小和避免非线性失真,必须合理设置Q点。。。
3.4.5(a)
放大电路如题图3.4.5(a)所示,设Rb=400kΩ, Rc=4kΩ, VCC=20V, Rs=0, 三极管的输出特性曲线如图3.4.5(b)所示,试用图解法求:
3.4.5(c)
放大电路如题图3.4.5(a)所示,设Rb=400kΩ, Rc=4kΩ, VCC=20V, Rs=0, 三极管的输出特性曲线如图3.4.5(b)所示,试用图解法求:
⑶ 当接入负载电阻RL=4kΩ时,再求最大不失真输出电压振幅Vom=? 接入负载电阻后,交流负载线仍然过Q点,斜率变为-1/(Rc//RL)。即: ICQ y - ICQ 1 x -VCEQ VCEQ Rc // RL
rbe
rbb ’
26mV 40μA
(300 650)Ω
950Ω
AV
β
Rc // RL rbe
79
Vo AV Vi 395mV
3.6.1(a)
放大电路如题图3.6.1所示,已知VCC=10V,Rb1=4kΩ, Rb2=6kΩ, Re=3.3kΩ, Rc=RL=2kΩ,三极管的β=50,rbb’=100Ω,VBE=0.7V,各电容的容抗均很小。
3.4.5(b)
放大电路如题图3.4.5(a)所示,设Rb=400kΩ, Rc=4kΩ, VCC=20V, Rs=0, 三极管的输出特性曲线如图3.4.5(b)所示,试用图解法求:
⑵ 当放大器不接负载时(RL=∞),输入正弦波信号,则最大不失真输出电 压振幅Vom=? 如图所示,最大不失真输出电压振幅取较小的一个,为8.5V
图题3.3.4电路中,分别画出其直流通路和交流通路,试说明哪些能实现正常 放大?哪些不能?为什么?(图中电容的容抗可忽略不计)。
不能放大, 直流通路满足发射结正偏、集电结反偏; 交流通路中,从直流稳压电源的阳极输出,导致.4(d)
图题3.3.4电路中,分别画出其直流通路和交流通路,试说明哪些能实现正常 放大?哪些不能?为什么?(图中电容的容抗可忽略不计)。
在晶体管放大电路中,测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示,试判断各 晶体管的类型(PNP管还是NPN管,硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。
放大电路中的晶体管(正常 放大)具有发射结正偏、集 电结反偏的特点
三极管类型
NPN型 PNP 型
发射极正偏
VB VE VE VB
集电极反偏
VC VB VB VC
⑴求放大器的静态工作点
直流通路
VB
VCC
Rb 2 Rb1 Rb2
4V
rbe
rbb’(1
β)26mV 1mA
(100 1326)Ω 1426Ω
3.4.4
用示波器观察图题3.4.4(a)电路中的集电极电压波形时,如果出现图题3.4.4 (b)所示的三种情况,试说明各是哪一种失真?应该调整哪些参数以及如何 调整才能使这些失真分别得到改善?
各参数对静态工作点的影响
非线性失真与静态工作点的关系
截止失真,增大Rb1或减小Rb2 ; 饱和失真,减小Rb1或增大Rb2 ; 饱和截止失真同时出现,应该减小输入信号的幅度
IBQ
VCC VBE Rb
VCC Rb
2mA 1 β
40μA
Rb
300kΩ
3.5.2(c)
在如题图3.5.2电路中,设VCC=12V,Rc=RL=3kΩ,三极管的β=50,rbb’=300Ω。 在计算IBQ 时可认为VBE≈0。
微变等效电路
⑷在VCEQ=6V时,加入5mV的信号电压,问这时的输出是多少?
