《模拟电子技术》答案A
智慧树知道网课《模拟电子技术(黑龙江联盟)》课后章节测试满分答案
绪论单元测试1【单选题】(2分)工作在放大状态的某NPN晶体管，各电极电位关系为（）。
A.VC>VE>VBB.VC<VE<VBC.VC<VB<VED.VC>VB>VE2【单选题】(2分)引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。
A.晶体管参数随环境温度的变化而变化B.电压放大倍数太高C.晶体管的电流放大系数太大D.电源电压太高3【单选题】(2分)在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。
当CB电路时，，ui和uo的相位________。
A.相差90ºB.反相C.不确定D.同相4【单选题】(2分)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（）。
A.差模放大倍数数值增大B.差模输入电阻增大C.抑制共模信号能力减小D.抑制共模信号能力增强5【单选题】(2分)多级放大电路的初级一般采用（）A.功率放大电路B.分压偏置式放大电路C.差动放大电路D.共射极放大电路第一章测试1【单选题】(10分)二极管的重要特点之一为（）A.导电性能强B.单向导通性C.不导电D.导电性能一般2【单选题】(10分)稳压二极管主要用途是（）A.放大B.限流C.稳压D.稳流3【单选题】(10分)常见的彩灯采用的是（）管A.光敏三极管B.发光二极管C.激光二极管D.光电耦合器件4【单选题】(10分)三极管是（）器件A.电流控制电压B.电压控制电流C.电压控制电压D.电流控制电流5【单选题】(10分)三极管静态工作点Q点过高，容易引起（）失真A.饱和B.交越C.大信号D.截止。
陕西科技大学模拟电子技术和数字电子技术期末考试题A
2. 双极型三极管工作在放大区时发射结需
偏置，集电结需要
偏置。
3. 有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位________，
有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。
4. 电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反
C. 11110111
D. 11111111
6. 一只四输入端或非门，使其输出为 1 的输入变量取值组合有(
A．15
B．8
C．7
D．1
)种。
7. 随机存取存储器具有(
)功能。
A.读/写 B.无读/写 C.只读
D.只写
8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为(
A.N
B.2N
C.N2
D.2N
9．某计数器的状态转换图如下，
）V，其输出高电平为（
）V，
输出低电平为（
）V， CMOS 电路的电源电压为（
）V。
8．74LS138 是 3 线—8 线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为 A2A1A0=110 时，输出
Y7 Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0 应为（
）。
9．将一个包含有 32768 个基本存储单元的存储电路设计 16 位为一个字节的 ROM。该 ROM 有
C. Qn1 AQn BQn
D. Qn+1 ＝ B
11． 有一个 4 位的 D/A 转换器，设它的满刻度输出电压为 10V，当输入数字量为 1101 时，
输出电压为（ A． 8.125V
）。 B.4V
C. 6.25V
D.9.375V
12．函数 F=AB+BC，使 F=1 的输入 ABC 组合为(
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案杨素行第三版)第一章习题答案
精品行业资料，伏供参考，需要可下栽井修改后使用！《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案杨素行第三版)第一章习题答案题1-10本造的意图是掌握8与；的含义及二者之间的关系解：(a)α1=0.99当时I IU=IOμA时Jc=990M A∕t1¾1000μA=1mA.(b)仄=19若I E2=ImA,则1po.95nιA「I iU Q50∕ιA题1—13(a)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
(b)发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
(c)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
(d)发射结和集电结均正偏，故BJT工作在饱和区。
(e)发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
(f)发射结正偏，集电结电压为0,故BJT处于临界饱和状态。
(g)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
(h)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
题1-15本题的意图是训练根据放大电路中三极管的各极电位识别引脚，并判断三极管的类型。
答：注意本题的前提是两个三极管均工作在放大区。
(a) 1---- 发射极e,3 ------- 基级b,2 ------- 集电极c o三极管类型是NP∖错管。
(b) 2 --- 发射极e,3 ------- 基级b,1——集电极C0三极管类型是PNP硅■1-14本题的意图是根据电路参数判断三极管工作在什么区，并在输出特性曲线上画出工作点的位置，以便形象地建立工作点的概念。
H：(a)∕β=0.065mA/产3∙25mAU CE=3.5V三极管工作在放大区，见图1.5.4中A点。
(b) ∕D=0.0465mA/产2.325mAU cE=5.35V三极管工作在放大区，见图1.5.4中B点。
(c) I a=0.465mA/产23.25mAUCE=-36.5V以上计算出的I c与UcE值是荒谬的，实质上此时三极管已工作在饱和区，故，I B=0∙465mA,人eVcJR=5mA,U CE=Uc E Sko.3V,见图154中C点。
中石油华东《模拟电子技术》2020年秋季学期在线作业(二)答案
