MLCC技术发展史
详解MLCC技术及材料未来发展
详解MLCC技术及材料未来发展
一、什么是MLCC技术？
MLCC（Multilayer Ceramic Capacitors），是指由多层陶瓷层压而成的陶瓷电容器，具有高频率及高功率的优势，是电子产品中最常应用的一种电容器。
目前，其主要用于固定频率、宽带滤波电路、串行存储器、高抗干扰和减少电磁干扰等应用之中。
二、MLCC技术的优势
1、体积小：MLCC电容器可以制成很小的尺寸，有助于更有效的利用芯片的空间。
2、高频率：MLCC电容器可以支持高频率的电路，因此可以实现更快的数据处理。
3、高功率：MLCC电容器可以支持高功率的电路，因此可以实现更高的电压稳定性。
4、低噪声：MLCC电容器容阻较低，因此可以减少电磁干扰，从而降低电子产品的噪音。
三、MLCC材料的未来发展
1、增强阻容特性：由于现有的MLCC电容器存在着温度老化现象，因此将采取措施增强其耐热抗衰老阻容特性，以满足更高耐压稳定和更高温度的要求。
2、改善制备工艺：MLCC是一种多层结构，因此制备工艺要求较为复杂。
为了提升其制备效率，将针对其各制备步骤，进行改进，以实现更低的成本和更高的制备速度。
3、提升尺寸：为了满足更多的设计需求，未来将会研究研发出更大尺寸的MLCC电容器，以满足更大容量的需求。
MLCC基础知识解读
5、 材料如下：
BME 类：（ 1） NPO（ COG） -------------CG---33C （CG---32）
（2）X7R---------------AD342N
AD352N X7R-NI
（3）Y5V------------AD143N
YF123B AD173B AD163N
NME 类：（1）NPO（ COG）--------------CG800LC VLF-220B
配料术语
配料将陶瓷粉和粘合剂及溶剂等按一定比例经过球磨一定时间，形成陶瓷浆料。
配料所用的陶瓷材料
1、 按材料特性分类可分为： NPO（COG）、 X7R、Y5V 三种
2、 按材料类型可分为： BME 、 NME 两种类型同
3、 时均包括 NPO（COG）、X7R、 Y5V 特性材料 4、 我公司目前所用的陶瓷材料，
MLCC 的生产工艺过程
第 1 节 MLCC 前道工序生产工艺过程
配料
配料是 MLCC 生产工艺的第一道工序，故语云： “万事开头难 ”从事种厚材料的来料
到瓷浆的形成都需经过科学的试验反复验证并通过摘优先取的下面我们介绍配料工
序的生产工艺。
厚材料来料 ------------ 按工艺配方配制 ------------ 球磨 -------------- 成浆
制造独石结构的瓷介电容器。
在 80 年代随着 SMT 与 MLC 技术的发展， MLC 的高比容介质薄层化趋势突破专统
厚度范围，二种干法流延方式被世界大多类 MLC 生产厂家普通使用， 80 年代以来
我国引进了干法流延和湿法印刷成膜及相关生产技术，有效地改善了Leabharlann MLC 制造工艺水平。
随后 92---96 年日本引入了 SLOT-DIE 流延头的新技术实现厚度为 2— 25MM 代表了 流延技术的最高水平（先后有康井、平野、横山生产的流延机） 。
镁光存储芯片的发展历程
镁光存储芯片的发展历程一、镁光存储芯片的起源镁光存储芯片，又称为相变存储芯片，是一种新型的非挥发性存储器。
它最早起源于20世纪60年代，当时IBM的科学家们在研究电阻变化现象时发现了相变材料的特性，这为镁光存储芯片的发展奠定了基础。
二、镁光存储芯片的原理镁光存储芯片的原理是利用了相变材料在高温和低温状态下电阻的变化。
相变材料具有两种状态，即结晶态和非晶态，两者的电阻差异较大。
通过控制电流的大小和时间，可以使相变材料在高温和低温状态之间切换，实现数据的存储和读取。
三、镁光存储芯片的发展阶段1. 初期研究阶段：20世纪60年代至80年代初，科学家们对相变材料的性质进行了深入研究，初步确定了镁光存储芯片的基本原理。
2. 技术突破阶段：80年代中期至90年代末，科学家们逐渐克服了相变材料的制备难题，实现了相变材料的高温稳定性和可靠性，使得镁光存储芯片的技术得到了重大突破。
3. 商业化应用阶段：21世纪初至今，随着存储容量的不断增加和技术的不断成熟，镁光存储芯片开始逐渐应用于商业领域，成为一种重要的存储器件。
