固溶体和非化学计量化合物

固溶体和非化学计量化合物
固溶体和非化学计量化合物

4.固溶体和非化学计量化合物

4.1固溶体

液体有纯溶剂和含有溶质的溶液之分,对于液体溶液,大家都已熟知,是由溶质以分子级均匀程度溶解到溶剂中所形成的。类似地,对于固体也有纯晶体和含有杂质的固体溶液之分,后者是指晶体中含有外来杂质,简称固溶体。

4.1.1 固溶体的定义和特征

4.1.1.1固溶体的定义

凡在固体条件下,一种组分(溶剂)内“溶解”了其它组分(溶质)而形成的单一、均匀的晶态固体称为固溶体。或者定义为:固溶体是指一种组元(组分)因“溶解”了其他组元而形成的单相晶态固体。

如果固溶体是由A物质溶解在B物质中形成的,一般将组分B称为溶剂(或主晶相、基质),将组分A称为溶质(或掺杂质点、杂质)。如果两种组分可以互溶,那么就将含量高的那种称为溶剂,含量低的称为溶质。

固溶体与主晶体的区别在于:主晶体一般可以是单组元,而固溶体一定是多组元;固溶体的晶体结构常发生局部畸变,其性质也可以不同于主晶体。

固溶体与机械混合物的区别在于:固溶体是以原子尺度相混合,是单相均匀的;机械混合不是均匀单相的而是多相的。

固溶体与(化学计量)化合物的区别在于:A和B两组元形成固溶体是,组元之间并不存在确定的物质的量比,而形成化学计量化合物时,两组元按确定的物质的量比值化合;固溶体的晶体结构对称性和主晶保持一致,而化合物的晶体结构常与纯组分的不同;固溶体的组成可改变,其性质也会随之而发生变化,而化学计量化合物,它的组成和性质是一定的。

4.1.1.2固溶体的基本特征

(1)固溶体中不同组分之间的互溶是在原子尺度上相互混合的。

(2)生成固溶体后,并不破坏主晶相原有的晶体结构,但是晶胞参数可能有少许改变,因此基本保持了主晶相的特性。

(3)对于大部分固溶体系而言,都存在一定的固溶度(即杂质的溶解极限),这种固溶体称为有限固溶体或不连续固溶体;只有部分体系,两组分可以以任意

比例互溶,这种固溶体称为无限固溶体或连续固溶体。

(4)在固溶度范围之内,杂质含量可以改变,固溶体的结构不会变化,只有单相固溶体;当超出固溶极限后,就会有第2相存在,而不是单相固溶体了。

固溶体可以在晶体生长过程中生成、从溶液中或熔体中析晶时形成、金属冶炼过程中生成、以及烧结中原子扩散而形成。生成固溶体的例子不胜枚举,如Al2O3晶体中溶入一定量Cr2O3生成了红宝石,可以用作饰品及激光器;少量锌溶解于铜中生成α黄铜。

固溶体中由于杂质质点占据正常格点位置或者占据间隙位置,破坏了基质晶体的质点排列的有序性,引起了晶体内周期性势场的畸变,从此角度出发,固溶体也属于点缺陷的范畴。

固溶体在合金、无机固体材料中很常见,人们常常采用固溶体原理来制备或开发各种新的材料,满足科技的发展对材料性能提出的特殊性要求。

4.1.2固溶体的分类

(1)按溶质质点在溶剂晶格中的位置来划分

①置换型固溶体:溶质质点进入主晶相晶格后,占据原来晶体中正常格点位置,即将原来的质点看成被杂质质点所取代,所生成的固溶体称为置换型(或取代型)固溶体,见图5-31。无机固体材料中所形成的固溶体绝大部分属于这种类型,如金属氧化物中生成固溶体一般都是金属离子之间的置换,MgO-CoO、MgO-CaO、PbTiO3-PbZrO3、Al2O3-Cr2O3,Cu-Zn系中的α和η固溶体等也都属此类。

溶质的质点进入主晶体中正常结点位置,例如(Al2-x Cr x)O3,其中0

②间隙型固溶体:如果杂质质点进入主晶相晶格后,占据间隙的位置就生

成间隙型(或填隙型)固溶体,见图5-32。对于无机固体材料,间隙固溶体一般发生在阳离子进入阴离子所形成的间隙中,但是能生成此类固溶体的物质并不多见;生成阴离子填隙型固溶体则更加困难,唯独萤石型物质除外。在合金中,此类固溶体较为常见,金属和H、B、C、N等元素形成的固溶体都是间隙式。

溶质的质点进入溶剂晶格的间隙位置,例如:碳在铁中形成间隙型固溶体。间隙型固溶体大致有四种结构:(a)完全无序,(b)偏聚,(c)部分有序和(d)完全有序。

(2)按溶质在溶剂中的溶解度(固溶度)分类

①连续固溶体:是指溶质和溶剂可以按任意比例相互固溶所生成的固溶体。在这种固溶体中,溶质和溶剂是相对的,一般将占多数的组分作为溶剂。二元系统连续固溶体相图如图5-33所示。溶质和主晶体可以按任意比例无限制地相互溶解,如Mg1-x Ni x O。

②有限固溶体(不连续固溶体):溶质只能以一定的溶解限度(固溶度)溶入溶剂中,低于固溶度条件下生成的固溶体是单相的,一旦溶质超出这一限度即出现第2相。MgO-CaO系只能生成有限固溶体。根据相图可知,溶质的固溶度和温度有关,温度升高,溶解度增加。

溶质原子在主晶体中的溶解度是有限的,如MgO-CaO系统。

(3)根据固溶体在相图中的位置划分

①端部固溶体:位于相图的端部,其成分范围包括纯组元,亦称初级固溶体。

②中间固溶体:它位于相图中间,因而任一组元的浓度均大于0,小于100%,亦称二次固溶体。严格来讲,此类固溶体并不一定具有溶剂的结构了,而可以将其看作是以化合物为基的固溶体。

(4)根据各组元分布的规律性划分

①无序固溶体:其中各组元质点的分布是随机的、无规则的。

②有序固溶体:其中各组元质点的分布分别按照各自的布拉维点阵进行排列,整个固溶体就是由各组元的分点阵组成的复杂点阵,此类结构也称超点阵或超结构。

4.1.3固溶体的书写方法

例如Al2O3掺杂到SrTiO3中,

固溶体反应式的几种可能的写法:

4.1.4置换型固溶体

在金属和无机材料中,常常生成置换型固溶体,特别是无机材料中,此类固溶体最为常见。以天然矿物方镁石(MgO)为例,常含有相当数量的NiO或FeO,

Ni2+和Fe2+置换晶体中Mg2+,生成连续固溶体,由于固溶量在变化,所以其组成也在变化,常写成:Mg1-x Ni x O,其中x = 0~1。还有很多二元体系是生成有限置换型固溶体,其中有些体系的固溶量非常低。

4.1.4.1影响置换型固溶体的生成条件

1.质点尺寸因素

生成置换型固溶体时,质点的大小对生成何种形式置换型固溶体有直接影响,是决定性因素。从晶体结构的稳定观点来看,相互替代的质点尺寸愈接近,则固溶体愈稳定,其固溶量将愈大。设r1为大质点的半径,r2为小质点的半径,记Δ=|(r1-r2)/r1|,经验证明:

当Δ<15%时,溶质和溶剂之间有可能形成连续固溶体;

当Δ=15~30%之间时,溶质和溶剂之间可以形成有限固溶体;

当Δ>30%时,溶质和溶剂之间不易生成固溶体,仅在高温下有少量固溶。

对于合金体系,形成何种形式

置换型固溶体取决于合金元素的

原子半径;对于氧化物离子晶体,

则取决于阳离子半径的大小以及

晶体中正负离子的结合能。质点

尺寸因素对固溶度和所生成的固

溶体的稳定性产生重大影响。

15%规律还应考虑具体的晶体结构。例如PbTiO3和

PbZrO3形成连续固溶体PbZr x Ti1-x O3,则

r A为处于A位离子的半径,r B为B位离子半径,r O

为氧离子半径。t为钙钛矿型结构的容差因子。

当键长改变10%~15%左右时,大多数的晶体会变得

不稳定。

E=-Ar-1+Br-n

式中,A是马德伦常数,r是原子间距,B是排斥系数,n大约为10。

波恩模型实例:K+和Cl-的总势能E与核间距r的关系如上。

2.电价因素(离子价因素)

二组分生成固溶体时,固溶度与它们各自的原子价有关,且高价元素在低价元素中的固溶度大于低价元素在高价元素中的固溶度。只有原子价(或离子价)相同时,才能生成连续固溶体,对于多组元复合取代,则要求总价数相等,满足取代后结构中依然是电中性的要求。上述生成连续固溶体的例子中,实际上它们

