2015上海大学912模拟电子技术(专)考试大纲

2015上海大学912模拟电子技术(专)考试大纲
2015上海大学912模拟电子技术(专)考试大纲

考试科目:912模拟电子技术(专)

重点:二极管伏安特性;二极管理想模型;二极管典型应用电路;稳压二极管应用电路

2、双极性晶体三极管和场效应管

双极性晶体三极管和场效应管的结构特点、特性曲线、主要参数及工作原理;晶体三极管的三个工作区—放大区、饱和区、截止区以及安全工作区;场效应管的三个工作区及安全工作区。

重点:双极性晶体三极管和场效应管的特性曲线、工作区判断。

3、放大电路基础

放大电路的基本分析方法-静态估算和图解法分析(求静态工作点)以及交流等效电路分析法求解放大器的性能指标;利用图解法确定放大器的最大不失真输出信号范围的方法;三种基本放大电路性能及比较;多级放大电路分析。

重点:共发射极(共栅极)电路工作原理;电路交、直流分析;电压放大倍数、输入输出电阻;共集、共基电路分析;多级放大电路分析求解。

4、集成运算放大电路

集成运算放大器特点;集成运放内部电路组成及作用;电流源电路、差分放大器、输出级电路。

重点:集成运算放大器电路组成及主要性能指标;掌握差动放大电路的特点及性能分析计算;掌握常用电流源电路的分析。

5、放大器频率响应

失真概念及不失真条件;晶体管高频等效电路及频率特性;单级放大器高频响应;级联放大器的频率响应;放大器的低频响应。

重点:掌握系统渐近幅频、相频波特图;掌握用晶体管高频等效电路分析单级共射(共栅)电路的中频增益A UI及上限角频率ωΗ;了解基本放大电路频率特性;了解多级放大器频率特性的一般分析方法;掌握常用组合电路分析计算。

6、负反馈放大器

反馈基本概念;负反馈放大电路四种基本类型及其判断方法;各类负反馈对放大电路性能的影响;深度负反馈放大电路的计算;负反馈放大器的频率响应。

重点:负反馈电路的分类判断;负反馈对放大电路性能影响;深度负反馈放大电路的计算;负反馈放大器的稳定性与频率特性。

7、集成运算放大器及其应用

集成运算放大器基本特性;集成运放的基本运算电路;集成运算放大器构成有源滤波器;集成运算放大器构成精密检测电路和波形变换与波形产生电路。

重点:掌握集成运算放大器理想化的条件、掌握理想运算放大器工作在线性区和非线性区时的分析特点;掌握反相与同相负反馈运算放大器基本电路的分析计算;掌握集成运算放大器用作:比例、加、减运算功能,熟悉用作:微分、积分、对数、反对数运算功能;熟悉集成运算

电力电子技术期末考试试题及答案(1)

电力电子技术试题 第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为 __开关损耗 __。 3.电力电子器件组成的系统,一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 _保护电路 __。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通,承受反相电压截止 _。 6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为, UDSM_大于 __Ubo。 11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。 14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。 15.IGBT 的开启电压 UGE(th )随温度升高而 _略有下降 __,开关速度 __小于__电力 MOSFET。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在 1/2 或1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系数,在1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。

(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案

74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 : 审 题 人 : 命 题 时 间 : 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题( 卷) 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 (请将答案写在答题纸上,答在试卷上不给分) 一. 选择题(16分) 1.已知A B A B B A Y +++=,下列结果正确的是( ) a . Y =A b .Y=B c .A B Y += d .Y=1 2.已知A=(10.44)10(下标表示进制),下列结果正确的是( ) a . A=(1010.1)2 b .A=(0A .8)16 c . A=(12.4)8 d .A=(20.21)5 3.下列说法不正确的是( ) a .当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b .三态门输出端有可能出现三种状态(高阻态、高电平、低电平) c .OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d .集电极开路的门称为OC 门 4.以下错误的是( ) a .数字比较器可以比较数字大小 b . 半加器可实现两个一位二进制数相加 c .编码器可分为普通全加器和优先编码器 d .上面描述至少有一个不正确 5.下列描述不正确的是( ) a .触发器具有两种状态,当Q=1时触发器处于1态 b .时序电路必然存在状态循环 c .异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d .主从JK 触发器具有一次变化现象 6.电路如下图(图中为上升沿Jk 触发器),触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”,请问在时钟作用下,触发器下一状态(Q 3 Q 2 Q 1)为( ) a .“101” b .“100” c .“011” d .“000” 7.电路如下图,已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”,74LS191具有异步置数的逻辑功能,请问在时钟作用下,电路的下一状态(Q 3 Q 2 Q 1 Q 0)为( ) a .“1100” b .“1011” c .“1101” d .“0000” 8.下列描述不正确的是( ) a .EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b .DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c .积分型单稳触发器电路只有一个状态 d .上面描述至少有一个不正确 二.判断题(9分) 1.TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA ( ) 2.TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空( ) 3.当决定事件发生的所有条件中任一个(或几个)条件成立时,这件事件就会发生,这种因果关系称为与运算。() 4.将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。() 5.设计一个3进制计数器可用2个触发器实现( ) 6.移位寄存器除了可以用来存入数码外,还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器( ) 7. 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现( ) 8. 施密特触发器电路具有两个稳态,而多谐振荡器电路没有稳态( ) 9. DRAM 需要定期刷新,因此,在微型计算机中不如SRAM 应用广泛( ) 三.计算题(8分) 1、在如图所示电路中,U cc =5V ,U BB =9V ,R 1=5.1kΩ, R 2=15kΩ,R c =1kΩ,β=40,请计算U I 分别为5V ,0.3V 时输出U O 的大小?。 密 线 封 A B

