RAM分类
RAM和ROM
11
（二）RAM的原理 单击此处编辑母版标题样式
• • • • •
如图29-1所示。地址线共有15条，为A0～A14。 8=256条行选线，用 其中， A ～ A 用于行译码，产生 2 0 7 单击此处编辑母版文本样式 X表示，又称为字线； A8～A14用于列译码，产生27=128条列选线，用Y表示， 第二级 又称为位线。 第三级 给定地址码后，当该片选信号CS ＝0时， 行选线中一 条为高电平，列选线中也有一条为高电平，同为高电 第四级 平的行选线和列选线交叉处的存储单元被选中，处于 第五级 工作状态。 若此时R/ W =1，则执行读操作；若R/ W =0，则执行 写操作。当 CS ＝1时，不能对该片RAM进行读写操作， 它的输入/输出端均为高阻态。
12
单击此处编辑母版标题样式 地址总线
• • • • • 单击此处编辑母版文本样式 地址总线是单 第二级 向的，它传送 地址码，以便 第三级 按地址访问存 储单元 第四级 控制总线 第五级
包括片选信号线和读 写控制线。片选信号CS 控制RAM芯片是否被 选中； 读写信号R/W 控制传送读（写）命 令，即读时不写，写 时不读。
• • • •
（2）列选择线Y和读／写控制电路 第二级 第三级 图中VF1、 VF2和VF3、 VF4 两个反相器交叉耦合 构成基本RS触发器。VF5、 VF6为受列选择线X控 第四级 B Q Q、 与数据线 制的开关管，控制RS触发器输出端 第五级
单击此处编辑母版标题样式
• 单击此处编辑母版文本样式 • 第二级 • 第三级 • 半导体存储器概述 第四级 • 第五级 RAM的基本结构和工作原理
只读存储器ROM
可编程器件及其应用
烟台汽车工程职业学院
1
存储器分类及功能大全
RAM/ROM存储器ROM和RAM指的都是半导体存储器，RAM是Random Access Memory的缩写，ROM是Read Only Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
一、 RAM有两大类：1、静态RAM（Static RAM，SRAM），静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失；而且，一般不是行列地址复用的。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，而SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
2、动态RAM（Dynamic RAM，DRAM），动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。
而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。
由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；DRAM存储单元的结构非常简单，所以从价格上来说它比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/ FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等 I.SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。
内存有什么分类
内存有什么分类内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。
内存主频是以MHz(兆赫)为单位来计量的。
内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。
内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。
那么内存的分类是什么?下面跟着店铺一起来了解下吧。
内存有什么分类内存其实是一组或多组具备数据输入/输出和数据存储功能的集成电路。
按照其工作原理可分为RAM和ROM两大类;从功能的角度，又可以分为主存储器、高速缓冲存储器(Cache)和BIOS存储器三种。
按工作原理分类按照内存的工作原理可将内存分为RAM和ROM两大类。
下面分别进行介绍。
(1)RAMRAM(RandomAccessMemory，随机存取存储器)存储的内容可以通过指令随机读写访问。
RAM由半导体存储器组成，当系统运行时，将所需的指令和数据从外部存储器(如硬盘、软盘、光盘等)调入内存，CPU再从内存中读取指令或数据进行处理，并将结见存入内存，所以RAM既能读又能写。
RAM中存储的数据在关机或断电后将自动丢失，因而只能在开机运行时存储数裾。
RAM又分静态存储器SRAM、动态存储器DRAM和磁性内存MRAM三种。
©SRAMSRAM以双稳态电路形式存储数据，这种电路可视为一个开关，对应两个状态1和0。
由于开关的转换由电路控制，所以只要电路不动，状态就不会改变。
由于SRAM集成度低、体积大和造价高，从成本和体积考虑，内存不宜全部采用SRAM，但由于晶体管的开关速度很快，因此SRAM的读巧速度也很快，通常将其作为Cache。
②DRAMDRAM通过MOS(金属氧化物半导体)电容存储电荷来储存信息，具有结构简单、集成度高、功耗低、体积小、生产成本低、便于大容量制造的特点，在计算机主存储器中得以大量应用。
