单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)
单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别
单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无
法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等
存储器来实现。在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通
过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花
更多的心思。在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来
实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。下面就详细介绍 STC 单
片机内置 EEPROM 及其使用方法。
flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 .
一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时
间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00
下面是网上详细的说法,感觉不错:
FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上, 程序存储器和非易失数据存储器都可以只用 FALSH 结构或 EEPROM 结构, 甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区” ,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。
EEPROM :电可擦除可编程只读存储器, Flash 的操作特性完全符合 EEPROM 的定义,属 EEPROM 无疑,首款 Flash 推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM ,现在的多数 Flash 手册上也是这么标明的,二者的关系是“白马”和
“马” 。至于为什么业界要区分二者, 主要的原因是 Flash EEPROM 的操作方法和传统 EEPROM 截然不同,次要的原因是为了语言的简练,非正式文件和口语中Flash EEPROM 就简称为 Flash , 这里要强调的是白马的“白” 属性而非其“马” 属性以区别 Flash 和传统 EEPROM 。
Flash 的特点是结构简单, 同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量
下的操作速度更快,但缺点是操作过程麻烦,特别是在小数据量反复重写时, 所以在 MCU 中 Flash 结构适于不需频繁改写的程序存储器。
很多应用中,需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失,传统结构的EEPROM 在此非常适合, 所以很多 MCU 内部设计了两种 EEPROM 结构, FLASH
的和传统的以期获得成本和功能的均衡, 这极大的方便了使用者。随着 ISP 、 IAP 的流行,特别是在程序存储地址空间和数据存储地址空间重叠的 MCU 系中,现在越来越多的 MCU 生产商用支持 IAP 的程序存储器来模拟 EEPROM 对应的数据存储器, 这是低成本下实现非易失数据存储器的一种变通方法。为在商业宣传上取得和双 EEPROM 工艺的“等效”性,不少采用 Flash 程序存储器“模拟” (注意,技术概念上并非真正的模拟 EEPROM 数据存储器的厂家纷纷宣称其产品是带 EEPROM 的,严格说,这是非常不严谨的,但商人有商人的目的和方法,用 Fla sh “模拟” EEPROM 可以获取更大商业利益,所以在事实上,技术概念混淆的始作俑者正是他们。
从成本上讲, 用Flash “模拟” EEPROM 是合算的, 反之不会有人干, 用 EEPROM 模拟 Flash 是怎么回事呢?这可能出在某些程序存储空间和数据存储空间连续的MCU 上。这类 MCU 中特别是存储容量不大的低端 MCU 依然采用 EEPROM 作为非易失存储器,这在成本上反而比采用 Flash 和传统 EEPROM 双工艺的设计更低, 但这种现象仅仅限于小容量前提下。因 Flash 工艺的流行, 现在很多商人和不够严谨的技术人员将程序存储器称为 Flash ,对于那些仅采用传统 EEPROM 工艺的MCU 而言,他们不求甚解,故而错误的将 EEPROM 程序存储器称为“ 模拟Flash ” ,根本的原因是他们未理解 Flash 只是一种存储器结构而非存储器的用途,错误的前提自然导致错误的结论。商业上讲,用 EEPROM 模拟 Flash 是不会有人真去做的愚蠢行为,这违背商业追求最大利益的原则,技术上也不可行, 而对于技术人员而言。本质的问题是 Flash 是一种存储器类型而非 MCU 中的程序存储器,即使 MCU 的程序存储器用的是 Flash ,但其逆命题不成立。
单片机EEPROM的使用函数
