2013-2014学年度《电子技术基础》期末试卷

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技师学院期末考试试卷电子技术基础

技师学院期末考试试卷电子技术基础

共 页 第 1 页班 级 姓名 学号………………………………………………密…………封…………线……………………………………………… 聊城市技师学院2013-2014学年第二学期末考试电气工程 系 《 电子技术基础 》试题命题人: 孙宝山 适用班级:13电气维修中级、13四年高电题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总分 分数说明:本试卷分 部分,全卷满分 分。

考试用时 分钟。

注 意 事 项:一、选择题(本大题共*题,每小题*分,共计*分。

)得分 评卷人1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。

A. 左移,下移B. 右移,上移C. 左移,上移D. 右移,下移2. 在PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流。

A. 小于,大于B. 大于,小于C. 大于,大于D. 小于,小于3. 下列符号中表示发光二极管的为( )。

ABCD4. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降5. 硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ,则此时三极管工作于( )状态。

A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定6.把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以( )A .增大差模输入电阻B .提高共模增益C .提高差模增益D .提高共模抑制比7. 乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是( ) A .输入电压信号过大 B .三极管电流放大倍数太大 C .晶体管输入特性的非线性 D .三极管电流放大倍数太小 8. 为了稳定静态工作点,应引入( )负反馈。

A. 直流 B. 交流 C. 串联 D. 并联………………………………………………………………………………………………………………………………9. 放大电路引入负反馈是为了( )。

A. 提高放大倍数B. 稳定输出电流C. 稳定输出电压D. 改善放大电路的性能 10. 负反馈放大电路中,反馈信号( )。

材料1209,1210 2013-2014 学年 第二学期 《电子技术》期末试(A卷)参考答案

材料1209,1210  2013-2014 学年 第二学期 《电子技术》期末试(A卷)参考答案

第 1 页 共 2 页电 机 学 院 试 卷2013 — 2014 学年第二学期期末考试答案《电子技术 》(A 卷)一、填空题(10题,每题2分,共20分)二、选择题(10题,每题2分,共20分)三、计算题(3题每题15分,共45分)21.逻 辑 电 路 如 图 所 示,写 出 逻 辑 式 ,画 出 逻 辑 图。

(15分)B≥1A FB(5分)F AB BC A B AB B C A B =+++=++++ (5分)A B C A B ABC A B A BC B A B =++++=++=++=+ (5分)--------------------------------------------------------------------------------------装 订 线------------------------------------------------------------------------------------22.已知主从J K触发器的C脉冲和J、K的波形如图所示。

试画出其输出Q 的波形(设Q的初始状态为“0”)。

(15分)CJKQ(15分)23. 电路如图所示,已知晶体管的β=60,rbek=1Ω,UBE=0.7 V,试求:(15分)(1) 静态工作点IB,IC,UCE;(2) 电压放大倍数;(3) 若输入电压u t miV=102s inω,则输出电压uo的有效值为多少?(1)IU URBCC BEBmA A=−=−=1207270419..µI IC BmA mA==×=β600041925..U U I RCE CC C CV V=−=−×=(.).1225345(2)A R ru=−=−=−βC be//6031180(3)U A Uuo imV V==×=1801018.第 2 页共2 页。

电子技术基础2014年1月份期末试题

电子技术基础2014年1月份期末试题

2013年下学期期末质量检测试题(电子技术基础试题)一、选择题:(每空题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1、在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2、当温度升高时,二极管反向饱和电流将。

( )A 增大B 减小C 不变D 等于零3、把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则 ( )A 电流为零B 电流基本正常C 击穿D 被烧坏4、三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数。

5、某二极管反向电压为150V,则其最高反向工作电压为()A、约等于150VB、可略大于150VC、不得大于400VD、等于75V6、工作在放大区的某三极管,如果I B从12uA增大到22uA时,I C从1mA 变为2mA,那么它的约为()。

A、83B、91C、100D、787、实践中判断三极管是否饱和,最简单可靠的方法是测量()。

A、IBB、ICC、UBED、UCE8、晶闸管型号为KP200—20H的额定电流为()A,额定电压为()V。

A、20B、200C、2000D、200~20009、关于CW78L05说法不正确的是()。

A、 CW78L05是正电压稳压的三端固定输出式稳压器。

B、 CW78L05的2引脚为公共端。

C、 CW78L05表示正电压为5V,输出电流为1.5A。

D、 CW78L05中,“C”表示国标,“W”表示稳压器。

10、单相桥式可控整流电路输入电压U2为100V,则输出平均电压最大为()。

A、311VB、100VC、141VD、90V——+—U i1—+—Uo8V——R11、如右图所示,输出电压Uo为()。

电子技术基础2013年7月份期末试题

电子技术基础2013年7月份期末试题

课程名称:电子技术基础考试方式:闭卷总分:100分考试时间:60 分钟专业/班级:学生姓名:日照市科技中等专业学校(2013—2014年学期期末考试):一、填空题:(每空2分,共30分)请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1、P型半导体中空穴为()载流子,自由电子为()载流子。

