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（完整版）电子技术基础习题答案
（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
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《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
电子技术基础(上习题)(附答案).docx
电子技术基础一、 填空第一章 直流电路分析基础1.电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三部分组成。
2.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。
3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。
4.电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。
5.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。
6.数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。
7.模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。
8.电路中的元件分为有源元件和无源元件，其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。
9.在电路中起激励作用的是独立电源，包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。
10.电路中有两种电源，其中起激励作用的是独立电源，不起激励作用的是 受控 电源。
11. 一般来说，电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。
12.求出的功率如果大于0，表示该元件吸收功率 ；如果功率小于0，表示该元件 发出功率 。
13.一般来说，电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。
14.对于一个二端元件，在关联参考方向的时，该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ；与此相反，在非关联参考方向的时，其功率计算公式习惯表示为 P= -UI 。
15.根据是否提供激励，电源分为 独立 和 受控 两种。
第二章 一阶过渡电路1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法，三要素分别指 初始值f 、 稳态值f 和 时间常数 。
2.RC 过渡电路中的时间常数的表达式为 ；RL 过渡电路中的时间常数的表达式为。
3.根据是否有信号输入，一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。
4.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示，也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。
第三章 正弦交流电1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。
2.已知某交流正弦电流的瞬时表达式为 ()3143i t t π⎛⎫=+ ⎪⎝⎭，则该正弦交流电流的最大值为 5 A ，频率为 50Hz ，初相位为。
电子技术基础(含答案).docx
精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试题及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1.三极管具有（）放大作用。
A、电流B、功率C、电压正确答案：A2.N型半导体中多数载流子是（）A、原子核B、自由电子C、空穴正确答案：B3.由真值表得到的逻辑函数一般都要经过化简。
A、×B、✔正确答案：B4.触发器是构成时序逻辑电路的基本单元。
A、×B、✔正确答案：B5.在画放大电路的交流通路时，应将电路中的电容视为开路。
A、×B、✔正确答案：A6.最基本的逻辑关系是与，或，非。
A、×B、✔正确答案：B7.稳压二极管为避免因不可逆机穿而损坏，使用时必须串联一个适当的（）后在接入电源。
A、大电感。
B、限流电阻。
C、耦合电容。
正确答案：B8.模拟信号在时间上是一种持续变化的量，而数字信号则是一种离散量。
A、✔B、×正确答案：A9.用直流电压表测量npn型晶体三极管电路晶体三极管各电极对地电位是:ub=4.7v,uc=4.3v,ue=4v，则该晶体三极管的工作状态是（）A、饱和状态。
B、放大状态。
C、截止状态。
正确答案：A10.你只放大电路的电压放大倍数为100，当输入十毫伏时，输出是（）VA、3B、2C、1正确答案：C11.非门的逻辑功能是（）A、有0出1。
有1出0。
B、有0出0。
全1出1。
C、有1出1。
全0出0。
正确答案：A12.与二进制数100110等值的十进制数为26。
A、×B、✔正确答案：A13.放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
A、×B、✔正确答案：B14.接负载后，放大电路的放大倍数要（）A、减小。
B、增大。
C、不变。
正确答案：A15.将十进制数59写成二进制数应为（）A、111011B、111001C、110111正确答案：A16.异步二进制计数器一般由t触发器组成。
A、✔B、×正确答案：B17.桥式整流电容滤波电路输出电压的平均值，UO=（）A、U2B、0.9U2C、1.2U2正确答案：C18.射极跟随器的特点是。
电子技术基础(数字)康华光课后解答
VNLA(max) =VIL(max) —VOL(max) =0.8V—0.4V=0.4V
2.4
0.4
2
0.8
逻辑门 B
3.5
0.2
2.5
0.6
逻辑门 C
4.2
0.2
3.2
0.8
解：根据表题 3.1.1 所示逻辑门的参数，以及式（3.1.1）和式（3.1.2），计算出逻 辑门 A 的高电平和低电平噪声容限分别为：
VNHA =VOH (min) —VIH (min) =2.4V—2V=0.4V
(2) L D(A C)
(3) L (A B)(C D)
2.2.2 已知函数 L（A，B，C，D）的卡诺图如图所示，试写出函数 L 的最简与 或表达式
解： L(A, B,C, D) BCD BCD BCD ABD 2.2.3 用卡诺图化简下列个式 （1） ABCD ABCD AB AD ABC 解： ABCD ABCD AB AD ABC ABCD ABCD AB(C C)(D D) AD(B B)(C C) ABC(D D) ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD
解： A ABC ACD (C D)E
A( 1 B C) A C D C D E
A A C D C D E
AB +AB
1 0 0 1
A CD CDE A CD E 2.1.4 用代数法化简下列各式 (3) ABC(B C) 解： ABC(B C) (A B C)(B C)
（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4 二进制代码 1.4.1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码： （1）43 （3）254.25 解：（43）D=（01000011）BCD 1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣 ASCⅡ码的表示：P28 （1）+ （2）@ （3）you (4)43 解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的 ASCⅡ码，然后将二进制码转换 为十六进制数表示。 （1）“+”的 ASCⅡ码为 0101011，则（00101011）B=（2B）H （2）@的 ASCⅡ码为 1000000,(01000000)B=(40)H (3)you 的 ASCⅡ码为本 1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1。
1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：(1）周期；(2)频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。
01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms＊100%=10％1。
2数制21.2。
2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=(10000000）B-1=(1111111）B=（177）O=（7F）H（4)（2。
718）D=(10。
1011)B=（2。
54)O=(2.B)H1。
4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解:（43）D=(01000011）BCD1。
4。
3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28（1）+ （2）＠（3）you （4）43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
(1）“+"的ASCⅡ码为0101011,则（00101011）B=(2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,（01000000)B=（40)H（3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F，75(4）43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34，331。
6逻辑函数及其表示方法1。
6.1在图题1。
6。
1中，已知输入信号A,B`的波形，画出各门电路输出L的波形.解: (a）为与非, （b）为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 （3）A B AB AB ⊕=+(A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
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发射极9．逻辑函数只能用真值表和卡诺图表示。
（×）10．稳压管是一个PN结，在一定条件下可以当二极管用。
（√）11．三极管内有两个PN结，所以可以用两个二极管来代替一个三极管用。
（×）12．对于实际电流源来说，其内阻越大越接近恒流源。
（√）13．三极管有三个工作区，当它工作在饱和区时，相当于是一个闭合开关。
（√）14．在电路化简时，凡有多个恒压源串联，其等效电压为多个恒压源的代数和。
（√）15．时序逻辑电路任何时刻的输出不仅取决于当时的输入，而且与电路的原状态有关。
（√）16．编码器、译码器以及数据选择器都是属于时序逻辑电路。
（×）17．二进制计数器只可以记录二个数，这两个数分别是的0和1。
（√）18．JK触发器有两个稳定状态，这两种状态是不能转变的。
（×）19．逻辑函数可以用真值表和卡诺图表示（√）20．稳压管是一个PN结，它工作在反向饱和区。
（×）(c)4．求下列各电路的电压。
（a）V s= 26V ; 5．求下列电路中各点的电位。
四.分析计算题：1．将下列电路等效成电流源；(a)答案：（b）答案：2．将下列电路等效成电压源；（a）答案：答案：tetuc3266)(--=τ=3/2 S6．1．求题图2.1所示各电路的等效电阻R ab, R1=R2=1 Ω，R3=R4=2Ω，R5=4Ω，G1=G2=1图2答案略图47. 用卡诺图化简下列各式：8．写出图5所示各逻辑电路的逻辑函数表达式，并化简与或式。
图59．组合逻辑电路如图6所示，请写出它的逻辑功能表达式。
B,(4)F(A,B,(3)F(A,CD B (2)A CD B (1)A11．试用数据选择器74LS151实现逻辑函数Y=AB+BC+AC 答案：由于函数Y 中含有变量A 、B 函数Y 的最小项表达式为将逻辑函数变为最小项标准式:ABCC AB C B A BC A )B AC(B )A BC(A )C AB(C ACBC AB Y +++=+++++=++=)B )(B A +。
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B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
D. 交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比
18. 下列哪种失真不属于非线性失真（ ）。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
19. 共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差（ ）。
A.90°
B.180°
（ ）状态。
A. 击穿
B. 截止
C. 放大
D. 饱和
2. 二极管的主要特性是（ ）。
A.放大特性
B.恒温特性
C.单向导电特性
D.恒流特性
3. 在 N 型半导体中（ ）。
A.只有自由电子 B.只有空穴
C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子
4. 三极管的两个 PN 结都正偏，则晶体三极管的状态是（ ）。
RB