常见的DRAM内存根椐制造工艺和性能参数等各方面的差异，可分为以下几种。
•SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步动态随机存储器)：采用同步技术，工作频率与系统的外频相同，因此在一定程序上提高了性能。
ROM_RAM
1、存取功能分——ROM：只读存储器（Read Only Memory）——RAM：随机存储器（Random Access Memory）2、ROM介绍——ROM：在正常工作状态下只能从ROM中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数据——ROM优点：是电路简单，而且在断电后数据不会丢失——ROM缺点：是只适用于存储那些固定数据的场所3、ROM的分类ROM分为：——掩膜ROM：数据在制作时已经确定，无法更改——可编程ROM（PROM）：数据可以由用户根据自己的需要写入，但是一经写入后就不能更改了——可擦除的可编程ROM（EPROM）：数据不但可以由用户根据自己的需要写入，而且还能擦除重写，使用性更灵活4、ROM的制作工艺介绍4.1、掩膜ROM在采用掩膜工艺制作ROM时，其中存储的数据是由制作过程中使用的掩膜板决定的，这种掩膜板是按照用户的要求专门设计的。
因此掩膜ROM在出厂时内部存储的数据就已经‘固化’在里面了ROM的电路结构包括：存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三部分组成——存储矩阵：由许多存储单元排列而成。
存储单元可以用二极管构成，也可以用双极性三极管或MOS管组成。
每个单元能存放1bit二值代码（0或1）。
每一个或一组存储单元有一个对应的地址代码。
——地址译码器：作用是将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中将指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器——输出缓冲器：作用有两个：——能提高存储器的带负载能力，并将输出的高、低电平转换为标准的逻辑电平——实现对输出状态的三态控制，以便与系统总线连接，在读取数据时，只要输入指定的地址码，则指定地址内各存储单元所存的数据便会出现在输出数据线上采用MOS工艺制作ROM时，译码器、存储矩阵和输出缓冲器全用MOS管组成4.2、可编程只读存储器（PROM）在开发数字电路新产品的过程中，设计人员经常需要按照自己的设想迅速得到存有所需内容的ROM。
随机存取存储器为什么叫随机存取存储器(结构、特点、分类、优缺点)
随机存取存储器为什么叫随机存取存储器（结构、特点、分类、优缺点）随机存取存储器为什么叫随机存取存储器？1、随机存取存储器是根据地址访问数据，而不是顺序的访问数据。
2、随机访问存储器，或称随机存取记忆体（Random Access Memory，简称RAM），是一种在计算机中用来暂时保存数据的元件。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程式之临时资料存储媒介。
它可以令电脑的容量提升，不同随机存取记忆体也有不同的容量。
所谓「随机访问」，指的是当存储器中的讯息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。
相对的，存取顺序访问（SequenTIal Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。
当电源关闭时RAM不能保留数据。
如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的储存设备中（例如硬碟）。
所以叫随机存取存储器。
随机存取存储器简介随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作随机存储器，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器（英文：StaTIc RAM，SRAM）和动态随机存储器（英文Dynamic RAM，DRAM）。
随机存取存储器的结构随机存取存储器由存储矩阵、地址译码器、读/写控制电路、输入/输出电路和片选控制电路等组成，其结构示意图如下：1、存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码1或0。
与ROM不同的是RAM存储单元的数据不是预先固定的，而是取决于外部输入信息，其存储单元必须。
存储器的基本原理及分类
存储器的基本原理及分类存储器是计算机中非常重要的组成部分之一，其功能是用于存储和读取数据。
本文将介绍存储器的基本原理以及常见的分类。
一、基本原理存储器的基本原理是利用电子元件的导电特性实现数据的存储和读取。
具体来说，存储器通过在电子元件中存储和读取电荷来实现数据的储存和检索。
常见的存储器技术包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）。
1. 静态随机存取存储器（SRAM）静态随机存取存储器是一种使用触发器（flip-flop）来存储数据的存储器。
它的特点是不需要刷新操作，读写速度快，但容量较小且功耗较高。
SRAM常用于高速缓存等需要快速读写操作的应用场景。
2. 动态随机存取存储器（DRAM）动态随机存取存储器是一种使用电容来存储数据的存储器。