四、镁光存储芯片的优势和应用领域镁光存储芯片相比传统存储器有着许多优势。
首先，它具有非挥发性，数据可以长时间保存而不需要电源供应。
其次，镁光存储芯片的读写速度快，可以满足大数据处理的需求。
此外，镁光存储芯片的存储密度高，可以实现更大容量的存储。
因此，镁光存储芯片在云计算、人工智能等领域具有广阔的应用前景。
五、镁光存储芯片的未来发展方向随着科技的不断进步，镁光存储芯片在存储领域的地位将愈发重要。
未来，随着镁光存储芯片技术的进一步成熟和商业化应用的推广，我们有理由相信，镁光存储芯片将在数据存储领域发挥更重要的作用。
镁光存储芯片的发展历程经历了起源、原理探索、技术突破和商业化应用等阶段。
它具有非挥发性、读写速度快和存储密度高等优势，在云计算、人工智能等领域有着广泛的应用前景。
随着科技的不断进步，镁光存储芯片的未来发展前景可期。
MLCC基础知识
MLCC行业介绍多层陶瓷电容器的起源可追逆到二战期间玻璃釉电容器的诞生，由于性能优异的高频发射电容器对云母介质的需求巨大，而云母矿产资源缺以及战争的影响，美国陆军通信部门资助陶瓷实验开展了喷涂下班釉介质和丝网刷银电极经叠层层共烧，再烧附端电极的独石化工艺研究在战后得到进一步推广。
并逐渐变为今天的二种型湿法工艺，干法工艺要追到二战期间诞生的流延工艺技术，在1943---1945后美国开始流延工艺技术的研究并组装一台流延机为钢带流延机，并在1952年获得专利。
二战后苏联与美国电容器技术似入我国并形成一定的生产规模，为了改进性能，扩大生产规模，60年代我国产业界开始尝试用陶瓷介质进行轧膜成型，印刷叠层工艺制造独石结构的瓷介电容器。
在80年代随着SMT与MLC技术的发展，MLC的高比容介质薄层化趋势突破专统厚度范围，二种干法流延方式被世界大多类MLC生产厂家普通使用，80年代以来我国引进了干法流延和湿法印刷成膜及相关生产技术，有效地改善了MLC制造工艺水平。
随后92---96年日本引入了SLOT-DIE流延头的新技术实现厚度为2—25MM代表了流延技术的最高水平（先后有康井、平野、横山生产的流延机）。
独石电容器是由涂有电极的陶瓷膜素坯，以一定的方式叠全起来最后经过一次焙烧成一整体，故称为“独石”也称多层陶瓷电容器（MLCC）独石电容器的特点是具有体积小、比容大、内电感小、耐湿、寿命长、可靠性高的优点；独石电容器的发展取决于材料（包括介质材料、电极浆料、粘合剂）和工艺技术的发展，其中陶瓷介质有差决定性作用。
独石瓷介电容器有两种类型：一种为温度补偿型（是MGTTD3、CATIO3和TIO2或以这些为基础再加入稀土氧化物、氧化铋、粘土等配制成的瓷料；而加一种是高介电系数型，以BATTO3主要成分高温烧成。
料，电导率大、焊接方便、价格不高、工艺性好，但银电极在高温、高湿、强直流电场作用下银离子易迁移，造成电容器失效的主要原因，故目前沿用低温烧结用银钯结合（950---1100度）材料的用途是由其性能所决定的，而材料的性能异不是一成不变的，可以通过改变厚材料的纯度，粒度或各种添加剂和各工艺因素等进行改性。
MLCC知识及其特性
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公司电容器分类-安规电容二
安规电容安全等级 应用中允许的峰值脉冲电压 过电压等级（IEC664）
X1
>2.5kV ≤4.0kV
Ⅲ
X2
≤2.5kV
Ⅱ
X3
≤1.2kV
——
安规电容安全等级
绝缘类型
额定电压范围
Y1
双重绝缘或加强绝缘
≥ 250V
Y2
基本绝缘或附加绝缘
≥150V ≤250V
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公司电容器分类-电解电容三
电解电容分类 按照阳极分类: 有铝电解电容,钽电解电容,铌电解电容.铌电解电容很少 见. 按照阴极分类: 电解液,二氧化锰, TCNQ,PPY(聚吡咯)以及PEDT此类固 体聚合物. 1 电解液是最传统的电解质. 优点:最高能耐260度的高温，耐压性也比较强, 当介质被击穿的后，只 要击穿电流不持续，那么电容能够自愈。 不足:在高温环境下容易挥发、渗漏，对寿命和稳定 性影响很大，在高温高压下电解液还有可能瞬间汽化， 体积增大引起爆炸(就是常说的爆浆);另电解液所采用 的离子导电其导电率很低，只有0.01S/CM， 这造成电容的ESR值（等效串联电阻）特别高.
