分布反馈布拉格半导体激光器DFB-LD
有源光器件和无源光器件区别及基础
1、必须增益大于损耗：
2、活性介质只能在很小的波长范围内提供增益（ λ<hc/E）。谐振器和活性介质共同作用的结果，只有几个落在增益曲线内的谐振波长才能被激射。
P peak
λ (nm)
相邻两个纵模的间隔λN –λN+1 ≈ λ2/2 n L 当谐振器的L=0.4mm, n=1，工作在λ= 1300 nm 附近时，计算出λN –λN+1≈ 2.1 nm ，假设增益曲线的线宽等于7nm，则这种活性介质可支持3个纵模。
课间休息
半导体激光器（LD）
发光二极管（LED）
半导体激光器的特点和应用
3.2 半导体光源
3.2.1 半导体激光器的特点和应用
半导体激光器是通过受激辐射产生光的器件。 受激辐射的特征：一个外来光子迫使一个带有类似能量E的光子被发射；所有受激光子的发射方向都与激发他们的光子相同；受激光子仅在有外来光子激发他们的时候才辐射→同步的。 形成正反馈的方法：用两个镜面、光栅形成谐振器。 受激光子快速增加需要导带中有无数受激电子来维持这个动态过程。因此需要比LED快得多的速度来激活电子，需要粒子数反转。为了实现粒子数反转，需要在激活区加大的正向电流。 为了使激光二极管产生光，增益必须大于损耗。
其中L是镜间距， N 是一个整数， n为谐振腔内折射率，λ是光波长。
a)任意波注入时的FP-LD
b)驻波注入时的FP-LD
例如：
如果L= 0.4mm = 400 μm， n=1 而λ= 1300 nm= 1.3 μm 则N = 615 谐振器支持的波长为1300 nm =2 n L/ N，但其也支持：2L(N ±1), 2L(N ±2),等等波长。这些谐振器选择的波长叫纵模。当谐振器的长度增加或减少时，激光器就从一个纵模转向另一个，被称之为跳模。 因为λ = 2 n L/ N，所以相邻两个纵模的间隔 λN –λN+1 ≈ 2 n L/N2 = λ2/2 n L
《半导体光电子学课件》下集4.7分布反馈半导体激光器
采用高速调制电路和优化的调制信号处理技术，提高DFB激光器的调制速度，使其适用于高速数字通 信和信号处理系统。
降低阈值电流与温度依赖性
降低阈值电流
通过优化有源区的掺杂浓度和分布，降低DFB激光器的阈值电流，提高其能效和可靠性 。
温度依赖性减小
采用温度稳定技术，如热敏电阻控制、半导体温度传感器等，减小DFB激光器的温度依 赖性，提高其在不同环境温度下的稳定性和可靠性。
DFB半导体激光器的技术特点
DFB半导体激光器采用了特殊的结构设计和制造工艺，使其具有高稳定性、高输出功率和 长寿命等优点。
DFB半导体激光器的重要性和应用
重要性
DFB半导体激光器在光通信、光存储、光传感等领域具有广 泛的应用前景，其性能的优劣直接影响到相关领域的发展。
应用
DFB半导体激光器在光纤通信中作为光源，可以实现高速、 大容量的信息传输；在光存储中作为读取和写入的光源，可 以提高存储密度和读取速度；在光传感中作为探测光源，可 以实现高灵敏度和高分辨率的传感测量。
要点一
与调制器、探测器等光电子器件 的集成
实现DFB半导体激光器与其他光电子器件的集成，提高系 统的集成度和性能。
要点二
互操作性
确保DFB半导体激光器与其他光电子器件之间的互操作性 ，实现不同器件之间的无缝连接和协同工作。
PART 06
结论
DFB半导体激光器的总结
工作原理
分布反馈半导体激光器（DFB）利用光栅结构在半导体材 料中产生分布式反馈，从而实现稳定的单波长输出。
模式选择
DFB半导体激光器通过选择适当的反 馈周期和波长，实现单模或多模激光 输出。
温度特性和稳定性
温度特性
DFB半导体激光器的性能受温度影响较大，随着温度变化，其输出波长和功率 会发生变化。
分布反馈式半导体激光器
分布反馈式半导体激光器
分布反馈式半导体激光器（DFB激光器）是一种高性能半导体激光器，具有独特的结构和工作原理。
DFB激光器主要由一个具有周期性折射率的光栅和一段活性区域组成，其中光栅用于选择性地调制激光器的输出波长，从而实现单一波长的激光输出。
DFB激光器具有高度的稳定性和精度，非常适用于通讯、光纤传输、生物医学、光学测量和一些高速数据传输等领域。
其波长范围广泛，可以覆盖从850nm到1600nm的波段，因此在多个领域中广泛应用。
DFB激光器不仅具有高效、稳定的单频输出和低噪声特性，而且还可以通过调整光栅的周期、深度、宽度等参数来控制输出波长，从而适应不同的应用需求。
它的稳定性和可靠性高，寿命长，使得它成为现代光电子器件中不可或缺的一部分。
DFB激光器调研报告(在实际工程中的应用)
分布反馈式半导体激光器在实际工程系统中的应用摘要：DFB (Distributed Feed Back) DFB型光发射机，分布反馈（激光器）半导体激光器因其波长的扩展、高功率激光阵列的出现以及可兼容的激光导光和激光能量参数微机控制的出现而迅速发展、半导体激光器体积小、重量轻、成本低、波长可选择，其应用范围遍及的领域越来越宽广，其的出现带来了巨大的变化，使科技更发达，人们生活更加丰富多彩，应用范围遍及医学、科技、航天交通，通信等各个领域。
