模拟电子技术基础期末复习
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技术期末总复习
4、 作图：vi→iB→iC、vCE→vo 5、求放大倍数：
AV
vo vi
e j
Vom Vim
20
假设uBE有一微小的变化
iB IB uA
45 35 25 15
t
iC
Q
0.68 0.7 0.72
UV BE ui
直流负载线
IC
mA
3.3 2.7 2.1
1.5
0.9
交流负载线
55 ib
45
h参数等效电路：
Ii
Ib
Ic
Ui R'B rbe
Ib RL
U o
动态：
AV
rbe
R' L (1 )RE1
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE1]
RE1 RC
Ro RC
RB C1
ui
RE
+VCC
C2
RL uo
静态：
IB
VCC VBE
放大器的性能指标：
电压放大倍数、输入电阻ri 、输出电阻ro 、通频带
17
（二）放大器的分析方法
A、图解法分析法：
1、静态工作点的图解分析：
（1）近似估算Q点: +
ΔVI
RB
T
-
VBB
I BQ
=
VBB－
V BE
RB
ICQ I BQ
VCEQ VCC ICQ RC
C+
RC
ΔVO
VCC
-
18
22
电路参数对Q点的影响：
Rb：
iC
Rb↗
IBQ↘
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术基础(第四版)期末复习资料
该复习资料，不一定适用于本校，但有比没有要好。
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管，锗管。
*开启电压------硅管，锗管。
分析方法------ ----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路或压降;若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)CBO CEO B CBC)(1I I i iIIβββ+=∆∆==其中I CEO是穿透电流（越小越好），I CBO是集电极反向电流。
模拟电子技术基础-总复习最终版
R1 R2 R3
Rf
ui3 i2 R3 i3
N
_
+ +
uo
uo
Rf
ui1 R1
ui2 R2
ui3 R3
R4
实际应用时, 可适当增加或减少输入端的个数, 以适应不同的需要。
2.同相求和运算
节点P的电流方程： i1 i2 i3 i4
Rf
ui1 uP ui2 uP ui3 uP uP
R1
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
2.共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电压 为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生 了什么失真，如何消除。
3.试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。 设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
4.画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交 流信号均可视为短路。
虚短路
u-= u+= ui
虚开路
uo ui ui
Rf
R
uo
(1
Rf R
)ui
Au
uo ui
1
Rf R
反馈方式: 电压串联负反馈。输入电阻高。
一、求和运算电路 ui1 R1
1.反相求和运算
uN uP 0
ui2 i1 R2
iF Rf
i1 i2 i3 iF
ui1 ui2 ui3 uo
（c）
第二章 基本放大电路
知识点： 1、 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点
的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路，并计
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。
3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。
5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。
7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。
二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 型锗管型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
一、填空1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和Ω，产生这种现象的原因是。
8. 测得某NPN管的VBE=,VCE=,由此可判断它工作在区。
9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。
10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。
11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。
12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。
14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。
15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。
当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。
16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。
17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。
18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。
19. 已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为，反馈系数为。
20. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别，前者通常工作在状态或状态，因此，它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。
22. 多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都。
级数愈多则上限频率越。
23. 由于在功放电路中，功放管常常处于极限工作状态，因此，在选择功管时要特别注意、和三个参数。
24. 电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的大。
25. 当电路的闭环增益为40dB时，基本放大器的增益变化10%，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则此时电路的开路的开环增益为 dB。
26. 单限比较器只有个门限电压值，而迟滞比较器则有个门限电压值。
27. 在串联型石英晶体振荡电路中，晶体等效为。
28. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
29. 3种基本放大电路中电压放大系数近似为1的是。
30. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频响应。
31. 集成运放中，由于电路结构引起的零输入对应非零输出的现象称为，主要原因是造成的。
32. 例运算电路的输入电阻R i很大，而比例运算电路的输入电阻很小。
33. 在电容滤波和电感滤波中，适用于大电源负载，的直流输出电压高。
34. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
35. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。