4
电容器分类
1 按照结构: 固定电容器、可变电容器和微调电容器等。 2 按电解质 : 有机介质电容器、无机介质电容器、电解电 容器和双电层电容器等。 3 按用途: 隔直流、旁路、耦合、滤波、调谐、整流、储能 等. 4 按原理: 无极性可变电容器、无极性固定电容、有极性电 容器等. 5 按材料：聚酯(涤纶)电容器(CL)、聚苯乙烯电容器(CB)、 聚丙烯电容器(CBB)、云母电容器(CY)、高频瓷介电容器 (CC)、低频瓷介电容器(CT)、玻璃釉电容器(CI)、铝电解电 容器、钽电解电容器(CA)铌电解电容器(CN)、空气介质可 变电容器、薄膜介质电容器、纸介电容器.
中国MLCC (片式多层陶瓷电容器)的发展史
多层陶瓷电容器(MLC)的起源可以追溯到二战期间玻璃釉电容器的诞生。由于性能优异的高频电容器与大功率发射电容器对云母介质的需求巨大，而云母矿产资源稀缺以及战争的影响，美国陆军通信部门资助DupONt公司陶瓷实验室开展了喷涂玻璃釉介质和丝网印刷银电极经叠层后共烧，再烧附端电极的独石化(Monolithic)工艺研究，并获得多项技术专利。经介质配方改进提高介电常数和降低损耗，玻璃釉电容器已完全可以取代云母电容器。
2.MLCC多次洗牌
经历了多次洗牌，日系企业仍然占据市场领先地位。
20世纪90年代中后期，日系大型MLCC制造企业全面抢滩中国市场，先后建立北京村田、无锡村田、上海京瓷、东莞太阳诱电、东莞TDK等合资或独资企业。在这期间，克服了困扰十余年的可靠性缺陷，以贱金属电极(BME)核心技术为基础的低成本MLCC开始进入商业实用化。以天津三星电机为代表的韩资企业也开始成为一支新兴力量。
新旧世纪之交，飞利浦在产业顶峰放弃并出让被动元件事业部，拉开了中国台湾岛内MLCC业界全面普及BME技术的序幕。国巨、华新、达方、天扬等台系企业的全面崛起，彻底打破了日系企业在BME制造技术的垄断，高性价比MLCC为IT与A&V产业的技术升级和低成本化作出了重大贡献。同时，台系企业开始将从后至前的各道工序制程不断向大陆工厂转移。
3.中国大陆MLCC技术获突破
大陆电容器产业现已基本实现了MLCC主流产品本地化供应局面。
在MLCC发展进程中，需特别强调的是我国大陆科技工作者的历史贡献。在二战后，前苏联研制出的与美国类似的玻璃釉电容器技术传入我国大陆，形成了一定的生产规模。为进一步改进性能，扩大产能，20世纪60年代中国大陆产业界开始尝试用陶瓷介质进行轧膜成型、印刷叠压工艺制造独石结构的瓷介电容器。为适应多层共烧工艺要求，采用传统陶瓷电容器介质材料于1300℃以上高温烧结需采用Au-Pd-Pt三元贵金属电极系统，因成本太高，仅能维持极少量军品需求。以原电子工业部7所、715厂、华南工学院等单位为龙头的若干单位，先后于1967年和1969年完成了900℃左右低温烧结的2类和1类独石瓷介电容器的研制。前者以Smolenskii首先提出的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3为主晶相。后者包括MgO-Bi2O3-Nb2O5和ZnO-Bi2O3-Nb2O5系，以及高介大温度系数Pb(Mg1/2W1/2)O3系统。上述系统在我国大陆实现工业化生产达20年。
中国MLCC的发展史
中国MLCC的发展史1.导言MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitor，多层陶瓷电容器）是一种常见的电子元件，用于存储和释放电能。
它在电子设备中广泛应用，包括手机、电视、电脑、汽车电子等领域。
本文将介绍中国MLCC的发展史。
2.早期阶段在20世纪50年代，中国开始研究和开发陶瓷电容器。
当时的技术水平相对较低，主要是手工制作，生产规模有限，产品性能也较为一般。
随着技术的进步，中国的陶瓷电容器逐渐发展起来。
3.20世纪70年代-80年代在20世纪70年代和80年代，中国的陶瓷电容器开始进入工业化阶段。