(判断题)1: 顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
A: 错误
B: 正确
正确答案: A
(判断题)2: 处于线性工作状态下的集成运放，反相输入端可按“虚地”来处理。
A: 错误
B: 正确
正确答案: A
(判断题)3: 功率放大电路所要研究的问题就是一个输出功率的大小问题。
A: 错误
B: 正确
正确答案: A
(判断题)4: 负反馈只能改善反馈环路内的放大性能，对反馈环路之外无效。
A: 错误
B: 正确
正确答案: A
(判断题)5: 由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路方法已不再适用。
A: 错误
B: 正确
正确答案: B
(判断题)6: 电压负反馈可以稳定输出电压，流过负载的电流也就必然稳定，因此电压负反馈和电流负反馈都可以稳定输出电流，在这一点上电压负反馈和电流负反馈没有区别。
A: 错误
B: 正确
正确答案: A
(判断题)7: 反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
A: 错误
B: 正确
正确答案: A
(判断题)8: 通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
A: 错误
B: 正确
正确答案: A
(判断题)9: 在正弦波振荡电路中，只允许存在正反馈，不允许引入负反馈，而在以放大输入。
模拟电子技术题库答案
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一。
（共60题,共150分）1. 理想的功率放大电路应工作于( ）状态. （2分)A。
甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D。
丙类互补★检查答案标准答案：C2。
NPN共射电路的Q点设置在接近于( ）处将产生顶部失真。
（2分)A.截止区B。
饱和区C.击穿区D。
放大区★检查答案标准答案：A3。
双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是( )接法。
（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D。
共栅极★检查答案标准答案:B4. 当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是（)。
（2分）A.低通B。
高通C。
带通D。
带阻★检查答案标准答案:C5。
为了提高电压放大倍数，希望放大电路的( )大一些。
(2分)A.输入电流B。
输出电流C.输入电阻D。
输出电阻★检查答案标准答案：D6。
当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将（)漂移电流。
此时，耗尽层的宽度将（）. (2分）A.大于变宽B.大于变窄C。
小于变宽D。
等于不变★检查答案标准答案：C7。
差动放大电路的特点是抑制（）信号,放大（)信号. （2分）A。
共模共模B.共模差模C。
差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8。
共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位（）。
(2分）A。
相差0B。
相差45C。
相差90D。
相差180★检查答案标准答案：A9. 直流电源滤波的主要目的是：（）。
（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C。
将正弦波变成方波D。
将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10. 电路如图所示。
若V1管正负极接反了,则输出（)。
（2分）A。
只有半周波形B。
全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D。
无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11。
双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
智慧树知到《模拟电子技术基础》章节测试答案
智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案第⼀章1、6.N型半导体中的多数载流⼦是（）。
A:⾃由电⼦B:空⽳C:正离⼦D:负离⼦答案: ⾃由电⼦2、4.场效应管的控制⽅式为（）。
A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电压控制输出电流C:输⼊电流控制输出电流D:输⼊电压控制输出电压答案: 输⼊电压控制输出电流3、3.在放⼤电路中，若测得某晶体管的三个电极的电位分别为6V，1.2V，1V，则该管为（）。
A:NPN硅管B:PNP锗管C:NPN锗管D:PNP硅管PNP硅管PNP硅管PNPPNP硅管PNP硅管答案: NPN锗管4、2.测得某⼯作在放⼤区域的三极管,当Ib=30uA时,Ic=2.4mA;当Ib=40uA时，Ic=3mA;则该管的电流放⼤系数β=( )。
A:60B:75C:80D:100答案: 605、1.稳压⼆极管稳压时，其⼯作在( ) 。
A:正向导通区B:反向截⽌区答案: 反向击穿区第⼆章1、82.晶体管的控制⽅式为。
A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电流控制输出电流C:输⼊电压控制输出电压D:输⼊电压控制输出电流答案: 输⼊电流控制输出电流2、13.在共射、共集、共基三种放⼤电路中，（）。
A:都有电压放⼤作⽤B:都有功率放⼤作⽤C:都有电流放⼤作⽤D:只有共射电路有功率放⼤作⽤答案: 都有功率放⼤作⽤3、12.共发射极放⼤电路中,输出电压uo与输⼊电压ui之间的关系是（）。
A: 两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压B:两者相位差90，且⼤⼩相等C:两者同相，输出电压近似等于输⼊电压D:两者反相，且⼤⼩相等答案:两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压4、11.晶体管⼯作在放⼤状态的条件是（）。