都已满足了电价因素。如果取代质点之间价态不同,则最多只能生成有限固溶体。在生成有限固溶体条件下,价态差别越大,固溶度随之降低。如Cu作溶剂,Zn、Ga、Ge、As等2~5价元素在Cu中的初级固溶度分别为38%、20%、12%、7%。

也就是所谓的电中性原理:两种固体只有在离子价相同或同号离子的离子价总和相同时,才可能生成连续固溶体。

包括等价置换:

复合置换:

异价置换:

3.离子的类型和键性

离子类型是指离子的外层电子构型,最外层是8个电子还是18个电子。由于外层电子构型不同,离子的极化性能不同,造成不同的键性。在生成置换型固溶体时,不同类型的离子相互取代是难以进行的。

4.晶体结构类型

两组元形成连续固溶体的必要条件是它们具有相同的晶体结构,如果晶体结构不同,最多只能形成有限型固溶体,所以晶体结构因素也是十分重要的。在如下二元系统中:MgO-NiO、Al2O3-Cr2O3、ThO2-UO2、Cu-Ni、Cr-Mo、Mo-W、Ti-Zr,在满足尺寸因素前提下,正是由于它们具有相同的晶体结构,因而都生成连续固溶体。一般情况下,如果二元体系不满足尺寸因素,即使晶体结构相同,

也很难形成连续固溶体。如Fe2O3和Al2O3,虽然它们都具有刚玉型结构,但由于它们之间半径差D=18.4%,只能形成有限固溶体。对于PbZrO3-PbTiO3系统,Zr4+与Ti4+之间的半径之差D=15.28%,但由于在相变温度以上,对任何Zr4+/Ti4+比,立方晶系结构是稳定的,虽然D大于15%,但高出边界值不多,所以它们仍能形成连续固溶体Pb(Zr x Ti1-x)O3。此例说明了上述规则适用于大部分正常情况,对某些特例可能存在例外,这种例外也只能是当D稍稍高于边界值才会出现,如果差别较大,还是不能形成连续固溶体。所以,当Δ值处于边界值附近时,情况比较复杂,要个别情况个别分析。

两固相晶体结构相同是生成连续固溶体的必要条件,如NiO-MgO为岩盐结构,Cr2O3-Al2O3为刚玉结构,PbZrO3-PbTiO3为立方结构。

晶体结构不相似最多只能生成有限固溶体,如

晶体结构相似性使某些异价离子化合物也能生成固溶体,如MgAl2O4-γ- Al2O3系统。两个纯组元晶体结构相似,能在较大的成分区域生成置换式固溶体。

如CaO-ZrO2系统

5.电负性因素

元素电负性对固溶体和化合物的生成有一定的影响。电负性相近,有利于固

溶体的生成;电负性差别大,倾向于生成化合物。一般来讲,当电负性差值ΔX > 0.4时,固溶度就极小,容易生成化合物。当ΔX < 0.4时,大部分二元系具有较大的固溶度。因此可用电负性差值±0.4作为衡量固溶度大小的边界条件。

6.温度

温度作为一个外因,对固溶体的形成有明显的影响。一般情况下,温度升高有利于固溶体的形成。尤其在一些难熔氧化物中,这种例子是不少的。图5-34所示的MgO-CaO系统相图就清楚表明,随着温度升高,MgO在CaO中的固溶量以及CaO在MgO中的固溶量都是增加的。

质点尺寸、晶体结构和电价这三个最主要的因素对生成置换型固溶体的影响综合于下表。

表质点尺寸、晶体结构和电价因素对生成置换型固溶体的影响

7.场强

电场强度:Z/d2

式中,Z是正离子的价数,d是离子间的距离

离子场强之差:Δ(Z/d2)

Dietzel关系:在二元系统中,生成中间化合物

的数目与正离子场强差成正比。

对于氧化物,正离子场强差越大,生成的化合

物越多,越不易生成固溶体。

4.1.4.2置换型固溶体中的“组分缺陷”

对于离子晶体,生成置换型固溶体时可以有等价置换和不等价置换之分,对于等价置换,除了晶格位置上被杂质质点替代外,不生成其它缺陷,同时晶体依然保持电中性。在不等价置换的固溶体中,为了保持晶体的电中性,必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”——即在原来的结点位置产生空位或者在间隙位置嵌入新的质点。从形式看,它们与热缺陷没有什么不同,都是生成了空位或者间隙质点,但它们有着本质的区别。热缺陷在任何晶体中是普遍存在的,其浓度仅是

温度的函数;而“组分缺陷”仅仅发生在不等价置换的固溶体中,其浓度取决于掺杂量(溶质数量)和固溶度。不等价离子化合物之间,由于它们的晶格类型及电价均不同,因此只能形成有限置换型固溶体,它们之间的固溶度一般较小。

不等价置换固溶体中,可能出现的四种“组分缺陷”归纳如下:

表5-6按上述顺序列出了这四种“组分缺陷”的固溶反应式及其固溶体化学式。

上面在写出固溶反应式的同时,也写出了固溶体化学式,简称固溶式。固溶反应式的写法本质上与前面所述的缺陷反应式写法没有区别,此外,读者还要掌握固溶式的写法。

在具体的系统中,究竟出现哪一种“组分缺陷”,目前尚无法从热力学计算来判断,但我们可以从已掌握的晶体结构知识作初步判断:对于生成空位,都是可能发生的;对于氧化物离子晶体,因为阴离子半径比较大,而晶体结构中空隙一般较小,所以进入间隙位置一般很少见,形成填隙会使晶体内能增大而不稳定;只有萤石型结构是例外,恰恰是以生成阴离子填隙为主要缺陷,这一例外必须牢记;对于阳离子填隙,必须综合考虑其离子半径和晶体结构中空隙的大小,如果离子半径小而空隙大,也是可以生成阳离子填隙的,否则不容易形成。

可以利用不等价置换产生“组分缺陷”以满足制造不同材料的需要,也可以利用所产生的空位或者填隙造成晶格畸变,使晶格活化,有利于以扩散现象为基础的一系列高温过程,如固相反应、相转变和烧结过程等。在Al2O3材料中加入1~2%TiO2可使其烧结温度降低近300°C,ZrO2材料中加入少量CaO作为晶型转

变稳定剂,避免有害的体积效应,提高了ZrO2材料的热稳定性。ZrO2电解质材料就是因为Y2O3掺杂,产生大量组分缺陷,成为阴离子快离子导体。

【附录】置换型固溶体生成机制

1.等价置换固溶体

2.异价不等置换固溶体

(1)空位机构

引入比主晶体低价的正离子,造成阴离子空位。

引入比主晶体高价的正离子,造成阳离子空位。

(2)填隙机构

高价阳离子置换低价阳离子,造成阴离子填隙。

低价阳离子置换高价阳离子,造成阳离子填隙。

(3)变价机构

形成氧化物固溶体的金属元素能够发生变价,通过变价的方式,而不是靠填隙子或空位缺陷来满足电中性条件。

(4)补偿机构

引入高价和低价互补的阳离子。

置换主晶体中的两种不同的阳离子。

双重置换固溶体。

4.1.5 填隙型固溶体

如果杂质质点比较小,而晶体中空隙又较

大,那么它们就能进入晶格的间隙位置内形成间

隙型固溶体。这类固溶体在金属系统中比较普

遍,但在无机非金属固体材料中不是很普遍。

1.形成填隙型固溶体的条件

(1)溶质质点的半径小和溶剂晶格结构空

隙大容易形成间隙型固溶体。如硅酸盐片沸石结构中空隙很大,CaF2型结构中有配位数为8的较大孔隙存在,因此当小半径的杂质进入后,可以生成间隙型固溶体。

形成填隙型固溶体的能力主要与外来原子的尺寸及主晶体结构中间隙的大小有关。形成填隙式固溶体的可能性和固溶度大小的顺序是:

沸石>金红石>MgO

(2)形成间隙型固溶体也必须保持结构中的电中性,一般形成空位或者部分置换来达到。

2.常见的填隙型固溶体

①原子填隙:金属晶体中,这种缺陷是比较容易发生的,原子半径较小的

H、C、B等元素易进入晶格间隙中形成间隙型固溶体,钢就是C在Fe中的填隙型固溶体。

②阳离子填隙:一般情况下,大部分无机离子晶体中不太容易出现阳离子

填隙,只有少数情况下能够发生。当CaO加入到ZrO2中,当其加入量小于15%时,并且在1800°C高温下才可发生下列反应,生成填隙型固溶体:

③阴离子填隙:对于大部分无机离子晶体,阴离子填隙是很不容易发生的,但它却是CaF2型结构的主要缺陷类型。将YF3加入到CaF2中,形成(Ca1-x Y x)F2+x 固溶体,其缺陷反应式为:

Li2TiO3形成固溶体时

在矿物学中,固溶体常被看作类质同象的同义词。类质同象(类质同晶)的定义是:物质结晶时,其晶体结构中原有离子或原子的配位位置被介质中部分性质相似的其它种离子或原子所占有,共同结晶成均匀的、呈单一相的混合晶体,但不引起键性和晶体结构发生质变的现象。显然,与类质同晶概念相同的是只是固溶体中的置换型,而不包括填隙式固溶体。

4.2非化学计量化合物

4.2.1非化学计量化合物的概念

凡是偏离了定比定律的化合物都称为非化学计量化合物。

非化学计量化合物可以从以下两个方面加以规定:

纯粹化学定义多规定的非化学计量化合物,是指化学分析、X射线衍射分析和平衡蒸汽压测定等手段能够确定的、组成偏离化学计量的、均匀的物相,如FeO1+x等;从点阵结构上看,非化学计量化合物组成的偏离值也可能很小,以致不能用化学分析或X射线衍射分析等觉察出来,但可以由测量其光学、电学和磁学的性质来研究它们。这类低偏离化学计量的化合物具有重要的技术性能,是固体化学因而也是无机材料化学要重点讨论的对象,典型的例子是:Fe2+氧化物的稳定范围(FeO1.05~0.15)并不是1:1。

晶体的点缺陷和化学计量的关系如下:

纯的化学计量的二元化合物M a X b,在正常晶格结点位置的X原子和M原子的浓度比为:

实际晶体的组成可用M a X b(1+δ)来表示

偏离化学计量的值为:

晶体的原生本征缺陷不会影响其化学计量。

对于弗仑克尔缺陷:

可以证明:

对于肖特基缺陷:

可以证明:

4.2.2非化学计量化合物的处理

1.把非化学计量化合物看做是以纯的完整晶体结构为基础、由与主晶体组成相同的异价“杂质”所得的固溶体。

2.把非化学计量化合物看做是一种含有少量异价“杂质”的晶体,不管这种“杂质”是外来的还是金属离子本身变价而成的。

4.2.3非化学计量化合物的典型类型(参见第3章)

1.阴离子空位(M a X b-y)型非化学计量化合物

例如:TiO2-y,ZrO2-y,CeO2-y等

氧分压较低时得到灰黑色非化学计量化合物,产生色心。由于陷落电子能吸收一定波长的光发生跃迁而使晶体着色,故而得名色心。

2. 阳离子空位(M a-y X b)型非化学计量化合物

例如:Fe1-y O

因而是p型半导体

由于

3.阴离子填隙(M a X b+y)型非化学计量化合物

例如:UO2+y

4. 阳离子填隙(M a+y X b)型非化学计量化合物

例如:Zn1+y O和Cd1+y O

假设锌蒸气进入晶体后,Zn原子充分离解成2价的Zn2+

假设Zn原子的离子化程度不足,形成Zn+

lgσ~lg p O2作图证明为单电荷填隙。

氧化锌气敏材料的研制

用施主掺杂产生准自由电子来控制电导率。

用受主掺杂产生准自由电子空穴来调节电导率。

非化学计量化合物小结

非化学计量化合物中的不等价置换是发生在同一种离子中的高价态与低价态间的相互置换,是不等价置换固溶体中的一个特例;非化学计量化合物的产生及其缺陷的浓度与气氛的性质及气压的大小密切相关;非化学计量化合物都是半导体,不是n型半导体,便是p型半导体。

4.3固溶体和非化学计量化合物的研究方法

固溶体的生成可以用各种相分析手段和结构分析方法进行研究。因为不论何种类型的固溶体,都将引起结构上的某些变化以及反映在性质上的相应变化。前已述及,生成固溶体虽然不会改变晶体结构的类型,但可以使晶胞参数略有改变。生成固溶体后性能上的变化如密度、光学性质、电学性质等变化。因此,可以用X射线结构分析精确测定晶胞参数,用排水法精确测定固溶体的密度,根据预期生成的固溶体的理论固溶式,计算出固溶体的理论密度,再与实测的密度进行比

较,以此来判定所生成的固溶体及其组分、

鉴别固溶体的类型等。

盐类二元系统等价置换固溶体,晶胞参

数的变化服从维加定律:

a = a 1 + (a 2 – a 1)c

式中,a 为固溶体晶胞参数,c 为溶质浓度,

a 1为基质晶体晶胞参数,

a 2为溶质晶胞参数。 上图为Ba(Zn 1/3N

b 2/3)O 3-PbTiO 3系统的

晶胞参数及c /a 轴比随物质的量分数

x (PbTiO 3)的变化。

但是,对于许多无机非金属材料,并不

能很好地符合维加定律。研究固溶体时,主要通过测定晶胞参数,计算固溶体的理论密度,再与实验精确测定的固溶体实际密度值进行对比来分析判断。

设:D 为实验测定密度值,D 0为计算的理论密度,g i 为单位晶胞内第i 种原子(离子)质量,V 为单位晶胞体积,则

01/n

i i D g V ==∑ 其中,i i i i g R

=(原子数目)(占有因子)(原子质量;对于立方晶系,V = a 3,六方

晶系2V c =,这里a 和c 为六方晶系的晶胞参数。 对于金属材料,

若D < D 0,则固溶体为缺位型;若D = D 0,则固溶体为置换型;若D > D 0,则固溶体为间隙型。

具体地说,有以下几种研究方法。

1.微质量法

通过精确地测定试样在给定的温度条件下质量随气氛的变化,来推知该晶体中主要的缺陷种类和缺陷浓度的信息。例如:

对于Fe 1-y O ,有

对于UO 2+y ,有

2.化学分析法 化学分析法难以准确测定费化学计量化合物的组成,但可用来测定非化学计量化合物中的金属原子(离子)是过量或欠量。例如:

FeO 1+δ在一定气氛条件下将其溶解,生成Fe 3+和Fe 2+的溶液,用Ce(SO 4)2可滴定其中Fe 2+的含量。

3.差热分析法

利用主晶体某些性质的变化,例如相变温度的变化,来判断杂质是否进入主晶体生成固溶体。

4.X 射线衍射粉末法

进行定性的物相分析,获得晶格参数的信息。(见维加定律)

5.密度法

CaO 溶入ZrO 2生成的固溶体可能的机理如下

(1)生成置换型固溶体——阴离子空位模型

(2)生成填隙型固溶体——阳离子填隙模型

理论密度d t 的计算:t m d V

= 式中,m 为固溶体的晶胞质量,1

n

i i m m ==∑;V 为晶胞体积。

晶胞中i 原子的相对原子质表示为:

例如,生成置换型固溶体的分子式可写成Ca 0.85Zr 0.15O 1.85,因为是萤石型结构,每个晶胞中有4个阳离子位置和8个阴离子位置。

XRD 分析得到晶胞参数为5.13×10-10m ,故晶胞体积为V =a 3=1.35×10-28 m 3。

25

33287.510 5.6101.3510

t m d kg m V ???×===×?× 若按生成填隙型固溶体的固溶式Zr 1-x Ca 2x O 2计算,结果为d t =6.02×103kg·m -3 实验测定的密度为d =5.477×103kg·m -3

立方晶型CaO-ZrO 2固溶体的密度d 与物质的量分数x (CaO)的关系如下图所示,其中(a)为1873K 淬冷试样,(b)为2073K 淬冷试样。

再如,CaCl 2添加到KCl 生成的固溶体,当KCl 中添加CaCl 2时,生成钾空位;横坐标为Ca 2+与K +离子数之比,纵坐标为固溶体的密度。

6.固溶体的结构和性能

()五固溶体的结构 固溶体的结构发生了变化: 虽然固溶体仍保持着溶剂的晶格类型,但若与纯组元相比,结构还是发生了变化,有的变化还相当大,主要表现在以下凡个方面:晶格畸变;偏聚与有序;有序固溶体 ()A晶格畸变 造成晶格畸变形成弹性应力场 由于溶质与溶剂的原子大小不同,因而在形成固溶体时,必然在溶质原子附近的局部范围内造成晶格畸变,并因此而形成一个弹性应力场。 晶格畸变的大小可由晶格常数的变化所反映 对置换固溶体来说,当溶质原子较溶剂原子大时,晶格常数增加;反之,当溶质原子较溶剂原子小时,则晶格常数减小。形成间隙固溶体时,晶格常数总是随着溶质原子的溶入而增大。 ()B偏聚与有序 1.长期以来,人们认为溶质原于在固溶体中的分布是统计的、均匀的和无序的, 如图3-8a所示。 2.但经X射线精细研究表明,溶质原子在固溶体中的分布,总是在一定程度上 偏离完全无序状态,存在着分布的不均匀性 3.当同种原子间的结合力大于异种原子间的结合力时,溶质原子倾向于成群地 聚集在一起,形成许多偏聚区图3.8