当时，由于技术和资金的限制，中国主要生产低压陶瓷电容器。
然而，在技术人才培养和科研投入方面，中国取得了一些进展。
一些大型电子公司纷纷涌入陶瓷电容器市场，投资兴办生产线，提高了陶瓷电容器的生产能力和质量。
4.20世纪90年代-2000年代20世纪90年代至2000年代初，MLCC生产技术和产量在中国取得了显著进展。
中国的陶瓷电容器产量位居世界前列，质量也得到了显著提升。
中国的MLCC产业开始向国际市场扩张，出口额逐年增加。
5.2000年代中期至今进入21世纪，中国MLCC产业持续快速发展。
中国的陶瓷电容器生产技术不断创新，产品质量进一步提高。
中国的MLCC企业纷纷采用先进的生产设备和自动化生产工艺，提高了生产效率和产品一致性。
同时，在环保和节能方面也做出了许多努力。
6.近年来的发展趋势近年来，中国MLCC产业进一步发展壮大。
一方面，中国的MLCC企业积极推动技术升级，提高产品的性能和可靠性。
另一方面，MLCC在新兴领域的应用不断拓展，如新能源汽车、5G通信、智能家居等。
中国的MLCC产业正朝着规模化、专业化和高端化的方向发展。
7.挑战与机遇中国MLCC产业在快速发展的同时面临着一些挑战。
首先，国际市场竞争激烈，中国的MLCC企业需要提高核心竞争力。
其次，MLCC市场需求不稳定，产品结构和技术要求不断变化，企业需要及时调整产业结构和技术布局。
电容的发展历史和基本原理
电容的发展历史和基本原理
电容的发展历史可以追溯到18世纪，以下是其发展历程：
1. 1745年，荷兰莱顿大学P.穆森布罗克发明了莱顿瓶，这是最早的电容器，也是玻璃电容器的雏形。
2. 1874年，德国M.鲍尔发明了云母电容器。
3. 1876年，英国D.斐茨杰拉德发明了纸介电容器。
4. 1900年，意大利L.隆巴迪发明了瓷介电容器。
5. 30年代，人们发现陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，从而制造
出较便宜的瓷介电容器。
6. 1921年出现了液体铝电解电容器，而1938年前后改进为由多孔纸浸渍
电糊的干式铝电解电容器。
7. 1949年出现了液体烧结钽电解电容器，1956年又制成固体烧结钽电解
电容器。
8. 50年代初，随着晶体管的发明，元件开始向小型化方向发展。
随着混合
集成电路的发展，又出现了无引线的超小型片状电容器和其他外贴电容器。
电容的基本原理是：电容是由两个电极及其间的介电材料构成的。
介电材料是一种电介质，当被置于两块带有等量异性电荷的平行极板间的电场中时，由于极化而在介质表面产生极化电荷，使束缚在极板上的电荷相应增加，维
持极板间的电位差不变。
这就是电容器具有电容特征的原因。
电容器中储存的电量Q等于电容量C与电极间的电位差U 的乘积。
电容量与极板面积和介电材料的介电常数ε成正比，与介电材料厚度（即极板间的距离）成反比。
积层陶瓷电容器简介介绍
损耗角正切是衡量电容器在交流电路中能 量损失的指标，通常以百万分之一（ppm ）为单位表示。
03
积层陶瓷电容器的制造工 艺
材料制备
01
02
03
陶瓷材料
选择适当的陶瓷材料，如 钛酸钡、钛酸锶等，以获 得所需的电介质性能。
配料
按照一定的比例混合陶瓷 材料和其他添加剂，如玻 璃纤维、聚酰亚胺等，以 调节材料的性质。
在高频环境下，通过优化材料 和结构设计，提高MLCC的Q值 （品质因数），使其在高频领 域具有优良的特性。
积层陶瓷电容器的新型应用领域
在5G通信、物联网、智能家居等领域，积层陶 瓷电容器因其高频率特性、低损耗等优点被广
泛应用于射频电路中。
在航空航天领域，积层陶瓷电容器的轻量化和小型化 特点使其成为一种理想的元件选择。
特点
积层陶瓷电容器具有高耐压、低介质 损耗、高绝缘电阻等优点，同时具有 小型化、高容量化的特点，广泛应用 于各类电子设备中。
积层陶瓷电容器的历史与发展