/******************************************************************** 这是EEROM.h文件 ********************************************************************/ #ifndef _EEPROMus_h //对EEROM进行操作 #define _EEPROMus_h #include
51单片机内部EEPROM的应用
用51hei-5板子学习单片机内部EEPROM的应用 STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPRO M，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次以上，先来介绍下ISP与IAP的区别和特点。 ISP：In System Programable 是指在系统编程，通俗的讲，就是片子已经焊板子上，不用取下，就可以简单而方便地对其进行编程。比如我们通过电脑给STC单片机下载程序，或给AT89S51单片机下载程序，这就是利用了ISP技术。 IAP：In Application Programable 是指在应用编程，就是片子提供一系列的机制(硬件/软件上的)当片子在运行程序的时候可以提供一种改变flash数据的方法。通俗点讲，也就是说程序自己可以往程序存储器里写数据或修改程序。这种方式的典型应用就是用一小段代码来实现程序的下载，实际上单片机的ISP功能就是通过IAP技术来实现的，即片子在出厂前就已经有一段小的boot程序在里面，片子上电后，开始运行这段程序，当检测到上位机有下载要求时，便和上位机通信，然后下载数据到存储区。大家要注意千万不要尝试去擦除这段ISP引导程序，否则恐怕以后再也下载不了程序了。STC单片机内部有几个专门的特殊功能寄存器负责管理ISP/IAP 功能的，见表1。 表1 ISP/IAP相关寄存器列表 名称地址功能描述D7D6D5D4D3D2D1D0复位值ISP_DATA E2h Flash数据寄存器1111 1111 ISP_ADDRH E3h Flash高字节地址寄 存器0000 0000 ISP_ADDRL E4h Flash低字节地址寄 存器0000 0000 ISP_CMD E5h Flash命令模式寄存 器 ----------MS2MS1MS0xxxx x000 ISP_TRIG E6h Flash命令触发寄存 器 xxxx xxxx ISP_CONTR E7h ISP/IAP 控制寄存器ISPEN SWBS SWRST----WT2WT1WT0000x x000 ISP_DATA：ISP/IAP操作时的数据寄存器。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)
单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别 单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无 法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等 存储器来实现。在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通 过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花 更多的心思。在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来 实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。下面就详细介绍 STC 单 片机内置 EEPROM 及其使用方法。 flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 . 一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时 间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00 下面是网上详细的说法,感觉不错:
FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。 在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上, 程序存储器和非易失数据存储器都可以只用 FALSH 结构或 EEPROM 结构, 甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区” ,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。 EEPROM :电可擦除可编程只读存储器, Flash 的操作特性完全符合 EEPROM 的定义,属 EEPROM 无疑,首款 Flash 推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM ,现在的多数 Flash 手册上也是这么标明的,二者的关系是“白马”和 “马” 。