2、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开;3、硅管的导通电压是()V,锗管的导通电是()V。

4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。

5、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。

6、三极管放大电路的三种组态是()、()、()放大电路。

7、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是()。

8、二极管最主要的特性是()。

二、判断正误:(每小题1分,共10分)请在每小题的括号中填上正确答案。

正确填(√ )错误填( X ),错填、不填均无分。

1、半导体随温度的升高,电阻会增大。

()2、 PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。

()3、二极管是线性元件。

()4、不论哪种类型的二极管,其正向电压都为0.3V左右。

()5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。

()6、二极管加正向电压就一定导通。

()7、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。

()8、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。

()9、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。

()10、放大电路中的所有电容器,起的作用均为通交隔直。

()三、选择题:(每小题2分,共10分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1、在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2、当温度升高时,二极管反向饱和电流将。

2014年春期电子技术期末统考题

2014年春期电子技术期末统考题

电子技术基础期末考试题(二)出题人:杨晓霞班级:姓名:成绩:一、填空。

(每空1分,共30分)1、()的主要特性有热敏性、光敏性、掺杂性。

2、()管由二个PN结构成。

3、()的三个极分别叫做基极、发射极、集电极。

4、()管可分为P沟道和N沟道两类。

5、将放大器输出信号的()送回到输入端的过程称为反馈。

6、输出电阻越小,放大器带载能力()。

7、二极管得正向特性是指()的关系,反向特性是指()的关系,.最大整流电流是指二极管()工作时允许通过的()电流,最高反向工作电压是指二极管正常使用时所允许加的()。

8、反馈放大器的开环放大倍数为1000,闭环放大倍数为100,其反馈属于()反馈,反馈系数为()。

9、电压负反馈能稳定(),()输出电阻,()带负载能力。

10、振荡器主要由()和()两大部分组成。

11、产生零点漂移的原因是()和()。

12、集成运放主要由()()和()三大部分组成。

13、集成运放的中间级由()组成,主要使运放获得()14、OCL功放电路使用()电源,采用()耦合输出,便于集成化。

15、功放管采用复合管可以提高(),提高功放的输出能力,与此同时也增到了()。

为了保证两个管子电流畅通,复合管得型号与复合的()只管子相同。

二、判断正确画√,错误画×。

(每空1分,共20分)1、PN结的单向导电性就加正向电压电导通,加反向电压时不导通。

()2、场效应管是电压控制器件。

三极管是电流控制器件。

()3、负反馈能使电路性能更稳定。

()4、共射放大电路是以发射极作为输入和输出回路的公共极的。

()5、电容可通交流阻直流。

()6、电阻、电容、电感都可作为滤波元件。

()7、射极输出器的输入电阻大,输出电阻小。

()8、调整基极电阻可以改变放大电路的静态工作点。

()9、电容可通交流阻直流。

()10、共发射极电路又叫射极输出器。

()11、共射放大电路是以发射极作为输入和输出回路的公共极的。

()12、三极管基极电流为零时的集电极电流叫做穿透电流。

13春电子技术基础期末考试(理论)

13春电子技术基础期末考试(理论)

13春电子技术基础期末考试试卷班级:姓名:成绩:一、单项选择题:(本大题共20个小题,每小题2分,共40分。

在每个小题所给出的选项中,只有一个符合题目要求,不选、多选、错选均不得分)1.两个稳压管串联可以得到的稳压值有()A.一种 B.二种 C.三种 D.四种2.三极管具有电流放大作用的外部条件是()A.发射结正偏,集电结正偏。

B.发射结反偏,集电结正偏。

C.发射结反偏,集电结反偏。

D.发射结正偏,集电结反偏。

3.如图所示为哪种MOS管的图形符号()A.增强型NMOS管B.增强型PMOS管C.耗尽型NMOS管D.耗尽型PMOS管4.若放大器的输出信号既发生饱和失真,又发生截止失真,原因是()A.静态工作点太高 B.静态工作点过低C.输入信号幅度过大 D.输入信号幅度过小5.放大器设置合适的静态工作点,以保证晶体管放大信号时,始终工作在()A.饱和区 B.截止区 C.放大区 D.击穿区6.放大器引入负反馈后,()A.放大倍数下降,通频带不变。