它的特点是容量大，但需要定期刷新以保持数据的有效性。
DRAM相对SRAM而言读写速度较慢，功耗较低，常用于主存储器等容量要求较高的应用场景。
二、分类根据存储器的功能和使用方式，可以将存储器分为主存储器和辅助存储器两大类。
1. 主存储器主存储器是计算机中与CPU直接交互的存储器，用于存储正在执行和待执行的程序以及相关数据。
主存储器通常使用DRAM实现，是计算机的核心部件之一。
根据存储器的访问方式，主存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种。
- 随机存取存储器（RAM）随机存取存储器是一种能够任意读写数据的存储器，其中包括SRAM和DRAM。
RAM具有高速读写的特点，在计算机系统中起到临时存储数据的作用。
- 只读存储器（ROM）只读存储器是一种只能读取数据而不能写入数据的存储器。
ROM 内部存储了永久性的程序和数据，不随断电而丢失，常用于存储计算机系统的固件、基本输入输出系统（BIOS）等。
2. 辅助存储器辅助存储器是计算机中用于长期存储数据和程序的设备，如硬盘、固态硬盘等。
与主存储器相比，辅助存储器容量大、价格相对低廉，但读写速度较慢。
手机中ROM,RAM的解释
手机中ROM和RAM的解释凭着对PDA的兴趣和研究精神，想和大家共同分享和详细探讨一下有关PPC里的ROM和RAM问题。
很多老手对于此问题是了然于胸了，但是因为PPC的操作系统构架和PC的不同的缘故，很多新人却是摸不着头脑。
也仔细搜索过旧帖，感觉没有可以比较全面介绍这个主题的。
可能是觉得小问题提问就行，不必研究太深的原因吧。
在论坛学习多时，所获甚多。
现在以自己的一些PC知识抛砖引玉，和各位一起不断努力，更新完善，把此帖作成个这个主题的大全吧。
希望能够对新手有益，为论坛的发展尽绵薄之力。
名词解释1，ROM：Read Only Memory 只读存储器顾名思义，就是说这种存储器好像写保护的软盘，CD-R一样只可以读不可以写，属于非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）。
ROM中的信息一旦写入就不能进行修改，其信息断电之后也仍然保留。
有人可能要问，那么原来的数据又是如何写进去的呢？事实上，ROM在刚做好是是没有数据的，在ROM出厂之前，厂家可以通过加电来一次性写入数据，和一次性可写光盘（CD-R）一样，这种ROM就是大家常说的掩模ROM（Mask ROM）了。
这也就是为什么叫做ROM的原因。
ROM的特点是：烧入数据后，无需外加电源来保存数据。
断电数据不丢失。
但速度较慢。
适合存储需长期保留的不变数据。
ROM的发展和分类：IT技术的发展一日千里，人们的需求也在不断提升。
人们在要求能无电保存可靠数据的同时，还需要在必要时可以改写里面的数据或程序从而提升性能（当然不是轻易地，随时地改写，否则就并不可靠了）。
市场的需求促使技术的发展，新的ROM品种不断地推出，功能不断地多样化。
以至于很多人对ROM和RAM的界限开始模糊。
下面就来简单对ROM分类一下：-Mask ROM （掩模ROM）：上面已经说过了，一次性由厂家写入数据的ROM，用户无法修改。
-PROM （Programmable ROM可编程ROM）：和掩模ROM不同的是出厂是厂家并没有写入数据，而是保留里面的内容为全0或全1，由用户来编程一次性写入数据，也就是改变部分数据为1或0。
内存储器接口演示PPT
6.1.4
二、动态存储器 1. DRAM的存储元 单管动态存储元电路如图6.3所示。 2. DRAM的外部特性 图6.4所示为2164A的引脚图，其引脚功能如下： A0～A7：地址输入线。DRAM芯片在构造上的特点是 芯片上的地址引脚是复用的。两次送到芯片上去的地址分 别称为行地址和列地址。在相应的锁存信号控制下，它们 被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器中。 DIN和DOUT：芯片的数据输入、输出线。 RAS：行地址锁存信号。 CAS：列地址锁存信号。 WE：写允许信号。当它为低电平时，允许将数据写入。 反之，当WE=l时，可以从芯片读出数据。
存储系统分为两个存储体，如图6.19所示。 对于16位的CPU为此也都设置了用于存储体选择的两个 控制 信号和。表6.3描述了这两个引脚和所选择的存储体。 在Intel系列的CPU通过产生独立的写信号来选择每个存 储体的写操作，如图6.20所示。
图6.21描述了一个8086存储系统的连接图。
•23
6.4.2 32位机的存储系统
•13
0111 101
该片6264的地址范围为：
0111 1010 0000 0000 0000=3E000H
到
0011 1111 1111 1111 1111=3FFFFH
若将图6.9中的“与非”门改为“或”门，如图6.10所 示，则6264的地址范围就变成84000H～85FFFH。
二、部分地址译码方式
在构成一个实际的存储器时，往往需要同时进行位扩 展和字扩展才能满足存储容量的需求。扩展时需要的芯片 数量可以这样计算：要构成一个容量为MN位的存储器， 若使用pk位的芯片（p<M,k<N），则构成这个存储器需 要(M/p）(N/k)个这样的存储器芯片。 例6-1 用Intel 2164构成容量为128KB的内存。 分析：由于2164是64K×1的芯片，所以首先要进行位扩 展。用8片2164组成64KB的内存模块，然后再用两组这样 的模块进行字扩展。所需的芯片数为（128/64）×（8/1） =16片。 连接示意图如图6.18所示。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
