哈工大半导体物理微电子本科期末考试真题

================================================================================= 第1页 （共 1 页） 哈工大2000/2001秋季学期 固态电子论试题

一、 解释下列名词或概念：（20分）

1、准费米能级

6、施主与受主杂质 2、小注入条件

7、本征半导体 3、简并半导体

8、光电导 4、表面势

9、深能级杂质 5、表面反型层 10、表面复合速度

二、 画出n 型半导体理想MIS 结构C-V 特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或绝

缘层-半导体存在界面态将分别对曲线有何影响？如何确定绝缘层中可动离子的面密度（20分）

三、 简述半导体中可能存在的光吸收过程（20分）

四、 画出p-n 结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n 结势垒区形成的

物理过程（20分）

五、 在一维情况下，以非均匀掺杂n 型半导体为例，推出爱因斯坦关系（20分）