B.放大倍数下降,通频带变宽。

C.放大倍数下降,通频带变窄。

D.放大倍数不变,通频带变窄。

7.若要降低放大器的输出电阻,提高放大器的输入电阻,应引入的负反馈类型为()A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联8.射极输出器以反馈的角度来看属于()负反馈。

A.电压串联 B.电流串联 C.电压并联 D.电流并联9.差动放大器在集成运放中的主要作用是()A.稳定电压放大倍数 B.提高输入电阻C.克服零点漂移 D.展宽通频带10.如图所示运算放大器的输出电压U O 为( )A .9VB .-9VC .3VD .-3V11.正弦波振荡器的振荡频率取决于( )A .电路的放大倍数B .正反馈深度C .反馈元件的参数D .选频网络的参数12.某电路需要固定的-9V 电源电压,如用集成稳压器稳压,则稳压器的型号为( )A .CW7809B .CW7909C .CW317D .CW33713.单向晶闸管的导通条件是( )A .阳极加正电压,控制极加负电压。

电子技术基础期末考试试题.doc

电子技术基础期末考试试题.doc

《电子技术基础》期末考试试题一、填空题。

(每题2分,共20分)1 .逻辑函数的表达方法有有、、和2.基本逻辑函数为逻辑、、和3.把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做特性。

4.两个的最小项可以合并成一个与项,并消去一个因子。

5.二进制数A=1011010, 贝U: A+B=()】()。

6.某电路有四个开关A、B、C、D (接通为1、断开为0),当其中任意三个或三个以上接通时,电路接通,输出F=l,否则,F=0o若用最小项标准表达式表示F=, 该逻辑函数最简与或表达式F=o7.TTL三态门的输出有三种状态:高电平、低电平和状态。

8.组合电路没有功能,因此,它由组成。

9.数值比较器是指能判别两个或多个二进制数或是否的电路。

O10.同步RS触发器的特性方程为,其约束方程是。

Jk触发器的特性方程Q"=。

二、选择题。

请将正确答案的序号填在横线上(每题4分,共20分)1.在逻辑函数的卡诺图化简中,若被合并的最小项数越多(画的圈越大),则说明化简后a •乘积项个数越少; b.实现该功能的门电路少;c.该乘租项含因了少2.Y=A C+A BD的最小项之和的形式是__________ oa.Y=A B C B + A B CD + AB C D+AB CD + A BCD ;b.Y=A B C+A B CD+AB C +A BCD;c.Y=A C D+A CD+A B CD +A BCD3.在下列一组数中,最大数是_________ oa. (258) io ;b. (100000001 ) 2;c. (103) 16;d. (001001010111 ) 8421BCD4 .组合电路的分析是指a・已知逻辑图,求解逻辑表达式的过程;b -已知真值表,求解逻辑功能的过程;c・己知逻辑图,求解逻辑功能的过程5、・按各触发器的状态转换和CP分类的关系,计数器可分为计数器。

a -加法、减法和可逆;b -同步和异步;c -二、十和M进制三、简述题。

电子技术基础试卷3套期末考试卷 AB卷 期末测试卷带答案

电子技术基础试卷3套期末考试卷 AB卷 期末测试卷带答案

班级: 姓名: 学号: .密封线内禁止答题电子技术基础 期末考试卷 第 1 页 共 8 页 2020-06-21南 京 信 息 职 业 技 术 学 院 试 卷2012/2013学年第_二_学期 期末考试A 卷课程名称: 电子技术基础 考试时间:100分钟命题人 王晶 2013 年 6 月 9 日 审批人 2013 年 月 日 使用班级71211P 、71212P 、71213P 考试成绩题号 一二三四五六总分阅卷人 得分一、填空题(本题50分,第4、14题每空2分,其余每空1分)1、半导体的独有特性有 、 、 。

2、在纯净半导体中掺入3价杂质元素可形成 型半导体,其多数载流子是 。

3、PN 结具有 特性。

4、二极管电路如图1所示,判断图中的二极管是 (导通、截止)并求出AO 两端电压U AO = 。

(4分)V12V9图1 图25、放大电路中三极管的二个电极电流如图2所示,另一个电极的电流 ,并在图上标出其方向;试分析A ,B ,C 对应的管脚,集电极是 、基极是 、发射极 ,并说明此三极管是 ( NPN 管/PNP 管),是 (锗管/硅管)。