南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础

南京理工大学研究生入学考试大纲 科目名:《电子技术基础》 一. 考试内容 模拟电路部分 1半导体器件 (1)半导体的基本概念:本征半导体; PN结 (2)半导体二极管:①半导体二极管的伏安特性;半导体二极管的主要参数;半导体二极管电路的分析。 (3)稳压二极管:稳压二极管的伏安特性;稳压二极管的主要参数;稳压二极管电路的分析。 (4)半导体三极管:三极管的电流放大特性;三极管的特性曲线和主要参数 (5)场效应管: ①结型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线; ②绝缘栅型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线;输出特性曲线的三个区; 2基本放大电路 (1)三极管放大电路:固定偏置放大电路的组成和分析;分压偏置放大电路的组成和分析;有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析;共集放大电路的组成和分析; (2)场效应管放大电路:场效应管放大电路;场效应管的微变等效模型;场效应管的两种静态偏置电路:自给偏压电路与分压式偏置电路;基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法;基本共漏电路及其静态、动态分析。 3 多级放大电路 (1)多级放大电路的三种耦合方式: (2)阻容耦合放大电路及其分析方法; (3)直接耦合放大电路及其分析方法; (4)变压器耦合放大电路; 4差分放大电路 (1)差放电路的工作原理:差放电路的组成;抑制零漂的原理;信号的三种输入方式:差模、共模、任意输入方式;共模电压放大倍数;差模电压放大倍数;共模抑制比; (2)差放电路的四种输入输出方式;双端输入双端输出方式;双端输入单端输出方式;(3)长尾差分放大电路:电阻长尾差分放大电路的静态分析和动态分析;带恒流源长尾差放电路的组成和静态分析、动态分析; 5功率放大电路 (1)功率放大电路的特点; (2)功率放大电路的三种工作状态;甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的特点。 (3)甲类功率放大电路的组成及分析方法( 甲类功率放大电路的工作原理,静态分析,动态分析。) (4)乙类功率放大电路的组成及分析方法(乙类功率放大电路的工作原理,静态分析,动态分析。) (5)甲乙类功率放大电路的组成及分析方法(甲乙类功率放大电路的工作原理,静态分析,

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

电工电子技术期末考试试题及答案汇总

成绩统计表 专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 请将选择题答案填入下表: 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。A、未通电状态B、通电状态C、根据情况确定状态4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数 B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数

C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。A.频率失真B、相位失真C、波形过零时出现的失真D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻(b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 ∞ 9.单稳态触发器的输出状态有(a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。

A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2=6V,R1=12Ω,R2=6Ω,R3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R3中的电流I3。(10分) a I3 b 2.如图所示R-L串联电路,R=280Ω,R L=20Ω,L=1.65H,电源电压U=220V,电源频率为50H Z。(10分)

模拟电子技术基础考试试题答案-(1)

