一 射频同轴连接器型号命名方法
一射频同轴连接器型号命名方法
1 插头和插座的定义：
插头------具有连接机构的主动部分即螺母或卡口连接套的连接器，一般玮自由连接器。
插座------与插头相配连接的连接器，一般为固定连接器。
2 型号一般命名方法：
①射频连接器的型号由主称代号和结构形式代号两部分组成，中间用短横线“－“隔开。
②射频连接器的主称由产品技术标准作出具体规定。
③射频连接器的结构形成代号有下表所示部分组成：
表示一端为插针接触件，另一端为插孔接触件，阻抗为75的N型系列内转接器。
表示一端为N型插针接触件，另一端为BNC插孔接触件，阻抗为50的系列间转接器。
注：
①插头装插针，插座装插孔的系列，结构形式代号中插头和插座代号(表中序号（1）不标。插座装插针的系列，用括号中的代号。
②注有＃号者，仅在面板插头中使用。
③SMB(50)和SSMB型的结构形式代号基本按SMB型技术标准规定，有数字代号和电缆编号组成，此处略。
3射频连接器的型号组成示例：
（1）SMA－JW5，TNC－JW5
表示SMA型及TNC型弯式非密封射频插头，插头内导体为插针接触件，配用SYV －50－3电缆。
（2）N－50KFD,SMA－KFD
表示法兰安装，阻抗为50的N和SMA型微带射频插座，内导体为插孔接触件。（3）SMA－KE，SMB－75KHD
表示直接焊接在线路板上的阻抗为50的SMA微带插孔连接器及阻抗为75的SMB 插孔连接器。
（4）转接器和阻抗转接器的型号组成方法，以插头或插座型号型为基础派生，一般采用下列形式：
①转接器的型号，其类型代号部分用连接器主称代号（系列内转接器）及分数形式（系列间转接器）表示。
如：N－75JK
②阻抗转接器的型号，其型号或结构形式代号用分数形式表示：
如：N－50J/75K
表示一端为50的插头，另一端为75的插座，两端均为“N“型的阻抗转接器。
4射频同轴连接器
根据射频连接器的定义，他是传输线的一个部分借助与它，可以使传输系统的元件（电缆）接上和脱开，它与电力连接器不同，电力连接器用于低频（一般为60赫兹）的电气信号，而射频连接器是用于传输射频能量，其频率范围很宽，可达18x109赫兹、秒（18GHz）甚至更高。射频连接器的典型用途包括先进的雷达，车船通信，数据传输系统及航空航天设备。
同轴连接器的基本结构包括：中心导体（阳性和阴性的中心接触件）；然后，外面是介电材料，或称绝缘体，如像在电缆中一样；最后是外接触件。这个外面部分起着如同电缆外屏蔽层一样的功能，即传输信号，作为屏蔽或电路的接地元件。
常用电子元器件型号命名法及主要技术参数
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器
二．半导体管 三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
贴篇电容的精度表示方法
本贴说贴片电容（chip）的精度表示方法： 电容的型号命名： 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法： （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V6.3V10V16V25V32V40V50V63V （4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。 第一项：用字母表示类别： 第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示： 序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1A金+100R黄-220 2B灰+30S绿-330 3C黑0T蓝-470 4G±30U紫-750 5H棕-30±60V-1000 6J±120W-1500 7K±250X-2200 8L红-80±500Y-3300 9M±1000Z-4700 10N±2500SL+350~-1000 11P橙-150YN-800~-5800 备注：温度系数的单位10e-；允许偏差是%。 第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。 第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为有效数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是pF，电解电容器的单位是uF。 第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。 也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。 3．电容的主要特性参数： （1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。 精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。 常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。
常见射频同轴连接器