4. 反之,当异种原子(即溶质原子和溶剂原子)间的结合力较大时,则溶质原 子的近邻皆为溶剂原子,溶质原子倾向于按一定的规则呈有序分布,这种有序分布通常只在短距离小范围内存在,称之为短程有序(图3-8c) ()C 有序固溶体 有序固溶体的概念 ● 具有短程有序的固溶体,当低于某一温度时,可能使溶质和溶剂原子在整个 晶体中都按―定的顺序排列起束,即由短程有序转变为长程有序,这样的固溶体称为有序固溶体。 ● 当溶质原子按适当比例并按一定顺序和一定方向,围绕着溶剂原子分布时, 这种固溶体就叫有序固溶体 有序固溶体有确定的化学成分可以用化学式来表示 ● 例如在Au Cu -合金中,当两组元的原子数之比()Au Cu :即等于1:1()CuAu 和 3:1()Au Cu 3时,在缓慢冷却条件下,两种元素的原子在固溶体中将由无序排列转变为有序排列,铜、金原子在晶格中均占有确定的位置,如图3.9所示 ● 对CuAu 来说,铜原子和金原于按层排列于()001晶面上,一层晶面上全部是 铜原子,相邻的一层全部是金原子 ● 由于铜原子较小,故使原来的面心立方晶格略变形为93.0=a c 的四方晶格 ● 对Au Cu 3来说,金原子位于晶胞的顶角上,铜原子则占据面心位置 固溶体的有序化温度: 当有序固溶体加热至某一临界温度时,将转变为无序固溶体,而在缓慢冷却至这一温度时,又可转变为有序固溶体。这一转变过程称为有序化.发生有序化的临界温度称为固溶体的有序化温度。

固溶体和非化学计量化合物

4.固溶体和非化学计量化合物 4.1固溶体 液体有纯溶剂和含有溶质的溶液之分,对于液体溶液,大家都已熟知,是由溶质以分子级均匀程度溶解到溶剂中所形成的。类似地,对于固体也有纯晶体和含有杂质的固体溶液之分,后者是指晶体中含有外来杂质,简称固溶体。 4.1.1 固溶体的定义和特征 4.1.1.1固溶体的定义 凡在固体条件下,一种组分(溶剂)内“溶解”了其它组分(溶质)而形成的单一、均匀的晶态固体称为固溶体。或者定义为:固溶体是指一种组元(组分)因“溶解”了其他组元而形成的单相晶态固体。 如果固溶体是由A物质溶解在B物质中形成的,一般将组分B称为溶剂(或主晶相、基质),将组分A称为溶质(或掺杂质点、杂质)。如果两种组分可以互溶,那么就将含量高的那种称为溶剂,含量低的称为溶质。 固溶体与主晶体的区别在于:主晶体一般可以是单组元,而固溶体一定是多组元;固溶体的晶体结构常发生局部畸变,其性质也可以不同于主晶体。 固溶体与机械混合物的区别在于:固溶体是以原子尺度相混合,是单相均匀的;机械混合不是均匀单相的而是多相的。 固溶体与(化学计量)化合物的区别在于:A和B两组元形成固溶体是,组元之间并不存在确定的物质的量比,而形成化学计量化合物时,两组元按确定的物质的量比值化合;固溶体的晶体结构对称性和主晶保持一致,而化合物的晶体结构常与纯组分的不同;固溶体的组成可改变,其性质也会随之而发生变化,而化学计量化合物,它的组成和性质是一定的。 4.1.1.2固溶体的基本特征 (1)固溶体中不同组分之间的互溶是在原子尺度上相互混合的。 (2)生成固溶体后,并不破坏主晶相原有的晶体结构,但是晶胞参数可能有少许改变,因此基本保持了主晶相的特性。 (3)对于大部分固溶体系而言,都存在一定的固溶度(即杂质的溶解极限),这种固溶体称为有限固溶体或不连续固溶体;只有部分体系,两组分可以以任意

工程材料与热处理第3章作业题参考答案

1.置换固溶体中,被置换的溶剂原子哪里去了 答:溶质把溶剂原子置换后,溶剂原子重新加入晶体排列中,处于晶格的格点位置。 2.间隙固溶体和间隙化合物在晶体结构与性能上的区别何在举例说明之。 答:间隙固溶体是溶质原子进入溶剂晶格的间隙中而形成的固溶体,间隙固溶体的晶体结构与溶剂组元的结构相同,形成间隙固溶体可以提高金属的强度和硬度,起到固溶强化的作用。如:铁素体F是碳在α-Fe中的间隙固溶体,晶体结构与α-Fe相同,为体心立方,碳的溶入使铁素体F强度高于纯铁。 间隙化合物的晶体结构与组元的结构不同,间隙化合物是由H、B、C、N等原子半径较小的非金属元素(以X表示)与过渡族金属元素(以M表示)结合,且半径比r X/r M>时形成的晶体结构很复杂的化合物,如Fe3C间隙化合物硬而脆,塑性差。 3.现有A、B两元素组成如图所示的二元匀晶相图,试分析以下几种说法是否正确为什么 (1)形成二元匀晶相图的A与B两个相元的晶格类型可以不同,但是原子大小一定相等。 (2)K合金结晶过程中,由于固相成分随固相线变化,故已结晶出来的固溶体中含B 量总是高于原液相中含B量. (3)固溶体合金按匀晶相图进行结晶时,由于不同温度下结晶出来的固溶体成分和剩余液相成分不相同,故在平衡态下固溶体的成分是不均匀的。 答:(1)错:Cu-Ni合金形成匀晶相图,但两者的原子大小相差不大。 (2)对:在同一温度下做温度线,分别与固相和液相线相交,过交点,做垂直线与成分线AB相交,可以看出与固相线交点处B含量高于另一点。 (3)错:虽然结晶出来成分不同,由于原子的扩散,平衡状态下固溶体的成分是均匀的。 4.共析部分的Mg-Cu相图如图所示:

第五章-固溶体和非化学计量化合物

第五章固溶体和非化学计量化合物 习题 1试从组成、相数、独立组元数和性质的改变等方面出发,比较固溶体、化学计量化合物和低共熔物三者间的异同点,请列表说明。 2MgO、α-Al2O3和Cr2O3的阳离子半径分别为4.7×10-11m、3.6×10-11m和4.0×10-11m。请按可能的固溶反应式回答:(1)α-Al2O3和Cr2O3能形成连续固溶体吗?为什么?(2)MgO–Cr2O3系统的固溶度如何?为什么?(3)α-Al2O3–Cr2O3和MgO–Cr2O3这两个系统所形成的固溶体在电性能(例如电导和电场均匀性)方面有何差别?为什么? 3分析PbZrO3–PbTiO3二元系统并观察该系统在常温附近的相图(图5–4),试回答:(1)该系统能否形成连续固溶体?(2)图5–4的相图属于什么基本类型(或其某一部分)?(3)二元系统内的固溶体发生晶型转变时,自由度等于多少?它们分别由什么来体现?这种情况和单元系统有什么不同。 4若把Al2O3加入到MgO主晶体中,试回答:(1)形成何种类型的固溶体? 固溶度大小如何?试解释之。(2)请写出缺陷反应方程式,试说明固溶体的密度和电性能随着Al2O3加入的变化趋势。 5简述固溶体常见的两种分类方法和不同类型。试分析填隙型固溶体有否可能同时又是连续固溶体? 6在Al2O3中掺杂物质的量百分数分别为0.5%的NiO和0.02%的Cr2O3,制成金黄色的人造黄玉,经分析是形成了置换型固溶体[27]。试写出固溶反应式和人造黄玉的固溶分子式。 7设想在ZrO2中掺杂CaO,并在700 K下进行热处理,试问随着掺杂量的增加,系统会出现什么晶相? 8 举例说明由于生成异价置换固溶体,造成组成和结构缺陷,因而对晶格活性产生影响的两种不同情况。 9 生成固溶体是否一定会同时产生“组成和结构缺陷”?此种缺陷与等价置换或异价置换有何关系?请按氧化物固溶体的不同生成机制逐一说明。 10试阐明晶体本征缺陷、固溶体和非化学计量缺陷这三者之间的相同和不同点。不同点可从缺陷形成原因、缺陷分类、缺陷(固溶)反应式形式、影响缺陷浓度的因素(T、p等)、缺陷形成条件等几个方面,列简表比较。固溶体请按连续固溶体和有限固溶体分别讨论。非化学计量化合物请以二氧化钛、氧化锌、二氧化铀和氧化铁为例分别说明。 11试以固溶反应式表示非化学计量化合物的形成。请以氧化铁、二氧化铀、氧化锌和二氧化钛为例讨论。 12如果只考虑气氛的影响,试分析在什么样的氧分压条件下,可以获得某种特定的化学计量化合物(请分别讨论4种类型)? 13某些固体(如氧化镍、氧化钴等)能从气相中吸附与阴离子组成相同的气态分子X2(如O2、Cl2等),随即这些气态分子又转变为化学吸附态原子[4]。这样,在表面处便生成X–和相应的阳离子空位,表