A:发射结正偏、集电结反偏B:发射结正偏、集电结正偏C:发射结反偏、集电结反偏D:发射结反偏、集电结正偏答案: 发射结正偏、集电结反偏5、10.放⼤电路“放⼤”的本质是（）。
A: ⽤输⼊信号控制电源的能量和转换B:iB对iC或uGS对iD的控制C:将较⼩能量转换为较⼤能量D:三极管的电流分配作⽤答案:⽤输⼊信号控制电源的能量和转换6、要求电压放⼤倍数的数值⼤于10，输⼊电阻⼤于10MΩ，输出电阻⼩于100Ω，第⼀级应采⽤A:共射电路D:共源电路E:共漏电路答案: 共集电路第三章1、101.差动放⼤电路中，所谓差摸信号是指两个输⼊信号（）。
模拟电子技术模拟试题及答案
模拟电子技术模拟试题及答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案：B2.基本放大电路中,经过晶体管的信号有( )。
A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。
正确答案：C3.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：B4.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共漏放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、共射放大电路正确答案：D5.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、变压器耦合B、光电耦合C、直接耦合D、阻容耦合正确答案：C6.集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。
A、虚断和虚短。
B、正反馈与负反馈；C、线性与非线性；正确答案：C7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。
A、饱和B、交越C、频率D、截止正确答案：D8.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：B9.P型半导体中的少数载流子是 ( )A、自由电子B、负离子C、空穴D、正离子正确答案：A10.共发射极放大电路的反馈元件是（）。
A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。
正确答案：B11.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的( )在漏源极之间电场作用下形成的。
A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B12.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
正确答案：B13.单极型半导体器件是( )。
A、二极管;B、场效应管;C、晶体三极管;D、稳压管。
正确答案：B14.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。
A、错误B、正确 ;正确答案：A15.P型半导体中多数载流子是______。
东大14秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线作业3答案
14秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线作业3
一,单选题
1. 为了减小放大电路的输出电阻，应引入（）负反馈
A. 电压
B. 电流
C. 串联
D. 并联
正确答案：A
2. 宇航仪器中所用的放大器，集成运放应选用（）。
A. 通用型
B. 高阻型
C. 高速型
D. 低功耗型
正确答案：D
3. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越（）
A.
严重
B. 轻微
C. 和放大倍数无关
正确答案：A
4. 对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的（）
A. 放大区中部
B. 截止区
C. 放大区但接近截止区
D. 放大区但接近饱和区
正确答案：D
5. 交流户反馈对电路的作用是
A. 稳定交流信号，改善电路性能
B. 稳定交流信号，也稳定直流偏置
C. 稳定交流信号，但不能改善电路性能
D. 不能稳定交流信号，但能改善电路性
正确答案：C
6. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大（）。
A. 交流功率
B. 直流功率
C. 平均功率。
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《模拟电子技术》 试卷（A）
题号 答 案
一
1、饱和、截止、放大 2、线性、非线性
3、开环、非线性、滞回、正反馈 4、微导通、NPN、PNP、交越
5、阻容耦合、直接耦合 6、共基、共集、共射
7、工作点、放大区。
二
1、× 2、× 3、√ 4、× 5、√ 6、√ 7、√
8、× 9、× 10、×
三
1、C 2、C 3、A 4、C 5、B 6、B 7、B 8、D
9、B 10、A
四
1、答：导通。2、答：导通。
五
1、解：（1）同相放大电路---------3分
（2） Ui /R1 =（ Uo-Ui ）/ Rf -------3分
Uo/Ui = （1+ Rf/R1） ---------4分
2、解：
(1)具有上下偏置电阻的共射放大器电路
(2) Ub = Uc R1/（R1+R2） Ic≈Ie=（Ub-Ube）/R4
Uc = Ucc-IcRc
Ue =IeR4
(3)
当R4=0时，
UB =Ube
IB =（Ucc-Ube）/R1
三极管的工作状态：放大状态
答:„„
3、解：1）Ub2=Uz+Ube=3.3+0.7=4(V)
2)Uo=(R3+R4)Ub2/R4=(4.8+2.4)x4/2.4=12(V)
3) 流过R1的电流:
i=(Ui-Uo+Ube)/R1=(15-12+0.7)/100=37(mA)
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答：„„„„。
六
说明：1、答案如一页不够填写时，可转到下页，不需另加首页表头；
2、除首页表头不可改变，其余答案填写部分老师们根据实际情况填写；
3、“试卷（A/B）”中，划掉“A”即为试卷“B”，反之为试卷“A”。