至于为什么业界要区分二者, 主要的原因是 Flash EEPROM 的操作方法和传统 EEPROM 截然不同,次要的原因是为了语言的简练,非正式文件和口语中Flash EEPROM 就简称为 Flash , 这里要强调的是白马的“白” 属性而非其“马” 属性以区别 Flash 和传统 EEPROM 。 Flash 的特点是结构简单, 同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量 下的操作速度更快,但缺点是操作过程麻烦,特别是在小数据量反复重写时, 所以在 MCU 中 Flash 结构适于不需频繁改写的程序存储器。 很多应用中,需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失,传统结构的EEPROM 在此非常适合, 所以很多 MCU 内部设计了两种 EEPROM 结构, FLASH
51单片机内部EEPROM的应用
STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPROM，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次以上，先来介绍下ISP与IAP的区别和特点。 知识点：ISP与IAP介绍 ISP：In System Programable 是指在系统编程，通俗的讲，就是片子已经焊板子上，不用取下，就可以简单而方便地对其进行编程。比如我们通过电脑给STC单片机下载程序，或给AT89S51单片机下载程序，这就是利用了ISP技术。 IAP：In Application Programable 是指在应用编程，就是片子提供一系列的机制(硬件/软件上的)当片子在运行程序的时候可以提供一种改变flash数据的方法。通俗点讲，也就是说程序自己可以往程序存储器里写数据或修改程序。这种方式的典型应用就是用一小段代码来实现程序的下载，实际上单片机的ISP功能就是通过IAP技术来实现的，即片子在出厂前就已经有一段小的boot程序在里面，片子上电后，开始运行这段程序，当检测到上位机有下载要求时，便和上位机通信，然后下载数据到存储区。大家要注意千万不要尝试去擦除这段ISP引导程序，否则恐怕以后再也下载不了程序了。 STC单片机内部有几个专门的特殊功能寄存器负责管理ISP/IAP功能的，见表1。 表1 ISP/IAP相关寄存器列表 名称地址功能描述D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 复位值 ISP_DATA E2h Flash数据寄存 器1111 1111 ISP_ADDRH E3h Flash高字节地址寄存 器0000 0000 ISP_ADDRL E4h Flash低字节地址寄存 器0000 0000 ISP_CMD E5h Flash命令模式寄存器-- -- -- -- -- MS2 MS1 MS0 xxxx x000 ISP_TRIG E6h Flash命令触发寄存 器xxxx xxxx ISP_CONTR E7h ISP/IAP 控制寄存器ISPEN SWBS SWRST -- -- WT2 WT1 WT0 000x x000 ISP_DATA：ISP/IAP操作时的数据寄存器。ISP/IAP从Flash读出的数据放在此处，向Flash写入的数据也需放在此处。 ISP_ADDRH：ISP/IAP操作时的地址寄存器高八位。 ISP_ADDRL：ISP/IAP操作时的地址寄存器低八位。 ISP_CMD：ISP/IAP操作时的命令模式寄存器，须命令触发寄存器触发方可生效。命令模式如表2所示。 表2 ISP_CMD寄存器模式设置 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 模式选择 保留命令选择 -- -- -- -- -- 0 0 0 待机模式，无ISP操作 -- -- -- -- -- 0 0 1 对用户的应用程序flash区及数据flash区字节读 -- -- -- -- -- 0 1 0 对用户的应用程序flash区及数据flash区字节编程 -- -- -- -- -- 0 1 1 对用户的应用程序flash区及数据flash区扇区擦除 程序在系统ISP程序区时可以对用户应用程序区/数据Flash区(EEPROM)进行字节读/字节
单片机STC89C52RC 内部EEPROM
单片机STC89C52RC 内部EEPROM 2011-09-06 12:15 单片机运行时的数据都存在于R A M（随机存储器）中，在掉电后R A M 中的数据是 无法保留的，那么怎 样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEP R O M 或FL A S HR O M 等存储器来实现。在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过I I C或S P I等接口来进行数据通信 这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。在S T C单片机中内置了E E P R O M（其实是采用I S P/I A P技术读写内部F L A S H来实现E E P R O M），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。