常见射频同轴连接器大全 射频信号有自己的特点，所以传输信号需要特别的媒介，而相应连接器也很特殊，这里主要介绍常见的射频同轴连接器（RF COAXIAL CONNECTOR），符合标准GB11316-89、IEC169、MIL-C-31012等标准。 一、常见的同轴连接器及主要性能对照表： 除上述连接器以外，还有MINI BNC、SL16、C3、CC4(1.0/2.3)、SMZ(BT-43)、MIM等连接器，但主要是一些公司的型号。 二、常见同轴连接器的选择： BNC是卡口式，多用于低于4GHz的射频连接，广泛用于仪器仪表及计算机互联 TNC是螺纹连接，尺寸等方面类似BNC，工作频率可达11GHz，螺纹式适合振动环境 SMA是螺纹连接，应用最广泛，阻抗有50和75欧姆两种，50欧姆时配软电缆使用频率低于12.4Ghz，配半刚性电缆最高到26.5GHz SMB体积小于SMA，为插入自锁结构，用于快速连接，常用于数字通讯，是L9的换代品，50欧姆可到4GHz，75欧姆到2GHz SMC为螺纹连接，其他类似SMB，有更宽的频率范围，常用于军事或高振动环境 N型连接器为螺纹式，以空气为绝缘材料，造价低，频率可达11GHz，常用于测试仪器上，有50和75欧姆两种 MCX和MMCX连接器体积小，用于密集型连接 BMA用于频率达18GHz的低功率微波系统的盲插连接 每种连接器都有军标和商业标准，军标按MIL-C-39012制造，全铜零件、聚四氟乙烯绝缘、内外镀金，性能最可靠，但造价较高。 商业标准设计则使用廉价材料，如黄铜铸体、聚丙烯绝缘、银镀层等，可靠性就差一些。连接器材料有黄铜、铍铜和不锈钢，中心导体一般镀金，保证低电阻和耐腐蚀。军标要求在
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
国产电容器的型号命名法
国产电容器的型号命名法 国产电容器型号命名由四部分组成，各部分的含义见：表11。 第一部分用字母“C”表示主称为电容器。 第二部分用字母表示电容器的介质材料。 第三部分用数字或字母表示电容器的类别。 第四部分用数字表示序号。 电容器的主要参数有标称容量（简称容量）、允许偏差、额定电压、漏电流、绝缘电阻、损耗因数、温度系数、频率特性等。 （一）标称容量 标称容量是指标注在电容器上的电容量。 电容量的基本单位是法拉（简称法），用字母“F”表示。比法拉小的单位还在毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF），它们之间的换算关系是： 1F=1000mF 1mF=1000μF 1μF=1000nF 1nF=1000pF 其中，微法（μF）和皮法（pF）两单位最常用。 文字符号法 文字符号法是采用数字或字母数字混膈的方法来标注电容器的主要参数。
1．数字标注法数字标注法一般是用3位数字表示电容器的容量。其中前两位数字为有效值数字，第三位数字为倍乘数（即表示有效值后有多少个0）。例如： 102表示10×102pF=1000pF 104表示10×104pF=0.1μF 105表示10×105pF=1μF 2．字母与数字混合标注法此标注方法是用2~4位数字表示有效值，用P、n、M、μ、 G、m等字母表示有效数后面的量级。进口电容器在标注数值时不用小数点，而是将整数部分写在字母之前，将小数部分写在字母后面。例如： 4p7表示4.7pF 8n2表示8200pF M1表示0.1μF 3m3表示3300μF G1表示100μF 在实际应用时，电容量在1万皮法以上电容量，通常用微法作单位，例如：0.047μF、0.1μF、2.2μF、47μF、330μF、4700μF等等。 电容量在1万皮法以下的电容器，通常用皮法作单位，例如：2pF、68 pF、100 pF、680 pF、5600 pF等等。 标称容量的标注方法有直标法、文字符号标注法和色标法等，具体的识别方法将在以后的内容中作详细介绍。 （二）允许偏差 允许偏差是指电容器的标称容量与实际容量之间的允许最大偏差范围。 电容器的容量偏差与电容器介质材料及容量大小有关。电解电容器的容量较大，误差范围大于±10%；而云母电容器、玻璃釉电容器、瓷介电容器及各种无极性高频在机薄膜介质电容器（如涤纶电容器、聚苯乙烯电容器、聚丙烯电容器等）的容量相对较小，误差范围小于±20%。
常用元器件的型号命名方法
一、常用元器件的型号命名方法 1.电阻器、电容器、电位器型号命名方法 根据国家标准GB2470-81《电子设备用电阻器、电容器型号命名方法》的规定?电阻器、电容器产品型号一般由以下四部份组成: (1)第一部份用一字母表示产品的主称 (2)第二部份用字母表示产品的材料(电阻的导电材料?电容器的介质材料) (3)第三部份一般用数字表示分类?个别类型用字母表示 (4)第四部份用数字表示序号?以区分外形尺寸和性能指针 (5)举例 R J 7 1 型精密金属膜电阻器 C C G 1 型瓶形高功率瓷介电容器 1) 2) 3) 4) 1) 2) 3) 4) 注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号 2.敏感电阻器型号命名方法 根据标准SJ1150-82《敏感组件型号命名方法》的规定?热敏电阻器、光敏电阻器、压敏电阻器、湿敏电阻器、磁敏电阻器、力敏电阻器和气敏电阻器?这些敏感电阻器的产品型号按下面所述的方法命名。 产品型号由下列四部份组成: 第一部份: 主称(用字母表示) 第二部份: 类别(用字母表示) 第三部份: 用途和特征(用字母或数字表示) 第四部份: 序号(用数字表示) 第五部份：应用举例 M F 4 1 A 普通旁热式负温度系数热敏电阻器 1) 2) 3) 4) 区别代号 注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号 3.电感器型号命名方法 这里介绍的是一些习惯上使用的命名方法?仅供参考 ●电感线圈的型号命名方法 电感线圈的字母组成的型号、代号及其意义如下: 第一部份: 主称?用字母表示(其中L表示线圈?ZL表示高频或低频阻流圈) 第二部份: 特征?用字母表示(其中G表示高频) 第三部份: 型式?用字母表示(其中X表示小型) 第四部份: 区别代号?用字母表示 ●变压器型号的命名方法 它由三部份组成: 第一部份: 主称?用字母表示 第二部份: 功率?用数字表示?计量单位用VA或W标志?但RB型变压器除外 第三部份: 序号?用数字表示 例如: DB-60-2 表示为60VA电源变压器