VCEQ (iC ICQ )RL
-
VCEQ ICQ RL iC RL
常数
交流负载线2
VCC
iC
RC
①斜率为-1/R'L 。
( R'L= RL∥Rc )
Q
交流负载线
直流负载线
IB
②经过Q点。 vCE
VCC ③交流负载线是有交流输入信号时工作点的运动轨迹。
④空载时,交流负载线与直流负载线重合。
VCEQ VCC ICQ ( Rc Re )
(Rc Re ) 斜率 IBQ不变的情况下倾向于出现饱和失真
iB 100
60 30
非线性失真与静态工作点的关系1
i C/ mA
4 3 2
饱和区
i B = 100μ A
80
60
放大区
40
1
20
vBE
0
0
2
4
6
8
v CE/ V
截止区
交流负载线与横、纵轴的交点坐标为(16V,0mA)(0V,8mA),如图所示, 最大不失真输出电压振幅取较小的一个,为5V。
3.5.1(a)
画出下列图题3.5.1中各电路的简化h参数等效电路,并标出ib和ib的
正方向。(电路中各电容的容抗可不计)
3.5.1(b)
画出下列图题3.5.1中各电路的简化h参数等效电路,并标出ib和ib的
直流通路
⑴若Rb=600kΩ,问这时的VCEQ=?
IBQ
VCC VBE Rb
VCC Rb
20μA
VCEQ VCC Rc (1 β )IBQ 12V 3kΩ 1mA 9V
⑵在以上情况下,逐渐加大输入正弦波信号的幅度,问放大器容易出现何种 失真?
VCEQ越接近于VCC,放大器就越容易出现截止失真;反之VCEQ越小,放大器 越容易发生饱和失真。此处工作点偏低,容易出现截止失真。
能放大, 直流通路满足发射结正偏、集电结反 偏; 交流通路信号能顺畅的输入输出。
图电路中,分别画出其直流通路和交流通路,试说明哪些能实现正常放大? 哪些不能?为什么?(图中电容的容抗可忽略不计)。
不能放大, 直流通路满足发射结正偏、集电结反偏; 但交流通路中,三极管的基极被电容Cb短接到交流地,导致信号不能顺 畅的输入。
y
⑵ 若接入RL=6kΩ,画出交流负载线
交流负载线过Q点,斜率比空载时(即直流
负载线)大,为:
1 RL
2 3
x
假设交流负载线与坐标轴的两个交点坐标为(x,0)和(0,y)
则有:
yQ (x
6)
2
3
或(y
yQ) xQ
2 3
即交流负载线与坐标轴的两个交点坐标为(10.5,0)和(0,7)
Rb Cb1
正方向。(电路中各电容的容抗可不计)
3.5.1(c)
画出下列图题3.5.1中各电路的简化h参数等效电路,并标出ib和ib的
正方向。(电路中各电容的容抗可不计)
3.5.1(d)
画出下列图题3.5.1中各电路的简化h参数等效电路,并标出ib和ib的
正方向。(电路中各电容的容抗可不计)
3.5.1(e)
⑴ 放大器的静态工作点ICQ=? VCEQ=?
IB
VCC Rb
0.05mA
50μA
直 流 负 载 线 :VCE VCC Ic Rc 20V-Ic 4kΩ
直流负载线与横、纵轴的交点坐标为(20V, 0mA)(0V,5mA),斜率为-1/Rc Q点读出为(11V,2.4mA )
直流通路
放 大 系 数。 I1 (I2 I3 ) I1为发射极电流,I2为基极电流,I3为集电极电流。
②b ① e ③c NPN
1.2mA 40 0.03mA
图电路中,分别画出其直流通路和交流通路,试说明哪些能实现正常放大? 哪些不能?为什么?(图中电容的容抗可忽略不计)。
电路中各参数对静态工作点的影响1
iC
vCE
选择三极管的输出特性曲线中的某一根:
VB Q
Rb2 Rb1 Rb2
VCC
ICQ IEQ VEQ Re (VBQ VBE ) Re
IBQ ICQ
Rb1 , Rb2 , Re IBQ有减小的趋势,输出倾向于截止失真
影响放大电路的直流负载线的斜率:
++
vi
-
++
vi Rb
-+
交流负载线1