下面 就详细介绍S T C单片机内置E E P R O M及其使用方法 S T C各型号单片机内置的E E P R O M的容量最小有2K，最大有16K，基本上很好地满足项目的需要，更 方便之处就是节省了周边的E E P R O M器件，达到节省成本的目的，而且内部E E P R O M的速度比外部的 E E P R O M的速度快很多。 S T C各型号单片机内置的E E P R O M是以512字节为一个扇区，E E P R O M的起始地址=F A L S H容量值+1， 那么S T C89C52R C的起始地址为0x2000，第一扇区的起始地址和结束地址0x2000~0x21F F，第二扇区 的起始地址和结束地址0x2200~0x23F F，其他扇区如此类推。 深入重点： ?传统的E E P R O M是电可擦可编程只读存储一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 ?S T C89C52R C的E E P R O M是通过I S P/I A P技术读写内部F L A S H来实现E E P R O M。 ?S T C89C52R C的E E P R O M起始地址为0x2000，以512字节为一个扇区，E E R P O M的大小为2K字节STC89C52RC 与EEPORM 实现的寄存器有6 个，分别是ISP_D AT A、
Eeprom的读写
所看过的对24系列I2C读写时序描述最准确最容易理解的资料，尤其是关于主从器件的应答描述和页写描述，看完后明白了很多。关于页写的描述，网络上绝大部分范程都没提到页写时的数据地址必须是每页的首地址才能准确写入，而且如果写入超过一页的数据会循环覆盖当前页的数据。 关于IIC总线 I2C总线：i2c总线是Philips 公司首先推出的一种两线制串行传输总线。它由一根数据线（SDA）和一根时钟线（SDL）组成。i2c总线的数据传输过程如图3所示，基本过程为： 1、主机发出开始信号。 2、主机接着送出1字节的从机地址信息，其中最低位为读写控制码（1为读、0为写），高7位为从机器件地址代码。 3、从机发出认可信号。 4、主机开始发送信息，每发完一字节后，从机发出认可信号给主机。 5、主机发出停止信号。 I2C总线上各信号的具体说明： 开始信号：在时钟线（SCL）为高电平其间，数据线（SDA）由高变低，将产生一个开始信号。 停止信号：在时钟线（SCL）为高电平其间，数据线（SDA）由低变高，将产生一个停止信号。 应答信号：既认可信号，主机写从机时每写完一字节，如果正确从机将在下一个时钟周期将数据线（SDA）拉低，以告诉主机操作有效。在主机读从机时正确读完一字节后，主机在下一个时钟周期同样也要将数据线（SDA）拉低，发出认可信号，告诉从机所发数据已经收妥。（注：读从机时主机在最后1字节数据接收完以后不发应答，直接发停止信号）。 注意：在I2C通信过程中，所有的数据改变都必须在时钟线SCL为低电平时改变,在时钟线SCL为高电平时必须保持数据SDA信号的稳定,任何在时钟线为高电平时数据线上的电平改变都被认为是起始或停止信号。 作为一种非易失性存储器（NVM），24系列EEPROM使用的很普遍，一般作为数据量不太大的数据存储器。下面总结一下其应用的一些要点。从命名上看，24CXX中XX的单位是kbit，如24C08，其存储容量为8k bit，即1k Byte＝1024 Byte。 一、工作条件 1．工作电压(VCC) 24CXX：4.5V－5.5V 24CXX－W：2.5V－5.5V 24CXX－R：1.8V－5.5V 2．输入电平定义(VIH,VIL) VIH：0.7VCC－VCC+1 VIL：-0.45V－0.3VCC 二、硬件连接 1．上拉电阻RP的取值 由于I2C总线电容要满足小于400pf的条件。从以下波形可以看出，上拉电阻越大，总线的电容越小，可以实现的数据传输率就越大，可达400khz。 [点击图片可在新窗口打开] 2．写保护脚 芯片写保护脚是高电平有效，即WP接高电平时禁止写入
52单片机内部EEPROM
#include
STC单片机EEPROM读写程序
/* STC89C54RD+的flash空间从0x4000~0xf3ff 共90个扇区，每扇区512字节*/ // #define BaseAddr 0x1000 /* 51rc */ // #define EndSectoraddr 0x3d00 /* 51rc */ // #define EndAddr 0x3fff /* 51rc 12K eeprom */ #define BaseAddr 0x4000 #define EndSectoraddr 0xf200 #define EndAddr 0xf3ff #define UseAddr 0x1000 /* ------------- 定义扇区大小------------- */ #define PerSector 512 /* 用户程序需要记忆的数组, 用户实际使用了n-1个数据，数组长度规整到 2 4 8 16 32 64 上*/ uchar Ttotal[16] = { 0x55, /* 作为判别引导头使用，用户程序请不要修改它*/ /* 用户保存记忆的数据*/ 0x01, /* 用途说明....*/ 0x02, 0x03, 0x04, 0x05, 0x06, 0x07, 0x08, 0x09, 0x0a, 0x0b, 0x0c, 0x0d, 0x0e, 0x0f, }; uint timerForDelay, /* 专供延时用的变量*/ i, /* 循环变量*/ EepromPtr; /* eeprom读写指针*/ /* --------------- 命令定义--------------- */ #define RdCommand 0x01 /* 字节读*/ #define PrgCommand 0x02 /* 字节写*/