6、三极管的三个工作区域为 、 、 。

7、三级放大电路电压增益分别是A u1=A u2=20,A u3=40,输入电阻分别是R i1=1k Ω,R i2=R i3=1.5k Ω,输出电阻分别是R o1=1 k Ω,R o2=R o3=2k Ω,则总电压增益是Au= ,总的输入电阻Ri= 、总的输出电阻Ro= 。

8、判断图3所示电路的反馈组态。

(正反馈、负反馈), (电压反馈、电流反馈), (串联反馈、并联反馈),输出电压u o = 。

图3 图49、乙类功率放大器的最大效率为 ,乙类功率放大器存在 失真。

10、直流稳压电路如图4所示,说明虚框中电路的功能为 。

11、(10.5)10=( )2 =( )16(76)10=( )8421BCD 12、逻辑代数中的基本运算为 、 、 。

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二年级《电子技术基础》期末考试试卷
班级:____________ 姓名:____________ 成绩:___________
一、填空题(每空1分,共14分)
1、半导体是一种导电能力介于________与________之间的物质,最常用的半导体材料有________和________等。

2、PN结的单向导电性就是:加正向电压时,PN结________,加反向电压时,PN结________。

3、三极管只有工作在________状态,关系式I C=ßI B才成立。

4、NPN型三极管处于放大状态时,各级电位的关系是:________________,PNP型三极管处于放大状态时,各级电位的关系是:________________。

5、固定式三端集成稳压器W7812表示输出____________电压,W7905表示输出___________的电压。

6、晶闸管是一种能控制________的半导体器件。

7、逻辑门电路,是指有________输入端和________输出端的开关电路。

二、判断题(每题2分,共20分)
1、在半导体内部,只有电子能传导电流。

()
2、三极管的发射结正偏时,它必处于放大状态。

()
3、二极管只要加正向电压就一定导通。

()
4、单向桥式整流电路中有四只二极管,故每只二极管中电流的平均值等于负载电流的1/2。

()
5、三极管具有电流放大作用,所以也具有能量放大作用。

()
6、二极管导通时,正向压降为0.7V。

()
7、在数字电路中,“1”一定代表高电平,“0”一定代表低电平。

()
8、非门通常有一个输入端,一个输出端。

()
9、利用二极管的单向导电性可实现整流。

()
10、放大电路中所使用的三极管β值越大越好。

()
三、选择题(每题2分,共20分)
1、三极管的各极间电流满足I C=βIb关系时,三极管工作在()。

A、饱和区
B、放大区
C、截止区v
2、放大电路空载是指()。

A、R C=0
B、R L=0
C、R L=∞
3、共发射极放大电路的输入信号加在三极管的()之间。

A、基极和发射极
B、基极和集电极
C、发射极和集电极
4、在三极管的输出特性曲线中,当Ib减小时,它对应的输出特性
曲线()。

A、向下平移
B、向上平移
C、向左平移
D、向右平移
5、一个三级放大器,工作时测得AU1=100,AU2=AU3=10,则总的
放大倍数是()。

A、100
B、1000
C、10000
6、要将交流电转换为直流电,应采用的方法是()。

A、稳压
B、滤波
C、整流
7、NPN型三极管处于放大状态时,各极电压关系是()。

A、U C<U B<U E
B、U C>U B>U E
C、U C<U E<U B
8、三极管的输出特性是一簇曲线,每条曲线代表一个特定的()。

A、I C
B、U CE
C、I B
D、I E
9、NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,三极管()。

A、基极电流不变
B、集电极对发射极电压U CE下降
C、集电极对发射极电压U CE上升
10、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()。

A、立即导通
B、到0.3V才开始导通
C、超过死区电压时才开始导通
四、写出逻辑表达式(每题5分,共10分)五、计算题(共35分)
1、如果要求输出的直流电压为45V,R L=10Ω,试求单相桥式整流电路中的U
2、I O、I V、U RM为多少?(10分)
2、已知某三极管的输出特性曲线如图所示,依据这一特性计算
下列数值。

当U CE=6V时,I B=60uA时,求放大系数β?(10分)
3、已知:V CC=12V,Rb=270 KΩ,Rc=3 KΩ,RL=3 KΩ,β=50
的固定式偏置电路,求:(1)静态工作点(2)r be (3) A V (4) r i (5) r0(16分)。

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