历史
积层陶瓷电容器起源于20世纪60年代，随着电子工业的发展，其制造工艺和技 术不断得到改进和完善。
发展
近年来，随着电子设备的不断小型化和高集成度化，积层陶瓷电容器在技术上 不断突破，容量越来越大，尺寸越来越小，同时成本也在逐渐降低。
全球积层陶瓷电容器市场竞争激烈，主要集中在日本、中国台湾和大陆等地区，其中日本厂商占据高端市场，中国台湾和大 陆厂商在中低端市场占据一定份额。
中国市场现状及发展趋势
中国积层陶瓷电容器市场规模不断扩大，已成为全球最大的电子元器件市场之一。
中国政府支持电子元器件产业的发展，加大对5G、汽车电子和物联网等领域的投入 ，这将进一步推动积层陶瓷电容器市场的增长。
电容器行业(MLCC)简析及技术略谈
中国电容片式化已达到70%以上，多层陶瓷电容（MLCC）占片式电容器总产量的80%，2008年增长率为32.3%，2009年略低于2008年。
3C升级、功能手机向智能手机、3G 手机转换、PC升级以及LCD TV的大量出货将使MLCC在未来几年继续保持较高的增长速度。
2010-2012年薄膜电容市场需求主要是在节能灯市场，按照每只节能灯需要6-8只薄膜电容器计算，潜在市场需求在260-320亿只之间。
---摘自2010中国电子元件行业研究报告电子产品的多功能化和便携式同时要求电子元件产品在保持原有性能的基础上不断缩小元件的尺寸。
以多层陶瓷电容器(MLCC)为例，目前的主流产品的尺寸正在从0603型向0402型过渡，而更受市场欢迎的高端产品是0201型。
尺寸的缩小涉及一系列材料和工艺问题，这些问题是目前无源元件研究的一个热点，一些新材料和前沿技术(如纳米技术等)已开始被用于超小型元件的工艺之中。
---摘自电子电力网太阳诱电株式会社宣布，1005型·厚度0.22mm的多层陶瓷电容器AMK105BJ474MC(1.00x0.50x0.22mm，厚度是最大值)投入生产，该产品适用于手机等小型、轻薄便携设备IC的电源电路，可实现行业最高静电容量0.47μF。
在强化产品阵容的基础上，积极展开了3种型号、12种大容量超薄多层陶瓷电容器产品的批量生产。
它们是1005型，厚度为0.22mm?的产品、代表传统产品的1005型，厚度为0.33mm的AMK105BJ225MP(1.0x0.5x0.33mm，厚度是最大值，电容2.2μF)、以及1608型，厚度为0.5mm的AMK107BJ106MK(1.6x0.8x0.5mm，厚度是最大值，电容10μF)。
2009年8月在日本，已对1005型·厚度0.22mm的3种产品开始批量生产。
计划3种产品的产能为每月1000万个。
样品价格上，1005型为4日元，1608型为10日元。
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片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor简称MLCC)
是电子整机中主要的被动贴片元件之一，它诞生于上世纪60年代，
最先由美国公司研制成功，后来在日本公司(如Murata、TKD、太阳诱
电等)迅速发展及产业化，至今依然在全球MLCC领域保持优势，主要
表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、
低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。
由于MLCC标称电容量已达
到10μF-100μF，尺寸已达到0201-01005(即长×宽为0.01英寸×0.00
5英寸，以下均为英寸表示)，是蚂蚁的十分之一大小，所以它已经
部分取代片式铝电解电容和片式钽电容器，且比它们具有更低的损耗
值和更好的可靠性。
什么是MLCC技术？简而言之，MLCC技术是一门综合性应用技术，它
包括新材料技术，设计工艺制作技术、设备技术和关联技术(如质量控