TI--M4内部EEPROM详解
M4里面的EEPROM并不是编址在内存空间中的，而是直接通过操作寄存器(Register)进行读写的。所以EEPROM中间的某个地址就是只属于EEPROM的地址，并不和内存地址有冲突。 要想方便的使用EEPROM，最好的办法就是使用TI的StellarisWare驱动库程序： #include "inc/hw_memmap.h" #include "inc/hw_types.h" #include "inc/hw_timer.h" #include "inc/hw_ints.h" #include "inc/hw_gpio.h" #include "driverlib/sysctl.h" #include "driverlib/eeprom.h" unsigned long pulRead[2]; void main() { unsigned long pulData[2]; // 系统工作在50MHZ SysCtlClockSet(SYSCTL_SYSDIV_4 | SYSCTL_USE_PLL | SYSCTL_OSC_MAIN |SYSCTL_XTAL_16MHZ); // 使能EEPROM SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_EEPROM0); // 初始化EEPROM EEPROMInit(); pulData[0] = 0x12345678; pulData[1] = 0x56789abc; // 向EEPROM里面0x400地址写入数据 EEPROMProgram(pulData, 0x400, sizeof(pulData)); // 读回来 EEPROMRead(pulRead, 0x400, sizeof(pulRead)); while(1) { }
STC单片机EEPROM的应用和程序
STC单片机EEPROM的应用和程序 (2009-04-22 21:58:34) 转载▼ 标签： 杂谈 分类：Program 最近，由于工作的需要，用STC89C52来开发新产品，要用天STC的Eeprom的功能，上网也找了一点资料，得到很大帮助，真的非常感谢。程序是我在网上摘录的，调试通过了，不过我产品在用动态扫描显示的，由于在Eeprom擦除时要用几十毫秒，会有一闪烁的。不过这是正常的。 单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM 中的数据是无 法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC 或SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。在STC 单片机中内置了EEPROM（其实是采用IAP 技术读写内部FLASH 来 实现EEPROM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。下面就详细介绍STC 单片机内置EEPROM 及其使用方法。 STC 各型号单片机内置的EEPROM 的容量各有不同，见下表： （内部EEPROM 可以擦写100000 次以上） 上面提到了IAP，它的意思是"在应用编程"，即在程序运行时程序存储器可由程序自 身进行擦写。正是是因为有了IAP，从而可以使单片机可以将数据写入到程序存储器中，使得数据如同烧入的程序一样，掉电不丢失。当然写入数据的区域与程序存储区要分开来，以使程序不会遭到破坏。 要使用IAP 功能，与以下几个特殊功能寄存器相关： ISP_DATA：ISP/IAP 操作时的数据寄存器。 ISP/IAP 从Flash 读出的数据放在此处，向Flash 写的数据也需放在此处 ISP_ADDRH：ISP/IAP 操作时的地址寄存器高八位。 ISP_ADDRL：ISP/IAP 操作时的地址寄存器低八位。 ISP_CMD：ISP/IAP 操作时的命令模式寄存器，须命令触发寄存器触发方可生效。 ISP_TRIG：ISP/IAP 操作时的命令触发寄存器。 当ISPEN（ISP_CONTR.7）=1 时，对ISP_TRIG 先写入0x46，再写入0xb9，ISP/IAP 命令才会生效。 单片机芯片型号起始地址内置EEPROM 容量（每扇区512 字节） STC89C51RC，STC89LE51RC 0x2000 共八个扇区 STC89C52RC，STC89LE52RC 0x2000 共八个扇区 STC89C54RD+，STC89LE54RD+ 0x8000 共五十八个扇区 STC89C55RD+，STC89LE55RD+ 0x8000 共五十八个扇区 STC89C58RD+，STC89LE58RD+ 0x8000 共五十八个扇区 寄存器标识地址名称7 6 5 4 3 2 1 0 初始值 ISP_DATA 0xE2 ISP/IAP闪存数据寄存器11111111 ISP_ADDRH 0xE3 ISP/IAP 闪存地址高位00000000
51内部eeprom读写,实现掉电存储
主函数： #include
EEPROM.