+ + C1 ui
-
RC
U CC
+
C2
+
uo
-
26. 理想运算放大器的（ ）。
A.差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻等于零
B.差模输入电阻等于零，开环输出电阻等于零
C.差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻趋于无穷大
D.差模输入电阻等于零，开环输出电阻趋于无穷大
27. 同相比例运算放大器中的反馈类型为（ ）。
D.正向死区
7. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为 0V、-10V 和-9.3V，则该管为（
）。
A.NPN 硅管
B.NPN 锗管
C.PNP 硅管
D.PNP 锗管
8. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
9. 测得 NPN 型硅三极管三个电极电位分别为：UB=2.8V，UE=2.1V，UC＝3.6V，则该管处
A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈
28. （ ）比例运算电路的比例系数大于 1。
A.反相
B.同相
C. A 和 B 都可以
D.A 和 B 都不行
29. 在图所示电路中，A 为理想运放。输出电压 uo 应等于（ ）。
A. 0.5V
B. 1V
C. 2V
D. 3V
A.电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
B.电压放大倍数接近 1，输出电阻低，输入电阻高
C.电压放大倍数为 0，输出电阻低，输入电阻高
D.以上说法都不对
24. 固定偏置单管交流放大电路的静态工作点 Q 如下图所示，当温度升高时 Q 将( )。
A.不改变
B.向 Q'移动
C.向 Q''移动
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A.放大
B.饱和
C.截止
D.倒置
5. 工作在放大状态的某三极管，当输入电流 IB=10μA 时，IC=1mA；而 IB=20μA 时，
IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（ ）。
A.50
B.80
C.100
D.180
6. 稳压管的稳压是其工作在（ ）。
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿区
A.1
B.2
C.零
D.3
- ∞
uO
ui
36. 交流负反馈是指（ ）。
A. 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D.不确定
15. 当温度升高时，二极管反向饱和电流将(
A 增大
B 减小
C 不变
) D 等于零
16. 以下电路中，可用作电压跟随器的是（ ）。
A．差分放大电路 B．共基放大电路 C．共射放大电路
D．共集放大电路
17. 共模抑制比 KCMRR 是（ ）。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
33. 电路如图所示，该电路为 ( )。
A.加法运算电路
B.减法运算电路
C.比例运算电路
D.积分电路
R
ui1
R- ∞uOFra bibliotekui2
R
R
34. 电路如图所示，输入电压 ui=10sin t (mV)，则输出电压 uO 为( )。
A.正 弦 波
B.方 波
C.三 角 波
D.0
ui
R1
- ∞
uO
R2
35. 电路如图所示，其电压放大倍数等于( )。
《电子技术基础》课程习题集
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习题
【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题,简答题,计 算题 1,作图题 1,作图题 2,计算题 2,分析题,化简题等多种试题类型，其中， 本习题集中有[计算题 2,作图题 2]等试题类型未进入。
一、单选题
1. 测得 NPN 三极管的三个电极的电压分别是 UB=1.2V，UE=0.5V，UC=3V，该三极管处在
于（ ）状态。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.击穿
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10. P 型半导体中的自由电子浓度（ ）空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.大于或等于
11. N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ ）。
A.自由电子
B.空穴
C.硼元素
D.磷元素
12. 三极管工作在放大区的条件是（ ）。
A.发射结正偏，集电结正偏
D.向右平移
I C(mA)
Q'
I B 40A
Q Q ''
U CE /V O
25. 电路如图所示，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流 IC 减小，则应（
〕。
A.保持 UCC，RB 一定，减小 RC V.保持 RB，RC 一定，增大 UCC
B.保持 UCC，RC 一定，增大 RB D.保持 RC 一定，增大 UCC，RB
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30. 欲将三角波电压转换成方波电压，应选用（ ）运算电路。
A.比例
B.加减
C.积分
D.微分
31. 集成运放级间耦合方式是 ( )。
A.变压器耦合
B.直接耦合
C.阻容耦合
D.光电耦合
32. 理想运算放大器的共模抑制比为 ( )。
A.零
B.约 120 dB
C.无穷大
D.60 dB
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结反偏
13. 下列关于半导体的说法正确的是（ ）。
A.P 型半导体带正电，N 型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态
C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的
14. PN 结加正向电压时，空间电荷区将( )。
C.60°
D.30°
20. 收音机寻找要听的电台，利用的是（ ）原理。
A. 自激
B. 调谐
C. 整流
D. 稳压
21. 如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（ ）
A.放大
B.饱和
C.截止
D.倒置
22. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真。
A.饱和
B.截止
C.交越
D.频率
23. 射极输出器的主要特点是（ ）