制技术中的电子元件可靠性测试、失效分析技术等)。
MLCC技术涉及
材料、机械、电子、化工、自动化、统计学等各学科先进理论知识，
是多科学理论和实践交叉的系统集成，属于典型的高新技术范畴。
核心技术待提高
在MLCC技术中，最核心的技术是材料技术(如陶瓷粉料的制备)、
介质叠层印刷技术(多层介质薄膜叠层印刷)和共烧技术(陶瓷粉料和金
属电极共烧)。
1.材料技术(陶瓷粉料的制备)
现在MLCC用陶瓷粉料主要分为三大类(Y5V、X7R和COG)。
其中X7R 材料是各国竞争最激烈的规格，也是市场需求、电子整机用量最大的
品种之一，其制造原理是基于纳米级的钛酸钡陶瓷料(BaTiO3)改性。
日本厂家根据大容量(10μF以上)的需求，在D50为100纳米的湿法BaT
iO3基础上添加稀土金属氧化物改性，制造成高可靠性的X7R陶瓷粉料，
最终制作出10μF-100μF小尺寸(如0402、0201等)MLCC。
国内厂家则
在D50为300-500纳米的BaTiO3基础上添加稀土金属氧化物改性制作X7R 陶瓷粉料，跟国外先进粉体技术还有一段差距。
2.叠层印刷技术(多层介质薄膜叠层印刷)
如何在0805、0603、0402等小尺寸基础上制造更高电容值的MLCC
一直是MLCC业界的重要课题之一，近几年随着材料、工艺和设备水平
的不断改进提高，日本公司已在2μm的薄膜介质上叠1000层工艺实践，
生产出单层介质厚度为1μm的100μF MLCC，它具有比片式钽电容器
更低的ESR值，工作温度更宽(-55℃-125℃)。
代表国内MLCC制作最高
水平的风华高科公司能够完成流延成3μm厚的薄膜介质，烧结成瓷后2
μm厚介质的MLCC，与国外先进的叠层印刷技术还有一定差距。
当然除
了具备可以用于多层介质薄膜叠层印刷的粉料之外，设备的自动化程
度、精度还有待提高。
3.共烧技术(陶瓷粉料和金属电极共烧)
MLCC元件结构很简单，由陶瓷介质、内电极金属层和外电极三层
金属层构成。
MLCC是由多层陶瓷介质印刷内电极浆料，叠合共烧而成。
为此，不可避免地要解决不同收缩率的陶瓷介质和内电极金属如何在
高温烧成后不会分层、开裂，即陶瓷粉料和金属电极共烧问题。
共烧
技术就是解决这一难题的关键技术，掌握好的共烧技术可以生产出更
薄介质(2μm以下)、更高层数(1000层以上)的MLCC。
当前日本公司在
MLCC烧结专用设备技术方面领先于其它各国，不仅有各式氮气氛窑炉
(钟罩炉和隧道炉)，而且在设备自动化、精度方面有明显的优势。
风华公司在窑炉技术方面也有一定的实力，为风华MLCC的发展打下基
础。
回顾MLCC技术的发展历程，充分体现了一个从简单到复杂、低水
平向高科技系统集成、从不环保到环保的发展趋势，是电子信息产品
飞速展的一个缩影。
其中采用镍、铜等贱金属代替银/钯贵金属作为内
电极材料(即BME技术)，是MLCC技术发展的一个重要里程碑，虽然这
对MLCC的材料技术、共烧技术(采用N2气氛保护烧结)、设备技术提出
了很高的要求，但它带来了成本的急速下降，同时满足了当今日益苛
刻的环保要求。
日本厂家早在十多年前就完成了BME技术的研究，并实
现产业化，带动了MLCC的高速发展。
国内厂家也相继在2001年成功实
现MLCC的BME化，为下一步向更高要求的发展奠定基础。
随着MLCC技术的不断成熟及整机要求的不断提高，MLCC技术将向如上图所示趋势发
展。
总之，随着科技的进步，MLCC制造业也获得了迅猛发展，主要体
现在小型化、高比容大容量、高压、高频微波、低功耗等电性能方向
深度发展，这使得MLCC不仅仅用于家电、电脑、通信、汽车电子等4C
产品领域，而且用于航天、航空、深海高压、沙漠钻探、科考超低温
等特殊环境下的电子整机设备中，起到了其他电容器无法替代的作用。
1μF以下电容器，MLCC占绝对优势，而1μF以上电容值范围，MLCC正
逐步取代其他电容器，如薄膜电容器、片式钽电容器等。