非化学计量化合物

§5.5 非化学计量化合物 道尔顿的定比定律圆满地解释了有机化学中分子晶体的许多现象,虽然它有时需要加以修正,才能用以说明单键、双键、叁键、链状或环状化合物的结构问题[4]。后来研究发现,这种严格按化学计量形成的化合物其实是一种很特殊的情况,大多数原子或离子晶体化合物并不符合定比定律,其正负离子的比,并不是一个简单、固定的值。它们呈现范围很宽的组成,并且组成和具体结构之间没有简单的对应关系(或化学同一性)[18],这些化合物被称为非化学计量化合物[7, 8, 19, 20]、非化学计量比化学物[32]、非化学 配比化合物[5]或非整比化合物[3,4](英文一般统称为nonstoichiome-tric compounds),或被称为偏离整比的化合物[4](compounds deviated from stoichiometry)。基于这些理由,苏勉曾指出[4],非化学计量化合物可以从以下两个方面加以规定: 一、纯粹化学定义所规定的非化学计量化合物,是指用化学分析、X射线衍射分析和平衡蒸气压测定等手段能够确定的、组成偏离化学计量的、均匀的物相,例如FeO1+y等。 二、从点阵结构上看,非化学计量化合物组成的偏离值也可能很小,以致不能用化学分析或X射线衍射分析等觉察出来,但可以由测量其光学、电学和磁学的性质来研究它们。这类低偏离化学计量的化合物具有重要的技术性能,是固体化学因而也是无机材料化学要重点讨论的对象。 自20世纪20年代起人们便已知道,化学计量FeO的组成并没有落在实际存在的Fe2+氧化物的稳定范围(FeO1.05 )内[18]。传统的观点认为这是由于它存在着缺陷,导致组成偏离 ~1.15 实际上是非化学计量氧化亚铁组成的稳定范围。对非化学计量化合物化学计量。FeO1.05 ~1.15 的进一步研究导致了这样一种相反的观点:既然“缺陷”之间会发生显著的相互作用(例如缔合)并使自己有序化,以至有时它们的存在甚至对固体的完整结构是必不可少的[3](例如像超亲水TiO2薄膜的氧离子空位V O··那样[21~23],详见§4.8);既然缺陷的存在有时会在很大的程度上决定了固体物质(例如半导体)的性质,那么又怎能把它们看成是一种“缺陷”[3]? 5.5.1 晶体的点缺陷和化学计量的关系,基本的缺陷反应方程式 从第四章缺陷化学对点缺陷的描述中可以推论出,在化合物中如果只存在某类缺陷中的一种缺陷(例如弗仑克尔缺陷中的填隙原子),会导致一个成分过量或另一个成分短缺。因此,为保持化学计量的组成,必然要有两种或两种以上的缺陷同时存在[4]。这种保持晶体化学计量组成的倾向是很有趣的。这些缺陷成对出现,相互间具有一定的浓度关系,对化学计量产生相反的影响,被称为缺陷对或共轭缺陷[4](参见本节后半部分及5.5.9小节)。 可以把原生本征缺陷(primary native defect)[4](指不包括非化学计量缺陷的本征缺陷)的浓度,与化合物偏离化学计量值Δ联系起来讨论。设有一个纯的化学计量的二元化合物,其分子式为M a X b,处在正常晶格结点位置的X原子和M原子的浓度(格位浓度)比为 。 (5–25) 此化合物实际晶体的组成可用M a X b(1+δ)来表示,δ是一个很小 的正值或负值[4],它与化合物偏离化学计量的程度有关。在实际晶体中,X原子和M 原子的浓度之比为 。 (5–26) 所以,偏离化学计量的值为[4]

无机材料科学基础习题与解答

名词解释(a )弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b )刃型位错和螺型位错 (c )类质同象与同质多晶解:(a )当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。(b )滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。(c )类质同象:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有,共同组成均匀的、呈单一相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。 6-3 名词解释(并比较其异同) ⑴晶子学说:玻璃内部是由无数“晶子”组成,微晶子是带有晶格变形的有序区域。它们分散在无定形介中质,晶子向无定形部分过渡是逐渐完成 时,二者没有明显界限。 无规则网络学说:凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样,也是由一个三度空间网络所构成。这种网络是由离子多面体(三角体或四 面体)构筑起来的。晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成,而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。 ⑵单键强:单键强即为各种化合物分解能与该种化合物配位数的商。 ⑶分化过程:架状[SiO 4]断裂称为熔融石英的分化过程。 缩聚过程:分化过程产生的低聚化合物相互发生作用,形成级次较高的聚合物,次过程为缩聚过程。 ⑷网络形成剂:正离子是网络形成离子,对应氧化物能单独形成玻璃。即凡氧化物的单键能/熔点﹥ 者称为网络形成剂。 网络变性剂:这类氧化物不能形成玻璃,但能改变网络结构,从而使玻璃性质改变,即单键强/熔点﹤ 者称为网络变形剂。 试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。 解:1.离子尺寸因素 :从晶体稳定性考虑,相互替代的离子尺寸愈相近,则固溶体愈稳定。若以r 1和r 2分别代表半径大和半径小的两种离子的半径。 当它们半径差< 15%时,形成连续置换型固溶体。若此值在15~30%时,可以形成有限置换型固溶体。而此值>30%时,不能形成固溶体。 2、晶体的结构类型:形成连续固溶体的两个组分必须具有完全相同的晶体结构。结构不同最多只能生成有限固溶体。 3、离子的电价因素:只有离子价相同或复合替代离子价总和相同时,才可能形成连续置换型固溶体。 4、电负性因素:电负性相近,有利于固溶体的生成。 试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl 中K+或进入到KCl 间隙中去的两种点缺陷反应表示式。 解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。在MX 晶体中,间隙原子的表示符号为MI 或XI ;空位缺陷的表示符号为:VM 或VX 。如果进入MX 晶体的杂质原子是A ,则其表示符号可写成:AM 或AX (取代式)以及Ai (间隙式)。 当CaCl2中Ca2+置换KCl 中K+而出现点缺陷,其缺陷反应式如下: CaCl 2++2Cl Cl CaCl2中Ca2+进入到KCl 间隙中而形成点缺陷的反应式为: CaCl 2+2 +2Cl Cl 在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么? 解:位置平衡是指在化合物MaXb 中,M 格点数与X 格点数保持正确的比例关系,即M :X=a :b 。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。 (a )在CaF2晶体中,肖特基缺陷的生成能为,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。 (b )如果MgO 晶体中,含有百万分之一mol 的YF3杂质,则在1600℃时,CaF3晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。 解:因为n/N=exp (-?Gf/2kT ) ?Gf=××10-19=×10-19J T=1600+273=1873K 所以 n/N=exp (×10-19/2××10-23×1873)= exp ()=×10-8 (5分) 在CaF2晶体中,含有百分之一的YF3 杂质,缺陷方程如下: F i Ca CaF F F Y YF 2'32++??→?? 此时产生的缺陷为' i F ,]['i F =10-6大于热缺陷浓度×10-8,故在1873K 时杂质缺陷占优势 或 F Ca Ca CaF F V Y YF 622''32 ++??→?? )