自从1962 年世界上第一台半导体激光器(Diode Laser)发明问世以来, 由于其体积小、重量轻、易于调制、效率高以及价格低廉等优点, 被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一. 四十几年来半导体激光器逐步应用在激光唱机、光存储器、激光打印机、条形码解读器、光纤电信以及激光光谱学中, 不断扩大应用范围, 进入了一些其它类型激光器难以进入的新的应用领域。
关键字: DFB、工作波长、边模抑制比、阈值电流、输出光功率一、分布反馈式半导体激光器简介1、分布反馈式半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件.其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带之间,或者半导体物质的能带与杂质能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用.半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS,InAS,Insb等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。
BOSA,LD,PD知识培训
培训内容 LD定义、分类、管脚定义PD定义、分类、管脚定义BOSA原理、Triplexer原理器件参数定义测试原理（PIV、ISO/CT、Sen、IL/RL) 命名规则设备及工装夹具接线现场演示工程部/杨涌涛2009.8.19半导体激光器LD（Laser Diode）•作用将电信号转变成光信号，用于光发射端机。
•类型•法布里-珀罗（FP）型LD•分布反馈（DFB）LD•分布布拉格反射器（DBR）LD•量子阱（QW）LD•垂直腔面发射激光器(VCSEL)DFB LD光谱特性FP LD光谱特性LD管脚定义外购TO地脚在大槽对面“4”光电探测器PD（Photoelectron Diode）•作用将光信号还原成电信号，用于光接收端机。
•类型光电二极管（PIN）PIN管偏压电路简单，价格较低；灵敏度低。
雪崩光电二极管（APD）具有载流子倍增效应偏压电路复杂，价格较高，灵敏度较高主要用于高速、长距离系统。
PD管脚定义BOSA原理WDM couplerOptical-fiber TO-LDCapillaryTO-RxBlock Diagram1310nm发射1490nm接收1550nm接收1310nm光纤`1490nm,1550nmλ1λ2λ3Triplexer 原理器件参数定义发射端参数定义1.阈值电流Ith：激光二极管开始振荡的正向电流；测试阈值电流一般用P-I曲线法（二次微分）2.光输出功率Po：在阈值电流以上所加正向电流达到规定的调制电流时，激光二极管输出的光功率3.监视光电流Im：当正向驱动电流为一确定值（如Iop=Ith+20mA）时，对应的光电二极管的光电流4.斜效率SE：激光二极管将电流转化为功率的能力5.正向电压Vf：当正向驱动电流为一确定值（如Iop=Ith+20mA）时，对应的激光二极管的电压值；6.跟踪误差TE：在两个不同的管壳温度（背光固定）条件下的光纤输出功率的比值，用以度量器件耦合效率的稳定性；TE=10*log（P1（Tc=x）/P0（Tc=25））线性交叉Ith取值Ith线性交叉Ith取值Ith一次微分Ith取值50%Ith二次微分Ith取值Ith接收端参数定义1.光响应度R：R=Ip/Pi；Ip表示光电探测器产生的光电流，Pi表示输入光电探测器的光功率；2.暗电流Id：指在规定反向电压（PIN光电二极管反偏5V）或者90%击穿电压（APD）时，在无光入射情况下器件内部产生的电流；3.反向击穿电压Vbr：在无入射光照时反向电流（暗电流）达到一个预定值（典型值10uA）的反向电压。
半导体激光器国家标准(二)
半导体激光器国家标准（二）3.1.32 远场光强分布Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。
3.1.33 近场光强分布Near field intensity distribution激光器在输出腔面（AR面）上的光强分布。
3.1.34 近场非线性Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移，导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上，又称为"smile"效应。
3.1.35 偏振Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内，使光波沿着有源区层传播，并通过腔面输出，半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关，对于横向电场（TE）偏振光，只存在（Ey，Hx，Hz）三个分量，对于横向磁场（TM）偏振光，只存在（Ex，Ez，Hy）三个分量。
