第1章 半导体二极管和三极管及基本放大电路
放大电路基础知识
第一节 半导体二极管
2．最大反向工作电压URM 最大反向工作电压URM是指二极管工作时两端所允许加的最
大反向电压。为保证二极管安全工作、不被击穿，通常URM 约为反向击穿电压UR的一半。 3．反向电流 反向电流是指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反 向电流越小，管子的单向导电性能越好。常温下，硅管的反 向电流一般只有几微安；锗管的反向电流较大，一般在几十 至几百微安之间。 4．最高工作频率
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第二节 半导体三极管
由图1-14所示的输出特性曲线可以看出如下三点特性。 曲线的起始部分较陡，且不同的IB曲线的上升部分几乎重合，
表明当UCE较小时，只要UCE略有增大， IC就迅速增加，但 IB几乎不受IC的影响。 当UCE较大（例如大于1 V）后，曲线比较平坦。 曲线是非线性的。由于三极管的输入、输出特性曲线都是非 线性的，所以它是非线性器件。 六、晶体管的主要参数 1．穿透电流 穿透电流ICEO是指基极开路时集一射极之间的电流。
在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在截止状态 或饱和状态，并在截止状态和饱和状态之间经过短促的放大 状态进行快速转换和过渡。
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第二节 半导体三极管
(1)截止状态 当开关S接位置1时，三极管发射结电压 UBE<UT，相当于开关断开状态，等效电路如图1-11 (b) 所示。
是具有电流放大作用。三极管按其结构不同，分为NPN型和 PNP型两种。相应的结构示意图及电路符号如图1-8所示。 在制作三极管时，其内部的结构特点是： 发射区掺杂浓度高； 基区很薄，且掺杂浓度低； 集电结面积大于发射结面积。 以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。 另外，三极管按其所用半导体材料不同，分为硅管和锗管； 按用途不同，分为放大管、开关管和功率管；按工作频率不 同，分为低频管和高频管；按耗散功率大小不同，分为小功
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
第一章 基本放大电路
33 MHz
学习方法
对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对 器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似， 以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就 不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、 工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
33 MHz
二极管电路分析举例
导通 定性分析：判断二极管的工作状态 截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零， 反向截止时二极管相当于断开。
否则，正向管压降 硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通
温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。
空穴
33 MHz
价电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子 来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当 于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出 现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复 合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态 平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能 也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
参考点
t
33 MHz
半导体二极管和三极管 PPT课件
Si
Si
空穴
BS–i
Si
硼原子 接受一个 电子变为 负离子
P型半导体的形成过程动画演示
1.1.3 PN结的形成及特性
1. PN结的形成 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气
体、液体、固体均有扩散运动。
1.1.3 PN结的形成及特性 1. PN结的形成
浓度差
多子扩散运动 动
空间电荷区
态
内电场
1.1.3 PN结的形成及特性
2. PN结的单向导电性
（3）PN结的i−u特性
uD
iD IS (enUT 1)
反向偏 置特性
iD/mA 1.0
0.5
正向偏 置特性
其中
iD = -IS
-1.0 -0.5
0.5 1.0 uD/V
IS ——反向饱和电流
PN结单向导电性的I−U特性曲线
n——发射系数，其值1-2。
平
衡
少子漂移运动
PN结：空间电荷区、耗尽层
电子扩散
N ++ + + +
++++
- - -----
P
++++ - - - -
++++ - - - -
空穴扩散
空间电 荷区
++++ -- - ++++ -- - ++++ -- - ++++ -- - -
内电场
1.1.3 PN结的形成及特性 1. PN结的形成
Si
第1章常用半导体器件
ui=0时直流电源作用
根据电流方程，rd
uD iD
UT ID
小信号作用
Q越高，rd越小。 静态电流
3. 二极管电路应用举例
（1）开关电路（掌握）
方法：假设法，将D管断开 原则一：单向导电性
阳极 a
k 阴极
D
V阳>V阴，D管正偏，导通 V阳< V阴，D管反偏，截止
原则二：优先导通原则（多二极管电路中）
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气 体、液体、固体均有之。
P区空穴 浓度远高 于N区。
N区自由电 子浓度远高
于P区。
扩散运动
扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 N区的自由电子浓度降低，产生内电场。
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成 内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P 区、自由电子从P区向N 区运动。
2
98 0.98
100
综上所述，实现晶体三极管放大作用的 两个条件是：
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反 向偏置。
正偏电压工作，通电流→发光，电信号→光信号 光颜色：红、橙、黄、绿（与材料磷、砷、镓、化有关）
3. 激光二极管
（a）物理结构 （b）符号
发光二极管
光电二极管
一、晶体管的结构及类型 二、晶体管的电流放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
三极管：电流放大（三个电极）
将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。