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③

2015上海大学912模拟电子技术(专)考试大纲

考试科目:912模拟电子技术(专) 重点:二极管伏安特性;二极管理想模型;二极管典型应用电路;稳压二极管应用电路 2、双极性晶体三极管和场效应管 双极性晶体三极管和场效应管的结构特点、特性曲线、主要参数及工作原理;晶体三极管的三个工作区—放大区、饱和区、截止区以及安全工作区;场效应管的三个工作区及安全工作区。 重点:双极性晶体三极管和场效应管的特性曲线、工作区判断。 3、放大电路基础 放大电路的基本分析方法-静态估算和图解法分析(求静态工作点)以及交流等效电路分析法求解放大器的性能指标;利用图解法确定放大器的最大不失真输出信号范围的方法;三种基本放大电路性能及比较;多级放大电路分析。 重点:共发射极(共栅极)电路工作原理;电路交、直流分析;电压放大倍数、输入输出电阻;共集、共基电路分析;多级放大电路分析求解。 4、集成运算放大电路 集成运算放大器特点;集成运放内部电路组成及作用;电流源电路、差分放大器、输出级电路。 重点:集成运算放大器电路组成及主要性能指标;掌握差动放大电路的特点及性能分析计算;掌握常用电流源电路的分析。 5、放大器频率响应 失真概念及不失真条件;晶体管高频等效电路及频率特性;单级放大器高频响应;级联放大器的频率响应;放大器的低频响应。 重点:掌握系统渐近幅频、相频波特图;掌握用晶体管高频等效电路分析单级共射(共栅)电路的中频增益A UI及上限角频率ωΗ;了解基本放大电路频率特性;了解多级放大器频率特性的一般分析方法;掌握常用组合电路分析计算。 6、负反馈放大器 反馈基本概念;负反馈放大电路四种基本类型及其判断方法;各类负反馈对放大电路性能的影响;深度负反馈放大电路的计算;负反馈放大器的频率响应。 重点:负反馈电路的分类判断;负反馈对放大电路性能影响;深度负反馈放大电路的计算;负反馈放大器的稳定性与频率特性。 7、集成运算放大器及其应用 集成运算放大器基本特性;集成运放的基本运算电路;集成运算放大器构成有源滤波器;集成运算放大器构成精密检测电路和波形变换与波形产生电路。 重点:掌握集成运算放大器理想化的条件、掌握理想运算放大器工作在线性区和非线性区时的分析特点;掌握反相与同相负反馈运算放大器基本电路的分析计算;掌握集成运算放大器用作:比例、加、减运算功能,熟悉用作:微分、积分、对数、反对数运算功能;熟悉集成运算

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

电子技术期末考试试卷及答案

2、射极输出器电路中,输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是( )。 (a ) 两者反相,输出电压大于输出电压 (b ) 两者同相,输出电压近似等于输入电压 (c ) 两者相位差90 ,且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号,多级放大器级与级之间必须采 用( )。 (a ) 阻容耦合 (b ) 变压器耦合 (c ) 直接耦合 汁侶吗llTFF (咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅(签字) 试做教师(签字) 系、室土任(签字) )匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填 入括号内(本大题共16小题,总32分) 1、 电 路如图 所 示, 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通,D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止, D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件,则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i

⑻L i、C i组成的电路 (b)L、C组成的电路 (c)L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示,为了获得频率可调的输出电压,则应该调节的电阻是()。 ⑻R i (b)R F(c)R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于()。 ⑻放大状态(b)开关状态(c)击穿状态 7、数字电路中的工作信号为()。 ⑻随时间连续变化的电信号(b)脉冲信号(c)直流信号 8、逻辑电路如图所示,分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时,输出Q是“1”的瞬间为()。 ⑻t i (b) t2 (c) t3

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

《模拟电子技术》考试大纲

《模拟电子技术》考试大纲 一. 考试的目的和性质 考试的目的主要是检验学生对本课程教学大纲所规定的教学任务的完成情况,包括对模拟电子技术基本概念的理解程度,应用基本理论和分析方法对模拟电路进行分析、计算和实验的初步能力。 二.考试的内容和范围 考试范围:考试范围涵盖课程大纲中所规定的全部内容。 考试内容: 第一章常用半导体器件 1、考核知识 1)半导体基础知识 2)关导体二极管 3)三极管 4)场效应管 5)集成元件 2、考核要求 1)半导体知识 (1)了解本征半导体和杂质半导体 (2)理解PN结 2)、二极管 (1)了解共结构和分类 (2)掌握伏安特性和放大电路 3)三极管 (1)了解结构与分类 (2)掌握特性曲线 (3)理解温度对三极管的影响 4)场效应管 (1)了解场效应的原理与分类 (2)理解不同类型场管的作用 5)集成元件 了解制造工艺和分类

第二章基本放大电路 1、考核知识点 1)放大电路的工作原理 2)放大电路的分析方法(静态分析、图解法、微变等效电路)3)放大电路的静态工作点稳定 4)放大电路三种基本形式 5)放大电路派生电路 6)场效应管放大电路 2、考核要求 1)放大电路的几种形式 (1)了解三种基本接法 (2)掌握放大电路组成原则 (3)理解波形分析 2)静态分析 (1)理解静态工作点的必要性 (2)掌握计算静态工作点的方法 3)微变等效分析 (1)理解交流等效图 (2)掌握微变分析方法 4)场效应管 (1)了解场效应的三种接法 (2)理解不同类型场管的动态分析 第三章多级放大电路 1、考核知识点 1)多级耦合放大的耦合方式 多级耦合放大的动态分析 2)多级耦合形式 3)差分放大电路 2、考核要求 1)了解耦合形式 2)掌握多级放大电路的分析方 3)了解差分放大电路的传输特性 4)掌握差分放大电路的分析法 第四章集成运算放大电路 1、考核知识点