RAM的分类
内存（RAM，随机存储器）可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器D RAM两种，我们经常说的电脑内存条指的是DRAM，而SRAM接触的相对要少（像大部分的FPGA就是基于SRAM工艺的）。
根据RAM的功能和特性等可以将其归类如下表所示：
SRAM Static RAM——静态存储器
DRAM Dynamic RAM——动态存储器
SDRAM Synchronous DRAM——同步动态存储器
3D RAM 3 Dimension RAM——3维视频处理器专用存储器
CDRAM Cached DRAM——高速缓存存储器
CVRAM Cached VRAM——高速缓存视频存储器
EDO RAM Extended Date Out RAM——外扩充数据模式存储器
EDO SRAM Extended Date Out SRAM——外扩充数据模式静态存储器
EDO VRAM Extended Date Out VRAM——外扩充数据模式视频存储器EDRAM Enhanced DRAM——增强型动态存储器
FRAM Ferroelectric RAM——铁电体存储器
MDRAM Multi Bank DRAM——多槽动态存储器
SGRAM Signal RAM——单口存储器
DPRAM Dual Port RAM——双端口RAM
SVRAM Synchronous VRAM——同步视频存储器
VRAM Video RAM——视频存储器
WRAM Windows RAM——视频存储器(图形处理能力优于VRAM)
下面对几种常见的RAM略作描述。
SRAM：静态RAM
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器），它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性
系统以提高效率。
DRAM：动态RAM
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）是最为常见的系统内存。
DRAM 只能将数据保持很短的时间。
为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
SDRAM：同步动态RAM
SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器），为DRAM的一种，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部
命令的发送与数据的传输都以时钟为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
存储单元结构不同导致了RAM容量的不同。
一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。
DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。
一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。
SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。
SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。
所以SRAM的电路结构非常复杂。
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。
正因为如此，才使其发展受到了限制。
因此目前SRAM 基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存，仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。
DPRAM：双端口RAM
DPRAM（Dual Port Random Access Memory，双端口随机存储器）是常见的共享式多端口存储器，双口RAM最大的特点是存储数据共享。
一个DPRAM 存储器配备两套独立的地址、数据和控制线，允许两个独立的CPU或控制器同时异步地访问存储单元。
因为数据共享，就必须存在访问仲裁控制。
内部仲裁逻辑控制提供以下功能：对同一地址单元访问的时序控制；存储单元数据块的访问权限分配；信令交换逻辑（例如中断信号）等。
FRAM：铁电体RAM
FRAM（Ferroelectric Random Access Memory，铁电体存储器），其将RO M的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。
FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
FRAM 提供一种与RAM一致的性能，但又有与ROM 一样的非易失性。
FRA M 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一个非易失性随机存取储存器。