半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征，偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值，通常以百分比表示。
3.1.36 热阻Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，激光器产生1W 热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。
3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时，结温每升高1℃所引起的波长变化，单位是nm/K。
3.1.38 斜率效率Slope efficiency激光器额定光功率的10％和90％对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。
3.1.39 光功率-电流曲线扭折Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。
扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。
fmost技术原理
fmost技术原理fmost技术是一种用于光纤通信系统中的光放大器技术。
它是通过将光信号分为多个频率带宽较窄的子信号，然后在每个子信号上进行放大，最后再将子信号合并起来，以实现整体信号的放大。
fmost技术的原理是基于波长分割多重技术（WDM）和光纤分布反馈激光器（DFB-LD）。
在传统的光放大器中，使用的是大面积的光纤芯片，它能够放大整个光信号的频谱。
而fmost技术则采用了波长分割的方法，将光信号分为多个频率带宽较窄的子信号，然后在每个子信号上进行放大。
在fmost技术中，使用的是一种特殊的光纤，它具有多个不同的折射率区域。
这些折射率区域可以将光信号分为不同的频率带宽较窄的子信号。
在光纤中，每个频率的信号会以不同的速度传播，从而实现频率的分离。
接下来，每个子信号都会经过一个光放大器进行放大。
在fmost技术中，使用的是光纤分布反馈激光器（DFB-LD）。
DFB-LD具有高效的放大特性，可以在短距离内实现高增益。
通过将DFB-LD放在光纤中的每个子信号的位置上，可以分别对每个子信号进行放大。
经过放大的子信号会再次合并起来，形成整体的光信号。
在合并的过程中，需要使用一种特殊的器件，称为光纤耦合器。
光纤耦合器可以将多个子信号的光束合并在一起，形成整体的光信号。
fmost技术的优点是可以实现对不同频率的光信号进行独立放大，从而提高系统的整体性能。
同时，由于采用了波长分割的方法，可以避免不同频率信号之间的相互干扰。
此外，fmost技术还可以提高光信号的传输距离和传输容量，进一步扩展了光通信系统的应用范围。
fmost技术是一种基于波长分割多重技术和光纤分布反馈激光器的光放大器技术。
通过将光信号分为多个频率带宽较窄的子信号，然后在每个子信号上进行放大，最后再将子信号合并起来，可以实现对不同频率的光信号进行独立放大，提高系统的整体性能。
fmost 技术的应用有望进一步推动光通信技术的发展，为高速、大容量的光纤通信系统提供支持。
TOSA_ROSA基本认识
ROSA 结构分类
ROSA 的结构分类 1. SC-ROSA （GBIC、1X9） 2. LC-ROSA （SFP、SFF）
ROSA物料组成
SC-TOSA
SC-TOSA物料组成：
1.管壳 2.管芯套 3.过渡环 4.陶瓷套筒 5.陶瓷插芯 6.激光器
SC-TOSA
1、SC金属组件装配所需物料:
开口陶瓷套筒
金属件 插芯
SC-TOSA
SC-LD金属组件:
SC-TOSA
SC-TOSA所需物料:
过渡环 SC-LD金属组件:
管芯座 LD管芯
半导体激光器LD
激光器被视为20世纪的三大发明（还有半 导体和原子能）之一，特别是半导体激光 器LD倍受重视。
光纤通信中最常用的光源是半导体激光器 LD和发光二极管LED。
主要差别：
发光二极管输出非相干光； 半导体激光器输出相干光。
发光二极管LED
对于光纤通信系统，如果使用多模光纤且信 息比特率在100～200Mb/s以下，同时只要求 几十微瓦的输入光功率，那么LED是可选用 的最佳光源。
PIN-TIA分类
按结构分： 1、PIN 2、PINTAI 3、APD 4、APDTIA
PIN-TIA 封装结构剖面图
1、管座（Header） 2、跨阻放大器（TIA） 3、载体（Submount） 4、光电二极管（PD） 5、电容 6、管帽（Cap） 7、球面透镜
PIN-TIA 封装结构剖面图
阈值电流Ith：开始发射受激发 射的电流值。阈值电流与腔的