小功率 二极管
大功率 二极管
稳压 二极管
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为
多少？
V：12V A1：12mA A2：6mA
2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？ IZ：12mA
3)开关S合上，且输入电压由原来30 V上升到33 V时，
此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？
V：12V
A1：14mA A2：6mA
7.电路如图所示，试估算输出电压 U o 1 和 U o 2，
并标出输出电压对地极性。
-
-45V
+
+9V
8．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示
u2102si n t( V )试求：
（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；
（2）正常工作时，Uo =？ 12V
（3）若电容脱焊，Uo=？ 9V
＿偏置。
正向
反向
7.当＿三＿极管工作＿在偏＿置截＿，止＿集＿电区极时＿，＿I＿C≈偏0置；。发射极＿
零或反向
反向
8.当＿三正＿极向＿管＿工偏作置在，＿集＿饱电＿和极＿＿区＿正时＿向，＿U偏CE置≈。0。发射极
9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿＿＿集极电的电位最高，＿＿＿发＿射极电位最低， ＿＿＿＿极基和＿＿＿＿极发电射位差等于＿＿＿＿。
28V
（5）若其中一个二极管开路，Uo =？ 20V
10. 试分析图示电路的工作原理， 标出电容电压的极性和 数值，并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。
＋
＋
约
＋
＋
2 U 2 、 22 U 2 、 32 U 2 、 42 U 2
第二章 半导体三极管
一、填充题
1.三极管从结构上看可以分成＿＿N＿PN＿＿和＿＿PN＿P＿＿ 两种类型。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
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第1章半导体二极管和三极管1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。
光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。
掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
1.1.1本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。
共价键中的两个电子，称为价电子。
本征半导体的导电机理价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。
这一现象称为本征激发。
温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流(1)自由电子作定向运动?电子电流(2)价电子递补空穴?空穴电流自由电子和空穴都称为载流子。
自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。
在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。
注意：(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；(2)温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。
所以，温度对半导体器件性能影响很大。
1.1.2N型半导体和P型半导体在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。
掺入五价元素掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。
在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
掺入三价元素掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。
在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
第1章半导体二极管和三极管空间电荷区也称 PN 结1. 2 PN结1.2.1P N结的形成空间电荷区也称 PN 结1.2.2P N结的单向导电性1.P N结加正向电压（正向偏置）内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。
P N结加正向电压时，P N结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，P N 结处于导通状态。
2.P N结加反向电压（反向偏置）内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。
P N结加反向电压时，P N结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，P N结处于截止状态。
温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
1.3 半导体二极管1.3.1基本结构(a)点接触型结面积小、结电容小、正向电流小。
用于检波和变频等高频电路。
(b)面接触型结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。
(c)平面型用于集成电路制作工艺中。
P N结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。
二极管的结构示意图1.3.2伏安特性1.3.3主要参数1.最大整流电流I O M二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
2.反向工作峰值电压U R W M是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压U B R的一半或三分之二。
二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
3.反向峰值电流I R M指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。
反向电流大，说明管子的单向导电性差，I R M受温度的影响，温度越高反向电流越大。
硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。
3.主要参数(1)稳定电压U Z稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。
(2)电压温度系数αｕ环境温度每变化1︒C引起稳压值变化的百分数。
(3)稳定电流I Z、最大稳定电流I Z M(5)最大允许耗散功率P Z M=U Z I Z M光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。