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础考试大纲

模拟电子技术基础考试大纲 一、课程目标 掌握模拟电路的基本理论知识和基本分析计算方法,为以后的专业课学习打好基础。 二、基本要求 其基本要求是通过学习常用半导体器件的特性和模拟电子电路的分析和设计方法,使学生获得模拟电子技术的基本理论、基本方法和基本技能。了解模拟电子技术发展的概况,初步掌握模拟电子电路的分析、设计方法。 三、考试要求 第一章半导体器件 1、掌握PN结的形成及其单向导电作用,熟练掌握二极管、稳压管的外特性和主要参数。 2、掌握半导体三极管的工作原理,熟练掌握外特性和主要参数。 3、掌握结型和绝缘栅场效应管的工作原理,掌握外特性和主要参数、使用注意事项。 第二章基本放大电路 1、掌握放大的基本概念,放大电路的主要指标,掌握放大电路的组成特点。 2、掌握利用放大电路的图解法来确定静态工作点,分析动态过程和波形失真的方法。 3、熟练掌握放大电路的等效电路法,会计算静态工作点,能用h参数微变等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。 4、了解共源、共漏放大电路的工作原理和分析万法。 5、了解复合管及组合放大电路。 第三章多级放大电路 1、熟练掌握直接耦合多级放大电路的工作原理、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算,掌握阻容藕合放大电路的工作原理和电压放大倍数的计算。 2、掌握直接耦合放大电路中零点漂移现象及其抑制措施。掌握差动放大电路的工作原理、输入和输出方式以及各项指标的计算。 第四章集成运算放大器 1、对集成运算放大器的内部电路仅作一般了解,熟练掌握理想集成运放的特点和实际运放的主要参数。 2、了解集成运放的种类,掌握选择和使用。 第五章放大电路的频率响应 1、熟练掌握放大电路频率响应的基本概念、隔直电容、旁路电容对低频响应的影响,结电容、杂散电容对高频响应的影响。 2、掌握含有一个时间常数的单级放大电路fl、f h的计算,掌握波特图的画法,掌握频率失真、增益带宽积和多级放大电路的频率响应。 第六章反馈 1、熟练掌握反馈的基本概念和分类,会判断反馈放大电路的组态类型,熟练掌握负反馈对放大电路性能的影响、在深度负反馈下放大倍数的计算。 2、熟练掌握虚短、虚断的概念、闭环放大倍数的表达式。 3、掌握负反馈放大电路的自激振荡条件,了解消振措施。 第七章信号的运算和处理 1、掌握线性应用和非线性应用的特性以及线性应用的分析方法。 2、熟练掌握由集成运放组成的比例、求和、减法、积分运算电路的工作原理以及输入和输出的关系,对微分、对数、指数、模拟乘法器等运算电路的工作原理以及输入和输出关系仅作一般了解,了解模拟乘法器的应用。

电工电子技术期末考试试卷及答案

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 一、填空题(每空1分,共40分) 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间,都有确定的大小和方向,叫做交流电该时刻的瞬时值,分别用小写字母 i 、 u 表示。 2、数字电路中只有 0 和 1 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的,所以中线又称__地___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___相__线。 4、(1011)2 = ( 11 )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件,但它们在电路中所起的作用却是不同的,从能量上看,电容是_储能____元件,电阻是__耗能____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫功率因数。 7、正弦交流电的三要素是振幅、频率和初相。 8、实际电压源总有内阻,因此实际电压源可以用电动势与电阻串联的组合模型来等效。 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1,全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0,全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1,相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中,电流、电压随时间按正弦规律变化的,称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V,则此电压的最大值为 311V ,频率为 50HZ ,初相位为 0 。 16、在如图所示的电路,已知I1 = 1A,I2 = 3A ,I5 =4.5A,则I3 = 4 A,I4 = 0.5 A,则I6 = 3.5 A。

17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极,发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时,其输入特性与二极管类似,但其输出特性 较为复杂,可分为放大区外,还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题(每小题2分,共10分) 1、如图所示电路中,电压表的内阻Rv为20KΩ,则电压表的指示为( B )。 20KΩ 20KΩ A.5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中,当负载为对称且三角型连接时,线电流与相电流的 相位关系是( D )。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是( C )。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中,若电阻从2Ω变到10Ω,则电流i( C )。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定 5、如图所示电路,电路的电流I=( A )。

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

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