材料结构与性能试题及答案

《材料结构与性能》试题2011级硕士研究生适用 一、名词解释(20分) 原子半径,电负性,相变增韧、Suzuki气团 原子半径:按照量子力学的观点,电子在核外运动没有固定的轨道,只是概率分布不同,因此对原子来说不存在固定的半径。根据原子间作用力的不同,原子半径一般可分为三种:共价半径、金属半径和范德瓦尔斯半径。通常把统和双原子分子中相邻两原子的核间距的一半,即共价键键长的一半,称作该原子的共价半径(r c);金属单质晶体中相邻原子核间距的一半称为金属半径(r M);范德瓦尔斯半径(r V)是晶体中靠范德瓦尔斯力吸引的两相邻原子核间距的一半,如稀有气体。 电负性:Parr等人精确理论定义电负性为化学势的负值,是体系外势场不变的条件下电子的总能量对总电子数的变化率。 相变增韧:相变增韧是由含ZrO2的陶瓷通过应力诱发四方相(t相)向单斜相(m相)转变而引起的韧性增加。当裂纹受到外力作用而扩展时,裂纹尖端形成的较大应力场将会诱发其周围亚稳t-ZrO2向稳定m-ZrO2转变,这种转变为马氏体转变,将产生近4%的体积膨胀和1%-7%的剪切应变,对裂纹周围的基体产生压应力,阻碍裂纹扩展。而且相变过程中也消耗能量,抑制裂纹扩展,提高材料断裂韧性。 Suzuki气团:晶体中的扩展位错为保持热平衡,其层错区与溶质原子间将产生相互作用,该作用被成为化学交互作用,作用的结果使溶质原子富集于层错区内,造成层错区内的溶质原子浓度与在基体中的浓度存在差别。这种不均匀分布的溶质原子具有阻碍位错运动的作用,也成为Suzuki气团。 二、简述位错与溶质原子间有哪些交互作用。(15分) 答:从交互做作用的性质来说,可分为弹性交互作用、静电交互作用和化学交互作用三类。 弹性交互作用:位错与溶质原子的交互作用主要来源于溶质原子与基体原子间由于体积不同引起的弹性畸变与位错间的弹性交互作用。形成Cottrell气团,甚至Snoek气团对晶体起到强化作用。弹性交互作用的另一种情况是溶质原子核基体的弹性模量不同而产生的交互作用。 化学交互作用:基体晶体中的扩展位错为保持热平衡,其层错区与溶质原子间将产生相互作用,该作用被成为化学交互作用,作用的结果使溶质原子富集于层错区内,造成层错区内的溶质原子浓度与在基体中的浓度存在差别,具有阻碍位错运动的作用。 静电交互作用:晶体中的位错使其周围原子偏离平衡位置,晶格体积发生弹性畸变,晶格畸变将导致自由电子的费米能改变,对于刃型位错来讲,滑移面上下部分晶格畸变量相反,导致滑移面两侧部分的费米能不相等,导致位错周围电子需重新分布,以抵消这种不平衡,从而形成电偶极,位错线如同一条电偶极线,在它周围存在附加电场,可与溶质原子发生静电交互作用。 三、简述点缺陷的特点和种类,与合金的性能有什么关系(15分) 答:点缺陷对晶体结构的干扰作用仅波及几个原子间距范围的缺陷。它的尺寸在所有方向上均很小。其中最基本的点缺陷是点阵空位和间隙原子。此外,还有杂质原子、离子晶体中的非化学计量缺陷和半导体材料中的电子缺陷等。 在较低温度下,点缺陷密度越大,对合金电阻率影响越大。另外,点缺陷与合金力学性能之间的关系主要表现为间隙原子的固溶强化作用。

第三章 习题解答

第三章习题解答 3,7,10,11,25 3/113、非化学计量化合物有何特点?为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料? 解答:非化学计量化合物的特点:非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关;可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体;缺陷浓度与温度有关,这点可以从平衡常数看出;非化学计量化合物都是半导体。由于负离子缺位和间隙正离子使金属离子过剩,产生金属离子过剩(n 型)半导体,正离子缺位和间隙负离子使负离子过剩,产生负离子过剩(p 型)半导体。 、说明下列符号的含义: 6/113 解答:钠原子空位, 钠离子空位、带一个单位负电荷, 氯离子空位、带一个单位正电荷, 最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心, Ca2+占据K位置、带一个单位正电荷, Ca原子位于Ca原子位置上, Ca2+处于晶格间隙位置。 1

2 7/113、写出下列缺陷反应式:(l )NaCl 溶入CaCl 2中形成空位型固溶体; (2)CaCl 2溶入NaCl 中形成空位型固溶体;(3)NaCl 形成肖特基缺陷; (4)AgI 形成弗伦克尔缺陷(Ag +进入间隙)。 解答: (l )NaCl 溶入CaCl 2中形成空位型固溶体 ?++??→?Cl Cl Ca CaCl V Cl Na' NaCl 2 (2)CaCl 2 溶入NaCl 中形成空位型固溶体 'N a Cl N a N aCl 2V Cl 2Ca CaCl ++??→?? (3)NaCl 形成肖特基缺陷 ?+→Cl N a 'V V O (4)Agl 形成弗伦克尔缺陷(Ag +进入间隙) A g 'i A g V Ag Ag +→? 10/113、MgO 晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol ,计算该晶体1000K 和1500K 的缺陷浓度。(答:6.4×10-3,3.5×10-2)。 解答: n/N = exp(-E/2RT),R=8.314, T=1000K :n/N=6.4×10-3; T=1500K :n/N=3.5×10-2。

《材料结构与性能》习题

《材料结构与性能》习题 第一章 1、一25cm长的圆杆,直径2.5mm,承受的轴向拉力4500N。如直径拉细成 2.4mm,问: 1)设拉伸变形后,圆杆的体积维持不变,求拉伸后的长度; 2)在此拉力下的真应力和真应变; 3)在此拉力下的名义应力和名义应变。 比较以上计算结果并讨论之。 2、举一晶系,存在S14。 3、求图1.27所示一均一材料试样上的A点处的应力场和应变场。 4、一陶瓷含体积百分比为95%的Al2O3(E=380GPa)和5%的玻璃相(E=84GPa),计算上限及下限弹性模量。如该陶瓷含有5%的气孔,估算其上限及下限弹性模量。 5、画两个曲线图,分别表示出应力弛豫与时间的关系和应变弛豫和时间的关系。并注出:t=0,t=∞以及t=τε(或τσ)时的纵坐标。

6、一Al2O3晶体圆柱(图1.28),直径3mm,受轴向拉力F ,如临界抗剪强度τc=130MPa,求沿图中所示之一固定滑移系统时,所需之必要的拉力值。同时计算在滑移面上的法向应力。 第二章 1、求融熔石英的结合强度,设估计的表面能为1.75J/m2;Si-O的平衡原子

间距为

1.6×10-8cm;弹性模量值从60到75GPa。 2、融熔石英玻璃的性能参数为:E=73GPa;γ=1.56J/m2;理论强度。如材料中存在最大长度为的内裂,且此内裂垂直于作用力的方向,计算由此而导致的强度折减系数。 3、证明材料断裂韧性的单边切口、三点弯曲梁法的计算公式: 与 是一回事。 4、一陶瓷三点弯曲试件,在受拉面上于跨度中间有一竖向切口如图2.41所示。如果E=380GPa,μ=0.24,求KⅠc值,设极限载荷达50㎏。计算此材料的断裂表面能。 5、一钢板受有长向拉应力350 MPa,如在材料中有一垂直于拉应力方向的中心穿透缺陷,长8mm(=2c)。此钢材的屈服强度为1400MPa,计算塑性区尺寸r0及其与裂缝半长c的比值。讨论用此试件来求KⅠc值的可能性。

《材料结构与性能》习题教学文案

《材料结构与性能》 习题

《材料结构与性能》习题 第一章 1、一25cm长的圆杆,直径2.5mm,承受的轴向拉力4500N。如直径拉细成2.4mm,问: 1)设拉伸变形后,圆杆的体积维持不变,求拉伸后的长度; 2)在此拉力下的真应力和真应变; 3)在此拉力下的名义应力和名义应变。 比较以上计算结果并讨论之。 2、举一晶系,存在S14。 3、求图1.27所示一均一材料试样上的A点处的应力场和应变场。 4、一陶瓷含体积百分比为95%的Al2O3(E=380GPa)和5%的玻璃相(E=84GPa),计算上限及下限弹性模量。如该陶瓷含有5%的气孔,估算其上限及下限弹性模量。 5、画两个曲线图,分别表示出应力弛豫与时间的关系和应变弛豫和时间的关系。并注出:t=0,t=∞以及t=τε(或τσ)时的纵坐标。

6、一Al2O3晶体圆柱(图1.28),直径3mm,受轴向拉力F ,如临界抗剪强度τc=130MPa,求沿图中所示之一固定滑移系统时,所需之必要的拉力值。同时计算在滑移面上的法向应力。 第二章