二、选择题1. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声2. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联3. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
A.反相比例运算B. 同相比例运算C. 加法运算D. 微分运算5. 场效应管是一种（）的器件。
A.电压控制电压B. 电压控制电流C. 电流控制电压D. 电流控制电流6. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）A.电阻阻值有误差B. 晶体管参数的分散性C. 晶体管参数受温度影响D. 电流电压不稳定7. 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联8. 功率放大电路中的转换效率是指（）。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B. 最大输出功率与电流提供的平均功率之比C. 晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比D. 输出功率与输入功率之比9. 串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（）。
A.基准电压B. 取样电压C. 取样电压与基准电压之差D. 输出电压10 反馈放大电路的含义是（）。
A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路以外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路11 为了放大缓慢变化的微弱信号，放大电路应采用（）耦合方式。
A. 阻容B. 直接C. 变压器D. 光电12 差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。
A.增加一倍B. 为双端输入时的1/2C. 不变D. 不确定13 负反馈放大电路产生自激振荡的条件是（）。
A. AF=0B. AF=1C. AF=∞D. AF=-114 当PN结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层（）。
A.变宽B. 变窄C. 不变D. 不确定15 单管放大电路中，若输入电压为正弦波，用示波器观察U O和U i的波形，当放大电路为共射电路时，则V O和V i的相位。
（）A. 同相B. 反相C. 相差90oD. 不变16 三级放大电路中，A u1=A u2=30Db，A u3=20dB，则总的电压增益为（）dB。
A. 180 dBB. 80 dBC. 60 dBD. 50 dB17 多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重和一级是（）。
A.输入级B. 中间级C. 输出级D. 增益最高的一级19 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
A. 电阻阻值有误差B. 晶体管参数的分散性C. 参数受温度影响D. 电源电压不稳定20 欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入（）负反馈。
A.电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联21 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（）。
A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 微分运算电路D. 积分运算电路22 若要组成输出电压可调，最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用（）。
A. 电容滤波稳压管稳压电路B. 电感滤波稳压管稳压电路C. 滤波串联型稳压电路D. 电感滤波串联型稳压电路23 可以放大电压,但不能放大电流的是( )组态放大电路。
A. 共射B. 共集C. 共基D. 不定28 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A.温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷30 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联三、判断题1. 只有电路即放大电压又放大电流，才称其有放大作用。
（）2. 现测得两个共射放大电路载时的放大倍数为-100，将它们连两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
（）3. 若放大电路引入负反馈，则负载变化时，输出电压基本不变。
（）4. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）5. 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（）1. 处于线性工作状态下的集成运放，反相输入端可按“虚地”来处理。
（）2. 负反馈只能改善反馈环路内的放大性能，对反馈环路之外无效。
（）3. 功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的电压信号。
（）4. 桥式整流电路在接入电流滤波后，输出直流电压将减小。
（）5. 反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
（）7. 直流负反馈是指直流通路中的负反馈。
（）10 差动放大电路的基本功能是实现对共模信号的放大作用。
（）11 集成运算放大器实质上是一种采用阻容耦合的多级放大器。
（）12 同相比例运算电路可实现A u<0的放大。
（）13 由于功放管的输入电压、电流幅值均很大，功放管特性的非线性不可忽略。
（）14 整流电路利用二极管的单向导电性，使交流电变为单向脉动直流电。
（）15 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（）16直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
（）17 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
（）18 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）19电路中一般均引入负反馈。
（）20 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）21 可以说任何放大电路都有功率放大作用。
（）22 阻容耦合多级放大电路Q点相互独立，它只能放大交流信号。
（）25 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
（）四、分析计算2. 同相输入放大电路如图所示，A为理想运放，电位器Rw用来调节输出直流电位。
①当Ui=0时，调节电位器，输出直流电压Vo的可调范围是多少②电路的Auf=3. 电路如图所示，β=100，VBE=,rbb’=100Ω.试求:①静态工作点,②Au, Ri, Ro.4. 在图示电路中，A1和A2均为理想运放，试写出Uo的表达式。
5. 图示电路中，A1，A2，A3均为理想运放。
①A1，A2，A3分别组成何种基本运算电路；②列出V O1，V O2，V O3的表达式。
A100k200k 50k 33kA u o100k100k50k50kA200k100k 50kUi1Ui2Ui3Uo1Uo27. 电路如图所示：① 判断级间反馈组态；② 写出深度负反馈时的电压增益表达式。
A1A2R1R2R3R4RfUoUi9、试说明如下电路中存在哪些反馈支路，并判断其反馈的极性和组态，要求在电路中标出瞬时极性。
10、电路如图所示：1、画出下列电路的交流通路。
2、画出下列电路的直流通路。
3、画出下列电路的微变等效电路。
11、计算题1、如图所示，已知：VU BE 7.0,20,4021===ββ，112, 3.9,C Vcc V R k ==Ω22200, 3.3,2C e Rs R k R k =Ω=Ω=Ω，假设当外加输入信号Us=0时输出电压Uo=0，要求：(1)估算当Uo=0时电路中各处的电流和电压值；(2)画出微变等效电路图，计算出o i US R R A ,,,.的值。