常用串行EEPROM的编程应用 EEPROM是"Electrically Erasable Programmable Read-only"（电可擦写可编程只读存储器）的缩写，EEPROM在正常情况下和EPROM一样，可以在掉电的情况下保存数据，所不同的是它可以在特定引脚上施加特定电压或使用特定的总线擦写命令就可以在在线的情况下方便完成数据的擦除和写入，这使EEPROM被用于广阔的的消费者范围，如：汽车、电信、医疗、工业和个人计算机相关的市场，主要用于存储个人数据和配置/调整数据。EEPROM又分并行EEPROM和串行EEPROM，并行EEPROM器件虽然有很快的读写的速度，但要使用很多的电路引脚。串行EEPROM器件功能上和并行EEPROM基本相同，提供更少的引脚数、更小的封装、更低的电压和更低的功耗，是现在使用的非易失性存储器中灵活性最高的类型。串行EEPROM按总线分，常用的有I2C,SPI,Microwire总线。本文将介绍这三种总线连接单片机的编程方法。 I2C总线 I2C总线（Inter Integrated Circuit内部集成电路总线）是两线式串行总线，仅需要时钟和数据两根线就可以进行数据传输，仅需要占用微处理器的2 个IO引脚，使用时十分方便。I2C总线还可以在同一总线上挂多个器件，每个器件可以有自己的器件地址，读写操作时需要先发送器件地址，该地址的器件得到确认后便执行相应的操作，而在同一总线上的其它器件不做响应，称之为器件寻址，这个原理就像我们打电话的原理相当。I2C总线产生80年代，由PHLIPS 公司开发，早期多用于音频和视频设备，如今I2C总线的器件和设备已多不胜数。最常见的采用I2C总线的EEPROM也已被广泛使用于各种家电、工业及通信设备中，主要用于保存设备所需要的配置数据、采集数据及程序等。生产I2C总线EEPROM的厂商很多，如ATMEL、Microchip公司，它们都是以24来开头命名芯片型号，最常用就是24C系列。24C系列从24C01到24C512，C后面的数字代表该型号的芯片有多少K的存储位。如ATMEL的24C64，存储位是64K位，也就是说可以存储8K（8192）字节，它支持1.8V到5V电源，可以擦写1百万次，数据可以保持100年，使用5V电源时时钟可以达到400KHz，并且有多种封装可供选择。我们可以很容易的在身边的电器设备中发现它们的身影，如电视中用于保存频道信息，电脑内存条中保存内存大小等相关信息，汽车里用于保存里程信息等等。图一就是ATMEL24C64芯片的PID封装和用于内存条SPD(Serial Presence Detect)上的24芯片。
AT24C02EEPROM读写程序
;--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- ;本程序是针对AT89S52单片机编制的EEPROM读写程序（2013.8.4测试通过） ;本程序在4MHZ、12MHZ和24MHZ分别测试通过 ;AT24C02的A0、A1、A2均接GND，设备地址高7位为（1010）000；WP接GND，充许对EEPROM正常读写 ;本程序仅作学习交流之用。 ;--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- SCl equ P2.0 ;SCL接A T89S52的P2.0端口，作为EEPROM的串行输入时钟 SDA equ P2.1 ;SDA接AT89S52的P2.1端口，作为主机与EEPROM之间信息串行传输总线WRITEDATA equ 08H;拟写入EEPROM的数据在主机中的存贮单元地址 READDATA equ 09H ;从EEPROM读取的数据存放到主机存贮单元地址EPROMADDRESS equ 0AH;拟随机读写EEPROM的存贮单元地址 ;------------------------------------------------ ORG 00H LJMP MAIN ;------------------------------------------------ ORG 50H MAIN: MOV SP,#20H;防止堆栈影响已用内存数据 ;以下为写EEPROM过程 mov EPROMADDRESS,#09H;该地址可以随意输入（00H~FFH），但读和写的地址须相同 MOV WRITEDA TA,#01010010B;该数字可以随意输入，并将读和写的数据进行比较;如读数正确则按将读出数据在P1口输出，可在P1口各位分别接LED灯直观显示出来。 LCALL WRITEEEPROMR ;以下为读EEPROM过程 mov EPROMADDRESS,#09H;该地址可以随意输入（00H~FFH），但读和写的地址须相同 LCALL READEEPROMR ;以下为EEPROM读写操作验证 MOV A,WRITEdata MOV B,A MOV A,READDATA CJNE A,B,MAIN1 MOV P1,READDATA;写入数和读出数相等时，读出的数据在P1口输出并按位分别控制LED灯直观显示 sJMP $ MAIN1: MOV P1,#00H;写入数和读出数相等时，LED灯全亮 ;以下可接其它主程序，此处暂为死循环 SJMP $ ;--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- ;WRITEEEPROMR是随机写EEPROM（AT24C02）子程序 ;入口1：EEPROMADRESS（拟读写EEPROM存贮单元地址，00~FFH） ;入口2：WRITEDATA（拟写入EEPROM的字节数据在主机的存放地址）