1、求融熔石英的结合强度,设估计的表面能为1.75J/m2;Si-O的平衡原子间距为1.6×10-8cm;弹性模量值从60到75GPa。 2、融熔石英玻璃的性能参数为:E=73GPa;γ=1.56J/m2;理论强度。如材料中存在最大长度为的内裂,且此内裂垂直于作用力的方向,计算由此而导致的强度折减系数。 3、证明材料断裂韧性的单边切口、三点弯曲梁法的计算公式: 与 是一回事。 4、一陶瓷三点弯曲试件,在受拉面上于跨度中间有一竖向切口如图2.41所示。如果E=380GPa,μ=0.24,求KⅠc值,设极限载荷达50㎏。计算此材料的断裂表面能。 5、一钢板受有长向拉应力350 MPa,如在材料中有一垂直于拉应力方向的中心穿透缺陷,长8mm(=2c)。此钢材的屈服强度为1400MPa,计算塑性区尺寸r0及其与裂缝半长c的比值。讨论用此试件来求KⅠc值的可能性。

A位非化学计量MgTiO3陶瓷的制备与结构

- 6 - 第3期2017年6月 No.3 June,2017 第44卷 第3期Vol.44 No.3 0 引言 近年来,由于微波通信事业的迅速发展,高性能的微波电路和微波器件的需求量日益增加。现代通信技术中的谐振器、滤波器、介质基片等微波元器件广泛使用的关键材料是微波介质陶瓷[1]。1960年,又有人提出了应用介质谐振器使微波滤波器小型化的方案,并进行了很多研究,但是,由于没有合适的介质材料而使研究工作没有得到很大的进展[2]。钛酸镁基陶瓷,作为一种被广泛应用在微波装置中的介质材料,具有钛铁矿结构,属于六方晶系,有较高的介电 常数、品质因数和负的谐振频率温度系数[6] 。现在研究比较成熟的是通过对其进行A 位离子取代如(Mg 0.95Co 0.05)TiO 3,(Mg 0.95Zn 0.05)TiO 3,(Mg 0.95Ni 0.05)TiO 3等[3-6]或者采用非化学计量比来提高材料的品质因数。 因此,制备单相的钛酸镁MgTiO 3粉体在微波陶瓷工业中具有重要价值,若将MgO 和TiO 2按1∶1配比烧结得到的MgTiO 3极易产生如Mg 2TiO 4等第二相,故本文主要介绍了A 位非化学计量MgTiO 3微波介质陶瓷的制备及相应的物相组成和结构。本实验采用传统固相法,按非化学计量比配料,并在不同温度下进行烧结。1 制备工艺及仪器1.1 制备工艺 以高纯氧化物粉MgO ,TiO 2为原料,采用传统固相法制备Mg 非化学计量比的MgTiO 3陶瓷(Mg ∶Ti=1.00,1.01,1.02,1.03,1.04,1.05,1.07,1.09)。固相法制备陶瓷工艺流程为:烘干、配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒、成型、烧结、分析测试。用到的化学试剂为MgO ,TiO 2,[CH 2CH(OH)]n ,H 2O ,C 2H 5O ,M n(CH 3COO)2·4H 2O 。 1.2 主要仪器 本研究所需要的主要仪器设备为QM-ISP2型行星式球磨机、能谱仪(EDS )、压片机、SDT Q600型同步热分析仪、DHG-9075A 型电热恒温鼓风干燥箱、AL104型精密电子天平、TMF-4-1型陶瓷、纤维高温炉、TM-1000型扫描电子显微镜(SEM )、X 射线衍射仪(XRD )。 2 数据处理和分析 2.1 收缩率与密度分析 烧结后样品收缩、密度增大。实验样品有两种规格:直径为F8.00 mm 的小片和直径为F20.00 mm 的大片。通过测量计算得出各个配比在每个温度点下的收缩率如表1所示,可以看出∶同样配比与烧结温度下,大片的收缩率普遍大于小片;同一配比下,随着烧结温度的上升,收缩率有上升的趋势;相同温度下,随着配比的增加,收缩率有下降的趋势。用阿基米德原理测出样品每个配比在各个温度点的密度列入表1,可以看出:同一配比下,随着烧结温度的上升,密度逐渐减小;相同温度下,随着配比的增加,密度稍有增加。 表1 样品收缩率和密度 配比 (Mg ∶Ti )温度(℃) 收缩率(%)密度 (g/cm 3)F8.00 mm F20.00 mm 1.02 1 330 15.0015.50 3.641 36014.7515.20 3.631 39014.7515.60 3.541.04 1 330 15.2515.30 4.031 36013.7514.90 3.521 39014.0014.50 3.681.05 1 330 14.0015.00 3.571 36012.7514.70 3.571 39013.2515.10 3.711.07 1 330 15.2515.00 3.741 36013.5015.60 3.621 390 14.00 15.00 3.71 2.2 XRD物相分析 实验通过对不同计量比的样品进行测试,得到实验数据。Mg ∶Ti=1.02,1.04,1.05,1.07在1 330 ℃,1 360 ℃,1390 ℃温度点下保温4 h 得到的XRD 图如图1所示。Mg ∶Ti=1.02时都生成了纯净的MgTiO 3。从图中可以看出,当烧结温度到达1 390 ℃时杂质Mg 2TiO 4的含量逐渐减少,主晶相较纯。由此可知,烧结温度在一定范围内越高,越有利于MgTiO 3的 作者简介:高静(1987— ),女,汉族,新疆库尔勒市人,本科,助教;研究方向:材料物理。 A位非化学计量MgTiO 3陶瓷的制备与结构 高 静,吕本印 (巴音郭楞职业技术学院 冶金与资源学院,新疆 库尔勒 841000) 摘 要:文章主要介绍了A 位非化学计量MgTiO 3陶瓷的制备与结构分析。采用传统固相法,按非化学计量比MgO ∶TiO 2=1.02, 1.04,1.05,1.07进行配料,并在不同温度下进行烧结。XRD 结果表明,随着MgO ∶TiO 2比例的增加,反应的越完全,当配比为1.02在1 330 ℃,1 390 ℃烧结温度下保温4 h 时,能生成单相MgTiO 3。SEM 结果可看出总体上晶体生长的都很好,综合XRD 来看,配比1.02在1 390 ℃下保温4 h 为最好。关键词:MgTiO 3;微波介质陶瓷;非化学计量比;固相合成

近化学计量比Zn:LiTaO_3晶体的生长和抗光折变性能

谈国强等:铁酸铋功能陶瓷薄膜的液相自组装制备· 1829 ·第37卷第11期 近化学计量比Zn:LiTaO3晶体的生长和抗光折变性能 郑威1,王东鹏2,徐玉恒2 (1. 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,哈尔滨 150040;2. 哈尔滨工业大学机电工程学院,哈尔滨 150001) 摘要:采用顶部籽晶溶液法,生长了直径约15mm,长度为10mm的近化学计量比钽酸锂(near-stoichiometric LiTaO3,SLT)和Zn掺杂的近化学计量比钽酸锂(Zn:SLT)晶体。生长的晶体无色透明,没有宏观缺陷。通过X射线粉末衍射法测试晶体结构和晶格参数,Zn:SLT晶体的晶格参数小于未掺杂的SLT晶体。与同成分钽酸锂晶体相比,SLT晶体的抗光损伤能力显著提高,Zn:SLT晶体的抗光损伤阈值大于500MW/cm2。 关键词:近化学计量比钽酸锂晶体;锌掺杂;顶部籽晶溶液生长法;光损伤 中图分类号:O734 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2009)11–1829–04 GROWTH AND PHOTOREFRACTIVE RESISTANCE PROPERTIES OF NEAR-STOICHIOMETRIC Zn:LiTaO3 CRYSTAL ZHENG Wei1,WANG Dongpeng2,XU Yuheng2 (1. College of Material Science and Engineering, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150040; 2. School of Mechatronics Engineering , Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) Abstract: Near-stoichiometric LiTaO3(SLT)and Zn-doped near-stoichiometric LiTaO3 (Zn:SLT) crystals about 15mm in diameter and 10mm in length were grown by the top seeded solution growth method. The crystals grown are colorless and transparent and without macro-defects. The lattice constant of the Zn:SLT calculated by X-ray powder diffraction is smaller than that of the SLT. Compared with congruent LiTaO3 crystals. The SLT exhibits much higher optical damage resistance, and the optical damage threshold of the Zn:SLT crystal is more than 500MW/cm2. Key words: near-stoichiometric lithium tantalate crystal; zinc-doped; top seeded solution growth method; optical damage 钽酸锂(LiTaO3,LT)晶体与铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体都是优秀的铁电材料,广泛应用于压电,非线性光学和线性电光领域。然而,当它们应用于高能量激光转换领域时,由于存在光折变效应从而表现出“光损伤”,这种光损伤是可逆的,当外界的光源撤除时,损伤也就消失了。研究发现,从富锂溶液中生长的近化学计量比钽酸锂(near-stoichiometric LiTaO3,SLT)晶体表现出很强的抗光损伤能力,比同成分钽酸锂(congruent LiTaO3,CLT)晶体高出1个数量级。[1–3] 实验采用顶部籽晶溶液法(top needed solution growth,TSSG)生长了SLT晶体,为了进一步提高其抗光损伤能力加入了抗光折变元素锌。[4]讨论了生长条件对晶体生长过程的影响,测量了晶体结构和晶格参数、Curie温度和晶体的抗光损伤阈值,并与LiNbO3晶体进行了比较。从晶体内部缺陷对晶体宏观光学性能影响的角度讨论了锌掺杂LiTaO3晶体抗光损伤能力增强机制。 1 实验 1.1晶体生长 生长晶体所用原料为Li2CO3,Ta2O5,K2CO3和ZnO,其纯度分别为99.99%,99.999%,99.95%和99.99%。熔体中的锂钽摩尔比为48.7:51.3,氧化锌的掺杂量为0.5%(摩尔分数,下同),助熔剂氧化钾的掺杂量为10.9%。 晶体生长所用提拉炉结构的示意图如图1所示。中频电源功率为25kW,20kHz。采用铂坩埚作为容器。铂的熔点约为1770℃,在晶体提拉过程中未曾预料到的是:当坩埚底部热电偶测温为 收稿日期:2009–02–02。修改稿收到日期:2009–04–10。基金项目:哈尔滨青年基金(2005AFQ XJ 033)资助项目。 第一作者:郑威(1972—),女,博士,教授。Received date:2009–02–02. Approved date: 2009–04–10. First author: ZHENG Wei (1972–), female, Ph.D., professor. E-mail: zhengwei1972@https://www.360docs.net/doc/01135755.html, 第37卷第11期2009年11月 硅酸盐学报 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY Vol. 37,No. 11 November,2009