电容的型号命名
电容的型号命名 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法： （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V 15）安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV —— 16）安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘<150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义 安规电容的参数选择 X电容，聚苯乙烯（薄膜乙烯）电容，从上面的贴子里也可以看到，聚苯乙烯的耐电压较高，适合EMI 电路的高压脉冲吸收作用。 2.容量计算：一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二基用0.1uF；单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。（电容容量的大小和电源的功率无直接关系） 电容的型号命名：
AllegroPCB设计pad封装和元器件封装命名规范
基本术语 SMD:Surface Mount Devices/表面贴装元件。 RA：Resistor Arrays/排阻。 MELF：Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件. SOT：Small outline transistor/小外形晶体管。 SOD：Small outline diode/小外形二极管。 SOIC：Small outline Integrated Circuits/小外形集成电路. SSOIC:Shrink Small Outline Integrated Circuits/缩小外形集成电路. SOP:Small Outline Package Integrated Circuits/小外形封装集成电路. SSOP:Shrink Small Outline Package Integrated Circuits/缩小外形封装集成电路. TSOP:Thin Small Outline Package/薄小外形封装. TSSOP:Thin Shrink Small Outline Package/薄缩小外形封装. CFP:Ceramic Flat Packs/陶瓷扁平封装. SOJ:Small outline Integrated Circuits with J Leads/“J”形引脚小外形集成电路. PQFP：Plastic Quad Flat Pack/塑料方形扁平封装。 SQFP：Shrink Quad Flat Pack/缩小方形扁平封装。 CQFP：Ceramic Quad Flat Pack/陶瓷方形扁平封装。 PLCC：Plastic leaded chip carriers/塑料封装有引线芯片载体。 LCC：Leadless ceramic chip carriers/无引线陶瓷芯片载体。 DIP：Dual-In-Line components/双列引脚元件。 PBGA：Plastic Ball Grid Array/塑封球栅阵列器件。 1使用说明 外形尺寸：指元件的最大外型尺寸。 主体尺寸：指元件的塑封体的尺寸=长度X宽度。 尺寸单位：英制单位为mil，公制单位为mm。 小数点的表示：在命名中用“p”代表小数点。例如：1.0表示为1p0。 注：当不同物料的封装图形名称相同时，且描述的内容不同时，可在名称后面加-1，-2等后缀加以区分。 作者：wugehao
电容大小识别大全
电容大小识别 上图举出了一些例子。其中，电解电容有正负之分，其他都没有。 电容的容量单位为：法（F）、微法（uf），皮法（pf)。一般我们不用法做单位，因为它太大了。各单位之间的换算关系为： 1F =1000mF=1000×1000uF 1uF=1000nF =1000×1000pF 电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障（常见电容爆裂）。 电容的容量标识的几种方法： 一、直接标识：如上图的电解电容，容量47uf，电容耐压25v。 二、使用单位nF： 如上图的涤纶电容，标称4n7=4.7nF=4700pF。 还有的例如：10n=0.01uF；33n=0.033uF。后面的63是指电容耐压63v. 三、数学计数法： 如上图瓷介电容，标值104，容量就是：10X10000pF=0.1uF. 如果标值473，即为47X1000pF=0.047uF。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。 又如：332=33X100pF=3300pF 102=10×102pF=1000pF 224=22×104pF=0.22 uF 四、电容容量误差表： 符号 F G J K L M
常见射频同轴连接器大全
常见射频同轴连接器大全