IC读写EEPROM问题总结
I C读写E E P R O M问题 总结 文件管理序列号：[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688]
2017年6月30日星期五 目的：利用TMS320F2801芯片上外设I2C（2线串口）读写EEPROM数据（24LC128） 关键点1：24LC时钟频率400KHz，寄存器设置如下： I2caRegs.I2CPSC.all = 9; // Prescaler - need 7-12 Mhz on module clk I2caRegs.I2CCLKL = 10; // NOTE: must be non zero I2caRegs.I2CCLKH = 5; // NOTE: must be non zero 时钟频率也可设为200KHz,三个参数分别为9、20、20（CPU时钟频率为100MHz）（未测试?） 关键点2：波形分析 问题：I2C模块是不是只有I2CCNT 减到0才会发出停止信号 I2C模块是硬件的，当检测到发送完了就会发结束自动发信号，不需要人为干预 问题1：字节写操作正常，但是字节读函数出错 原因：写EEPROM是在七位器件地址后添加写标志，而读EEPROM需要在七位器件地址后添加写标志。 关键点：读EEPROM数据需要发送两次命令。第一次为写地址（此地址会被赋值给EEPROM内的地址指针），因此需要添加写标志；第二次为读数据，将写标志改为读标志。
问题2：主机接收时，SDA数据线上有数据传输，且I2CDRR接收数据寄存器有数据更新，但寄存器显示不可读，即CPU认为一直没接收到数据，一直停在下面语句 while 关键点：初始化设置时采用的是FIFO接收方式，因此无效，应查询FIFO 接收中断位while方式查询位。 此位只有在非FIFO中断接收方式时才有效。 问题3：断续单字节读写正常，但是采用连续的单字节读写出错。 原因：EEPROM写过程的结束并不是I2C总线写结束就结束，实际上I2C 总线的写入数据先被保存到了EEPROM内部的缓冲区，当遇到I2C结束条件后，EEPROM才启动内部写过程，这个过程才是保存数据的过程。非常悲哀的是这个过程比较长，官方文档标注为5ms。如果在这5ms以内对EEPROM芯片访问将被忽略。 关键点：读写EEPROM应延时至少5ms，软件延时10ms do{}while(EEPROM_Timer <= 10); //10ms 问题4：查询EEPROM写过程是否结束造成死机，只能查询EEPROM读过程。 官方文档说EEPROM内部写周期最长为5ms，在很多情况下是远远低于 5ms的，为了节约时间，官方给出一个解决办法。当写周期完毕后就开始进行应答查询，来确定EEPROM写周期何时结束。所谓应答查询官方解释为：就是向EEPROM发送一个I2C起始条件后发送器件地址和一个读写标
STC单片机内部EEPROM的应用
TX-1C开发板学习单片机内部EEPROM的应用 STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPROM，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次以上，先来介绍下ISP与IAP的区别和特点。 知识点：ISP与IAP介绍 ISP：In System Programable 是指在系统编程，通俗的讲，就是片子已经焊板子上，不用取下，就可以简单而方便地对其进行编程。比如我们通过电脑给STC单片机下载程序，或给AT89S51单片机下载程序，这就是利用了ISP技术。 IAP：In Application Programable 是指在应用编程，就是片子提供一系列的机制(硬件/软件上的)当片子在运行程序的时候可以提供一种改变flash数据的方法。通俗点讲，也就是说程序自己可以往程序存储器里写数据或修改程序。这种方式的典型应用就是用一小段代码来实现程序的下载，实际上单片机的ISP功能就是通过IAP技术来实现的，即片子在出厂前就已经有一段小的boot程序在里面，片子上电后，开始运行这段程序，当检测到上位机有下载要求时，便和上位机通信，然后下载数据到存储区。大家要注意千万不要尝试去擦除这段ISP引导程序，否则恐怕以后再也下载不了程序了。 STC单片机内部有几个专门的特殊功能寄存器负责管理ISP/IAP功能的，见表1。 表1 ISP/IAP相关寄存器列表