最新固溶体

固溶体

固溶体 所谓固溶体是指溶质原子溶入溶剂晶格中而仍保持溶剂类型的合金相。 这种相称为固溶体,这种组元称为溶剂,其它的组元即为溶质。工业上所使用的金属材料,绝大部分是以固溶体为基体的,有的甚至完全由固溶体所组成。例如,广泛用的碳钢和合金钢,均以固溶体为基体相,其含量占组织中的绝大部分。因此,对固溶体的研究有很重要的实际意义。 ● 固溶体的分类 按溶质原子在晶格中的位置不同可分为置换固溶体和间隙固溶体。 1、置换固溶体溶质原子占据溶剂晶格中的结点位置而形成的固溶体称置换固溶体。当溶剂和溶质原子直径相差不大,一般在15%以内时,易于形成置换固溶体。铜镍二元合金即形成置换固溶体,镍原子可在铜晶格的任意位置替代铜原子。 2、间隙固溶体溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体称间隙固溶体。间隙固溶体的溶剂是直径较大的过渡族金属,而溶质是直径很小的碳、氢等非金属元素。其形成条件是溶质原子与溶剂原子直径之比必须小于0.59。如铁碳合金中,铁和碳所形成的固溶体――铁素体和奥氏体,皆为间隙固溶体。 ●按固溶度来分类:可分为有限固溶体和无限固溶体。无限固溶体只可能是转换固溶体。 ● 按溶质原子与溶剂原子的相对分布来分;可分为无序固溶体和有序固溶体 这两点各位有时间补充说明下 ● 固溶体的性能 当溶质元素含量很少时,固溶体性能与溶剂金属性能基本相同。但随溶质元素含量的增多,会使金属的强度和硬度升高,而塑性和韧性有所下降,这种现象称为固溶强化。置换固溶体和间隙固溶体都会产生固溶强化现象。 适当控制溶质含量,可明显提高强度和硬度,同时仍能保证足够高的塑性和韧性,所以说固溶体一般具有较好的综合力学性能。因此要求有综合力学性能的结构材料,几乎都以固溶体作为基本相。这就是固溶强化成为一种重要强化方法,在工业生产中得以广泛应用的原因。 第二节金属学及热处理基本知识 一、金属晶体结构的一般知识 众所周知,世界上的物质都是由化学元素组成的,这些化学元素按性质可分成两大类: 第一大类是金属,化学元素中有83种是金属元素。固态金属具有不透明、有光泽、有延展性、有良好的导电性和导热性等特性,并且随着温度的升高,金属的导电性降低,电阻率增大,这是金属独具的一个特点。常见的金属元素有铁、铝、铜、铬、镍、钨等。 第二大类是非金属,化学元素中有22种,非金属元素不具备金属元素的特征。而且与金属相反,随着温度的升高,非金属的电阻率减小,导电性提高。常见的非金属元素有碳、氧、氢、氮、硫、磷等。 我们所焊接的材料主要是金属,尤其是钢材,钢材的性能不仅取决于钢材的化学成分,而且取决于钢材的组织,为了了解钢材的组织及对性能的影响,我们必须先从晶体结构讲起。 (一)晶体的特点

材料结构与性能思考题

《材料结构与性能》 第一章金属及合金的晶体结构 1.重要名词晶体非晶体单晶体多晶体晶粒晶界各向异性假等向性(伪各向同性)空间点阵阵点(结点)晶胞简单晶胞(初级晶胞)布拉菲点阵晶系晶面晶面指数晶向晶向指数密勒指数晶面族晶向族晶带晶带轴面间距配位数致密度点阵常数面心立方(A1)体心立方(A2) 密排六方(A3) 同素异构现象四面体间隙八面体间隙多晶型性(同素异构转变) 原子半径合金相固溶体间隙固溶体置换固溶体有限固溶体无限固溶体电子浓度无序分布偏聚短程有序短程有序参数维伽定律中间相金属间化合物正常价化合物电子化合物(Hume-Rothery相) 间隙相间隙化合物拓扑密堆相(TCP相) PHACOMP方法超结构(有序固溶体,超点阵)长程有序度参数反相畴(有序畴) 2.试述晶体的主要特征。 2]。3.画出立方晶系中的下列晶面和晶向:(100), (111), (110), (123), (130)), (121), (225), [112], [312], [11 画出六方晶系中的下列晶面:(0001), (1120), (1011)。 4.画出立方晶系(110)面上的[111]方向,(112)上的[111]方向。在其(111)面上有几个<110>方向? 5.计算面心立方、体心立方、密排六方点阵晶胞的晶胞内原子数、致密度。其中原子的配位数是多少?6.面心立方和密排六方点阵的原子都是最密排的,为什么它们形成了两种点阵? 7.画图计算面心立方和体心立方点阵的四面体、八面体间隙的半径r B与原子半径r A之比。 8.铜的面心立方点阵常数为3.608?,计算其(122)晶面间距。 9.立方晶系中晶面指数和晶向指数有什么关系? 10.写出立方晶系{112}晶面组的全部晶面和<123>晶向族的全部晶向。 11.已知点阵常数a=2 ?,b=6 ?, c=3 ?, 并已知晶面与三坐标轴的截距都是6 ?,求该晶面的指数。12.若γ-Fe晶胞中的八面体间隙都被C原子填满,试计算C原子的原子百分数和重量百分数。另外,这样的事情能否发生,为什么? 13.试画出面心立方点阵中(001), (011) 和(111)晶面的原子排列,并标出原子间距。 14.判断下列晶向是否属于相应的晶面或平行于该晶面:[112]与(111);[110]与(121);[210]与(101)。15.下列晶向是否是两个晶面的交线?(1)[112]与(111)及(110);(2)[101]与(111)及(111);(3)[101]与(111)及(111)。 16.银属面心立方点阵,若其原子半径为1.44 ?,求其晶格常数,并根据其原子量求其密度。 17.α-Fe→γ-Fe转变发生在910℃,该温度下其点阵常数分别为2.892 ?和3.633 ?,试求转变前后的体积变化。若转变前后原子半径未变化,体积变化又有多大? 18. Al和Ag均属面心立方点阵,已知r Ag= 1.441?, r Al=1.428?, 它们在固态下是否可能无限互溶,为什么?19.固溶体的溶解度主要取决于哪些因素? 20.碳原子在γ-Fe晶胞中存在于什么位置?碳原子溶入后其点阵常数如何变化?为什么?碳原子溶入α-Fe 中又如何? 21.计算含1-wt%C的γ-Fe中多少个晶胞中溶入一个碳原子? 22.中间相一般具有什么特点? 23.以黄铜为例说明什么是电子化合物及电子化合物的类型。 24.电子化合物为什么可以具有一定的成分范围?25.试述间隙固溶体、间隙相、间隙化合物的异同。26.试述短程有序和长程有序的关系。27.影响有序化的因素有哪些? 28.有序化对合金的性能有何影响?

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