有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几~几十m A1.5 半导体三极管1.5.1基本结构结构特点：1.5.2电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件2.各电极电流关系及电流放大作用1）三电极电流关系I E=I B?+I C2）I C>>I B，I C I E?3）∆I C>>∆I B把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是C C C S器件。
3.三极管内部载流子的运动规律3.三极管内部载流子的运动规律1.5.3特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。
为什么要研究特性曲线：1）直观地分析管子的工作状态2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路测量晶体管特性的实验线路发射极是输入回路、输出回路的公共端1.输入特性2.输出特性（2）截止区I B<0以下区域为截止区，有I C0。
在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。
（3）饱和区当U C E〈U B E时，晶体管工作于饱和状态。
在饱和区，βI B3I C，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。
深度饱和时，硅管U C E S0.3V，锗管U C E S0.1V。
1.5.4主要参数表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1.电流放大系数 ，β当晶体管接成发射极电路时，直流电流放大系数交流电流放大系数注意：和β的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且I C E0较小的情况下，两者数值接近。
常用晶体管的β值在20~200之间。
2.集-基极反向截止电流I C B O3.集-射极反向截止电流(穿透电流)I C E O4.集电极最大允许电流I C M?集电极电流I C上升会导致三极管的β值的下降，当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为I C M。
5.集-射极反向击穿电压U(B R)C E O当集—射极之间的电压U C E超过一定的数值时，三极管就会被击穿。
手册上给出的数值是25︒C、基极开路时的击穿电压U(B R)C E O。
6.集电极最大允许耗散功耗P C MP C M取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。
P C?〈P C M=I C U C E硅管允许结温约为150︒C，锗管约为70~90︒C。
由三个极限参数可画出三极管的安全工作区晶体管参数与温度的关系1、温度每增加10︒C，I C B O增大一倍。
硅管优于锗管。
2、温度每升高1︒C，U B E将减小–(2~2.5)m V，即晶体管具有负温度系数。
3、温度每升高1︒C，β增加0.5%~1.0%。
第2章基本放大电路2.1 基本放大电路放大的概念:放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。
放大的实质:用小能量的信号通过三极管的电流控制作用，将放大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。
对放大电路的基本要求：1.要有足够的放大倍数(电压、电流、功率)。
2.尽可能小的波形失真。
另外还有输入电阻、输出电阻、通频带等其它技术指标。
本章主要讨论电压放大电路，同时介绍功率放大电路。
2.1.1共发射极基本放大电路组成2.1.2基本放大电路各元件作用晶体管T--放大元件,i C= i B。
要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区。
基极电源E B与基极电阻R B--使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流。
集电极电源E C--为电路提供能量。
并保证集电结反偏。
集电极电阻R C--将变化的电流转变为变化的电压。
耦合电容C1、C2--隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。
2.1.3共射放大电路的电压放大作用结论：(1)无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的电压和电流:I B、U B E和I C、U C E(I B、U B E)和(I C、U C E)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，称为静态工作点。
结论：(2)加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了一个交流量，但方向始终不变。
(3)若参数选取得当，输出电压可比输入电压大，即电路具有电压放大作用。
(4)输出电压与输入电压在相位上相差180°，即共发射极电路具有反相作用。
1.实现放大的条件(1)晶体管必须工作在放大区。
发射结正偏，集电结反偏。
(2)正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区。
(3)输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。
(4)输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号。
2.直、流通路和交流通路因电容对交、直流的作用不同。
在放大电路中如果电容的容量足够大，可以认为它对交流分量不起作用，即对交流短路。
而对直流可以看成开路。
这样，交直流所走的通路是不同的。
直流通路：无信号时电流（直流电流）的通路，用来计算静态工作点。
交流通路：有信号时交流分量（变化量）的通路，用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。
2.2 放大电路的静态分析静态：放大电路无信号输入（u i= 0）时的工作状态。
静态分析：确定放大电路的静态值。
——静态工作点Q：I B、I C、U CE?。
分析方法：估算法、图解法。
分析对象：各极电压电流的直流分量。
所用电路：放大电路的直流通路。
设置Q点的目的：(1)使放大电路的放大信号不失真；(2)使放大电路工作在较佳的工作状态，静态是动态的基础。
2.2.1用估算法确定静态值2.2.2用图解法确定静态值用作图的方法确定静态值优点：能直观地分析和了解静态值的变化对放大电路的影响。
1.用估算法确定I B?2.由输出特性确定I C和U C C2.3 放大电路的动态分析动态：放大电路有信号输入（u i+ 0）时的工作状态。
动态分析:计算电压放大倍数A u、输入电阻r i、输出电阻r o等。
分析对象：各极电压和电流的交流分量。
分析方法：微变等效电路法，图解法。
所用电路：放大电路的交流通路。
找出A u、r i、r o与电路参数的关系，为设计打基础。
微变等效电路：把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。
即把非线性的晶体管线性化，等效为一个线性元件。
线性化的条件：晶体管在小信号（微变量）情况下工作。
因此，在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似代替。
微变等效电路法：利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数A u、输入电阻r i、输出电阻r o 等。