ISP_DATA：ISP/IAP操作时的数据寄存器。 ISP/IAP从Flash读出的数据放在此处，向Flash写入的数据也需放在此处。 ISP_ADDRH：ISP/IAP操作时的地址寄存器高八位。 ISP_ADDRL：ISP/IAP操作时的地址寄存器低八位。 ISP_CMD：ISP/IAP操作时的命令模式寄存器，须命令触发寄存器触发方可生效。命令模式如表2所示。表2 ISP_CMD寄存器模式设置 程序在系统ISP程序区时可以对用户应用程序区/数据Flash区(EEPROM)进行字节读/字节编程/扇区擦除；程序在用户应用程序区时，仅可以对数据Flash区(EEPROM)进行字节读/字节编程/扇区擦除。STC89C51RC/RD+系列单片机出厂时已经固化有ISP引导码，并设置为上电复位进入ISP程序区，并
IIC读写EEPROM
u32 ulTimeOut_Time; /* ******************************************************************************* ************************** * I2C_EE_WriteStr() * * Description : 将一个数据块写入EEPROM 的指定的地址 * * Argument(s) : xChip - 从器件地址 * xAddr - EEPROM存储空间地址 * xpBuf - 数据缓冲区指针 * xLen - 数据长度 * * Return(s) : none. * * Caller(s) : Application. * * Note(s) : (1) *------------------------------------------------------------------------------------------------------- * Modified by : * Modified date : * Description : *------------------------------------------------------------------------------------------------------- ******************************************************************************* ************************** */ void I2C_EE_WriteStr(u8 xChip, u16 xAddr, u8 *xpBuf, u16 xLen) { u8 *pbuf; u8 err; u8 retry; u16 addr; u16 len; // pbuf = xpBuf; addr = xAddr; len = xLen; I2C_EE_Drv_BusEn(); // 允许总线，写允许
Proteus仿真EEPROM数据的写入
今天做的是一个往EEPROM写入数据的项目。项目没有什么实际意义，主要是练习一下学习的关于写EEPROM的知识。 项目的构思如下，向单片机的EEPROM中写入数据，00单元写入数据00，01单元写入数据01，FF单元写入数据FF，即任意一个EEPROM 单元都根据其地址来写入相应的数据。 项目源程序十分简单，但需要注意EEPROM写入数据的操作步骤。源程序如下： 在MPLAB中编辑好源程序以后，编译生成相应的源代码，然后我们在Proteus中绘制本例的电路图。本例电路图更为简单，因为我们使用的都是单片机内部资源，所以只需将一片PIC16F877放入电路图中就可以了。电路图如下所示： 绘制好电路图以后，我们就可以将前面生成的源代码装入单片机来进行仿真了。此例其他方面都比较简单，最关键的在于仿真时的操作。可以看到，当你点击仿真按钮的时候，系统并没有任何反映，我们根本看不到仿真效果。这时你可以点击主菜单中的Debug菜单下的“PIC CPU EPROM Memory - U1”，如下图： 此时系统将弹出相应的“EEPROM”窗口，在这个窗口中，你就可以看到EEPROM中的内容，看看仿真是否成功，其中的数据是否已经按照我们的要求变成了相应的内容。如下图所示： 当然，你也可以在仿真中使用Proteus的单步功能，你一步一步地点击单步按钮，可以看到，EEPROM中的内容一步一步地在变动。如下图的两个图形所示：
而且，从上图你还能看到，每点击一次单步按钮，EEPROM大约写入5个数据。当然，如果你修改一下相应的时钟频率，每次写入的数据量可能会有改变。 本项目的内容简单，但需要掌握以下几个方面的内容： 1.EEPROM数据写入的步骤。 2.Proteus中仿真单片机内部的RAM、EEPROM、FLASH等的操作。