常见射频同轴连接器大全 射频信号有自己的特点，所以传输信号需要特别的媒介，而相应连接器也很特殊，这里主要介绍常见的射频同轴连接器（RF COAXIAL CONNECTOR），符合标准GB11316-89、IEC169、MIL-C-31012等标准。 一、常见的同轴连接器及主要性能对照表： 除上述连接器以外，还有MINI BNC、SL16、C3、CC4(1.0/2.3)、SMZ(BT-43)、MIM等连接器，但主要是一些公司的型号。 二、常见同轴连接器的选择： BNC是卡口式，多用于低于4GHz的射频连接，广泛用于仪器仪表及计算机互联 TNC是螺纹连接，尺寸等方面类似BNC，工作频率可达11GHz，螺纹式适合振动环境 SMA是螺纹连接，应用最广泛，阻抗有50和75欧姆两种，50欧姆时配软电缆使用频率低于12.4Ghz，配半刚性电缆最高到26.5GHz SMB体积小于SMA，为插入自锁结构，用于快速连接，常用于数字通讯，是L9的换代品，50欧姆可到4GHz，75欧姆到2GHz SMC为螺纹连接，其他类似SMB，有更宽的频率范围，常用于军事或高振动环境 N型连接器为螺纹式，以空气为绝缘材料，造价低，频率可达11GHz，常用于测试仪器上，有50和75欧姆两种 MCX和MMCX连接器体积小，用于密集型连接 BMA用于频率达18GHz的低功率微波系统的盲插连接 每种连接器都有军标和商业标准，军标按MIL-C-39012制造，全铜零件、聚四氟乙烯绝缘、内外镀金，性能最可靠，但造价较高。 商业标准设计则使用廉价材料，如黄铜铸体、聚丙烯绝缘、银镀层等，可靠性就差一些。 连接器材料有黄铜、铍铜和不锈钢，中心导体一般镀金，保证低电阻和耐腐蚀。军标要求在SMA和SMB 上镀金，在N、TNC及BNC上镀银，因为银易氧化，用户更喜欢镀镍。 绝缘材料有聚四氟乙烯、聚丙烯及韧化聚苯乙烯，其中聚四氟乙烯绝缘性能最好，但成本较高。 三、常用连接器的性能列表：
(整理)元器件封装命名规则ds.
精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
电容器规格型号的标注
电容器规格型号的标注 1 引言 电容器的型号和规格一般应按国家有关标准来标注。根据目前市场供应情况也有按国外型号标注的，在标注顺序上略有不同。本公司按下述方法标注。 2 电容器规格型号的标注 2.1 标注顺序 电容器一般按下述顺序标注 “型号 -（尺寸代号）-（温度系数或特性）- 额定电压 - 标称容量 - 允许偏差 -（其他）” 其中有些项可能省略。 国外电容器的标注顺序各不相同，例如额定电压在允许偏差后面。 2.2型号 国产电容器的型号命名按“GB/T 2470-1995 电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法”规定。例如 ——CC4表示1类多层（独石）瓷介电容器 ——CT4表示2类多层（独石）瓷介电容器 ——CC41表示片状1类多层（独石）瓷介电容器 ——CT41表示片状2类多层（独石）瓷介电容器 ——CA45表示片状固体钽电解电容器 电容器的具体型号和技术参数可参考有关手册。 注意，不同厂家生产的同型号电容器在尺寸和性能指标略有差别。若有影响，需加限制条件。 市场上有国外型号的电容器，若要选用需说明其所属的国家和厂家。 2.3 尺寸代号 片状电容器的尺寸代号常用“0603”、“0805”、“1206”等表示，这是按英寸（0.01in）计的表示法，片状瓷介电容器用此法表示。 还有用EIA代码如“2012”、“3216”等表示，这是按毫米（0.1mm）计的表示法，片状钽电解电容器用此法表示。绘制印制板图时应注意它们尺寸的区别。 带引出线的电容器的尺寸代号不同的厂家不统一，不好标注。一种办法是按生产厂手册标注，但必须同时注明生产厂。另一种办法是不标注尺寸代号，适用于对外型尺寸无严格要求场合，若有要求可以在“其他”项标注对外形尺寸的限制要求，例如限高、限引线间距等。
PCB元件库SCH元件库命名规则
PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装 如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号 如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距 如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径 如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管
电容命名方式
电容的型号命名：capacitance 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法： （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V6.3V10V16V25V32V40V50V63V （4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。 第一项：用字母表示类别： 第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示： 序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1A金+100R黄-220 2B灰+30S绿-330 3C黑0T蓝-470 4G±30U紫-750 5H棕-30±60V-1000 6J±120W-1500 7K±250X-2200 8L红-80±500Y-3300 9M±1000Z-4700 10N±2500SL+350~-1000 11P橙-150YN-800~-5800 备注：温度系数的单位10e-6/℃；允许偏差是%。 第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装
瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质
射频同轴连接器分类及说明
频段划分_射频同轴连接器分类及说用 一.频段的字母表示： 自第二次世界大战以来，雷达系统工程师就使用简短的字母来描述雷达工作的波段。并且这种使用方法一直沿用到今天，而且对于从事相关行业人来说已经成为一个常识。使用这种字母来表示频段的主要原因是：方便、保密和直观（根据字母就可知系统相关特性）。根据IEEE 521-2002标准，雷达频段字母命名和ITU（国际电信联盟）命名对比如下表所示：
二.同轴连接器发展概况及相关标准 1射频连接器的发展概况： 1.1.1939年出现的UHF连接器是最早的RF连接器； 1.2.二战期间随着雷达、电台和微波通信的发展产生了N,C,BNC,TNC等中型系; 1.3.1958年后，随着整机设备的小型化，出出现了SMA,SMB,SMC等小型化产品； 1.4.1964年制定了美国军用标准MIL-C-39012《射频同轴连接器总规范》； 1.5.七十年代末，毫米波连接器出现； 1.6.九十年代初，HP公司推出频率高达110GHz的1.0mm连接器，并用于其仪器设备中； 1.7.九十年代出现表面贴装射频同轴连接器并大量用于手机产品中； 2我国射频同轴连连接器的发展： 2.1我国从五十年代开始由整机厂研制RF连接器； 2.2六十年代末组建专业工厂，开始了专业化生产； 2.3一九七二年国家组织集中设计，使国产的RF连接器是自成系统，只能在国内使用， 产品标准水平低，且不能与国际通用产品对接互换； 2.4八十年代起开始采用国际标准，根据IEC169和MIL-C-39012，颁布了GB11313和 GJB681，使射频同轴连接器的生产和使用逐步与国际接轨; 2.5经过几十年的努力，目前通用RF连接器的整体水平与国外差距不大，但精密连接器 的设计和生产与国外仍有较大差距； 3射频连接器的标准体系； 3.1美军标及其他它先进标准: 美国是世界上最大的通用型RF连接器制造和消费国，其水平也是一流的，因此美国军用标准MIL-C-39012被认为是RF连接器的最高标准； 3.2IEC标准： IEC是指导性标准，不是强制性标准，因此很少被直接应用； 4其它先进标准： 德国的DIN、英国BS,日本JIS； 这些国家的标准大都是参照或等同美军标制订的有些国家甚至直接应用美军标，而不再另行制订标准；值得一提的是，德国在某些专用新型连接器方面也有一些优势，例如：DIN47223的7/16（L29）系列、DIN47297的SAA系列及DIN41626的DSA系列等。这些系列产品在通信领域应用较广泛，德国的标准和产品已得到全世界的认可，但美国尚未相应标准出现。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则 2，电容器
5，半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
电容命名规则
三星电容例：CL10B104KA8NNNC 规格说明：CL=积层陶瓷电容 03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520) 05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532) 10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750) 14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) II类:A=X5R F=Y5V B=X7R X=X6S Y=X7S 电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 10 0000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"." 如：3R3 = 3.3pF 误差： B=±0.1pf F=±1% K=±10% C=±0.25pf G=±2% M=±20% D=±0.5pf J=±5% Z=+80/-20% 承受的耐压： Q=6.3V P=10V O=16V A= 25V B= 50V C=100V D=200V E=250V G=500V H=630V 厚度： 3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫
米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米 5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米 L=3.20毫米 端头类别： A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100% N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% 产品： A =阵列(2-元素) B =阵列(4-元素) C=高频 L =LICC N =常规 P =自动 预留的用途包装方式： B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘 C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